昊昱時鐘芯片HYM1302簡歷

1、HYM1302簡歷HYM1302帶31字節(jié)非易失性靜態(tài)RAM的串行實時時鐘特 點： 可對秒，分，時，日，周，月以及帶閏年補償?shù)哪赀M行計數(shù) 用于高速數(shù)據(jù)暫存的 31 字節(jié)非易失性 RAM 寬工作電源電壓范圍：2.0V5.5V 2.5V 時耗電小于 300nA 用于時鐘或 RAM 數(shù)據(jù)讀/寫的單字節(jié)或多字節(jié)數(shù)據(jù)傳送方式 簡單的 3 線接口與單片機通信 TTL 兼容（V CC =5V） 可選的工業(yè)溫度范圍-40至+85 封裝形式：DIP8 和 SOP8應 用： 便攜儀器 復費率電度表、IC 卡水表、IC 卡煤氣表 移動電話 傳真機 概述： HYM1302 可慢速充電實時時鐘芯片包含實時時鐘/日歷和

2、31 字節(jié)的非易失性靜態(tài)RAM。它經(jīng)過一個簡單的串行接口與微處理器通信。實時時鐘/日歷可對秒，分，時，日，周，月，和年進行計數(shù)，對于小于31 天的月，月末的日期自動進行調(diào)整，還具有閏年校正的功能。時鐘可以采用 24 小時格式或帶 AM（上午）/PM（下午）的 12 小時格式。31 字節(jié)的 RAM 可以用來臨時保存一些重要數(shù)據(jù)。使用同步串行通信，簡化了 HYM1302 與微處理器的通信。與時鐘/RAM 通信僅需 3 根線： （1）RST（復位） ， （2）I/O（數(shù)據(jù)線）和（3）SCLK（串行時鐘） 。數(shù)據(jù)可以以每次一個字節(jié)的單字節(jié)形式或多達 31 字節(jié)的多字節(jié)形式傳輸。HYM1302 能在非常

3、低的功耗下工作，消耗小于 1µW 的功率便能保存數(shù)據(jù)和時鐘信息。 HYM1302 定購信息：器件工作溫度范圍封裝類型HYM13020+70DIP8HYM1302ZSOP8HYM1302N-40+85DIP8HYM1302ZNSOP8方框圖和管腳功能: (圖 1 HYM1302 內(nèi)部框圖) 管腳說明： HYM1302 最大額定值: 推薦直流運行條件 （T A =070）: 電容 （T A =25）: 交流電特性 （T A =0至 70；V CC =+5V±10%）: HYM1302 電特性:直流電特性 （0至 70；V CC 2.5V 至 5.5V） HYM1302 時序圖

4、：讀數(shù)據(jù) 時序圖 ：寫數(shù)據(jù)典型應用電路圖:使用說明 ：串行時鐘芯片的主要組成部分示于圖1:移位寄存器控制邏輯，振蕩器，實時時鐘以及 RAM。工作原理：如圖所示，RST 信號有效后，移位寄存器單元會在 SCLK 同步脈沖信號的控制下從 I/O 上串行接收 8 位指令字節(jié)，然后將 8 位指令字節(jié)進行串并轉換并送至 ROM 指令譯 HYM1302 碼單元。由 ROM 指令譯碼單元對 8 位指令字節(jié)進行譯碼，以決定內(nèi)部寄存器的地址以及讀寫狀態(tài)。然后在接下來的 SCLK 同步脈沖信號的控制下將 8 位數(shù)據(jù)寫進或者讀出相應的寄存器。數(shù)據(jù)傳送也可以采用多字節(jié)方式，先將 8 位相應的指令字節(jié)寫入， 然后在連續(xù)

5、的 SCLK 的脈沖信號同步下， 將數(shù)據(jù)字節(jié)連續(xù)寫入或讀出日歷/時鐘寄存器 （或者 RAM 單元） 。 SCLK 脈沖的個數(shù)在單字節(jié)方式下為 8 加 8， 在多字節(jié)方式下為 8 加最大可達到 248 的數(shù)。1 、 命令字節(jié)命令字節(jié)示于圖 2:每一數(shù)據(jù)傳送由命令字節(jié)初始化，最高有效位 MSB（位 7）必須為邏輯 1。如果它是零，禁止寫 HYM1302。位 6 為邏輯 0 指定時鐘/日歷數(shù)據(jù)。邏輯 1 指定 RAM 數(shù)據(jù)。位 1 至 5 指定進行輸入或輸出的特定寄存器。最低有效位 LSB（位 0）為邏輯 0 指定進行寫操作（輸入） ；邏輯 1 指定進行讀操作（輸出） 。命令字節(jié)總是從最低有效 LS

6、B 位 0 開始輸入 。1RAM/CLKA4A3A2A1A0讀/寫圖 2 地址/命令字節(jié)2 、 復位和時鐘控制通過把 RST 輸入驅(qū)動至高電平來啟動所有的數(shù)據(jù)傳送。RST 輸入有兩種功能。首先，RST 接通控制邏輯，允許地址命令序列送入移位寄存器。其次，RST 可以中止數(shù)據(jù)傳送。數(shù)據(jù)輸入時，在時鐘的上升沿數(shù)據(jù)必須有效，而數(shù)據(jù)位在時鐘的下降沿輸出。如果 RST 輸入為低電平，那么所有的數(shù)據(jù)傳送中止，且I/O 引腳變?yōu)楦咦?。?shù)據(jù)傳送在圖 3 中說明。上電時，在 VCC 大于或等于 2.5V 之前，RST 必須為邏輯 0，此外，當把 RST 驅(qū)動至邏輯 1 的狀態(tài)時，SCLK 必須為邏輯 0。3 、

