基區(qū)對(duì)BJT的重要性

1、基區(qū)基區(qū)對(duì)于對(duì)于雙極型晶體管雙極型晶體管的的重要性重要性小組討論：小組討論：雙極型晶體管的結(jié)構(gòu)：雙極型晶體管的結(jié)構(gòu)：由結(jié)構(gòu)可見(jiàn)，由結(jié)構(gòu)可見(jiàn)，BJT是由兩個(gè)背靠背的是由兩個(gè)背靠背的pn結(jié)組成結(jié)組成的，而基區(qū)是兩個(gè)的，而基區(qū)是兩個(gè)pn結(jié)中間的公共區(qū)域結(jié)中間的公共區(qū)域載流子在基區(qū)的運(yùn)輸：載流子在基區(qū)的運(yùn)輸：（以（以npnnpn型為例）型為例）發(fā)射結(jié)處于正偏，有利于多子的擴(kuò)散，基區(qū)的空穴也會(huì)注入到發(fā)射區(qū)。進(jìn)入到基區(qū)的電子，大部分電子由于擴(kuò)散擴(kuò)散和漂移漂移（內(nèi)電場(chǎng)的存在）運(yùn)動(dòng)到達(dá)集電結(jié)邊界，在集電結(jié)反向強(qiáng)電場(chǎng)的作用下被掃入集電區(qū)。而小部分注入到基區(qū)的電子流會(huì)和基區(qū)中的空穴流復(fù)合復(fù)合，及轉(zhuǎn)換為空穴流。l通

2、過(guò)基區(qū)在通過(guò)基區(qū)在BJTBJT中特殊的位置以及載流子通過(guò)基區(qū)的過(guò)程，中特殊的位置以及載流子通過(guò)基區(qū)的過(guò)程，可見(jiàn)基區(qū)是可見(jiàn)基區(qū)是BJTBJT結(jié)構(gòu)中一個(gè)重要的區(qū)域。結(jié)構(gòu)中一個(gè)重要的區(qū)域。l基區(qū)的寬度基區(qū)的寬度，參雜濃度參雜濃度以及以及雜質(zhì)分布雜質(zhì)分布等都會(huì)影響雙極性晶等都會(huì)影響雙極性晶體管的性能。體管的性能。l基區(qū)寬度必須很?。从行Щ鶇^(qū)的寬度要遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于基區(qū)中基區(qū)寬度必須很?。从行Щ鶇^(qū)的寬度要遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于基區(qū)中少數(shù)載流子的擴(kuò)散長(zhǎng)度），這才能形成一個(gè)有用的晶體管，少數(shù)載流子的擴(kuò)散長(zhǎng)度），這才能形成一個(gè)有用的晶體管，否則放大性能太差（這也有利于提高頻率和速度）。否則放大性能太差（這也有利于提高頻率和速度

3、）。l同時(shí)，基區(qū)的摻雜濃度也必須小于發(fā)射區(qū)的摻雜濃度，否同時(shí)，基區(qū)的摻雜濃度也必須小于發(fā)射區(qū)的摻雜濃度，否則同樣性能也很差（但是基區(qū)摻雜濃度也不能太低，否則則同樣性能也很差（但是基區(qū)摻雜濃度也不能太低，否則要影響頻率、速度和噪聲等性能）。要影響頻率、速度和噪聲等性能）?；鶇^(qū)參雜是否均勻影響了晶體管的直流特性?；鶇^(qū)參雜是否均勻影響了晶體管的直流特性?；鶇^(qū)的寬度基區(qū)的寬度 適當(dāng)連接晶體管，可使它具有放大功能。其中確?；鶇^(qū)寬度很小就是是晶體管具有放大作用的原因之一，因?yàn)楫?dāng)有效基區(qū)的寬度遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于基區(qū)中少數(shù)載流子的擴(kuò)散長(zhǎng)度時(shí)，那么從發(fā)射區(qū)注入到基區(qū)的載流子絕大部分可到達(dá)集電區(qū)，很少的一部分在基區(qū)被復(fù)合掉

4、。 共基極電流放大系數(shù) * 為提高電流放大系數(shù)，需減小基區(qū)傳輸系數(shù)*，即減小基區(qū)寬度，選用良好的單晶體，使少子壽命較長(zhǎng)。 但當(dāng)基區(qū)太薄，基區(qū)中存在一定的電阻 ，在多子流過(guò)基區(qū)時(shí)會(huì)產(chǎn)生壓降，它對(duì)晶體管的特性有影響，如發(fā)射極電流集邊效應(yīng)，放大，頻率特性變差和基極電阻引起的噪聲等。 【基區(qū)擴(kuò)展電阻效應(yīng)會(huì)使發(fā)射結(jié)中心部分的電流密 度大大降低，發(fā)射極電流主要集中在發(fā)射極的邊緣部分，產(chǎn)生發(fā)射極電流集邊效應(yīng)】基區(qū)的雜質(zhì)分布基區(qū)的雜質(zhì)分布（以（以npnnpn為例）為例） 基區(qū)薄，相比較于發(fā)射區(qū)，它的濃度要很低，這樣到達(dá)基區(qū)的電子與空穴復(fù)合的機(jī)會(huì)很少，則絕大部分的電子會(huì)通過(guò)基區(qū)到達(dá)集電結(jié)，再被方向強(qiáng)電場(chǎng)抽入集電區(qū)。但當(dāng)基區(qū)的濃度 太小會(huì)造成基極電阻增大，功率增益下降，噪聲系數(shù)上升，大電流特性變壞等弊端。 雜質(zhì)分布非均勻的基區(qū)內(nèi)存在自建場(chǎng)，加速了基區(qū)中少子運(yùn)動(dòng)，從而使復(fù)合電流減小，提高了基區(qū)的輸運(yùn)系數(shù)值。 隨著集電結(jié)反向電壓的增加，集電結(jié)勢(shì)壘向兩邊擴(kuò)展，基區(qū)有效寬度減小，這種現(xiàn)象叫基區(qū)寬度調(diào)制效應(yīng)。如果基區(qū)摻雜濃度比集電區(qū)低，基區(qū)的寬度又較小，則可能在集電結(jié)發(fā)生雪崩擊穿之前，有效基區(qū)寬度減小到0，基區(qū)穿通。 基區(qū)大注入少子，會(huì)使基區(qū)電導(dǎo)率上升，電阻率不斷下降，產(chǎn)生基區(qū)電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)。 ：共發(fā)射極短路電流放大系數(shù)降到1時(shí)的頻率。為提高特征頻率，