封裝技術復習提綱及答案(最新本)

1、第一章 緒論1、 封裝技術發(fā)展特點、趨勢發(fā)展特點：、微電子封裝向高密度和高I/O引腳數發(fā)展，引腳由四邊引出向引出向面陣列排列發(fā)展；、微電子封裝向表面安裝式封裝（SMP）發(fā)展，以適合表面安裝技術（SMT）；、從陶瓷封裝向塑料封裝發(fā)展；、從注重發(fā)展IC芯片向先發(fā)展后道封裝再發(fā)展芯片轉移。發(fā)展趨勢：、微電子封裝具有的I/O引腳數將更多；、應具有更高的電性能和熱性能；、將更輕、更薄、更小；、將更便于安裝、使用和返修；、可靠性會更高；、性價比會更高，而成本卻更低，達到物美價廉。2、 封裝的功能：電源分配、信號分配、散熱通道、機械支撐和環(huán)境保護。3、 封裝技術的分級零級封裝：芯片互連級。一級封裝：將一個或

2、多個IC芯片用適宜的材料（金屬、陶瓷、塑料或它們的組合）封裝起來，同時在芯片的焊區(qū)與封裝的外引腳間用如上三種芯片互連方法（WB、TAB、FCB）連接起來使之成為有實用功能的電子元器件或組件。二級封轉：組裝。將上一級各種微電子封裝產品、各種類型的元器件及板上芯片（COB）一同安裝到PWB或其它基板上。三級封裝：由二級組裝的各個插板或插卡再共同插裝在一個更大的母板上構成的，立體組裝。4、 芯片粘接的方法只將IC芯片固定安裝在基板上：Au-Si合金共熔法、Pb-Sn合金片焊接法、導電膠粘接法、有機樹脂基粘接法。芯片互連技術：主要三種是引線鍵合（WB）、載帶自動焊（TAB）和倒裝焊（FCB）。早期有梁

3、式引線結構焊接，另外還有埋置芯片互連技術。第二章 芯片互連技術1、 芯片互連技術各自特點及應用引線鍵合：、熱壓焊：通過加熱加壓力是焊區(qū)金屬發(fā)生塑性形變，同時破壞壓焊界面上的氧化層使壓焊的金屬絲和焊區(qū)金屬接觸面的原子間達到原子引力范圍，從而使原子間產生引力達到鍵合。加熱溫度高，容易使焊絲和焊區(qū)形成氧化層，容易損壞芯片并形成異質金屬間化合物影響期間可靠性和壽命；由于這種焊頭焊接時金屬絲因變形過大而受損，焊點鍵合拉力?。?.05N/點），使用越來越少。、超聲焊：利用超聲波發(fā)生器產生的能量和施加在劈刀上的壓力兩者結合使劈刀帶動Al絲在被焊區(qū)的金屬化層表面迅速摩擦，使Al絲和Al膜表面產生塑性形變來實現

4、原子間鍵合。與熱壓焊相比能充分去除焊接界面的金屬氧化層，可提高焊接質量，焊接強度高于熱壓焊；不需要加熱，在常溫下進行，因此對芯片性能無損害；可根據不同需要隨時調節(jié)鍵合能量，改變鍵合條件來焊接粗細不等的Al絲或寬的Al帶；AL-AL超聲鍵合不產生任何化合物，有利于器件的可靠性和長期使用壽命。、金絲球焊：球焊時，襯底加熱，壓焊時加超聲。操作方便、靈活、焊點牢固，壓點面積大，又無方向性，故可實現微機控制下的高速自動化焊接；現代的金絲球焊機還帶有超聲功能，從而具有超聲焊的優(yōu)點；由于是Au-Al接觸超聲焊，盡管加熱溫度低，仍有Au-Al中間化合物生成。球焊用于各類溫度較低、功率較小的IC和中、小功率晶體

