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文檔簡介

1、習(xí) 題 課(一) 1-1 在邊長為a的正方體中心處放置一點(diǎn)電荷Q,設(shè)無窮遠(yuǎn)處為電勢零點(diǎn),則在正方體頂角處的電勢為 (A) (B) (C) (D) 1-2 選無窮遠(yuǎn)處為電勢零點(diǎn),半徑為R的導(dǎo)體球帶電后,其電勢為U0,則球外離球心距離為r處的電場強(qiáng)度的大小為(A) (B) (C) (D) 1-3 在一個孤立的導(dǎo)體球殼內(nèi),若在偏離球中心處放一個點(diǎn)電荷,則在球殼內(nèi)、外表面上將出現(xiàn)感應(yīng)電荷,其分布將是(A)內(nèi)表面均勻,外表面也均勻。 (B)內(nèi)表面不均勻,外表面均勻。(C)內(nèi)表面均勻,外表面不均勻。 (D)內(nèi)表面不均勻,外表面也不均勻。 1-4 一平行板電容器充電后仍與電源連接,若用絕緣手柄將電容器兩極板

2、間距離拉大,則極板上的電量Q、電場強(qiáng)度的大小E和電場能量W將發(fā)生如下變化 (A)Q增大,E增大,W增大。 (B)Q減小,E減小,W減小。(C)Q增大,E減小,W增大。 (D)Q增大,E增大,W減小。 1-5 一半徑為R的均勻帶電圓盤,電荷面密度為s ,設(shè)無窮遠(yuǎn)處為電勢零點(diǎn),則圓盤中心O點(diǎn)的電勢U 0 = 。1-6 圖示BCD是以O(shè)點(diǎn)為圓心,以R為半徑的半圓弧,在A點(diǎn)有一電量為+q的點(diǎn)電荷,O點(diǎn)有一電量為-q的點(diǎn)電荷,線段BA = R,現(xiàn)將一單位正電荷從B點(diǎn)沿半圓弧軌道BCD移到D點(diǎn),則電場力所做的功為 。1-7 兩個電容器1和2,串聯(lián)后接上電源充電。在電源保證連接的情況下,若把電介質(zhì)充入電容器

3、2中,則電容器1上的電勢差 ,電容器極板上的電量 。(填增大、減小、不變)1-8 如圖所示為一個均勻帶電的球?qū)?,其電荷體密度為r,球?qū)觾?nèi)表面半徑為R1,外表面半徑為R2,設(shè)無窮遠(yuǎn)處為電勢零點(diǎn),求空腔內(nèi)任一點(diǎn)的電勢。 1-9 如圖所示,半徑分別為R1和R2(R2 > R1)的兩個同心導(dǎo)體薄球殼,分別帶電量Q1和Q2,今將內(nèi)球殼用細(xì)導(dǎo)線與遠(yuǎn)處半徑為r的導(dǎo)體球相連,導(dǎo)體球原來不帶電,試求相連后導(dǎo)體球所帶電量q 。習(xí) 題 課(二) 2-1 無限長直導(dǎo)線在P處彎成半徑為R的圓,當(dāng)通以電流I時,則在圓心O點(diǎn)的磁感應(yīng)強(qiáng)度大小等于 (A)0 (B) (C) (D) (E) 2-2 無限長直圓柱體,半徑為

4、R,沿軸向均勻流有電流。設(shè)圓柱體內(nèi)( r <R )的磁感應(yīng)強(qiáng)度為Bi,圓柱體外( r >R )的磁感應(yīng)強(qiáng)度為Be,則有 (A)Bi、Be均與r成正比。 (B)Bi與r成反比,Be與r成正比。 (C)Bi、Be均與r成反比。 (D)Bi與r成正比,Be與r成反比。 2-3 在勻強(qiáng)磁場中有兩個平面線圈,其面積A1=2A2, 通有電流I1=2I2,它們所受的最大磁力矩之比等于 (A)1 (B)2 (C)4 (D)1/42-4 一細(xì)長載流直導(dǎo)線通有電流I,導(dǎo)線上還帶有線電荷密度為l 的凈電荷。一帶電粒子在距此導(dǎo)線r處平行于導(dǎo)線以速度v作直線運(yùn)動。設(shè)粒子只受電磁力作用,則當(dāng)導(dǎo)線內(nèi)電流變?yōu)闀r,

