混頻器特性分析

1、微波混頻器技術(shù)指標(biāo)與特性分析一、噪聲系數(shù)和等效噪聲溫度比噪聲系數(shù)的基本定義已在第四章低噪聲放大器中有過(guò)介紹。但是混頻器中存在多個(gè)頻率，是多頻率多端口網(wǎng)絡(luò)。為適應(yīng)多頻多端口網(wǎng)絡(luò)噪聲分析，噪聲系數(shù)定義改為式（9-1），其理論基礎(chǔ)仍是式（6-1）的原始定義，但此處的表示方式不僅適用于單頻線性網(wǎng)絡(luò)，也可適用于多頻響應(yīng)的外差電路系統(tǒng)，即（9-1）式中 Pno-當(dāng)系統(tǒng)輸入端噪聲溫度在所有頻率上都是標(biāo)準(zhǔn)溫度T0 = 290K時(shí)，系統(tǒng)傳輸?shù)捷敵龆说目傇肼曎Y用功率； Pns僅由有用信號(hào)輸入所產(chǎn)生的那一部分輸出的噪聲資用功率。根據(jù)混頻器具體用途不同，噪聲系數(shù)有兩種。一、噪聲系數(shù)和等效噪聲溫度比1、單邊帶噪聲系數(shù)在

2、混頻器輸出端的中頻噪聲功率主要包括三部分：（1）信號(hào)頻率fs端口的信源熱噪聲是kT0Df，它經(jīng)過(guò)混頻器變換成中頻噪聲由中頻端口輸出。這部分輸出噪聲功率是式中 Df中頻放大器頻帶寬度；am混頻器變頻損耗；T0環(huán)境溫度，T0 = 293K。（2）由于熱噪聲是均勻白色頻譜，因此在鏡頻fi附近Df內(nèi)的熱噪聲與本振頻率fp之差為中頻，也將變換成中頻噪聲輸出，如圖9-1所示。這部分噪聲功率也是kT0Dfam。（3）混頻器內(nèi)部損耗電阻熱噪聲以及混頻器電流的散彈噪聲，還有本機(jī)振蕩器所攜帶相位噪聲都將變換成輸出噪聲。這部分噪聲可用Pnd表示。這三部分噪聲功率在混頻器輸出端相互疊加構(gòu)成混頻器輸出端總噪聲功率Pno

3、把Pno等效為混頻器輸出電阻在溫度為T(mén)m時(shí)產(chǎn)生的熱噪聲功率，即Pno = kTmDf，Tm稱(chēng)混頻器等效噪聲溫度。kTmDf和理想電阻熱噪聲功率之比定義為混頻器噪聲溫度比，即按照定義公式（9-1）規(guī)定，可得混頻器單邊帶工作時(shí)的噪聲系數(shù)為在混頻器技術(shù)手冊(cè)中常用FSSB表示單邊帶噪聲系數(shù)，其中SSB是Singal Side Band的縮寫(xiě)。Pns是信號(hào)邊帶熱噪聲（隨信號(hào)一起進(jìn)入混頻器）傳到輸出端的噪聲功率，它等于kT0Dfam。因此可得單邊帶噪聲系數(shù)是2、雙邊帶噪聲系數(shù)在遙感探測(cè)、射電天文等領(lǐng)域，接收信號(hào)是均勻譜輻射信號(hào)，存在于兩個(gè)邊帶，這種應(yīng)用時(shí)的噪聲系數(shù)稱(chēng)為雙邊帶噪聲系數(shù)。此時(shí)上下兩個(gè)邊帶都有噪

4、聲輸入，因此Pns = kT0Dfam。按定義可寫(xiě)出雙邊帶噪聲系數(shù)（9-5）式中DSB是Double Side Band的縮寫(xiě)。將公式（9-4）和（9-5）相比較可知，由于鏡像噪聲的影響，混頻器單邊帶噪聲系數(shù)比雙邊帶噪聲系數(shù)大一倍，即高出3dB。為了減小鏡像噪聲，有些混頻器帶有鏡頻回收濾波器或鏡像抑制濾波器。因此在使用商品混頻器時(shí)應(yīng)注意：（1）給出的噪聲系數(shù)是單邊帶噪聲還是雙邊帶噪聲，在不特別說(shuō)明時(shí)，往往是指單邊帶噪聲系數(shù)。（2）鏡頻回收或鏡頻抑制混頻器不宜用于雙邊帶信號(hào)接收，否則將增大3dB噪聲。（此類(lèi)混頻器將在第二節(jié)鏡頻抑制混頻器中詳述）（3）測(cè)量混頻器噪聲系數(shù)時(shí)，通常采用寬頻帶熱噪聲源，

