半導(dǎo)體英語詞匯已有（Word）

1、半導(dǎo)體英語詞匯_已有 113.txt11生命是盛開的花朵，它綻放得美麗，舒展，絢麗多資；生命是精美的小詩，清新流暢，意蘊(yùn)悠長；生命是優(yōu)美的樂曲，音律和諧，宛轉(zhuǎn)悠揚(yáng)；生命是流淌的江河，奔流不息，滾滾向前半導(dǎo)體英語詞匯已有 113 次閱讀 2010-01-01 15:18 半導(dǎo)體英語詞匯1. acceptance testing (WAT: wafer acceptance testing)2. acceptor: 受主，如B，摻入Si中需要接受電子3. ACCESS：一個(gè)EDA（Engineering Data Analysis）系統(tǒng)4. Acid：酸5. Active device：有源器件，

2、如MOS FET（非線性，可以對(duì)信號(hào)放大）6. Align mark(key)：對(duì)位標(biāo)記7. Alloy：合金8. Aluminum：鋁9. Ammonia：氨水10. Ammonium fluoride：NH4F11. Ammonium hydroxide：NH4OH12. Amorphous silicon：-Si，非晶硅（不是多晶硅）13. Analog：模擬的14. Angstrom：A（1E-10m）埃15. Anisotropic：各向異性（如POLY ETCH）16. AQL(Acceptance Quality Level)：接受質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，在一定采樣下，可以95%置信度通過質(zhì)量

3、標(biāo)準(zhǔn)（不同于可靠性，可靠性要求一定時(shí)間后的失效率）17. ARC(Antireflective coating)：抗反射層（用于METAL等層的光刻）18. Antimony(Sb)銻19. Argon(Ar)氬1 / 2220. Arsenic(As)砷21. Arsenic trioxide(As2O3)三氧化二砷22. Arsine(AsH3)23. Asher：去膠機(jī)24. Aspect ration：形貌比（ETCH中的深度、寬度比）25. Autodoping：自攙雜（外延時(shí)SUB的濃度高，導(dǎo)致有雜質(zhì)蒸發(fā)到環(huán)境中后，又回?fù)降酵庋訉樱?6. Back end：后段（CONTACT以后

4、、PCM測試前）27. Baseline：標(biāo)準(zhǔn)流程28. Benchmark：基準(zhǔn)29. Bipolar：雙極30. Boat：擴(kuò)散用（石英）舟31. CD： （Critical Dimension）臨界（關(guān)鍵）尺寸。在工藝上通常指條寬，例如POLY CD 為多晶條寬。32. Character window：特征窗口。用文字或數(shù)字描述的包含工藝所有特性的一個(gè)方形區(qū)域。33. Chemical-mechanical polish（CMP）：化學(xué)機(jī)械拋光法。一種去掉圓片表面某種物質(zhì)的方法。34. Chemical vapor deposition（CVD）：化學(xué)汽相淀積。一種通過化學(xué)反應(yīng)生成一層

5、薄膜的工藝。35. Chip：碎片或芯片。36. CIM：computer-integrated manufacturing的縮寫。用計(jì)算機(jī)控制和監(jiān)控制造工藝的一種綜合方式。37. Circuit design ：電路設(shè)計(jì)。一種將各種元器件連接起來實(shí)現(xiàn)一定功能的技術(shù)。38. Cleanroom：一種在溫度，濕度和潔凈度方面都需要滿足某些特殊要求的特定區(qū)域。39. Compensation doping：補(bǔ)償摻雜。向P型半導(dǎo)體摻入施主雜質(zhì)或向N型摻入受主雜質(zhì)。40. CMOS：complementary metal oxide semiconductor的縮寫。一種將PMOS和NMOS在同一個(gè)硅

6、襯底上混合制造的工藝。41. Computer-aided design（CAD）：計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)。42. Conductivity type：傳導(dǎo)類型，由多數(shù)載流子決定。在N型材料中多數(shù)載流子是電子，在P型材料中多數(shù)載流子是空穴。43. Contact：孔。在工藝中通常指孔1，即連接鋁和硅的孔。44. Control chart：控制圖。一種用統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)描述的可以代表工藝某種性質(zhì)的曲線圖表。45. Correlation：相關(guān)性。46. Cp：工藝能力，詳見process capability。47. Cpk：工藝能力指數(shù)，詳見process capability index。48. Cycl