5、粒子仍作直線運(yùn)動的條件是(A)使導(dǎo)線上凈電荷密度增大一倍; (B)將粒子電荷增加一倍;(C)加上平行于導(dǎo)線的外磁場; (D)將粒子速率加倍。2-5 將一無限長載流直導(dǎo)線彎曲成圖示的形狀,已知電流為I,圓弧半徑為R,q =120o,則圓心O處磁感應(yīng)強(qiáng)度B的大小為 , B的方向?yàn)?。 2-6 已知面積相等的載流圓線圈與載流正方形線圈的磁矩之比為21,圓線圈在其中心處產(chǎn)生的磁感應(yīng)強(qiáng)度為 B0,那么正方形線圈(邊長為 a)在磁感強(qiáng)度為B的均勻外磁場中所受最大磁力矩為_。 2-7 如圖所示,一無限長直導(dǎo)線通有電流I = 10A,在M處折成夾角q = 60°的折線,求角平分線上與導(dǎo)線的垂直距離均

6、為 r = 0.10m的P點(diǎn)處的磁感應(yīng)強(qiáng)度。 2-8 如圖所示,載有電流I1和I2的長直導(dǎo)線ab和cd相互平行,相距為3r,今有載有電流I3的導(dǎo)線MN = r,水平放置,且其兩端M、N與I1、I2的距離都是r,ab、cd和MN共面,求導(dǎo)線MN所受的磁力大小和方向。 習(xí) 題 課(三) 3-1 自感為0.25H的線圈中,當(dāng)電流在(1/16)s 內(nèi)由2A均勻減小到零時,線圈中自感電動勢的大小為: (A)7.8×10 3 V (B)2.0V (C)8.0V (D)3.1×10 2 V3-2 有兩個長直密繞螺線管,長度及線圈匝數(shù)均相同,半徑分別為 r1和r2。管內(nèi)充滿均勻介質(zhì),其磁導(dǎo)

7、率分別為m 1和m 2。設(shè)r1 : r2 = 1 : 2,m 1 : m 2 = 2 : 1,當(dāng)將兩只螺線管串聯(lián)在電路中通電穩(wěn)定后,其自感系數(shù)之比 L1 : L2與磁能之比Wm1 : Wm2分別為: (A)L1 : L2 = 1 : 1, Wm1 : Wm2 = 1 : 1 (B)L1 : L2 = 1 : 2, Wm1 : Wm2 = 1 : 1(C)L1 : L2 = 1 : 2, Wm1 : Wm2 = 1 : 2 (D)L1 : L2 = 2 : 1, Wm1 : Wm2 = 2 : 1 3-3 在圓柱形空間內(nèi)有一磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的均勻磁場,如圖所示,B的大小以速率dB/ d t變化,有

8、一長度為l0的金屬棒先后放在磁場的兩個不同位置1(ab)和2(a¢ b¢)。則金屬棒在這兩個位置時棒內(nèi)的感應(yīng)電動勢的大小關(guān)系為:(A)e 2=e 1 ¹ 0 (B)e 2 > e 1 (C)e 2 < e 1 (D)e 2=e 1 = 0 3-4 長為 l的金屬直導(dǎo)線在垂直于均勻磁場的平面內(nèi)以角速度w 轉(zhuǎn)動。如果轉(zhuǎn)軸在導(dǎo)線上的位置是在 ,整個導(dǎo)線上的電動勢為最大,其值為_。如果轉(zhuǎn)軸位置是在_,整個導(dǎo)線上的電動勢為最小,其值為_。3-5 一半徑 r =10cm的圓形閉合導(dǎo)線回路置于均勻磁場 B(B = 0.80T)中,B與回路平面正交。若圓形回路的半徑從