5、此時(shí)測(cè)得的噪聲系數(shù)是雙邊帶噪聲系數(shù)。在商品混頻器技術(shù)指標(biāo)中常給出整機(jī)噪聲系數(shù)，這是指包括中頻放大器噪聲在內(nèi)的總噪聲系數(shù)。由于各類(lèi)用戶(hù)的中頻放大器噪聲系數(shù)并不相同，因此通常還注明該指標(biāo)是在中頻放大器噪聲系數(shù)多大時(shí)所測(cè)得的。混頻器和中頻放大器的總噪聲系數(shù)是式中 Fif中頻放大器噪聲系數(shù)；am混頻器變頻損耗；tm混頻器等效噪聲溫度比。tm值主要由混頻器性能決定，也和電路端接負(fù)載有關(guān)。tm的范圍大約是厘米波段 tm = 1.11.2毫米波段 tm = 1.21.5在厘米波段，由于tm » 1，所以可粗估整機(jī)噪聲是二、變頻損耗混頻器的變頻損耗定義是：混頻器輸入端的微波信號(hào)功率與輸出端中頻功率之

6、比，以分貝為單位時(shí)，表示式是（9-8）混頻器的變頻損耗由三部分組成：包括電路失配損耗ab，混頻二極管芯的結(jié)損耗ar和非線性電導(dǎo)凈變頻損耗ag。1、失配損耗失配損耗ar取決于混頻器微波輸入和中頻輸出兩個(gè)端口的匹配程度。如果微波輸入端口的電壓駐波比為rs，中頻輸出端口的電壓駐波比為ri，則電路失配損耗是（9-9）混頻器微波輸入口駐波比rs一般為2以下。ar的典型值約為0.51dB。管芯的結(jié)損耗主要由電阻Rs和電容Cj引起，參見(jiàn)圖9-2。在混頻過(guò)程中，只有加在非線性結(jié)電阻Rj上的信號(hào)功率才參與頻率變換，而Rs和Cj對(duì)Rj的分壓和旁路作用將使信號(hào)功率被消耗一部分。結(jié)損耗可表示為 （dB）混頻器工作時(shí)，

7、Cj和Rj值都隨本振激勵(lì)功率Pp大小而變化。Pp很小時(shí)，Rj很大，Cj的分流損耗大；隨著Pp加強(qiáng)，Rj減小，Cj的分流減小，但Rs的分壓損耗要增長(zhǎng)。因此將存在一個(gè)最佳激勵(lì)功率。當(dāng)調(diào)整本振功率，使Rj = lwsCj時(shí)，可以獲得最低結(jié)損耗，即 （dB）可以看出，管芯結(jié)損耗隨工作頻率而增加，也隨Rs和Cj而增加。表示二極管損耗的另一個(gè)參數(shù)是截止頻率fc為 圖9-2 混頻管芯等效電路通常，混頻管的截止頻率fc要足夠高，希望達(dá)到。比如fc = 20fs時(shí)，將有armin = 0.4dB。根據(jù)實(shí)際經(jīng)驗(yàn)，硅混頻二極管的結(jié)損耗最低點(diǎn)相應(yīng)的本振功率大約為12mW，砷化鎵混頻二極管最小結(jié)損耗相應(yīng)的本振功率約為3

8、5mW。3、混頻器的非線性電導(dǎo)凈變頻損耗凈變頻損耗ag取決于非線性器件中各諧波能量的分配關(guān)系，嚴(yán)格的計(jì)算要用計(jì)算機(jī)按多頻多端口網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行數(shù)值分析；但從宏觀來(lái)看，凈變頻損耗將受混頻二極管非線性特性、混頻管電路對(duì)各諧波端接情況，以及本振功率強(qiáng)度等影響。當(dāng)混頻管參數(shù)及電路結(jié)構(gòu)固定時(shí)，凈變頻損耗將隨本振功率增加而降低，如圖9-3所示。本振功率過(guò)大時(shí)，由于混頻管電流散彈噪聲加大，從而引起混頻管噪聲系數(shù)變壞。對(duì)于一般的肖特基勢(shì)壘二極管，正向電流為l3mA時(shí)，噪聲性能較好，變頻損耗也不大。 圖9-3 變頻損耗、噪聲系數(shù)對(duì)本振功率的關(guān)系三、動(dòng)態(tài)范圍動(dòng)態(tài)范圍是混頻器正常工作時(shí)的微波輸入功率范圍。（1）動(dòng)態(tài)范圍的下

