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1、第三章 配位場(chǎng)理論和絡(luò)和物結(jié)構(gòu)1、概述配位化合物:又稱(chēng)絡(luò)合物,是一類(lèi)含有中心金屬原子(M)和若干配位體(L)的化合物(MLn )。 中心原子M通常是過(guò)渡金屬元素的原子(或離子),具有空的價(jià)軌道。 配位體L則有一對(duì)或一對(duì)以上孤對(duì)電子。 M和L之間通過(guò)配位鍵結(jié)合,成為帶電的配位離子,配位離子與荷異性電荷 的離子結(jié)合,形成配位化合物。 有時(shí)中心原子和配位體直接結(jié)合成不帶電的中性配位化合物分子。單核配位化合物:一個(gè)配位化合物分子(或離子)中只含有一個(gè)中心原子。多核配位化合物:含兩個(gè)或兩個(gè)以上中心原子。金屬原子簇化合物:在多核配位化合物中,若MM之間有鍵合稱(chēng)為金屬原子簇化合物。 2、 配位化合物結(jié)構(gòu)理論

2、的發(fā)展闡明配位化合物結(jié)構(gòu)的重要理論:價(jià)鍵理論(VBT)晶體場(chǎng)理論(CFT)分子軌道理論(MOT)配位場(chǎng)理論 價(jià)鍵理論的內(nèi)容: 根據(jù)配位化合物的性質(zhì),按雜化軌道理論用根據(jù)配位化合物的性質(zhì),按雜化軌道理論用共價(jià)配鍵共價(jià)配鍵和和電價(jià)電價(jià)配鍵配鍵解釋配位化合物中金屬離子和配體間的結(jié)合力。解釋配位化合物中金屬離子和配體間的結(jié)合力。例如: Fe(CN)64-、Co(NH3)63+、Co(CN)64-、Ni(CN)42-等呈現(xiàn)反磁性和弱磁性是由于中心離子有未充滿的d軌道和 s,p 空軌道,這些空軌道通過(guò)雜化組成雜化軌道,由配位體提供孤對(duì)電子,形成L M的 配鍵; FeF63-、CoF63-等的磁性表明,中心

3、離子的未成對(duì)電子數(shù)目和自由離子一樣,認(rèn)為金屬離子和配位體以靜電吸引力結(jié)合。價(jià)鍵理論的作用: 能簡(jiǎn)明解釋配位化合物幾何構(gòu)型和磁性等性質(zhì); 可以解釋Co(CN)64-存在高能態(tài)電子,非常容易被氧化,是很強(qiáng)的還原劑,能把水中的H+還原為H2。價(jià)鍵理論的缺點(diǎn):價(jià)鍵理論是定性理論,沒(méi)有提到反鍵軌道,不涉及激發(fā)態(tài),不能滿意地解釋配位化合物的光譜數(shù)據(jù),不能滿意說(shuō)明有些化合物的磁性、幾何構(gòu)型和穩(wěn)定性。 配位離子 3d 4s 4p 5s 雜化軌道 幾何形狀Fe(CN)64- Co(NH3)63+Co(CN)64- Ni(CN)42- FeF63- Ni(NH3)62+d2sp3 d2sp3 d2sp3 dsp2

4、 八面體八面體八面體平面四方八面體八面體配位離子的電子組態(tài)和幾何構(gòu)型配位離子的電子組態(tài)和幾何構(gòu)型 3.1 晶體場(chǎng)理論晶體場(chǎng)理論晶體場(chǎng)理論的內(nèi)容: 把中心離子把中心離子( (M) )和配體和配體( (L)的相互作用看作類(lèi)似離子的相互作用看作類(lèi)似離子晶體中正負(fù)離子的靜電作用。晶體中正負(fù)離子的靜電作用。 當(dāng)L接近M時(shí),M中的d軌道受到L負(fù)電荷的靜電微擾作用,使原來(lái)能級(jí)簡(jiǎn)并的d軌道發(fā)生分裂。按微擾理論可計(jì)算分裂能的大小,因計(jì)算較繁,定性地將配體看作按一定對(duì)稱(chēng)性排布的點(diǎn)電荷與M的d軌道電子云產(chǎn)生排斥作用。一、一、d d軌道能級(jí)分裂軌道能級(jí)分裂 在自由的過(guò)渡金屬離子中,5d軌道是簡(jiǎn)并的,但五個(gè)d軌道的空間