7、e time：圓片做完某段工藝或設(shè)定工藝段所需要的時(shí)間。通常用來衡量流通速度的快慢。49. Damage：損傷。對(duì)于單晶體來說，有時(shí)晶格缺陷在表面處理后形成無法修復(fù)的變形也可以叫做損傷。50. Defect density：缺陷密度。單位面積內(nèi)的缺陷數(shù)。51. Depletion implant：耗盡注入。一種在溝道中注入離子形成耗盡晶體管的注入工藝。（耗盡晶體管指在柵壓為零的情況下有電流流過的晶體管。）52. Depletion layer：耗盡層。可動(dòng)載流子密度遠(yuǎn)低于施主和受主的固定電荷密度的區(qū)域。53. Depletion width：耗盡寬度。53中提到的耗盡層這個(gè)區(qū)域的寬度。54.

8、Deposition：淀積。一種在圓片上淀積一定厚度的且不和下面層次發(fā)生化學(xué)反應(yīng)的薄膜的一種方法。55. Depth of focus（DOF）：焦深。56. design of experiments (DOE)：為了達(dá)到費(fèi)用最小化、降低試驗(yàn)錯(cuò)誤、以及保證數(shù)據(jù)結(jié)果的統(tǒng)計(jì)合理性等目的，所設(shè)計(jì)的初始工程批試驗(yàn)計(jì)劃。57. develop：顯影（通過化學(xué)處理除去曝光區(qū)域的光刻膠，形成所需圖形的過程）58. developer：）顯影設(shè)備； ）顯影液59. diborane (B2H6)：乙硼烷，一種無色、易揮發(fā)、有毒的可燃?xì)怏w，常用來作為半導(dǎo)體生產(chǎn)中的硼源60. dichloromethane (

9、CH2CL2)：二氯甲，一種無色，不可燃，不可爆的液體。61. dichlorosilane (DSC)：二氯甲硅烷，一種可燃，有腐蝕性，無色，在潮濕環(huán)境下易水解的物質(zhì)，常用于硅外延或多晶硅的成長，以及用在沉積二氧化硅、氮化硅時(shí)的化學(xué)氣氛中。62. die：硅片中一個(gè)很小的單位，包括了設(shè)計(jì)完整的單個(gè)芯片以及芯片鄰近水平和垂直方向上的部分劃片槽區(qū)域。63. dielectric：）介質(zhì)，一種絕緣材料； ）用于陶瓷或塑料封裝的表面材料，可以提供電絕緣功能。64. diffused layer：擴(kuò)散層，即雜質(zhì)離子通過固態(tài)擴(kuò)散進(jìn)入單晶硅中，在臨近硅表面的區(qū)域形成與襯底材料反型的雜質(zhì)離子層。65. di

10、silane (Si2H6)：乙硅烷，一種無色、無腐蝕性、極易燃的氣體，燃燒時(shí)能產(chǎn)生高火焰，暴露在空氣中會(huì)自燃。在生產(chǎn)光電單元時(shí)，乙硅烷常用于沉積多晶硅薄膜。66. drive-in：推阱，指運(yùn)用高溫過程使雜質(zhì)在硅片中分布擴(kuò)散。67. dry etch：干刻，指采用反應(yīng)氣體或電離氣體除去硅片某一層次中未受保護(hù)區(qū)域的混合了物理腐蝕及化學(xué)腐蝕的工藝過程。68. effective layer thickness：有效層厚，指在外延片制造中，載流子密度在規(guī)定范圍內(nèi)的硅錠前端的深度。69. EM：electromigration，電子遷移，指由通過鋁條的電流導(dǎo)致電子沿鋁條連線進(jìn)行的自擴(kuò)散過程。70.