9、限通常指信號(hào)與基噪聲電平相比擬時(shí)的功率?？捎孟率奖硎臼街?am混頻器變頻損耗；Fif中頻放大器噪聲系數(shù)； Dfif中放帶寬；M信號(hào)識(shí)別系數(shù)。例如混頻器有am = 6dB，中放噪聲系數(shù)為Fif = 1dB，中頻帶寬Dfif = 5MHz，要求信號(hào)功率比熱噪聲電平高10倍，即M = 10，此時(shí)混頻器動(dòng)態(tài)范圍下限是在不同應(yīng)用環(huán)境中，動(dòng)態(tài)范圍下限是不一樣的。比如在輻射計(jì)中由于采用了調(diào)制技術(shù)，能接收遠(yuǎn)低于熱噪聲電平的弱信號(hào)。雷達(dá)脈沖信號(hào)則要高于熱噪聲約8dB，而調(diào)頻系統(tǒng)中接收信號(hào)載噪比約需要812dB。數(shù)字微波通信信號(hào)取決于要求的誤碼率，一般情況下比特信噪比也要在1015dB以上。（2）動(dòng)態(tài)范圍的上限受

10、輸出中頻功率飽和所限。通常是指1dB壓縮點(diǎn)的微波輸入信號(hào)功率Pmax，也有的產(chǎn)品給出的是1dB壓縮點(diǎn)輸出中頻功率。二者差值是變頻損耗。本振功率增加時(shí)，1dB壓縮點(diǎn)值也隨之增加。平衡混頻器由2支混頻管組成，原則上1dB壓縮點(diǎn)功率比單管混頻器時(shí)大3dB。對(duì)于同樣結(jié)構(gòu)的混頻器，1dB壓縮點(diǎn)取決于本振功率大小和二極管特性。一般平衡混頻器動(dòng)態(tài)范圍的上限為210dBm。混頻器動(dòng)態(tài)范圍曲線如圖9-4所示。圖9-4 混頻器動(dòng)態(tài)范圍四、雙頻三階交調(diào)與線性度如果有兩個(gè)頻率相近的微波信號(hào)ws1、ws2和本振wp一起輸入列混頻器，這時(shí)將有很多組合諧波頻率，其中稱(chēng)雙頻交調(diào)分量。定義m + n = k為交調(diào)失真的階數(shù)，例

11、如k = 2（當(dāng)m = 1，n = 1）是二階交調(diào)，二階交調(diào)產(chǎn)物有當(dāng)k = 2 + 1 = 3時(shí)是三階交調(diào)，其中有兩項(xiàng) 和 三階交調(diào)分量出現(xiàn)在輸出中頻附近的地方。當(dāng)ws1和ws2相距很近時(shí)，wm3將落入中頻放大器工作額帶內(nèi)，造成很大干擾。這種情況在微波多路通信系統(tǒng)中是一個(gè)嚴(yán)重問(wèn)題，如果各話(huà)路副載波之間有交叉調(diào)制，將造成串話(huà)和干擾。上述頻譜關(guān)系如圖9-5所示。圖中Dwif是中頻帶寬。圖9-5 混頻器頻譜分布四、雙頻三階交調(diào)與線性度1、混頻器三階交調(diào)系數(shù)三階交調(diào)系數(shù)Mi的定義為其值為負(fù)分貝數(shù)，單位常用dBc，其物理含義是三階交調(diào)功率比有用中頻信號(hào)功率小的分貝數(shù)。三階交調(diào)功率隨輸入微波信號(hào)功率Ps的