5、取向不同 。所以在具有不同對(duì)稱(chēng)性的配位體靜電場(chǎng)的作用下,將受到不同的影響, 使原來(lái)簡(jiǎn)并的5個(gè)d軌道產(chǎn)生能級(jí)分裂。1、正八面體場(chǎng) 八面體配位離子中,6個(gè)配位體沿 x, y, z 坐標(biāo)接近M,L的負(fù)電荷對(duì) 道的電子排斥作用大,使這兩軌道能級(jí)上升較多,而夾在兩坐標(biāo)之間 受到推斥較小,能級(jí)上升較少,這樣d軌道分裂成兩組:能級(jí)低的3個(gè)d軌道 通常用t2g表示;高能級(jí)的2個(gè)d軌道 通常用eg表示。222yxZdd、yzxzxyddd、yzxzxyddd、222yxZdd、 這兩組能級(jí)間的差值,稱(chēng)為晶體場(chǎng)分裂能,用o (或 )表示。量子力學(xué)原理指出,不管晶體場(chǎng)對(duì)稱(chēng)性如何,受到微擾的d軌道的平均能量是不變的。

6、選取Es能級(jí)為能量的零點(diǎn)。0321022gteggtegEEDqEE得:)或)或0204 . 0(46 . 0(6DqEDqEgteg 可見(jiàn),在八面體場(chǎng)中, d軌道分裂的結(jié)果是:與Es能級(jí)相比較,eg軌道能量上升了6Dq, t2g軌道能量下降了4Dq。 d電子根據(jù)分裂能( )和成對(duì)能(P)的相對(duì)大小填在這兩組軌道上,形成強(qiáng)場(chǎng)低自旋或弱場(chǎng)高自旋結(jié)構(gòu),以此解釋配位化合物的結(jié)構(gòu)、光譜、穩(wěn)定性及磁性等一系列性質(zhì)。2、正四面體場(chǎng)正四面體場(chǎng) 在正四面體場(chǎng)中原來(lái)五重簡(jiǎn)并的d軌道分裂為兩組:一級(jí)是能量較高的t2(dxz、dxz、dyg),另一組是能量較低的e(dz2 和dx2-y2)。能級(jí)分裂圖如下:0231

7、09422etetEEDqEEtettDqEDqE5367. 25278. 1 2得: 在配體相同時(shí), 正四面體場(chǎng)的能級(jí)分裂t大約只有正八面體場(chǎng)0的 4/9 倍,原因是:八面體絡(luò)合物,六個(gè)配體,四面體絡(luò)合物,只有四個(gè)配體;正四面體中d軌道未直接指向配體,受配體的排斥作用不 如八面體強(qiáng)烈。 可見(jiàn),在四面體場(chǎng)中, d軌道分裂的結(jié)果是:與Es能級(jí)相比較,t2 軌道能量上升了1.78Dq, e軌道能量下降了2.67Dq。3、平面正方形場(chǎng)、平面正方形場(chǎng)二、d軌道中電子的排布高自旋態(tài)和低自旋態(tài)1、分裂能分裂能和成對(duì)能和成對(duì)能P (1)分裂能分裂能:八面體絡(luò)合物,電子由t2g軌道躍遷到eg軌道所需要的能量,

8、即能級(jí)差Eeg-Et2g=0即分裂能。以表示。 影響大小的因素: 配體:中央離子固定,配體構(gòu)型一定,值配體有關(guān),大致為: I-Br-Cl-F-OH-H2ONH3CN-CO這個(gè)次序是由光譜實(shí)驗(yàn)確定的,稱(chēng)光譜化學(xué)序列。中央離子:配體固定時(shí),值隨中心離子改變。中心離子電荷越 高,值越大。值隨電子給予體的原子半徑的減少而增大 如IBrClSFONC (2)、成對(duì)能)、成對(duì)能 依洪特規(guī)則,電子分占不同軌道且自旋平行時(shí)能量較低,如果迫使本來(lái)自旋平行分占不同軌道的兩個(gè)電了擠到同一軌道上去,必使能量升高,這升高的能量為電子的成對(duì)能P。 2、d電子排布電子排布電子在d軌道中的排布與和P相對(duì)大小有關(guān)。 PEPEE