9、 t = 0開始以恒定的速率d r / d t = -80cm/s收縮,則在這 t = 0時刻,閉合回路中的感應(yīng)電動勢大小為_;如要求感應(yīng)電動勢保持這一數(shù)值,則閉合回路面積應(yīng)以dS/dt = 的恒定速率收縮。 3-6 有兩個長度相同,匝數(shù)相同,截面積不同的長直螺線管,通以相同大小的電流。現(xiàn)在將小螺線管完全放入大螺線管里(兩者軸線重合),且使兩者產(chǎn)生的磁場方向一致,則小螺線管內(nèi)的磁能密度是原來的 倍;若使兩螺線管產(chǎn)生的磁場方向相反,則小螺線管內(nèi)的磁能密度為 (忽略邊緣效應(yīng))。 3-7 如圖所示,長直導(dǎo)線AB中的電流 I沿導(dǎo)線向上,并以 dI/dt2A/s的變化率均勻增長。導(dǎo)線附近放一個與之共面的

10、直角三角形線框,其一邊與導(dǎo)線平行,位置及線框尺寸如圖(設(shè)a =10cm, b=20cm, c = 5.0cm)所示。求此線框中產(chǎn)生的感應(yīng)電動勢的大小和方向。 3-8 載流長直導(dǎo)線與矩形回路ABCD共面,且導(dǎo)線平行于AB,如圖。求下列情況下ABCD中的感應(yīng)電動勢: (1)長直導(dǎo)線中電流恒定,t時刻ABCD以垂直于導(dǎo)線的速度 v從圖示初始位置遠(yuǎn)離導(dǎo)線勻速平移到某一位置時。 (2)長直導(dǎo)線中電流 II0sinw t,ABCD不動。 (3)長直導(dǎo)線中電流II0sinw t,ABCD以垂直于導(dǎo)線的速度v遠(yuǎn)離導(dǎo)線勻速運(yùn)動,初始位置也如圖。 習(xí) 題 課(四)4-1 一束波長為 l 的單色光由空氣垂直入射到折

11、射率為n的透明薄膜上,透明薄膜放在空氣中,要使反射光得到干涉加強(qiáng),則薄膜最小的厚度為(A)l / 4 (B)l / (4n) (C)l / 2 (D)l / (2n) 4-2 兩塊平玻璃構(gòu)成空氣劈尖,左邊為棱邊,用單色平行光垂直入射,若上面的平玻璃慢慢地向上平移,則干涉條紋 (A)向棱邊方向平移,條紋間隔變小。 (B)向遠(yuǎn)離棱邊方向平移,條紋間隔變小。 (C)向棱邊方向平移,條紋間隔不變。 (D)向遠(yuǎn)離棱邊方向平移,條紋間隔不變。 4-3 在單縫夫瑯和費(fèi)衍射實(shí)驗(yàn)中,波長為 l 的單色光垂直入射在寬度為a = 4l 的單縫上,對應(yīng)于衍射角為30o的方向,單縫處波陣面可分成的半波帶數(shù)目為(A)2個

12、 (B)4個 (C)6個 (D)8 4-4 某元素的特征光譜中含有波長分別為l1=450nm和l2=750nm的光譜線。在光柵光譜中,這兩種波長的譜線有重疊現(xiàn)象,重疊處l2的譜線的級數(shù)將是(A)2,3,4,5 (B) 2,5,8,11 (C)2,4,6,8 (D) 3,6,9,124-5 用波長為l的單色光垂直照射折射率為n2的劈尖薄膜(如圖),圖中各部分折射率的關(guān)系是n1< n2< n3,觀察反射光的干涉條紋,從劈尖角開始向右數(shù)第五條暗紋中心所對應(yīng)的厚度= 。 4-6 一雙縫干涉裝置,在空氣中觀察時干涉條紋間距為1.0mm。若整個裝置放在水中,干涉條紋間距將為 mm。(設(shè)水的折射