12、變化斜率較大，而中頻功率Pif隨Ps的變化呈正比關(guān)系，基本規(guī)律是Ps每減小1dB，Mi就改善2dB，如圖7、6所示。圖9-6 混頻器基波和三階交調(diào)成分隨信號(hào)功率的變化2、三階交調(diào)截止點(diǎn)Mi值與微波輸入信號(hào)強(qiáng)度有關(guān)，是個(gè)不固定的值。所以有時(shí)采用三階交調(diào)截止點(diǎn)Ma對(duì)應(yīng)的輸入功率PM作為衡量交調(diào)特性的指標(biāo)。三階交調(diào)截止點(diǎn)Ma是Pi直線和直線段延長(zhǎng)的交點(diǎn)，此值和輸入信號(hào)強(qiáng)度無(wú)關(guān)。1dB壓縮點(diǎn)P1dB和三階交調(diào)截止值PM都常作為混頻器線性度的標(biāo)志參數(shù)。有關(guān)三階交調(diào)變化特性的改進(jìn)可參見(jiàn)第六章，區(qū)別僅在于混額器的輸出飽和是指中頻功率。通常三階交調(diào)截止值比1dB壓縮點(diǎn)值高1015dB，微波低頻端約高出15dB

13、，微波高頻段高10dB。在混頻器應(yīng)用中，只要知道了三階交調(diào)截止值就能計(jì)算出任何輸入電平時(shí)的三階交調(diào)系數(shù)。由于三階交調(diào)截止值處，Mi為0dB，輸入信號(hào)每減弱1dB，Mi就改善2dB，例如信號(hào)功率比PM小15dB時(shí)，Mi將為30dBc。三階交調(diào)特性及飽和點(diǎn)，都和使用時(shí)的本振功率及偏壓有關(guān)。混頻管加正偏壓時(shí)，動(dòng)態(tài)范圍上限下降，三階交調(diào)特性變壞，但可節(jié)省本振功率或改善變頻損耗；加負(fù)偏壓時(shí)，上述情況剛好相反。另外?；祛I(lǐng)管反向飽和電流越小，接觸電位越大時(shí)，要求的本振功率大，此時(shí)1dB壓縮點(diǎn)提高，三階交調(diào)特性也較好。五、工作頻率混頻器是多頻率器件，除了應(yīng)指明信號(hào)工作頻帶以外，還應(yīng)該注明本振頻率可用范圍及中頻

14、頻率。分支電橋式的集成混頻器工作頻帶主要受電橋頻帶限制，相對(duì)頻帶約為10%30%，加補(bǔ)償措施的平衡電橋混頻器可做到相對(duì)頻帶為30%40%。雙平衡混頻器是寬頻帶型，工作頻帶可達(dá)多個(gè)倍頻程。六、隔離度混瀕器隔離度是指各頻率端口之間的隔離度，該指標(biāo)包括三項(xiàng)，信號(hào)與本振之間的隔離度，信號(hào)與中頻之間的隔離度，本振與中頻之間的隔離度。隔離度定義是本振或信號(hào)泄漏到其他端口的功率與原有功率之比，單位為dB。例如信號(hào)至本振的隔離度定義是信號(hào)至本振隔離度是個(gè)重要指標(biāo)，尤其是在共用本振的多通道接收系統(tǒng)中，當(dāng)一個(gè)通道的信號(hào)泄漏到另一通道時(shí)，就會(huì)產(chǎn)生交叉干擾。例如，單脈沖雷達(dá)接收機(jī)中的合信號(hào)漏入差信號(hào)支路時(shí)將使跟蹤精度

15、變壞。在單通道系統(tǒng)中信號(hào)泄漏就要損失信號(hào)能量，對(duì)接收靈敏度也是不利的。本振至微波信號(hào)的隔離度不好時(shí)，本振功率可能從接收機(jī)信號(hào)端反向輻射或從天線反發(fā)射，造成對(duì)其他電設(shè)備干擾，使電磁兼容指標(biāo)達(dá)不到要求，而電磁兼容是當(dāng)今工業(yè)產(chǎn)品的一項(xiàng)重要指標(biāo)。此外，在發(fā)送設(shè)備中，變頻電路是上變頻器，它把中頻信號(hào)混頻成微波信號(hào)，這時(shí)本振至微波信號(hào)的隔離度有時(shí)要求高達(dá)80100dB。這是因?yàn)?，上變頻器中通常本振功率要比中頻功率高10dB以上才能得到較好的線性變頻。變頻損耗可認(rèn)為10dB，如果隔離度不到20dB，泄漏的本振將和有用微波信號(hào)相等甚至淹沒(méi)了有用信號(hào)。所以還得外加一個(gè)濾波器來(lái)提高隔離度。信號(hào)至中額隔離度指標(biāo)在低