5、管的焊接。載帶自動焊：TAB結構輕、薄、短、小，封裝高度不足1mm；TAB的電極尺寸、電極與焊區(qū)節(jié)距均比WB大為減小；相應可容納更高的I/O引腳數，提高了TAB的安裝密度；TAB的引線電阻、電容和電感均比WB小得多，這使TAB互連的LSI、VLSI具有更優(yōu)良的高速高頻電性能；采用TAB互連可對各類IC芯片進行篩選和測試，確保器件是優(yōu)質芯片，大大提高電子組裝的成品率，降低電子產品成本；TAB采用Cu箔引線，導熱導電性能好，機械強度高；TAB的鍵合拉力比WB高310倍，可提高芯片互連的可靠性；TAB使用標準化的卷軸長度，對芯片實行自動化多點一次焊接，同時安裝及外引線焊接可實現自動化，可進行工業(yè)化規(guī)

6、模生產，提高電子產品的生產效率，降低產品成本。TAB廣泛應用于電子領域，主要應用與低成本、大規(guī)模生產的電子產品，在先進封裝BGA、CSP和3D封裝中,TAB也廣泛應用。倒裝焊：FCB芯片面朝下，芯片上的焊區(qū)直接與基板上的焊區(qū)互連，因此FCB的互連線非常短，互連產生的雜散電容、互連電阻和電感均比WB和TAB小的多，適于高頻高速的電子產品應用；FCB的芯片焊區(qū)可面陣布局，更適于搞I/O數的LSI、VLSI芯片使用；芯片的安裝互連同時進行，大大簡化了安裝互連工藝，快速省時，適于使用先進的SMT進行工業(yè)化大批量生產；不足之處如芯片面朝下安裝互連給工藝操作帶來一定難度，焊點檢查困難；在芯片焊區(qū)一般要制作

7、凸點增加了芯片的制作工藝流程和成本；此外FCB同各材料間的匹配產生的應力問題也需要很好地解決等。2、 WB特點、類型、工作原理（略）、金絲球焊主要工藝、材料金絲球焊主要工藝數據：直徑25m的金絲焊接強度一般為0.070.09N/點，壓點面積為金絲直徑的2.53倍，焊接速度可達14點/秒以上，加熱溫度一般為100，壓焊壓力一般為0.5N/點。材料：熱壓焊、金絲球焊主要選用金絲，超聲焊主要用鋁絲和Si-Al絲，還有少量Cu-Al絲和Cu-Si-Al絲等。3.The characteristic and application of TAB technologyCharacteristic ：1）T

8、AB結構輕、薄、短、小，封裝高度1mm2）TAB電極尺寸、電極與焊區(qū)間距較之WB小3）TAB容納I/O引腳數更多，安裝密度高4）TAB引線電阻、電容、電感小，有更好的電性能5）可對裸芯片進行篩選和測試6）采用Cu箔引線，導電導熱好，機械強度高7）TAB鍵合點抗鍵合拉力比WB高8）TAB采用標準化卷軸長帶，對芯片實行多點一次焊接，自動化程度高Application：主要應用于低成本、大規(guī)模生產的電子產品，如液晶顯示器、電子手表、打印頭、醫(yī)療電子等，此外還應用到筆記本式計算機和汽車電子產品等。4、TAB關鍵材料與技術關鍵材料：基帶材料、Cu箔引線材料和芯片凸點金屬材料。關鍵技術：芯片凸點制作技術T

9、AB載帶制作技術載帶引線與芯片凸點的內引線焊接技術和載帶外引線的焊接技術。5、TAB內外引線焊接技術內引線焊接（與芯片焊區(qū)的金屬互連）：芯片凸點為Au或Ni-Au、Cu-Au等金屬，載帶Cu箔引線也鍍這類金屬時用熱壓焊（焊接溫度高壓力大）；載帶Cu箔引線鍍0.5m厚的Pb-Sn或者芯片凸點具有Pb-Sn時用熱壓再流焊（溫度較低壓力較小）。焊接過程：對位焊接抬起芯片傳送焊接條件：主要由焊接溫度（T）、壓力（P）、時間（t）確定，其它包括焊頭平整度、平行度、焊接時的傾斜度及界面的侵潤性，凸點高度的一致性和載帶內引線厚度的一致性也影響。T=450500，P0.5N/點，t=0.51s焊接后焊點和芯片