13、率為4/3) 4-7 一束自然光通過兩個偏振片,若兩偏振片的偏振化方向間夾角由a1轉(zhuǎn)到a2,且不考慮吸收,則轉(zhuǎn)動前后透射光強(qiáng)度之比為 。 4-8 如圖是一牛頓環(huán)裝置,設(shè)平凸透鏡中心恰好和平玻璃接觸,透鏡凸表面的曲率半徑R=400cm。用某單色平行光垂直入射,觀察反射光形成的牛頓環(huán),測得第5個明環(huán)的半徑是0.30cm。 (1) 求入射光的波長。 (2) 設(shè)圖中OA=1.00cm,求在半徑為OA的范圍內(nèi)可觀察到的明環(huán)數(shù)目。4-9 波長范圍在450650nm之間的復(fù)色平行光垂直照射在每厘米有5000條刻線的光柵上,屏幕放在透鏡的焦平面處,屏上第二級光譜各色光在屏上所占范圍的寬度為35.1cm,求透鏡

14、的焦距f 。綜 合 測 試 一、選擇題: 1. 有N個電量均為q的點(diǎn)電荷,以兩種方式分布在相同半徑的圓周上:一種是無規(guī)則地分布,另一種是均勻分布。比較這兩種情況下在過圓心O并垂直于圓平面的Z軸上任一點(diǎn)P的場強(qiáng)與電勢,則有 (A)場強(qiáng)相等,電勢相等。 (B)場強(qiáng)不等,電勢不等。 (C)場強(qiáng)分量Ez相等,電勢相等。 (D)場強(qiáng)分量Ez相等,電勢不等。 2. 一平行板電容器始終與一端電壓一定的電源相聯(lián)。當(dāng)電容器兩極板間為真空時,電場強(qiáng)度為E0 ,電位移為D0 ,而當(dāng)兩極板間充滿相對電容率為e r的各向同性均勻電介質(zhì)時,電場強(qiáng)度為E,電位移為D,則 (A)E = E0 /e r,D = D0 (B)E

15、 = E0,D =e r D0 (C)E = E0 /e r,D = D0 /e r (D)E = E0,D = D0 3. 真空中有一均勻帶電球體和一均勻帶電球面,如果它們的半徑和所帶的電量都相等,則它們的靜電能之間的關(guān)系是 (A)球體的靜電能等于球面的靜電能。 (B)球體的靜電能大于球面的靜電能。 (C)球體的靜電能小于球面的靜電能。 (D)球體內(nèi)的靜電能大于球面內(nèi)的靜電能,球體外的靜電能小于球面外的靜電能。4. 有一個圓形回路1及一個正方形回路2,圓直徑和正方形的邊長相等,二者中通有大小相等的電流,它們在各自中心產(chǎn)生的磁感應(yīng)強(qiáng)度的大小之比為 (A)0.90 (B)1.00 (C)1.11

16、 (D)1. 22 5. 有一半徑為R的單匝圓線圈,通以電流I,若長度不變,將該導(dǎo)線彎成匝數(shù)N=2的平面圓線圈,仍通以電流I,則線圈中心的磁感應(yīng)強(qiáng)度和線圈的磁矩分別是原來的(A)4倍和1/8 (B)4倍和1/2 (C)2倍和1/4 (D)2倍和1/2 6. 一導(dǎo)體圓線圈在均勻磁場中運(yùn)動,能使其中產(chǎn)生感應(yīng)電流的一種情況是(A)線圈平面垂直于磁場并沿垂直磁場方向平移。(B)線圈平面平行于磁場并沿垂直磁場方向平移。(C)線圈繞自身直徑軸轉(zhuǎn)動,軸與磁場方向平行。(D)線圈繞自身直徑軸轉(zhuǎn)動,軸與磁場方向垂直7. 如圖所示,直角三角形金屬框架abc放在均勻磁場中,磁場B平行于ab邊,bc的長度為l。當(dāng)金屬