16、中頻系統(tǒng)中影響不大，但是在寬頻帶系統(tǒng)中就是個(gè)重要因素了。有時(shí)微波信號(hào)和中頻信號(hào)都是很寬的頻帶，兩個(gè)頻帶可能邊沿靠近，甚至頻帶交疊，這時(shí)，如果隔離度不好，就造成直接泄漏干擾。單管混頻器隔離度依靠定向耦合器，很難保證高指標(biāo)，一般只有10dB量級(jí)。平衡混頻器則是依靠平衡電橋。微帶式的集成電橋本身隔離度在窄頻帶內(nèi)不難做到30dB量級(jí)，但由于混頻管寄生參數(shù)、特性不對(duì)稱(chēng)、或匹配不良，不可能做到理想平衡。所以實(shí)際混頻器總隔離度一般在1520dB左右，較好者可達(dá)到30dB。七、鏡頻抑制度在本節(jié)噪聲系數(shù)論述中已提到過(guò)單邊帶混頻器鏡頻噪聲的影響，它將使噪聲系數(shù)變壞3dB。在混頻器之前如果有低噪聲放大器，就更必須采

17、取措施改善對(duì)鏡頻的抑制度?，F(xiàn)在優(yōu)良的低噪聲放大器在C波段已能做到Nf = 0.5dB，若采用無(wú)鏡頻抑制功能的常規(guī)混頻器，整機(jī)噪聲將惡化到3.5dB。此外，如果在鏡頻處有干擾，甚至可能破壞整機(jī)正常工作。抑制鏡頻的方式大都是在混頻器前加濾波器，可采用對(duì)鏡頻帶阻式或?qū)π蓬l帶通式。對(duì)于捷變頻雷達(dá)則必須用自動(dòng)抑制鏡頻的混頻器，將在下節(jié)詳述。鏡頻抑制度一般是1020dB，對(duì)于抑制鏡頻噪聲來(lái)說(shuō)已經(jīng)夠用，詳見(jiàn)第四章第二節(jié)。有些特殊場(chǎng)合，為抑制較強(qiáng)鏡頻干擾，則需25dB或更高。八、本振功率與工作點(diǎn)混頻器的本振功率是指最佳工作狀態(tài)時(shí)所需的本振功率。商品混頻器通常要指定所用本振功率的數(shù)值范圍，比如指定Pp = 10

18、12dBm。這是因?yàn)?，本振功率變化時(shí)將影響到混頻器的許多項(xiàng)指標(biāo)。本振功率不同時(shí)，混頻二極管工作電流不同，阻抗也不同，這就會(huì)使本振、信號(hào)、中頻三個(gè)端口的匹配狀態(tài)變壞；此外也將改變動(dòng)態(tài)范圍和交調(diào)系數(shù)。不同混頻器工作狀態(tài)所需本振功率不同。原則上本振功率愈大，則混頻器動(dòng)態(tài)范圍增大，線性度改善，1dB壓縮點(diǎn)上升，三階交調(diào)系數(shù)改善。本振功率過(guò)大時(shí)，混頻管電流加大，噪聲性能要變壞。此外混頻管性能不同時(shí)所需本振功率也不一樣。截止頻率高的混頻管（即Q值高）所需功率小，砷化鎵混頻管比硅混頻管需要較大功率激勵(lì)。本振功率在厘米波低端大約需25mW，在厘米波高端為510mW，毫米波段則需1020mW；雙平衡混頻器和鏡頻

19、抑制混頻器用4只混頻管，所用功率自然要比單平衡混頻管大一倍。在某些線性度要求很高、動(dòng)態(tài)范圍很大的混頻器中，本振功率要求高達(dá)近百毫瓦。九、端口駐波比在處理混頻器端口匹配問(wèn)題時(shí)，常常受許多因素影響。在寬頻帶混頻器中很難達(dá)到高指標(biāo)，不僅要求電路和混頻管高度平衡，還要有很好的端口隔離。比如中頻端口失配，其反射波再混成信號(hào)，可能使信號(hào)口駐波比變壞，而且本振功率漂動(dòng)就會(huì)同時(shí)使三個(gè)端口駐波變化。例如本振功率變化45dB時(shí)，混頻管阻抗可能由500變到1000，從而引起三個(gè)端口駐波比同時(shí)出現(xiàn)明顯變化。所以混頻器駐波比指標(biāo)一般都在22.5量級(jí)。十、中頻輸出阻抗在70MHz中頻時(shí)，中頻輸出阻抗大多是200400W，