10、的保護：涂覆薄薄的一層環(huán)氧樹脂。環(huán)氧樹脂要求粘度低、流動性好、應力小切Cl離子和粒子含量小，涂覆后需經固化。篩選測試：加熱篩選在設定溫度的烘箱或在具有N2保護的設備中進行；電老化測試。外引線焊接（與封裝外殼引線及各類基板的金屬化層互連）：供片沖壓和焊接回位。6.The characteristic and application of flip chip bonding technologyCharacteristic：優(yōu)點：1.小尺寸: 小的IC引腳圖形(只有扁平封裝的5）減小了高度和重量。2.功能增強: 使用倒裝芯片能增加I/O 的數量3.性能增加: 短的互連減小了電感、電阻以及電容，保證

11、了信號延遲減少、較好的高頻率、以及從晶片背面較好的熱通道。4.可靠性提高5.提高了散熱熱能力6.低成本：批量的凸點降低了成本。缺點：1.裸芯片很難測試2.隨著間距地減小和引腳數的增多導致PCB技術面臨挑戰(zhàn)3. 必須使用X射線檢測設備檢測不可見的焊點4. 和SMT工藝相容性較差5. 要求很高的組裝精度6.維修很困難或者不可能Application：倒裝芯片技術的興起是由于與其他的技術相比，在尺寸、外觀、柔性、可靠性、以及成本等方面有很大的優(yōu)勢。今天倒裝芯片廣泛用于電子表，手機，便攜機，磁盤、耳機，LCD以及大型機等各種電子產品上。7、UBM含義概念、結構、相關材料UBM（凸點下金屬化）：粘附層-

12、阻擋層-導電層。粘附層一般為數十納米厚度的Cr、Ti、Ni等；阻擋層為數十至數百納米厚度的Pt、W、Pd、Mo、Cu、Ni等；導電層金屬Au、Cu、Ni、In、Pb-Sn等。8、凸點主要制作方法）蒸發(fā)/濺射凸點制作法、電鍍凸點制作法、化學鍍凸點制作法、打球（釘頭）凸點制作法、置球及模板印刷制作焊料凸點、激光凸點制作法、移置凸點制作法、柔性凸點制作法、疊層凸點制作法、噴射Pb-Sn焊料凸點制作法。9、FCB技術及可靠性熱壓FCB可靠性、C4技術可靠性、環(huán)氧樹脂光固化FCB可靠性、各向異性導電膠FCB可靠性、柔性凸點FCB可靠性10、C4焊接技術特點C4技術，再流FCB法即可控塌陷芯片連接特點：、

13、C4除具有一般凸點芯片FCB優(yōu)點外還可整個芯片面陣分布，再流時能彌補基板的凹凸不平或扭曲等；、C4芯片凸點采用高熔點焊料，倒裝再流焊時C4凸點不變形，只有低熔點的焊料熔化，這就可以彌補PWB基板的缺陷產生的焊接不均勻問題；、倒裝焊時Pb-Sn焊料熔化再流時較高的表面張力會產生“自對準”效果，這使對C4芯片倒裝焊時的對準精度要求大為寬松。11、底封膠作用保護芯片免受環(huán)境如濕氣、離子等污染，利于芯片在惡劣環(huán)境下正常工作；使芯片耐受機械振動和沖擊；減少芯片與基板間熱膨脹失配的影響；可避免遠離芯片中心和四角的凸點連接處的應力和應變過于集中。這些最終可使芯片可靠性大大提高。12、各向同性、各向異性導電膠