11、epitaxial layer：外延層。半導(dǎo)體技術(shù)中，在決定晶向的基質(zhì)襯底上生長一層單晶半導(dǎo)體材料，這一單晶半導(dǎo)體層即為外延層。71. equipment downtime：設(shè)備狀態(tài)異常以及不能完成預(yù)定功能的時(shí)間。72. etch：腐蝕，運(yùn)用物理或化學(xué)方法有選擇的去除不需的區(qū)域。73. exposure：曝光，使感光材料感光或受其他輻射材料照射的過程。74. fab：常指半導(dǎo)體生產(chǎn)的制造工廠。75. feature size：特征尺寸，指單個(gè)圖形的最小物理尺寸。76. field-effect transistor（FET）：場效應(yīng)管。包含源、漏、柵、襯四端，由源經(jīng)柵到漏的多子流驅(qū)動(dòng)而工作，多

12、子流由柵下的橫向電場控制。77. film：薄膜，圓片上的一層或多層迭加的物質(zhì)。78. flat：平邊79. flatband capacitanse：平帶電容80. flatband voltage：平帶電壓81. flow coefficicent：流動(dòng)系數(shù)82. flow velocity：流速計(jì)83. flow volume：流量計(jì)84. flux：單位時(shí)間內(nèi)流過給定面積的顆粒數(shù)85. forbidden energy gap：禁帶86. four-point probe：四點(diǎn)探針臺(tái)87. functional area：功能區(qū)88. gate oxide：柵氧89. glass tr

13、ansition temperature：玻璃態(tài)轉(zhuǎn)換溫度90. gowning：凈化服91. gray area：灰區(qū)92. grazing incidence interferometer：切線入射干涉儀93. hard bake：后烘94. heteroepitaxy：單晶長在不同材料的襯底上的外延方法95. high-current implanter：束電流大于3ma的注入方式，用于批量生產(chǎn)96. hign-efficiency particulate air(HEPA) filter：高效率空氣顆粒過濾器，去掉99.97%的大于0.3um的顆粒97. host：主機(jī)98. hot c

14、arriers：熱載流子99. hydrophilic：親水性100. hydrophobic：疏水性101. impurity：雜質(zhì)102. inductive coupled plasma(ICP)：感應(yīng)等離子體103. inert gas：惰性氣體104. initial oxide：一氧105. insulator：絕緣106. isolated line：隔離線107. implant : 注入108. impurity n : 摻雜109. junction : 結(jié)110. junction spiking n :鋁穿刺111. kerf :劃片槽112. landing pad

15、n AD113. lithography n 制版114. maintainability, equipment : 設(shè)備產(chǎn)能115. maintenance n :保養(yǎng)116. majority carrier n :多數(shù)載流子117. masks, device series of n : 一成套光刻版118. material n :原料119. matrix n 1 :矩陣120. mean n : 平均值121. measured leak rate n :測得漏率122. median n :中間值123. memory n : 記憶體124. metal n :金屬125. na

16、nometer (nm) n ：納米126. nanosecond (ns) n ：納秒127. nitride etch n ：氮化物刻蝕128. nitrogen (N2 ) n： 氮?dú)?，一種雙原子氣體129. n-type adj ：n型130. ohms per square n：歐姆每平方: 方塊電阻131. orientation n： 晶向，一組晶列所指的方向132. overlap n ： 交迭區(qū)133. oxidation n ：氧化，高溫下氧氣或水蒸氣與硅進(jìn)行的化學(xué)反應(yīng)134. phosphorus (P) n ：磷 ，一種有毒的非金屬元素135. photomask n

17、：光刻版，用于光刻的版136. photomask, negative n：反刻137. images：去掉圖形區(qū)域的版138. photomask, positive n：正刻139. pilot n ：先行批，用以驗(yàn)證該工藝是否符合規(guī)格的片子140. plasma n ：等離子體，用于去膠、刻蝕或淀積的電離氣體141. plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) n：等離子體化學(xué)氣相淀積，低溫條件下的等離子淀積工藝142. plasma-enhanced TEOS oxide deposition n：TEOS淀積，淀積TEOS的一種

