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文檔簡介
1、QUICK REFERENCE OATAVD5S- WO VlD = 23 ARns(ox 畫 77 vnl管腳描述1Gate2Drain3SourceTabDrain極限值系統(tǒng)絕對最大值依照限制值SOT78 仃O220AB)SOT404 (D?PAK)n* (TTK.w13IRF540 N 溝道 MOS管特性Thrench 工藝低的導(dǎo)通內(nèi)阻快速開關(guān)低熱敏電阻綜述使用溝渠工藝封裝的 應(yīng)用:DC至U DC轉(zhuǎn)換器開關(guān)電源電視及電腦顯示器電源IRF540中提供的是SOT78(TO220AB常規(guī)鉛的包裹。IRF540S中提供的是SOT404(D PAK)表面安裝的包裹 管腳符號參數(shù)條件最小值最大值單位
2、V_DSS漏源極電壓Tj= 25 ?C to 175?C-100VV_DGR漏門極電壓Tj = 25 ?C to 175?C;-100VV_GS門源極電壓RGS = 20 k?-士 20VI_D連續(xù)漏電流Tmb = 25 ?C; VGS = 10 V-23AI_DM脈沖漏電流Tmb = 100 ?C; VGS = 10 V-16AP_D總功耗Tmb = 25 ?C-92ATj , Tsig操作點(diǎn)和Tmb = 25 ?C-100W存儲溫度-55175C雪崩能量極限值符號參數(shù)條件最小值最大值單位非重復(fù)性雪崩 能量最大非重復(fù)性 雪崩電流Un clamped in ductive load, IAS
3、= 10 A; tp = 350 卩 s; Tj prior to avalanche = 25?C;VDD 25 V; RGS= 50 ?; VGS= 10 V; refer to fig:14-23023mJA熱敏電阻符號參數(shù)條件最小值典型值最大值單位安裝底座交界SOT78封裝,自由空間-K/W處的熱阻SOT404封裝,PCB 上- 60-K/W周圍環(huán)境熱阻-50-K/W電特性25 C除非另有說明符號參數(shù)條件最小值典型值最大值單位漏源極崩潰電壓VGS =0V ;1 D =100-V門閥電壓Tj = -55?C89-VVds = Vgs ; ID = 1 mA234V漏源極導(dǎo)通電阻Tj =
4、175?C1-V向前跨導(dǎo)Tj = -55?C-6VVGS = 10 V; ID = 17 A-4977mQ門源極泄漏電流Tj = 175?C132193mQ0門極電壓漏電流VDS =25V;1 D =17A-SVgs = 20 V; Vds =0V10100nAVDS = 100 V; vgs = 0 V-10uAVDS=80V;VGS=0V;Tj= 175?C-250uA總共門極電荷ID = 17 A-65nC門源極電荷VDD = 80 V;-10nC門漏極電荷vgs = 10V-29nC開啟延遲時間Vdd = 50 V;Rd = ?;-8-ns開啟上沿時間Vdd = 10 V;Rg = ?
5、-39-ns關(guān)閉延遲時間Resistive load-26-ns關(guān)閉下沿時間-24-ns內(nèi)部漏電感Measured tab to cen tre of die-nH內(nèi)部漏電感Measured from dra in lead to-nH內(nèi)部源極電感centre of die (SOT78 package-nHonly)Measured from source lead tosourcebond pad輸入電容VGS = 0 V; VDS = 25 V; f = 1 MHz-8901187pF輸出電容-139167pF反饋電容-83109pF反向二極管極限值及特性符號參數(shù)條件最小值典型值最大值單位連續(xù)源極電流 脈沖源極電流 二極管正向電壓I F =28A;Vgs =0V-2392AAV反向恢復(fù)之間反向恢復(fù)命令I(lǐng) f =17A; VGS =0V;-d lF/dt=100A/us; Vr=25V-61200-ns nC底座溫度-自然功率降低百分比圖1:自然功率損耗底座溫度-漏電流降低百分比圖2 :自然持續(xù)漏電流漏源極電壓-脈沖漏極電流峰值圖3 :安全操作區(qū)域脈寬-瞬態(tài)熱阻抗圖4:瞬態(tài)熱阻抗漏源極電壓-漏極電流 圖5:典型輸出特性漏極電流-漏源極導(dǎo)通阻抗圖6:典型導(dǎo)通阻抗圖7:典
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