14、互連原理ACA倒裝焊原理：先在基板上涂覆ACA，將帶有凸點的IC芯片與基板上的金屬焊區(qū)對位后在芯片上加壓并進行ACA固化，這樣導電粒子擠壓在凸點與焊區(qū)之間，使上下接觸導電，而在xy平面各方向上導電粒子不連續(xù)，故不導電。第三章 插裝元器件的封裝技術1、插裝元件分類按外形結構：圓柱形外殼封裝（TO）、矩形單列直插式封裝（SIP）、雙列直插式封裝（DIP）、針柵陣列封裝（PGA）等。按材料：金屬封裝、陶瓷封裝、塑料封裝等。2、DIP封裝技術工藝流程陶瓷熔封DIP（CDIP）：生瓷料準備流延制模沖片沖腔沖孔并填充金屬化金屬化印制疊片壓層熱切側面金屬化印制排膠燒結電鍍或化學鍍Ni釬焊封口環(huán)和外引線電鍍N

15、i-Au外殼檢漏、電測試IC芯片安裝引線鍵合IC芯片檢測封蓋檢漏成品測試打印包裝。塑封型DIP（PDIP）：將IC芯片用粘接劑粘接在引線框架的中心芯片區(qū)，IC芯片各焊區(qū)與局部電鍍Ag的引線框架各焊區(qū)用WB連接，然后將引線框架置于塑封模具下模并蓋上上模，將環(huán)氧坯料注入注塑機加熱模具至150180，保溫23min后脫模，清除毛刺并對引線切筋后打彎成90即成標準PDIP。最后進行高溫老化篩選并充分固化，測試分選打印包裝出廠。3、PGA技術的特點PGA針引腳以2.54mm節(jié)距在封裝底面上呈柵陣排列，所以I/O數高達數百乃至上千個；PGA是氣密封的，所以可靠性搞；PGA制作工藝復雜、成本高，故適于可靠性

16、要求高的軍品使用。第四章 表面安裝元器件的封裝技術1、SMD分類和優(yōu)缺點按封裝外形：“芝麻管”形、圓柱形、SOT形、PQFP、PLCC、BGA/CSP、裸芯片安裝DCA。按封裝材料：玻璃二極管封裝、塑料封裝類（主要封裝形式）、陶瓷封裝類。優(yōu)點：SMD體積小、重量輕，占基板面積小因而組裝密度高；電性能優(yōu)異；適合自動化生產；降低生產成本；能提高可靠性；有利環(huán)境保護。不足：由于組裝密度高，需注重解決熱設計問題；SMD與PWB的CTE不一致導致焊點處的裂紋以致開裂問題；吸潮問題等。2.The types of SMD按外形分類:1.“芝麻管”形、圓柱形、SOT形；2. SOP(SOJ)形；3. PQF

17、P；4.PLCC；5.LCCC；6.BGA/CSP;7. 裸芯片直接芯片安裝(DCA)按封裝材料分類:1. 有玻璃二極管封裝，是圓柱形無引腳結構;2. 塑料封裝類;3. 陶瓷封裝類3、SMD主要封裝技術SOP（IC小外形封裝）：DIP的變形即將DIP的直插式引腳向外彎曲成90。兩類引腳：L和J。特點：引腳易焊接，焊點易檢查；SOJ安裝密度較高；引線框架材料（可伐合金、42鉄鎳合金、銅合金）銅合金具有柔性，可吸收焊接時的應力，導電導熱性能好。分常規(guī)型、窄節(jié)距SOP、薄型SOP。PLCC（塑料有引腳片式載體封裝）：引腳材料為銅合金，不僅導電導熱性能好，還有一定彈性；引腳J型安裝密度高。工藝同模塑封

18、器件。LCCC（陶瓷無引腳片式載體封裝）：特點：無引腳；可直接焊到基板焊區(qū)；寄生電感電容?。浑姛嵝阅芫慵?，耐腐蝕性優(yōu)良；不足在于制作工藝要求高且復雜，使用陶瓷成本高。工藝流程與CDIP類似。QFP（四邊引腳扁平封裝）：引腳有翼型和J行。分類：塑封QFP、陶瓷、薄型、窄節(jié)距、帶保護墊的QFP。引線框架材料多為C194Cu、可伐合金或42鉄鎳合金。工藝技術：PQFP類似塑封器件；CQFP類似陶瓷封裝期間CDIP。4.The packaging process flow of QFP(課本P114)5、塑封吸潮危害、機理及解決辦法危害：降低器件壽命；使器件電參數變差，最終會導致器件開路而失效；當較大

