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文檔簡介

1、模擬電子技術(shù)(10判斷下列說法是否正確,用"X域"V表示判斷結(jié)果分)只要滿足相位平衡條件,路就會產(chǎn)生正弦波振蕩入直流負(fù)反饋可定靜態(tài)工饋越深性能越漂移就作點(diǎn)的放大電路采用復(fù)合管是為了增大放大倍數(shù)和輸入電鏡像電流源電路中兩只晶體管的特性應(yīng)完V全相)電。X反饋。10凡是引入正反饋的集成運(yùn)放,一定工作在非X線性)Xo選擇填空(10 分)(1)大電路中引入為了增大輸出電阻,應(yīng)在放為了展寬頻帶,應(yīng)在放大電路中引入 (A)電流負(fù)反饋(B)電壓負(fù)反饋(C)直流負(fù)反饋(2)波振蕩電路中,(D)交流負(fù)反饋在橋式(文氏橋)RC正弦(A)杯=-180 °,桿=+180 0 (B) ?a=

2、+180 ?f=0 0? F=+180 0 (C)杯=0 ,集成運(yùn)放的互補(bǔ)輸出級采用B o半導(dǎo)體中的空P型半導(dǎo)體帶正電,N型半導(dǎo)體帶負(fù)實(shí)現(xiàn)運(yùn)算電路不一定非引入負(fù)(A)共基接法(B)共集接法(C)共射接法(D)差分接法(4)(D) 1+ B在(A)、( B)>( C)B ;C 。兩個B相同的晶體管組成復(fù)合管后,其電流放大系數(shù)約為o(A)B(B)B2(C)2B三種電路中輸入電阻最大的電路是既能放大電流,又能放大電壓的電路是(A)共基放大電路(6)工作在放大區(qū)時,各極電位關(guān)系為Ue。(A)>(B)<二極管的(A)大(B)共集放大電路(C)共射放大電路當(dāng)PNP型晶體管ucBUbB(C

3、)=(D)<硅二極管的正向與通壓降比儲A。(B)小(C)相等三、(5分)圖示電路中二極管為理想二極管,請判斷它是否與通,并求出uoo解:二極管D截止,uO=-6V1-1drUo工9V四、(10分)在一個放大電路中,三只三極管三個管腳、的電位分別如表所示,將每只管子所用材料(Si或Ge)、類型(NPN或PNP、及管腳為哪個極(e、b或c、填入表內(nèi)。管號T1T2T3管號T1T2T3管腳電位(V)0.76.23電極名稱0610533.7材料類型五、(10分)在圖示電路中,已知晶體管靜態(tài)時Ubeq=0.7V,電流放大系數(shù)為B=80)rbe=1.2kQ)Rb=500kQ)Rc=Rl=5kQ)Vcc

4、=12V。(1)估算電路的靜態(tài)工作點(diǎn)、電壓放大倍數(shù)、輸入電阻和輸出電阻(2)估算信號源內(nèi)阻為Rs=1.2kQ時,Aus二U0.Us的數(shù)值。六、(10分)在圖示電路中,已知Vcc=12V,Vee=6V,恒流源電路1=1mA,Rbi=Rb2=1kQ,Rci=Rc2=10kQ;兩只晶體管特性完全相同,且3=倫=100,rbel=rbe2=2kQo估算:(1)電路靜態(tài)時和T2管的集電極電位;(2)電路的差模放大倍數(shù)Ad、共模放大倍數(shù)Ac、輸入電阻Ri和輸出電阻RofVcc1Uld七、(5分)在圖示OCL電路中,已知Ti、T2管的Ucesi=1V,電源電壓為土9V,-TRIL負(fù)載電阻Rl=8Q,試計(jì)算最

5、大輸出功率Pom及效率n+Vcc110十忒L>RLUiAXR3八、(8分)設(shè)圖示各電路均引入了深度交流負(fù)反饋,試判斷各電路引入了哪種組態(tài)的交流負(fù)反饋,并分別估算它們的電壓放大倍數(shù)。九、(6分)在圖示電路中,要求其輸入電阻為20kQ,比例系數(shù)為-15,試求解R、Rf和R的阻值。U0十、(6分)求解圖示電路的運(yùn)算關(guān)系式UIIHZZI R:十一、(9分)將圖示電路合理連接,構(gòu)成橋式(即文氏橋)正弦波振蕩電路,并估算電路的振蕩頻率和Ri的最大值。50kfi0.0211 FR十二、(5分)在圖示電路中,已知W7805的輸出電壓為5V ,lw=5mA ,Ri=1kQ,R2=200Qo試求輸出電壓Uo

6、的調(diào)節(jié)范圍。十三、(6分)串聯(lián)型穩(wěn)壓電路如圖所示,穩(wěn)壓管組成,基準(zhǔn)的穩(wěn)定電壓為Uzo填空:調(diào)整管為,輸出電壓采樣電阻由電壓電路由組成,比較放大電路由組成;輸出電壓調(diào)節(jié)范圍的表達(dá)式為試題十一答案工(1)X(2)V(3)X(4)V(5)V(6)V(7)V(8)X(9)X(10)X二、(1)A、D(2)C(3)B(4)B(5)B、C(6)B、B(7)A二極管D截止,-6V四、TiT2T3TiT2T3管腳0.76.23電極BEE電位0610EBC(V)533.7名稱CCB材料SiGeSi類型NPNPNPNPN五、22.6nA;1.8mA;3V;-167;1.2kQ;5kQ;-83.5六、7V;-333;0;6kQ;20kQ七、4W;5.7W;70%(b)電壓并聯(lián)負(fù)反饋;-R2/R1八、(a)電壓串聯(lián)負(fù)反饋;I+R2/R1九、20kQ;300kQ;18.75kQR

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