18、工藝143. pn junction n：pn結(jié)144. pocked bead n：麻點(diǎn)，在20X下觀察到的吸附在低壓表面的水珠145. polarization n：偏振，描述電磁波下電場矢量方向的術(shù)語146. polycide n：多晶硅 /金屬硅化物， 解決高阻的復(fù)合柵結(jié)構(gòu)147. polycrystalline silicon (poly) n：多晶硅，高濃度摻雜（>5E19）的硅，能導(dǎo)電。148. polymorphism n：多態(tài)現(xiàn)象，多晶形成一種化合物以至少兩種不同的形態(tài)結(jié)晶的現(xiàn)象149. prober n :探針。在集成電路的電流測試中使用的一種設(shè)備，用以連接圓片和檢測

19、設(shè)備。150. process control n :過程控制。半導(dǎo)體制造過程中，對(duì)設(shè)備或產(chǎn)品規(guī)范的控制能力。151. proximity X-ray n :近X射線：一種光刻技術(shù)，用X射線照射置于光刻膠上方的掩膜版，從而使對(duì)應(yīng)的光刻膠暴光。152. pure water n : 純水。半導(dǎo)體生產(chǎn)中所用之水。153. quantum device n :量子設(shè)備。一種電子設(shè)備結(jié)構(gòu)，其特性源于電子的波動(dòng)性。154. quartz carrier n :石英舟。155. random access memory (RAM) n :隨機(jī)存儲(chǔ)器。156. random logic device n :

20、隨機(jī)邏輯器件。157. rapid thermal processing (RTP) n :快速熱處理(RTP)。158. reactive ion etch (RIE) n : 反應(yīng)離子刻蝕(RIE)。159. reactor n :反應(yīng)腔。反應(yīng)進(jìn)行的密封隔離腔。160. recipe n :菜單。生產(chǎn)過程中對(duì)圓片所做的每一步處理規(guī)范。161. resist n :光刻膠。162. scanning electron microscope (SEM) n :電子顯微鏡(SEM)。163. scheduled downtime n : (設(shè)備)預(yù)定停工時(shí)間。164. Schottky barr

21、ier diodes n :肖特基二極管。165. scribe line n :劃片槽。166. sacrificial etchback n :犧牲腐蝕。167. semiconductor n :半導(dǎo)體。電導(dǎo)性介于導(dǎo)體和絕緣體之間的元素。168. sheet resistance (Rs) (or per square) n :薄層電阻。一般用以衡量半導(dǎo)體表面雜質(zhì)摻雜水平。169. side load: 邊緣載荷，被彎曲后產(chǎn)生的應(yīng)力。170. silicon on sapphire(SOS)epitaxial wafer:外延是藍(lán)寶石襯底硅的原片171. small scale inte

22、gration(SSI):小規(guī)模綜合，在單一模塊上由2到10個(gè)圖案的布局。172. source code:原代碼，機(jī)器代碼編譯者使用的，輸入到程序設(shè)計(jì)語言里或編碼器的代碼。173. spectral line: 光譜線，光譜鑷制機(jī)或分光計(jì)在焦平面上捕捉到的狹長狀的圖形。174. spin webbing: 旋轉(zhuǎn)帶，在旋轉(zhuǎn)過程中在下表面形成的細(xì)絲狀的剩余物。175. sputter etch: 濺射刻蝕，從離子轟擊產(chǎn)生的表面除去薄膜。176. stacking fault:堆垛層錯(cuò)，原子普通堆積規(guī)律的背離產(chǎn)生的2次空間錯(cuò)誤。177. steam bath:蒸汽浴，一個(gè)大氣壓下，流動(dòng)蒸汽或其他溫

23、度熱源的暴光。178. step response time:瞬態(tài)特性時(shí)間，大多數(shù)流量控制器實(shí)驗(yàn)中，普通變化時(shí)段到氣流剛到達(dá)特定地帶的那個(gè)時(shí)刻之間的時(shí)間。179. stepper: 步進(jìn)光刻機(jī)（按BLOCK來曝光）180. stress test: 應(yīng)力測試，包括特定的電壓、溫度、濕度條件。181. surface profile:表面輪廓，指與原片表面垂直的平面的輪廓（沒有特指的情況下）。182. symptom:征兆，人員感覺到在一定條件下產(chǎn)生變化的弊病的主觀認(rèn)識(shí)。183. tack weld:間斷焊，通常在角落上尋找預(yù)先有的地點(diǎn)進(jìn)行的點(diǎn)焊（用于連接蓋子）。184. Taylor tray