19、尺寸的SMD和較薄殼體的塑封器件焊接時常會發(fā)生“爆米花”式開裂現象。開裂機理：水汽吸收聚蓄期（完好）、水汽蒸發(fā)膨脹期（焊接預熱至高溫，水汽受熱蒸發(fā)膨脹超過塑料與芯片粘接劑的粘接強度，蒸汽擴張形成壓力圓頂）、開裂萌生擴張期（蒸汽壓力繼續(xù)增加，應力最薄弱出萌生裂紋，在蒸汽壓作用下裂紋擴張至邊界，水汽由裂紋溢出，壓力圓頂塌陷形成開裂）。對策：從封裝結構的改進上增強抗開裂的能力；對塑封器件進行適宜的烘烤；合適的包裝和良好的貯存條件。第五章 BGA和CSP的封裝技術1、BGA和CSP分類及特點BGA（PBGA、CBGA、CCGA、TBGA、MBGA、FCBGA、EBGA）：失效率低；焊點節(jié)距一般為1.2

20、7mm和0.8mm，可利用現有SMT工藝設備；提高了封裝密度，改進了器件引腳數和本體尺寸比率；引腳是焊球可明顯改善共面性，大大減少共面失效；引腳牢固；引腳短使信號路徑短，減小了引腳電感和電容，改善了電性能；“自對準”效應可減少安裝、焊接失效率；利于散熱；適合MCM封裝，有利于實現其高密度、高性能。CSP（柔性基板封裝CSP、剛性基板、引線框架式、焊區(qū)陣列、微小模塑型、圓片級芯片尺寸）：體積小；可容納引腳最多；電性能良好；散熱性能優(yōu)良。3、 PBGA封裝技術Process flow：圓片減薄圓片切削芯片粘結等離子清洗引線鍵合等離子清洗模塑封裝裝配焊料球回流焊表面打標分離最終檢查測試斗包裝優(yōu)點：和

21、環(huán)氧樹脂電路板熱匹配性好；對焊球共面要求寬松；安裝時可通過封裝體邊緣對準；成本較低；電性能良好；自對準；可用于MCM封裝。缺點：對濕氣敏感。裝配焊球方法：“球在上”和“球在下”。焊球直徑一般為0.76mm或0.89mm，成分為低熔點的63%Sn-37%Pb。4.The characteristics of packaging technology for CSP1.體積?。?.可容納的引腳數最多；3.電性能良好；4.散熱性能良好5.The reliability problems of BGA and CSP1. 失效現象；2. 研究焊點的熱循環(huán)疲勞；3. 封裝引腳對BGA封裝件的性能影響最大

22、；4. 焊料的機械性能也影響組件的熱循環(huán)壽命；5. 封裝焊點和PWB焊區(qū)設計對可靠性的影響6、焊球連接缺陷與焊點可靠性缺陷（聯系圖片進行記憶）：橋連；連接不充分；空洞；斷開；浸潤性差；形成焊料小球；誤對準。焊點可靠性：熱應力；機械應力，包括三點彎曲試驗、四點扭曲測試、振動試驗。第六章 多芯片組件（MCM）1、MCM類型與特點五大類：有機疊層基板制成的MCM-L；厚膜或陶瓷多層布線基板制成的MCM-C；薄膜多層布線基板制成的MCM-D；厚薄膜混合多層基板制成的MCM-D/C；Si基板制成的MCM-Si。特點：高速性能；高密度性能；高散熱性；低成本。2、MCM組裝技術概念：指通過一定的連接方式，將

