微電子工藝技術(shù)課后作業(yè)hw

1、 學(xué)號(hào)：微藝技術(shù)業(yè)微工藝技術(shù)課后作業(yè) HW7成績(jī)： 作業(yè)布置時(shí)間：2018 年 12 月 20 號(hào)完- - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - -一、簡(jiǎn)答題：1. 5%寫(xiě)出晶圓濕法刻蝕工藝基本步驟。2. 5%晶圓濕法刻蝕的特點(diǎn)并寫(xiě)出影響晶圓濕法刻蝕的主要因素。3. 5%最常用于濕法刻蝕二氧化硅的化學(xué)藥品是什么？寫(xiě)出刻蝕二氧化硅的化學(xué)反應(yīng)式

2、。最常用于濕法刻蝕硅的化學(xué)藥品是什么？寫(xiě)出刻蝕硅的化學(xué)反應(yīng)式。最常用于濕法刻蝕氮化硅的化學(xué)藥品是什么？寫(xiě)出刻蝕氮化硅的化學(xué)反應(yīng)式。最常用于濕法刻蝕的化學(xué)藥品是什么？寫(xiě)出刻蝕金屬 Al 主要的化學(xué)反應(yīng)式。4. 5%鈦金屬硅化物中未反應(yīng)的鈦薄膜去除工藝使用濕法刻蝕的原理，并寫(xiě)出主要化學(xué)反應(yīng)式5. 5%等離子刻蝕工藝原理2018-2019 學(xué)年第一學(xué)期CH10-刻蝕工藝課程編號(hào)：2152643-HW7-1濕法刻蝕特點(diǎn)：影響濕法刻蝕的主要因素： 學(xué)號(hào)：微藝技術(shù)業(yè)6. 10%等離子體刻蝕由于具有等離子體的轟擊，所以能達(dá)到非等向性刻蝕輪廓，請(qǐng)解釋兩種非等向性刻蝕機(jī)理。7. 5%為什么多晶硅柵刻蝕工藝中多晶

3、硅對(duì)二氧化硅的選擇性要高？8. 10%寫(xiě)出集成電路中多晶硅干法刻蝕工藝的主要應(yīng)用集成電路工藝中多晶硅刻蝕的要求多晶硅刻蝕中影響器件性能和良品率的主要工藝參數(shù)9. 5%多晶硅干法刻蝕的主要?dú)怏w多晶硅干法刻蝕主要步驟每一個(gè)步驟所用到的氣體及作用集成電路工藝中為什么不使用氟氣體刻蝕多晶硅？2018-2019 學(xué)年第一學(xué)期CH10-刻蝕工藝課程編號(hào)：2152643-HW7-2 學(xué)號(hào)：微藝技術(shù)業(yè)10. 5%單晶硅刻蝕工藝使用的主要?dú)怏w及非等向刻蝕原理。寫(xiě)出單晶硅刻蝕中影響 STI 器件性能和良品率的主要工藝參數(shù)11. 5%SiO2 干法刻蝕工藝示意的主要?dú)怏w及刻蝕機(jī)理。接觸孔刻蝕的典型刻蝕步驟，及各步驟

4、使用的主要?dú)怏w及使用該氣體的目的。圖 1 CF 4 等離子體刻蝕加入 O2/H2 對(duì)刻蝕速率的影響12. 10%總結(jié)圖 1 CF4 等離子體刻蝕加入 O2 對(duì)刻蝕速率的影響。分析加入 O2 影響刻蝕速率的機(jī)理在接觸孔刻蝕工藝中的應(yīng)用。2018-2019 學(xué)年第一學(xué)期CH10-刻蝕工藝課程編號(hào)：2152643-HW7-3 學(xué)號(hào)：微藝技術(shù)業(yè)13. 10%總結(jié)圖 1 CF4 等離子體刻蝕加入 H2 對(duì)刻蝕速率的影響。分析加入 H2 影響刻蝕速率的機(jī)理在接觸孔刻蝕工藝中的應(yīng)用。14. 5%解釋什么是濕法和干法刻蝕。為何現(xiàn)代集成電路工藝普遍使用干法刻蝕。15. 10%使用 Al-Cu 合金多層互連金屬工藝中，主要的金屬成分是什么？根據(jù)金屬互連層的成分，如果需要對(duì) Al-Cu 金屬進(jìn)行刻蝕，使用什么氣體進(jìn)行干法刻蝕？寫(xiě)出主要的化學(xué)反應(yīng)式