24、:泰勒盤，褐拈土組成的高膨脹物質(zhì)。185. temperature cycling:溫度周期變化，測量出的重復(fù)出現(xiàn)相類似的高低溫循環(huán)。186. testability:易測性，對(duì)于一個(gè)已給電路來說，哪些測試是適用它的。187. thermal deposition:熱沉積，在超過950度的高溫下，硅片引入化學(xué)摻雜物的過程。188. thin film:超薄薄膜，堆積在原片表面的用于傳導(dǎo)或絕緣的一層特殊薄膜。189. titanium(Ti): 鈦。190. toluene(C6H5CH3): 甲苯。有毒、無色易燃的液體，它不溶于水但溶于酒精和大氣。191. 1,1,1-trichloroeth

25、ane(TCA)(CL3CCH3): 有毒、不易燃、有刺激性氣味的液態(tài)溶劑。這種混合物不溶于水但溶于酒精和大氣。192. tungsten(W): 鎢。193. tungsten hexafluoride(WF6): 氟化鎢。無色無味的氣體或者是淡黃色液體。在CVD中WF6用于淀積硅化物，也可用于鎢傳導(dǎo)的薄膜。194. tinning: 金屬性表面覆蓋焊點(diǎn)的薄層。195. total fixed charge density(Nth): 下列是硅表面不可動(dòng)電荷密度的總和：氧化層固定電荷密度(Nf)、氧化層俘獲的電荷的密度(Not)、界面負(fù)獲得電荷密度(Nit)。196. watt(W): 瓦。

26、能量單位。197. wafer flat: 從晶片的一面直接切下去，用于表明自由載流子的導(dǎo)電類型和晶體表面的晶向，也可用ACA Anisotropic Conductive Adhesive 各向異性導(dǎo)電膠ACAF Anisotropic Conductive Adhesive Film各項(xiàng)異性導(dǎo)電膠膜Al Aluminium 鋁ALIVH All Inner Via Hole 完全內(nèi)部通孔AOI Automatic Optial Inspection 自動(dòng)光學(xué)檢查ASIC Application Specific Integrated Circuit 專用集成電路ATE Automatic

27、Test Equipment 自動(dòng)監(jiān)測設(shè)備AU Gold 金B(yǎng)CB Benzocyclohutene,Benzo Cyclo Butene 苯丙環(huán)丁烯BEO Beryllium Oxide 氧化鈹BIST Built-In Self-Test(Function) 內(nèi)建自測試(功能)BIT Bipolar Transistor 雙極晶體管BTAB Bumped Tape Automated Bonding 凸點(diǎn)載帶自動(dòng)焊BGA Ball Grid Array 焊球陣列BQFP Quad Flat Package With Bumper 帶緩沖墊的四邊引腳扁平封裝C4 Controlled Col

28、lapsed Chip Connection 可控塌陷芯片連接CAD Computer Aided Design 計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)CBGA Ceramic Ball Grid Array 陶瓷焊球陣列CCGA Ceramic Column Grid Array 陶瓷焊柱陣列CLCC Ceramic Leaded Chip Carrier 帶引腳的陶瓷片式載體CML Current Mode Logic 電流開關(guān)邏輯CMOS Complementary Metal-Oxide-Semiconductor 互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體COB Chip on Board 板上芯片COC Chip on Chi

29、p 疊層芯片COG Chip on Glass 玻璃板上芯片CSP Chip Size Package 芯片尺寸封裝CTE Coefficient of Thermal Expansion 熱膨脹系數(shù)CVD Chemical Vapor Depositon 化學(xué)汽相淀積DCA Direct Chip Attach 芯片直接安裝DFP Dual Flat Package 雙側(cè)引腳扁平封裝DIP Double In-Line Package 雙列直插式封裝DMS Direct Metallization System 直接金屬化系統(tǒng)DRAM Dynamic Random Access Memory