23、元器件組裝到MCM基板上，再將組裝有元器件的基板安裝在金屬或陶瓷封裝中組成一個具有多功能的MCM組件。內容包括芯片與基板的粘接（導電膠或絕緣環(huán)氧樹脂粘接劑）、芯片與基板的電氣連接（WBTABFCB）、基板與外殼的物理連接（粘接劑、焊接或機械固定）和電氣連接（WB）。MCM清洗方法：等離子蒸氣去垢、溶劑噴洗、溶劑浸泡、超聲清洗。第七章 基板、介質、金屬材料及基板制作技術1、基板材料要求電性能，高的電絕緣電阻，低的、一致的介電常數；熱性能，熱穩(wěn)定性好，熱導電率高，各種材料熱膨脹系數相近；機械性能，孔隙度低，平整性好，強度較高，彎度?。换瘜W性能，化學穩(wěn)定性好，制作電阻或導體相容性好。2、基板的材料分

24、類氧化鋁；氮化鋁；有機多層基板材料；共燒陶瓷基板材料；硅基板材料；金剛石。3.The main requirements for polymer materials in electronic packaging.1.低應力化（加入填充物，降低熱膨脹系數）2.高熱傳導性（加入填充物，增加熱傳導率）3.高耐熱性（添加無機化合物填充物）4.耐濕性(moisture penetration)5.界面粘接性（Interface adhesion）6.耐腐蝕性7.電氣性8.快速固化9.低成本4、 電子封裝材料的類型：金屬、合金、陶瓷、玻璃、塑料、復合材料The main requirements：1.導

25、熱性好2.CTE要低或與Si、GaAs等芯片材料相匹配3.良好的力學性能，足夠強度和剛度4.良好的電氣性能5.良好的封裝工藝性能，低成本、高可靠，能大規(guī)模生產6.其他特性5、電子封裝金屬材料的類型以及主要用途1）基本金屬化材料，起電氣和導熱作用。2）輔助金屬化材料，作為擴散阻擋層、粘接助劑、腐蝕和氧化阻擋層以及將器件連接起來的媒體，如焊料。Chapter 8：Microelectronics packaging reliability1.The basic concepts of electronic packaging reliability.可靠性（Reliability）產品在規(guī)定條件下

26、、規(guī)定時間內完成規(guī)定功能的能力。2. The basic concepts for failure mode and failure mechanism in electronic packaging.失效模式：是指失效的形式，如開路、短路、漏氣等。失效機理：是指造成器件失效的原因。3. Main failure (defect) modes (types) of electronic packaging.-芯片開裂 - 翹曲- 引線偏移- 界面開裂- 封裝體開裂- 基板裂紋（爆米花現象）- 引線斷裂- 孔洞- 焊點疲勞破壞- 電遷移4. The purpose and procedure o

27、f failure analysis (FA) ；Common FA techniques (such as cross section, dye and pry, SEM, CSAM .).（1）失效分析的目的：q 找出失效原因q 制定改進措施（從設計、制造和使用方面）q 提高產品質量和成品率。（2）失效分析程序（流程）：q 記錄失效現象q 鑒別失效模式q 描述失效特征q 假設失效機理q 證實：從正、反兩面證實失效機理，失效可實現重復q 針對失效機理提出改進措施，并考慮新措施中是否引入新的失效因素。（3）常用的失效分析技術n 無損分析技術-電性能測試和外觀檢驗-聲學掃描顯微鏡(SAM)非破壞

28、性、可分層、點掃描 、截面掃描、水平面掃描；- X光透射檢查儀（X-ray）- Moire干涉儀：形變，warpage（翹曲）測量-有限元分析 ： 熱、熱力n 有損分析技術- 開封(Decapsulation / Decap)- 紅外熱像儀：溫度分布- 金相切片分析- 掃描電子顯微鏡（SEM）微區(qū)形貌- 俄歇譜（Auger）成分，成分深度分布- 傅利葉變換紅外顯微鏡分析（FTIR：Fourier transform infrared microscopy ）5 The purpose and key factors (such as stress level, stress type ) to

29、 design accelerated reliability test.加速性能退化試驗的目的： 找出產品性能退化如何發(fā)生、何時發(fā)生的，在保持失效機理（退化機理）不變的條件下，將樣品置于比通常條件嚴酷的環(huán)境條件或工作應力下進行加速樣品性能退化的試驗，以確定系統(tǒng)、子系統(tǒng)、元器件、材料的退化軌跡，從而通過外推的方法得到產品在設計或使用條件下的失效壽命或可靠性。關鍵因素：Chapter 9：Advanced packaging technologies1.The concept of wafer level packaging (WLP) technology.在通常制作IC芯片的Al焊區(qū)完成后，

