微電子與光電子集成技術(shù)

1、微電子與光電子集成技術(shù)| *1 * ' 1 ' 1 ? -I ：片% 鏈亠月 *睡于與先肝緞球利15代1“"汀"rrd f>Ni»'hTrii"目 AAUJl作者：陳弘達(dá)ISBN : 10 位7121051508:13 位9787121051500:出版社：電子工業(yè)出版社出版日期：2008-1-1定價(jià):¥ 48.00 元內(nèi)容提要微電子技術(shù)與光電子技術(shù)緊密結(jié)合，相互滲透，必將推進(jìn)信息技術(shù)及相關(guān)的高新技術(shù)進(jìn)入新的發(fā)展階段。本書共分為9章，從技術(shù)基礎(chǔ)和實(shí)際應(yīng)用的角度出發(fā)，著重對(duì)微電子與光電子集成技術(shù)相關(guān)的工藝基礎(chǔ)、基本原

2、理和關(guān)鍵集成技術(shù)進(jìn)行了詳細(xì)闡述，主要內(nèi)容包括光發(fā)射器件、光電探測(cè)器、光波導(dǎo)器件、光電子專用集成電路、硅 基光電子集成回路、甚短距離光傳輸技術(shù)以及微電子與光電子混合集成技術(shù)等。微電子與光電子集成技術(shù)的實(shí)用化進(jìn)程，必將為21世紀(jì)科學(xué)技術(shù)的發(fā)展作出重大貢獻(xiàn)。然而，微電子與光電子集成技術(shù)是信息技術(shù)發(fā)展的一個(gè)嶄新方向，雖然各項(xiàng) 關(guān)鍵技術(shù)的發(fā)展取得了一定的進(jìn)步，但還存在諸多難題需要進(jìn)一步解決和完善。本書主要為從事集成光電子和光通信等相關(guān)技術(shù)研究的科研人員提供參考。目錄第1章概述1.1微電子技術(shù)簡(jiǎn)介雙極型微電子技術(shù)簡(jiǎn)介1.1.2 MOS微電子技術(shù)簡(jiǎn)介1.1.3 Bi-CMOS 微電子技術(shù)簡(jiǎn)介1.1.4 SO

3、I 微電子技術(shù)簡(jiǎn)介1.2 光電子技術(shù)簡(jiǎn)介1.2.1 光發(fā)射器件簡(jiǎn)介1.2.2 光接收器件簡(jiǎn)介1.2.3 光波導(dǎo)器件簡(jiǎn)介1.2.4 太陽能電池1.2.5 電子圖像顯示器件1.3 工藝與制備1.3.1 MBE 工藝1.3.2 MOCVD 工藝1.3.3 氧化1.3.4 化學(xué)氣相沉積（ CVD ）1.3.5 刻蝕1.3.6 光學(xué)光刻1.3.7 離子注入1.3.8 金屬化1.4 微電子與光電子集成技術(shù)簡(jiǎn)介 參考文獻(xiàn)第 2 章 光發(fā)射器件及集成技術(shù)2.1 光發(fā)射器件理論基礎(chǔ)2.1.1 晶體結(jié)構(gòu)2.1.2 能帶結(jié)構(gòu)2.1.3 雜質(zhì)能級(jí)2.1.4 半導(dǎo)體發(fā)光基礎(chǔ)理論2.2 光發(fā)射二極管2.2.1 概述2.2

4、.2 半導(dǎo)體光發(fā)射二極管的基本結(jié)構(gòu)2.2.3 發(fā)光二極管性質(zhì)2.2.4 硅基光發(fā)射二極管2.3 半導(dǎo)體激光器2.3.1 半導(dǎo)體激光器分類2.3.2 異質(zhì)結(jié)激光器2.3.3 分布反饋激光器（ DFB-LD ）2.3.4 量子阱激光器2.3.5 硅基半導(dǎo)體激光器2.4 垂直腔面發(fā)射激光器（ VCSEL ）2.4.1 VCSEL 的理論分析2.4.2 VCSEL 的總體結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)2.4.3 VCSEL 中反射鏡的設(shè)計(jì)2.4.4 VCSEL 光腔的設(shè)計(jì)2.4.5 幾種典型的 VCSEL 結(jié)構(gòu)及其制作工藝 參考文獻(xiàn)第 3 章 光接收器件及集成技術(shù)3.1 光電探測(cè)器理論基礎(chǔ)3.1.1 半導(dǎo)體中的光吸收3.1

5、.2 光生載流子3.2 光電探測(cè)器性能參數(shù)3.2.1 量子效率和響應(yīng)度3.2.2 頻率響應(yīng)3.2.3 噪聲和探測(cè)度3.3基于川-V族半導(dǎo)體材料的光電探測(cè)器3.3.1 PIN 型光電探測(cè)器3.3.2 APD 光電探測(cè)器3.3.3 MSM 光電探測(cè)器3.3.4 GaN 基紫外光電探測(cè)器3.4 基于硅基雙極型工藝的光電探測(cè)器3.4.1 與標(biāo)準(zhǔn)雙極工藝兼容的集成光電探測(cè)器3.4.2 修改雙極工藝條件下的集成光電探測(cè)器3.5 基于硅基 CMOS 工藝的集成光電探測(cè)器3.5.1 基于標(biāo)準(zhǔn) CMOS 工藝的集成光電探測(cè)器3.5.2 定制 CMOS 工藝下的 PIN 光電探測(cè)器3.5.3 BiCMOS 工藝下集成光電探測(cè)器3.6 鍺硅光電探測(cè)器3.7 光電探測(cè)器陣列 參考文獻(xiàn)第 4 章 光波導(dǎo)器件及集成技術(shù)4.1 光傳輸?shù)睦碚摳攀?.1.1 線光學(xué)理論4.1.2 電磁場(chǎng)理論基礎(chǔ)4.2 光波導(dǎo)基本結(jié)構(gòu)4.3 SOI 光波導(dǎo)4.3.1 SOI 光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)4.3.2 光波導(dǎo)的折射率及損耗系數(shù)4.3.3 硅光波導(dǎo)中損耗的分類4.3.4 硅中的光調(diào)制機(jī)制4.4 光波導(dǎo)器件制作技術(shù)4.4.1 SOI 基片的制備4.4.2 SOI 波導(dǎo)工藝特點(diǎn)簡(jiǎn)介4.5 硅基電光調(diào)制器件簡(jiǎn)介4.5.1 硅基電光調(diào)制器分類4.5.2 光相位調(diào)制器參考文獻(xiàn)第 5 章