17、框架繞ab邊以勻角速度w 轉(zhuǎn)動時,abc回路中的感應(yīng)電動勢e 和a、c兩點(diǎn)間的電勢差Ua-Uc為(A)e = 0, (B)e = 0,(C), (D),8. 在雙縫干涉實(shí)驗(yàn)中,為使屏上的干涉條紋間距變大,可以采取的辦法是 (A)使屏靠近雙縫。 (B)使兩縫的間距變小。(C)把兩個縫的寬度稍微調(diào)窄。 (D)改用波長較小的單色光源。9. 在單縫夫瑯和費(fèi)衍射實(shí)驗(yàn)中,設(shè)第一級暗紋的衍射角很小,若鈉黃光(l1=589nm)中央明紋寬度為4.0mm,則l2=442nm的藍(lán)紫色光的中央明紋寬度為(A)3.0mm (B)2.0mm (C)1.0mm (D)5.0mm 10. 三個偏振片P1、P2與P3堆疊在一

18、起,P1與P3的偏振化方向相互垂直,P2與P1的偏振化方向間的夾角為30o。強(qiáng)度為I0的自然光垂直入射于偏振片P1,并依次透過偏振片P1、P2與P3,若不考慮偏振片的吸收和反射,則通過三個偏振片后的光強(qiáng)為(A)I0 /4 (B)3I0 /8 (C)3I0 /32 (D)I0 /16二、填空題1. 真空中有一半徑為R的半圓細(xì)環(huán),均勻帶電Q,如圖所示,設(shè)無窮遠(yuǎn)處為電勢零點(diǎn),則圓心o點(diǎn)處的電勢U0= ,若將一帶電量為q的點(diǎn)電荷從無窮遠(yuǎn)處移到圓心o點(diǎn),則電場力作功W= 。 2.一“無限長”均勻帶電直線沿Z軸放置,線外某區(qū)域的電勢表達(dá)式為,式中A為常數(shù),該區(qū)域的場強(qiáng)的兩個分量為 , 。3. 一空氣電容器

19、充電后切斷電源,電容器儲能W0,若此時灌入相對電容率為e r的煤油,電容器儲能變?yōu)閃0的 _倍。如果灌煤油時電容器一直與電源相連接,則電容器儲能將是W0的_倍。 4. 沿半徑為R的細(xì)導(dǎo)線環(huán)流過強(qiáng)度為I的電流,那么離環(huán)上所有點(diǎn)的距離皆等于r的一點(diǎn)處的磁感應(yīng)強(qiáng)度大小為 B = 。(rR)5. 一磁場的磁感應(yīng)強(qiáng)度為(T),則通過一半徑為R,開口向Z軸正方向的半球殼表面的磁通量的大小為 Wb。.6. 一自感線圈中,電流強(qiáng)度在 0.002s內(nèi)均勻地由10A增加到12A,此過程中線圈內(nèi)自感電動勢為 400V,則線圈的自感系數(shù)為L = 。 7. 有一單層密繞螺線管,長為0.25m,截面積為5´10-4 m2,繞有線圈2500匝,流有電流0.2安培,則線圈內(nèi)的磁能為 。8. 如圖所示,在雙縫干涉實(shí)驗(yàn)中用波長為l的光照射雙縫S1和S2,通過空氣后在屏幕E上形成干涉條紋。已知P點(diǎn)處為第三級明條紋,則S1和S2到P點(diǎn)的光程差為 。若將整個裝置放于某種透明液體中,P點(diǎn)為第四級明條紋,則該液體的折射率n = 。9. 用波長為l的單色平行紅光垂直照射在光柵常數(shù)d = 2.00×106 m的光柵上,用焦

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