拉晶工藝流程

1、直拉單晶操作規(guī)程拉晶工藝流程包括拆爐清爐清理石墨件裝爐 抽空 沖氬氣 熔硅料 引晶 放肩 轉(zhuǎn)肩 投自動 等徑 收尾 停爐1.拆爐:準(zhǔn)備好不銹鋼推車，（車面保持干凈）專用擦試布，無水乙醇及相應(yīng)的工具。先擰開副室門螺絲,打開副室氬氣閥門充氣,待真空表壓力到零位置時,爐內(nèi)外氣壓平衡,開啟副室門,把晶棒升至副室內(nèi), 升起副室爐筒,轉(zhuǎn)副室爐筒時必須把托盤移至副室以下,防止晶棒脫落.然后旋轉(zhuǎn)副室移至取晶框上,穩(wěn)定晶棒后,快降晶體至取晶框內(nèi).待晶棒與接晶框落穩(wěn)后，然后帶手套抓住細(xì)頸稍帶點力向下攥,用鉗子把細(xì)頸剪斷,再慢慢松細(xì)頸，直至鋼絲繩搞正完全消失（防止鋼絲繩轉(zhuǎn)圈導(dǎo)致鋼絲繩開叉），查看一下鋼絲繩是否完好，

2、如開叉或斷股要剪掉一段，必要時需更換新鋼絲繩。檢查重錘表面是否有氧化層，如有，必須用細(xì)砂紙打磨干凈，然后帶好專用手套取出導(dǎo)流筒,保溫蓋,三瓣堝,石墨托盤,托桿,送至清石墨件房,待自然冷卻后進行清理,特別注意托桿上有無硅點情況,(防止沒有清理干凈,與托桿護套摩擦在拉晶過程中液面抖動.)2.清爐與清石墨件:清理爐子的副室爐筒,小副室,爐蓋,爐筒,用長纖維紙,酒精把以上部位全部擦拭干凈,做到長纖維紙擦拭過后無污跡。每爐必清排氣口,以免造成排氣口堵塞,揮發(fā)物過多;用吸塵器吸干凈保溫罩與加熱器上下的揮發(fā)物,吸凈碳?xì)稚系臍置Ｐ璞ＷC在晶體的生長過程中盡量避免不起毛，無揮發(fā)物等雜質(zhì)進入料中。清理石墨件的時候

3、必須注意觀察石墨堝的厚度，能不能達到要求，是否有裂紋等。把石墨件上的揮發(fā)物與一些雜質(zhì)清理干凈。若石墨件上濺有硅料，應(yīng)用什錦挫或細(xì)沙布打磨除去，必要時用砂輪機打磨。注意：清理石墨件的時候必須注意輕拿輕放，防止造成內(nèi)裂！3.裝爐：安裝石墨件時各部位應(yīng)相互吻合牢固，發(fā)現(xiàn)異常及時進行修正，打開堝轉(zhuǎn)，觀察石墨堝轉(zhuǎn)動是否平穩(wěn)，四周與加熱器的間距是否勻稱，檢查取光孔是否對準(zhǔn)，檢查與鋼絲繩軟軸是否有異常。裝爐應(yīng)按其程序規(guī)范操作： 原料準(zhǔn)備 檢查石英坩堝 打開原料袋去掉外層塑料袋，然后準(zhǔn)備裝爐。爐前人員必須檢查核對所裝爐的原料與母合金，是否準(zhǔn)確無誤。檢查石英堝，保證無大量氣泡群，無損傷，內(nèi)表面無黑點，如有異常，

4、標(biāo)識清楚，由大班長確認(rèn)后方可更換。把石墨件按次序裝入爐內(nèi)，穿好防塵服，戴好防塵帽，戴上棉手套與兩層一次性手套，用氬氣吹一下石英坩堝內(nèi)壁后裝入石墨堝內(nèi)，再用蘸有少量酒精的纖維紙擦拭干凈，給上堝轉(zhuǎn)，觀察坩堝是否水平，保證水平的情況下才能裝爐。裝料時必須輕拿輕放，先在底部平鋪一些小硅料，然后把一些大塊的料輕放在中間，再把一些小料放在大塊料的中間，填大料縫隙。避免小料與坩堝接觸面積過大，這樣容易造成料粘堝邊上導(dǎo)致石英堝變形。把硅料裝好后，再把導(dǎo)流筒用蘸有酒精的纖維紙擦拭一遍。給上堝轉(zhuǎn)后把堝降至化料堝位。然后裝入導(dǎo)流筒，避免與硅料直接接觸。檢查無誤后安裝籽晶，將位置擺正，插好銷子，稍用力往下拽，以免籽晶