9、EEEEEba0000002)(2)(討論:排布穩(wěn)定。態(tài)穩(wěn)定,強(qiáng)場(chǎng)時(shí)低自旋排布穩(wěn)定。態(tài)穩(wěn)定,弱場(chǎng)時(shí)高自旋)( ,E , )2()( ,E , ) 1 (a0a0BEPAEPbb八面體絡(luò)和物:八面體絡(luò)和物:八面體絡(luò)合物,d軌道分裂成eg和t2g,能級(jí)差為0,電子排布受0和P的相對(duì)大小的制約。 當(dāng)0P時(shí),即強(qiáng)場(chǎng),電子盡可能先占據(jù)低能的t2g軌道,即強(qiáng)場(chǎng)低自旋穩(wěn)定強(qiáng)場(chǎng)低自旋穩(wěn)定。 當(dāng)OP時(shí),即弱場(chǎng),電子盡可能先分占五個(gè)d軌道自旋平行,即弱場(chǎng)高自旋穩(wěn)定。弱場(chǎng)高自旋穩(wěn)定。 四面體絡(luò)合物,d軌道分裂能小,而在配體相同的條件下,成對(duì)能變化不大,故P,四面體絡(luò)和物一般是高自旋的。四面體絡(luò)和物一般是高自旋的。四

10、面體絡(luò)和物四面體絡(luò)和物三、晶體場(chǎng)穩(wěn)定化能三、晶體場(chǎng)穩(wěn)定化能CFSE1、定義:、定義:將d電子從未分裂的d軌道Es能級(jí)進(jìn)入分裂的d軌道時(shí),所產(chǎn)生的總能量下降值,稱(chēng)為晶體場(chǎng)穩(wěn)定化能,用CFSE表示。能量下降的越多,即CFSE越大,絡(luò)合物越穩(wěn)定。 2、 CFSE的計(jì)算的計(jì)算四、姜四、姜泰勒效應(yīng)泰勒效應(yīng) 在對(duì)稱(chēng)的非線性分子中,如果有一個(gè)體系的基態(tài)有幾個(gè)在對(duì)稱(chēng)的非線性分子中,如果有一個(gè)體系的基態(tài)有幾個(gè)簡(jiǎn)并能級(jí)則是不穩(wěn)定的。體系一定要發(fā)生畸變,使一個(gè)能簡(jiǎn)并能級(jí)則是不穩(wěn)定的。體系一定要發(fā)生畸變,使一個(gè)能級(jí)降低,以消除這種簡(jiǎn)并性。級(jí)降低,以消除這種簡(jiǎn)并性。實(shí)驗(yàn)證明:許多八面體構(gòu)型的配合物發(fā)生變形, 這種畸變現(xiàn)

11、象可以用姜泰勒效應(yīng)解釋。 配合物發(fā)生畸變與電子構(gòu)型有關(guān),若在高能級(jí)的eg軌道上出現(xiàn)簡(jiǎn)并態(tài),則變形較大,產(chǎn)生大畸變;若在 t2g軌道上出現(xiàn)簡(jiǎn)并態(tài),則變形較小,產(chǎn)生小畸變;晶體場(chǎng)理論的作用和缺陷: 可以成功地解釋配位化合物的許多結(jié)構(gòu)和性質(zhì); 只按靜電作用進(jìn)行處理,相當(dāng)于只考慮離子鍵的作用,出發(fā)點(diǎn) 過(guò)于簡(jiǎn)單。 難于解釋分裂能大小變化次序。 如:中性的NH3分子比帶電的鹵素離子分裂能大,而且CO和 CN-等分裂能都特別大,不能用靜電場(chǎng)理論解釋。3.3 絡(luò)和物的絡(luò)和物的 分子軌道理論分子軌道理論分子軌道理論的內(nèi)容: 用分子軌道理論的觀點(diǎn)和方法處理金屬離子和配位體的成鍵作用。 LLMMcc有效形成分子軌道