30、 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存貯器DSO Dual Small Outline 雙側(cè)引腳小外形封裝DTCP Dual Tape Carrier Package 雙載帶封裝3D Three-Dimensional 三維2D Two-Dimensional 二維EB Electron Beam 電子束ECL Emitter-Coupled Logic 射極耦合邏輯FC Flip Chip 倒裝片法FCB Flip Chip Bonding 倒裝焊FCOB Flip Chip on Board 板上倒裝片F(xiàn)EM Finite Element Method 有限元法FP Flat Package 扁平封裝FPBGA

31、 Fine Pitch Ball Grid Array 窄節(jié)距BGAFPD Fine Pitch Device 窄節(jié)距器件FPPQFP Fine Pitch Plastic QFP 窄節(jié)距塑料QFPGQFP Guard-Ring Quad Flat Package 帶保護(hù)環(huán)的QFPHDI High Density Interconnect 高密度互連HDMI High Density Multilayer Interconnect 高密度多層互連HIC Hybird Integrated Circuit 混合集成電路HTCC High Temperature Co-Fired Ceramic

32、高溫共燒陶瓷HTS High Temperature Storage 高溫貯存IC Integrated Circuit 集成電路IGBT Insulated Gate Bipolar Transistor 絕緣柵雙極晶體管ILB Inner-Lead Bond 內(nèi)引腳焊接I/O Input/Output 輸入/輸出IVH Inner Via Hole 內(nèi)部通孔JLCC J-Leaded Chip Carrier J形引腳片式載體KGD Known Good Die 優(yōu)質(zhì)芯片LCC Leadless Chip Carrier 無引腳片式載體LCCC Leadless Ceramic Chip

33、Carrier 無引腳陶瓷片式載體LCCP Lead Chip Carrier Package 有引腳片式載體封裝LCD Liquid Crystal Display 液晶顯示器LCVD Laser Chemical Vapor Deposition 激光化學(xué)汽相淀積LDI Laser Direct Imaging 激光直接成像LGA Land Grid Array 焊區(qū)陣列LSI Large Scale Integrated Circuit 大規(guī)模集成電路LOC Lead Over Chip 芯片上引線健合LQFP Low Profile QFP 薄形QFPLTCC Low Temperat

34、ure Co-Fired Ceramic 低溫共燒陶瓷MBGA Metal BGA 金屬基板BGAMCA Multiple Channel Access 多通道存取MCM Multichip Module 多芯片組件MCM-C MCM with Ceramic Substrate 陶瓷基板多芯片組件MCM-D MCM with Deposited Thin Film Inteconnect Substrate 淀積薄膜互連基板多芯片組件MCM-L MCM with Laminated Substrate 疊層基板多芯片組件MCP Multichip Package 多芯片封裝MELF Meta

35、l Electrode Face Bonding 金屬電極表面健合MEMS Microelectro Mechanical System 微電子機(jī)械系統(tǒng)MFP Mini Flat Package 微型扁平封裝MLC Multi-Layer Ceramic Package 多層陶瓷封裝MMIC Monolithic Microwave Integrated Circuit 微波單片集成電路MOSFET Metal-Oxide-Silicon Field-Effect Transistor 金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管MPU Microprocessor Unit 微處理器MQUAD Metal

36、Quad 金屬四列引腳MSI Medium Scale Integration 中規(guī)模集成電路OLB Outer Lead Bonding 外引腳焊接PBGA Plastic BGA 塑封BGAPC Personal Computer 個(gè)人計(jì)算機(jī)PFP Plastic Flat Package 塑料扁平封裝PGA Pin Grid Array 針柵陣列PI Polymide 聚酰亞胺PIH Plug-In Hole 通孔插裝PTF Plastic Leaded Chip Carrier 塑料有引腳片式載體PTF Polymer Thick Film 聚合物厚膜PWB Printed Wiring Board 印刷電路板PQFP Plastic QFP 塑料QFPQFJ Quad Flat J-leaded Package 四邊J形引腳扁平封裝QFP Quad Flat Package 四邊引腳扁平封裝QIP Quad In-Line Package 四列直插式封裝RAM Random Access Memory 隨機(jī)存取存貯器SBB Stud-Bump Bonding 釘頭凸點(diǎn)焊接SBC Solder-Ball Connection 焊球連接SCIM Single Chip I