熱阻蒸發(fā)儀配置和技術指標

1、熱阻蒸發(fā)儀配置和技術指標一.設備概述：主機與控制一體化設計，PLC觸摸屏控制，操控方便，結構緊湊，占地面積小。設備廣泛應用于高校、科研院所的教學、科研實驗以及生產型企業(yè)前期探索性實驗及開發(fā)新產品等應用。真空電阻蒸發(fā)鍍膜設備，配3組蒸發(fā)源。適用于實驗室制備金屬單質膜、半導體膜、鈣鈦礦太陽能電池、鋰電池、有機膜等，也可用作教學及生產線前期工藝試驗等。1. 適用于鍍制低熔點金屬及合金材料薄膜，單層/多層/復合膜，例：銅、鎂、鋁、金、銀、鋇、鉍、鋅、銻等；2. 適用于傳感器、電池、LED等的研究和實驗；3. 適用于有機材料等蒸發(fā)；4. 適用于鍍制非金屬/化合物等材料薄膜；例：氧化鉬、氟化鋰等；5. 適

2、用于掃描電鏡制樣等二.設備主要技術參數：1.真空腔室：304真空專用不銹鋼，L400W440H450mm，方形前開門結構；2.真空系統：復合分子泵+直聯旋片泵+高真空擋板閥，“兩低一高”數顯復合真空計；3.真空指標：極限真空優(yōu)于6.610-5Pa（設備空載抽真空24小時），升壓率0.8Pa/h；4.抽速：空載從大氣抽至10-4 Pa45min；5.基片臺：抽屜式結構，承載最大小于120120mm基片；電機驅動基片臺旋轉，旋轉速度020轉/分鐘可調；手動升降，升降高度080mm；可根據要求定制1種掩膜板（提供掩膜圖案）；6.基片臺加熱：加熱溫度：300，PID智能溫控閉環(huán)控制；7. 蒸發(fā)源：金屬

3、源:水冷銅電極 3組；逆變式蒸發(fā)電源，功率 3kW，1臺；配3組氣動擋板及源間防污隔板；8.膜厚控制系統：選配高精度晶振膜厚儀在線監(jiān)測、控制膜厚；9.控制方式：PLC+觸摸屏控制方式；10.報警及保護：對泵、電極等缺水、過流過壓、斷路等異常情況進行報警并執(zhí)行相應保護措施；完善的邏輯程序互鎖保護系統。11. 保修期：整機保修叁年，終身維修服務。三.設備結構簡述：1.真空腔室（1） 結構：采用立式、圓形前開門結構，方便取、放樣品及真空腔室日常維護；（2） 材料及尺寸：采用304真空專用不銹鋼，400H450；所有焊縫連接均采用氬弧自動焊接技術；鍍膜腔室（包括管道、連接法蘭等）均進行清潔處理，內表面

4、拋光，外表面電拋三項處理，以減少“出氣”量，有利于真空度的提高及耐腐蝕；（3） 主要接口裝配位置：預留接口：四個（CF35,LF26），膜厚監(jiān)控及拓展功。2. 基片臺（1） 基片臺：不銹鋼抽屜式結構，承載最大小于120120mm基片；基片臺可從基片架組件中取出，方便用戶安裝基片；（2） 配有氣動基片臺擋板；（3） 電機驅動旋轉基片臺，轉速0-20 rpm；主軸磁流體密封；（4） 手動升降樣品臺：可有效提高貴重材料利用率及膜厚（焊接波紋管密封，蒸發(fā)源到樣品垂直距離230-300mm可調）；（5） 基片臺加熱：最高加熱溫度300，采用1.5KW金屬鎧裝加熱器及金屬反射板上整體安裝于基片臺背部對基片

5、進行平行輻射加熱，采用熱電偶測溫、PID智能溫控儀控制；加熱器加熱范圍大于基片外沿50mm，保證樣片處于等溫加熱區(qū)內，溫度均勻性5；（6） 標準基片臺配夾具，方便裝卡不同規(guī)格的基片，基片臺可按照用戶要求個性化定制。3蒸發(fā)源及電源（1） 六組蒸發(fā)源及擋板接口圓周均布；（2） 金屬蒸發(fā)源：3組，金屬蒸發(fā)源采用銅水冷蒸發(fā)電極及舟式或錐形坩堝式，（3） 最高蒸發(fā)溫度：室溫1300（真空狀態(tài)）；（4） 金屬蒸發(fā)電源：功率3KW 1臺；特點：電流通過逆變式調控，穩(wěn)定可靠。電源可切換供3組電極分時蒸鍍；（5） 蒸發(fā)源配3組氣動擋板及源間防污隔板；（6） 蒸發(fā)舟配件：鉬舟20個；石英坩堝10只。4.真空系統（