12、要滿足:對(duì)稱(chēng)性匹配,軌道最大重疊,能級(jí)高低相近。 描述配位化合物分子的狀態(tài)主要是M的價(jià)層電子波函數(shù) 與配體L的分子軌道 組成離域分子軌道 ML 包括M中(n-1)d,ns,np等價(jià)層軌道, 可看作是群軌道。:M:LLc一、ML6 正正八面體絡(luò)和物中的八面體絡(luò)和物中的-配鍵配鍵 1、將中央離子和配位體的價(jià)軌道進(jìn)行分類(lèi),看看哪些是型,哪些型,中央離子共有9個(gè)價(jià)軌道可參與形成分子軌道 型:dx2-y2 dz2 s px py pz 型:dxy dyz dxz 配位體L按能與中心原子生成鍵或鍵軌道分別組合成新的群軌道,使與M的原子軌道對(duì)稱(chēng)性匹配。2、形成鍵和絡(luò)合物 為了滿足對(duì)稱(chēng)性一致原則,配位體的軌道

13、還要進(jìn)行組合,組合成和中央離子的軌道(型)對(duì)稱(chēng)性匹配的群軌道。 中央離子的型軌道(六個(gè))與配體的對(duì)稱(chēng)性一致的群軌道相互組合(重疊)形成配合物的分子軌道。 M223yxdMLc4s 4px 4py4pz3dxy 3dxy 3dyz 23zd)(61654321)22(321542163)(2141)(215421)(2152)(2163表 示a1g,a*1geg,e*gt1u,t*1u t2g ML6八面體場(chǎng)的分子軌道八面體場(chǎng)的分子軌道M ML6 6Lnpns(n-1)dt*1u a*g e*g ot2g eg t1u a1g 二、ML6 正正八面體絡(luò)和物中的八面體絡(luò)和物中的 - -配鍵配鍵1、

14、配體 金屬的- -配鍵 若配位體的軌道是低能的占據(jù)軌道,它們和中心離子的t2g軌道組成 型分子軌道。能級(jí)圖如下:軌道與軌道、軌道、型軌道:中型軌道:中 dp d ,d ,d yzxzxyLM eg* eg* oot2g t2g t2g*M ML LCl、F等的p軌道和M的d軌道形成鍵,縮小了o ,是弱場(chǎng)配體。所以這類(lèi)化合物都是高自旋構(gòu)型。2、金屬、金屬配體的配體的 配鍵配鍵 若配位體的軌道是空的,而且比中心原子的d軌道能量高。eg* t2g*eg* t2g t2g o o * M ML L 低能的中心離子t2g軌道中的電子進(jìn)入成鍵分子軌道,使中心離子t2g軌道能量下降,增大了分裂能。如CN-、

15、CO 配體,分裂能特別大,常生成低自旋絡(luò)和物。 由上可知,分裂能值大小與配體和中心原子之間鍵及鍵的成鍵效應(yīng)有關(guān)。1、如果配體為強(qiáng)的電子給予體,形成配體 金屬的配鍵,則分裂能減小,所以I- 、Cl-等離子是弱場(chǎng)。2、如果配體為強(qiáng)的電子接受體,形成金屬配體的配鍵,使分裂能增大,因此 CN-、CO 等配體是強(qiáng)場(chǎng)。而不能提供軌道的如H2O、NH3等配體屬于中強(qiáng)場(chǎng)配體。 這樣就很好的定性解釋了光譜化學(xué)序列。三、一一鍵和羰基絡(luò)合物的結(jié)構(gòu)鍵和羰基絡(luò)合物的結(jié)構(gòu) 由配位化合物的分子軌道理論可知:有一類(lèi)配位體既有孤對(duì)電子的軌道又有能量高于中心原子d軌道的* 空軌道,它們能與中心原子同時(shí)生成鍵鍵和鍵, 成鍵軌道的電