30、繼續(xù)完成CSP的封裝制作，稱之為晶圓級CSP（WLCSP),又稱作晶圓級封裝。2. The key processes of WL-CSP課本P2913. The concept and types of the 3D packaging technologies.Concept: 3D封裝技術又稱立體封裝技術。與傳統(tǒng)封裝技術相比，在原有基礎上向Z方向即向空間發(fā)展的微電子封裝高密度化。Types: 1.埋置型3D；2.有源基板型3D；3.疊層型3D。Specified Subject 1：LED packaging technology1.Describe briefly the four w

31、ays to achieve LED white light, and how they are packaged？第一條是RGB,也就是紅光LED+綠光LED+藍光LED,LED走RGB合成白光的這種辦法主要的問題是綠光的轉換效率底,現在紅綠藍LED轉換效率分別達到30%,10%和25%,白光流明效率可以達到60lm/w.通過進一步提高藍綠光LED的流明效率,則白光流明效率可達到200lm/w.由于合成白光所要求的色溫和顯色指數不同,對合成白光的各色LED流明效率有不同的.第二條路是LED+不同色光熒光粉:第一個方法是用紫外或紫光LED+RGB熒光粉來合成LED,這種工作原理和日光燈是類似的

32、,但是比日光燈的性能要優(yōu)越,其中紫光LED的轉換系數可達80%,各色熒光粉的量子轉換效率可以達到90%,還有一個辦法是用藍光LED+紅綠熒光粉,藍光LED效率60%,熒光粉效率70%;還有是藍光LED+黃色熒光粉來構成白光.1通過LED紅綠藍的三基色多芯片組和發(fā)光合成白光2藍光LED芯片激發(fā)黃色熒光粉，由LED藍光和熒光粉發(fā)出的黃綠光合成白光3紫外光LED芯片激發(fā)熒光粉發(fā)出三基色合成白光白光LED有兩種封裝方式，一種是支架式封裝形式，一種是大功率LED的封裝形式2. Describe briefly the difference and similar aspects (similarity)

33、 between LED packaging andmicroelectronics packaging.3. And also describe briefly the development trend for LED package technology and the whole LED industryrespectively.LED封裝技術目前主要往高發(fā)光效率、高可靠性、高散熱能力與薄型化幾個方向發(fā)展Specified Subject 2：MEMS packaging technology1.MEMS與傳統(tǒng)封裝的區(qū)別1）微電子封裝通常分為三個層次，即一級封裝，二級封裝，三級封裝。而

34、MEMS封裝則分為芯片級封裝、器件級封裝和系統(tǒng)級封裝，是建立在微電子封裝基礎上，并沿用了許多微電子封裝的工藝技術，但比微電子封裝更龐大、更復雜。2）微電子封裝隨IC芯片的發(fā)展而發(fā)展，有各個時期相對應的、有代表性的規(guī)范標準的封裝類型；MEMS封裝沒有規(guī)范、標準的封裝類型，在很多情況下都是專用封裝。3）MEMS封裝除具有微電子封裝的一些共同失效模式外，還有其獨特性，MEMS器件對封裝的環(huán)境更敏感。4）MEMS封裝對體積的減小要求比微電子封裝更迫切，其3D封裝的需求強烈。5）MEMS封裝成本比微電子封裝高。6）MEMS封裝對安裝技術比微電子封裝有更高的要求。2、MEMS封裝技術功能、要求功能：微電子封裝的基本功能+低應力+高真空度+高氣密性+高隔離度+特殊的封裝環(huán)境與引出技術特點：技術研究方向多樣化；加工工藝多樣；MEMS器件制作走向單片集成化、動靜結合；MEMS器件的芯片與封裝正統(tǒng)一考慮并大力發(fā)展；普通商用低性能產品與高性能特殊用途的MEMS器