6、1） 真空機組采用“復合分子泵+直聯旋片泵”準無油真空系統；（2） 復合分子泵：FF200/1200C,抽速1200 L/S；（3） 機械泵型號：TRP-36,9L/S，直聯旋片泵，內置擋油閥；（4） 真空閥門：主閥GDQ-S200, 氣動高真空擋板閥；（5） 前級閥/旁路閥：GDQ-J40；（6） 真空測量：“兩低一高”（兩只電阻規(guī)測量低真空，一只電離規(guī)測量高真空） 數顯復合真空計，測量范圍從1105Pa到110-5Pa；（7） 真空密封：可拆靜密封采用氟橡膠圈密封；不常拆靜密封。5.強制水冷報警保護系統（1） 總進水與總出水接制冷循環(huán)水機，水溫需控溫范圍10-25 。給電極、分子泵、提供穩(wěn)

7、定的制冷循環(huán)水，保證設備穩(wěn)定運行；（2） 水路：標準進出水口及水排分配，保障循環(huán)供水到每個水冷部件；（3） 水壓傳感器：1套，總進水采用水壓繼電器檢測供水及水壓狀態(tài)，執(zhí)行異常報警。6. 薄膜厚度監(jiān)控系統設備系統安裝有薄膜厚度監(jiān)控系統，可精確控制蒸發(fā)過程中沉積薄膜的厚度。膜厚儀探頭接口從真空腔室預留CF35 法蘭引入；晶振探頭安裝在靠近基片臺附近，用以實時監(jiān)測鍍膜速率和終厚，精度可達1（0.1nm）。具備與電源聯鎖控制功能，若鍍膜達到設置厚度，可自動切斷電源，停止鍍膜，實現自控膜厚之目的。7.電氣控制系統（1） 電氣控制系統采用PLC+觸摸屏控制抽真空系統，可實現自動一鍵式抽真空，蒸發(fā)鍍膜電源采

8、用手動控制，以方便用戶進行鍍膜工藝參數的摸索；（2） 控制內容：總供電、分子泵、機械泵、閥門；分子泵電源參數顯示及開關控制；真空計參數顯示及控制；基片臺轉速控制；基片加熱溫度控制等；（3） 安全保護報警系統：在缺水、水壓過低、電源過流、短路等異常情況執(zhí)行相應保護措施；完善的邏輯程序互鎖保護系統。8.機架與控制柜約L1650W750H1800一體化設計，只留前開門，鋁型材及碳鋼制作，表面噴塑處理，支撐真空腔體、真空系統及電氣控制系統，底下配腳輪，方便移動、定位。四. 設備配置序號系統/部件型號/參數數量1真空腔室L400W440H450mm,304優(yōu)質不銹鋼（方箱型）1套80 mm 配磁力檔板1

9、套腔室防護板1套2旋轉升降基片臺抽屜式結構，承載最大120120mm基片電機驅動主軸磁流體密封，手動調節(jié)高度，0-80mm高度可調（可按用戶要求定做一套掩膜板）1套基片臺加熱鎧裝加熱器，最高加熱溫度300，日本島電溫控儀控溫及熱電偶加熱電源閉環(huán)精確控溫1套基片臺擋板電氣動控制開合式1套3金屬蒸發(fā)源及電源水冷蒸發(fā)電極 6根組成3組3組蒸發(fā)源配擋板，防止交叉污染3套金屬蒸發(fā)電源：功率3kW1臺有機蒸發(fā)束源式有機蒸發(fā)源，石英坩堝容量2CC，角度可調傾斜指向基片臺2組PID智能控溫式蒸發(fā)電源：功率1kW 2組源擋板每組獨立擋板，源間有隔板5組蒸發(fā)舟/坩堝鉬舟20個；石英坩堝10只。1批4真空系統復合分子泵：FF200/1200C1臺機械泵：TRP-361臺前級/旁路閥GDQ-J402臺高真空擋板閥：GDQ- S200 1臺放氣閥：6mm，電磁截止閥1只數顯復合真空計：二低一高1臺波紋管、材質：SUS304不銹鋼1套密封件、連接件及其附件1套5水路系統水排：SUS304不銹鋼，6進6出1套水壓繼電器，缺水報警1套6冷卻循環(huán)水水溫不高于 25，水壓0.20.4MPa，流量12 升/分鐘1套7氣路系統電接點壓力表氣路分配單元1套8膜厚控制系統薄膜厚度監(jiān)控儀，FTM106，單探頭，原裝晶振片一盒1套9電氣控制系統PLC+觸摸屏控制方式；完善的邏輯程序互鎖保護系統1套10易損件常