16、子由配位體低能級(jí)的孤對(duì)電子提供,這類(lèi)由中心原子單方面提供電子的鍵稱(chēng)為反饋鍵。這種雙重鍵合稱(chēng)為- 配鍵。兩方面的電子授受作用正好相配合,使配位化合物更加穩(wěn)定。1、羰基絡(luò)合物羰基絡(luò)合物 CO分子的電子結(jié)構(gòu): KKKK(33)2 2(44)2 2(11)4 4(55)2 2(2)2)0 0 -鍵的形成鍵的形成:在金屬羰基化合物中,CO以碳原子和金屬原子相連,MCO 在一直線上。 CO 分子一方面以孤對(duì)電子給予中心金屬原子的空軌道,形成配鍵; 另一方面又有空的反鍵 *軌道可接受金屬原子的 d 電子形成鍵。這種鍵稱(chēng)反饋鍵。由于一鍵的形成,產(chǎn)生兩種明顯的效應(yīng):1、加強(qiáng)了中心金屬和配位體之間的結(jié)合。結(jié)果使

17、MC 間的鍵比共價(jià)單鍵要強(qiáng);2、削弱了配位體內(nèi)部的結(jié)合。由于反鍵軌道上有一定數(shù)量的電子,CO間的鍵比 CO分子中的鍵弱一些。 (A)(B)MCO 中中-配鍵示意圖配鍵示意圖 2、18電子規(guī)則電子規(guī)則 大多數(shù)羰基配位化合物具有如下特點(diǎn): 每個(gè)金屬原子的價(jià)電子數(shù)和它周?chē)湮惑w提供的價(jià)電子數(shù)加在一起滿足18電子規(guī)則; 具有反磁性 M Cr Mn Fe Co Ni價(jià)電子數(shù)需要電子數(shù)形成的羰基配位化合物 6 7 8 9 10 12 11 10 9 8 Cr(CO)6 Mn2(CO)10 Fe(CO)5 Co2(CO)8 Ni(CO)43.3晶體場(chǎng)理論與分子軌道理論的比較及配位場(chǎng)理論晶體場(chǎng)理論與分子軌道理

18、論的比較及配位場(chǎng)理論一、晶體場(chǎng)理論與分子軌道理論的比較晶體場(chǎng)理論與分子軌道理論的比較二、配位場(chǎng)理論二、配位場(chǎng)理論配位場(chǎng)理論內(nèi)容: 是晶體場(chǎng)理論的發(fā)展,其實(shí)質(zhì)是配位化合物的分子軌道理論。配位場(chǎng)理論處理問(wèn)題的方法: 在處理中心金屬原子在其周?chē)湮惑w所產(chǎn)生的電場(chǎng)作用下,金屬原子軌道能級(jí)發(fā)生變化時(shí),以分子軌道理論方法為主,根據(jù)配位體場(chǎng)的對(duì)稱(chēng)性進(jìn)行簡(jiǎn)化,并吸收晶體場(chǎng)理論的成果,闡明配位化合物的結(jié)構(gòu)和性質(zhì)。M ML6 6Lnpns(n-1)dt*1u a*g e*g ot2g eg t1u a1g 配位化合物分子軌道能級(jí)圖配位化合物分子軌道能級(jí)圖 因L電負(fù)性較高而能級(jí)低,電子進(jìn)入成鍵軌道,相當(dāng)于配鍵。M的

19、電子安排在t2g和e*g軌道上 。這樣,3 個(gè)非鍵軌道t2g 與2個(gè)反鍵軌道e*g 所形成的5 個(gè)軌道,提供安排中心金屬離子的d 電子。把5 個(gè)軌道分成兩組:3個(gè)低的t2g ,2個(gè)高的e*g 。 t2g 和e*g 間的能級(jí)間隔稱(chēng)為分裂能o ,它和晶體場(chǎng)理論中t2g 和eg 間的o 相當(dāng)。正四面體場(chǎng):正四面體場(chǎng): dz2dx2-y2dxz, dyz, dxyr22斥力小斥力小2r斥力大斥力大t2EEsTd場(chǎng)平面正方形場(chǎng):平面正方形場(chǎng): xydx2-y2dxydz2dxz, dyzD4h場(chǎng)xy例: O2 的過(guò)渡金屬配位化合物的研究工作,既是生化,無(wú)機(jī)等化學(xué)分支研究的課題,也是化工和石油化工生產(chǎn)中催化氧化反應(yīng)涉及到的問(wèn)題。 磷、砷、銻 、鉍的三價(jià)化合物,也可作為配位體形成-配鍵。 如: P

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