20、中頻阻抗的匹配好壞也影響變頻損耗。中頻頻率不同時(shí)，輸出阻抗差別很大，有些微波高頻段混頻器的中頻是1GHz左右，其輸出阻抗將低于100W。以上敘述的混頻器指標(biāo)參數(shù)是表征混頻器主要性能的一些參數(shù)。對(duì)于一般商品微波集成混頻器，在產(chǎn)品目錄中所給出的特性指標(biāo)并不齊全，當(dāng)用于整機(jī)系統(tǒng)時(shí)，有些特性需要自己測(cè)量。詳細(xì)測(cè)量方法將在本章最后一節(jié)介紹。六、混頓器與前置中放組件混頻器必然要與中頻放大器聯(lián)接，在多數(shù)微波系統(tǒng)中，為了保證系統(tǒng)性能，常把中放分成兩部分，一部分是主中放，用于提供優(yōu)良的頻帶特性和高增益；另一部分是前置中放，緊置于混頻之后，雖無(wú)頻帶要求，但要求噪聲很低。1、混頻一前置中放集成組件若把混頻器與前置中

21、放制做在同一塊基片上，構(gòu)成一個(gè)整體接收組件，將有如下優(yōu)點(diǎn)。（1）前置中放的輸入匹配電路可專(zhuān)門(mén)按最佳噪聲信源阻抗設(shè)計(jì)，以獲得整機(jī)最低噪聲系數(shù)。如果用單獨(dú)的混頻和前置中放相連，往往由于混頻器輸出阻抗的差異，尤其當(dāng)中頻高于1GHz時(shí)較難得到最好性能。（2）避免接插轉(zhuǎn)換損耗。常規(guī)微波集成混頻器用微帶同軸轉(zhuǎn)換器把微帶轉(zhuǎn)換成同軸接頭再與中放聯(lián)接，其接插損耗不可避免，而且結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性差。（3）工作頻帶可以合理分配。在寬頻帶系統(tǒng)中信號(hào)頻帶和中頻頻帶有時(shí)相距很近，甚至有重疊，一體設(shè)計(jì)時(shí)可以合理分配頻帶，避免直通干擾。（4）體積尺寸小，結(jié)構(gòu)緊湊。可以合理設(shè)置混頻工作點(diǎn)的直流監(jiān)視電路。2、混頻器電流監(jiān)測(cè)電路在有些微波

22、通信系統(tǒng)中需要監(jiān)視接收機(jī)工作狀態(tài)。測(cè)量混頻二極管電流是一種簡(jiǎn)便易行的方式。一種方法如圖9-30所示。此方式很簡(jiǎn)單，原混頻電路變動(dòng)最小，在混頻器中頻端口并接微安表。正常工作情況下，兩混頻器也會(huì)略有差異，微安表可測(cè)出約幾十微安量級(jí)的直流電流差值DI。如果發(fā)現(xiàn)此差電流DI劇增，必有一個(gè)混頻管損壞，接收機(jī)尚能工作，但指標(biāo)急劇下降；若差電流變小，則說(shuō)明可能本振功率減弱，或本振停振。圖9-30 混頻器總電流監(jiān)視 圖9-31 混額管電流監(jiān)視另一種方式如圖9-31所示。用兩支電流表分別監(jiān)測(cè)兩支混頻管整流電流，并能根據(jù)電流大小調(diào)整本振功率，使混頻器工作到最佳狀態(tài)。為避免電流表串入直流電路引起附加反偏壓而影響混頻器，需并聯(lián)電阻以降低電流表直流電阻。電感則是對(duì)中頻濾波。3、前置中頻放大器前置中頻放大器的主要任務(wù)是使混頻器輸出口獲得匹配，而且對(duì)混頻輸出信號(hào)進(jìn)行預(yù)放大，這樣就可以把主中放安裝在機(jī)柜的另一個(gè)框架中，用較長(zhǎng)電纜把混頻一前置中放聯(lián)至主中放。前置中放的頻率在微波中繼通信中較多采用70MHz或1