5、與鉬銷因未接觸而懸空，同時每爐檢查鋼絲繩是否老化。擦凈主爐室，副爐室，小副室的密封圈面，然后合上爐蓋與副室，穩(wěn)定籽晶后關(guān)上副室門。4.抽空：打開真空泵，緩慢的打開球閥，聽抽氣時的聲音，等爐內(nèi)壓力下降到0.05Pa時再完全打開球閥。5.沖氬氣：在抽空過程中須導(dǎo)入幾次氬氣，這樣使抽空的時間減短?？梢詭ё郀t內(nèi)的濕度。6.熔硅料：在加熱之前必須先充氬氣，然后再加熱，一檔功率為25KW左右，待過半個小時后把功率升至二檔50KW左右，再過半個小時后把功率升至三檔化硅功率80KW進行化硅（京儀的為85KW）。總共分三次加上。適當(dāng)?shù)臅r候給點堝轉(zhuǎn)，讓其均勻受熱?；系倪^程中要注意掛邊現(xiàn)象,同時注意塌料時不要撞歪

6、導(dǎo)流筒?；蠒r，如有雜質(zhì)漂浮或近期原料不好時，必須將最后一塊料提出，然后揮發(fā)半小時。整個化料過程中必須注意功率的變化與電流的變化。7.引晶：在引晶前必須將籽晶在脖口處和導(dǎo)流筒下口處分別預(yù)熱5-10分鐘。然后接觸。除新籽晶外，已用過籽晶用細(xì)徑試溫，熔接（對每臺爐的功率變化，歐陸變化，操作工心里要有底）細(xì)徑籽晶的直徑在5mm以上，引的細(xì)頸直徑控制在3-5mm長度原理上是細(xì)徑的7-8倍，但太陽能行業(yè)中普遍細(xì)頸需達到130mm以上。引晶時的拉速達到3-6mm/min。這樣才能更好的排除位錯。8.放肩：引晶完成后拉速降至0.4左右,放肩開始要慢,根據(jù)放肩情況進行降溫,放肩時盡量放平肩,時間控制在1-2小

7、時。放至149mm左右時開始轉(zhuǎn)肩。9.轉(zhuǎn)肩投自動：先觀察依爾根能否正常壓到光圈。確定轉(zhuǎn)肩后，降溫100-200uv，轉(zhuǎn)肩速度2-4mm/min（根據(jù)實際操作情況），轉(zhuǎn)肩中適當(dāng)?shù)慕o點堝升，投入自動，拉速根據(jù)情況而投。壓好光圈，計長清零，打開堝升堝跟比，先投溫校，穩(wěn)定些時間后，再投直徑控制器。轉(zhuǎn)肩完成后，需注意觀察十幾分鐘，讓其穩(wěn)定。10等徑：每半個小時做一次記錄，經(jīng)常觀察爐內(nèi)的狀態(tài)，不能使直徑偏差過大。應(yīng)及時給予調(diào)整溫校。掉苞時根據(jù)實際操作情況，該回熔的把堝位降至引晶堝位下20mm處進行回熔操作，如果晶棒長度達到400mm以上或因提肩較多或拉制時間過長的單晶長度在300mm左右應(yīng)提A段，以2mm

8、/min左右的拉速提A段，整個行程為3-3.5小時。然后蓋上翻板閥，在內(nèi)冷卻半小時。然后取出A段棒重新拉制。如果在范圍以內(nèi)，回熔時必須操作工盯在爐上，回熔時需注意防止晶體回熔過快戳在石英坩堝底部避免產(chǎn)生滲硅事故；或者溫度過高在回完的時候引起硅跳，把料濺到導(dǎo)流筒，保溫罩，加熱器上的事故發(fā)生。回熔完后重新找溫度與堝位重新引晶。11.收尾：在等徑達到投料所需的長度時，須要收尾，將直徑與溫?？刂破魍顺鲎钥兀腥胱詣邮瘴?。但操作工必須在剛開始收尾時盯住，根據(jù)現(xiàn)場情況給溫校速率，給定拉速。在收尾過程中是看著光圈收尾。當(dāng)光圈收進時應(yīng)降底拉速，當(dāng)光圈長大時應(yīng)提高拉速。同時也觀察是否有結(jié)晶與料少的情況。（堝跟比分兩種方式降：1，直接將堝跟比降到零；2，分兩次降到零，第一次降50%，收到50mm以后再降到零。）12.停爐：收尾完成后，降堝位，使晶體脫離液面20mm左右，關(guān)加熱電源，停堝轉(zhuǎn)，把控制器上的參數(shù)返回到引晶前的參數(shù)。然后以2.5-3mm/min拉速提升晶體,慢慢脫離高溫區(qū).4個小時后進行熱檢,抽空到極限,關(guān)球閥檢漏.泄漏率小于3分鐘1帕。13.下次開爐準(zhǔn)備：觀察記錄表，對每個部件的使用爐數(shù)做到心里有數(shù)，拆爐后須認(rèn)真檢查；對過濾罐與換油的記錄做到此次拆爐是否需要過濾罐與換油，保證做到過濾罐每爐清，換油6爐換一次。14.大清：在拉晶過程中會產(chǎn)生揮發(fā)物過多，