7、 數(shù)據(jù)輸入跟隨在輸入寫命令字節(jié)的 8 個 SCLK 周期之后，在下 8 個 SCLK 周期的上升沿輸入數(shù)據(jù)。如果有額外的 SCLK 周期，它們將被忽略。輸入從位 0 開始。4 、 數(shù)據(jù)輸出跟隨在輸入寫命令字節(jié)的 8 個 SCLK 周期之后，在隨后的 8 個 SCLK 周期的下降沿輸出數(shù)據(jù)字節(jié)。注意，被傳送的每一個數(shù)據(jù)位發(fā)生在寫命令字節(jié)的最后一位之后的第一個下降沿。只要 RST 保持為高電平，如果有額外的 SCLK 周期，它們將重新發(fā)送數(shù)據(jù)字節(jié)。這一操作使之具有連續(xù)的多字節(jié)方式的讀能力。另外，在 SCLK 的每一個上升沿，I/O 引腳為三態(tài)。數(shù)據(jù)從位 0 開始輸出。5 、 多字節(jié)方式 通過對 3

8、1（十進制）位地址尋址（地址/命令位于 1 至 5=邏輯 1） ，可以把時鐘/日歷或 RAM 寄存器規(guī)定為多字節(jié)方式。如前所述，位 6 規(guī)定時鐘或 RAM 而位 0 規(guī)定讀或?qū)?。在時鐘日歷寄存器中的地址 9 至 31或 RAM 寄存器中的地址 31 不能存儲數(shù)據(jù)。在多字節(jié)方式中讀或?qū)憦牡刂?0 的位 0 開始。 當以多字節(jié)方式寫時鐘寄存器時，必須按數(shù)據(jù)傳送的次序?qū)懽钕?8 個寄存器。但是，當以多字節(jié)方式寫 RAM 時，為了傳送數(shù)據(jù)不必寫所有 31 個字節(jié)。不管是否寫了全部 31 個字節(jié)，所寫的每一個字節(jié)都將傳送至 RAM。 HYM1302 功能字節(jié)數(shù)脈沖數(shù)CLOCK872RAM31256 圖

9、3 數(shù)據(jù)傳送概要6 、時鐘/ / 日歷 如圖4所示，時鐘/日歷包含在7個寫/讀寄存器內(nèi)。包含在時鐘/日歷寄存器內(nèi)的數(shù)據(jù)是二十進制（BCD）碼。7 、時鐘暫停 秒寄存器的位7定義為時鐘暫停位。當此位設置為邏輯1時，時鐘振蕩器停止，HYM1302 被置入低功率的備份方式，其電源消耗小于100納安（nanoamp）。當把此位寫成邏輯0時，時鐘將啟動。8 、AM- - PM/12- -4 24方式小時寄存器的位7定義為12或24小時方式選擇位。當它為高電平時，選擇12小時方式，在12小時方式下，位5是AM/PM 位，此位為邏輯高電平表示 PM。在24小時方式下，位5是第2個10小時位（20-23時）

10、。9 、寫保護寄存器寫保護寄存器的位7是寫保護位。開始7位（位 0-6）置為零，在讀操作時總是讀出零。在對時鐘或RAM進行寫操作之前，位7必須為零。當它為高電平時，寫保護位禁止對任何其它寄存器進行寫操作。10 、慢速充電（Trickle charge）寄存器這個寄存器控制 HYM1302 的慢速充電特性。圖4的簡化電路表示慢速充電器的基本組成。慢速充電選擇（TCS）位（位4-7）控制慢速充電器的選擇。為了防止偶然的因素使之工作，只有1010模式才能使慢速充電器工作，所有其它的模式將禁止慢速充電器。 HYM1302 HYM1302 上電時，慢速充電器被禁止。二極管選擇（DS）位（位 2-3）選擇

11、是一個二極管還是兩個二極管連接在 Vcc2 與 Vcc1 之間。如果 DS 為 01，那么選擇一個二極管；如果 DS 為 10，則選擇兩個二極管。如果 DS 為 00 或 11，那么充電器被禁止，與 TCS無關。RS 位（位 0-1）選擇連接在 Vcc2 與 Vcc1 之間的電阻。電阻選擇（RS）位選擇的電阻如下： 如果 RS 為 00，充電器被禁止，與 TCS 無關。 二極管和電阻的選擇用戶根據(jù)電池和超容量電容充電所需的最大電流決定。最大充電電流可以如下列所說明的那樣進行計算。假定 5V 系統(tǒng)電源加到 Vcc2 而超容量電容接至 Vcc1。再假設慢速充電器工作時在 Vcc2 和 Vcc1 之

12、間接有一個二極管和電阻 R1。因而最大電流可計算如下：Imax =（5.0V-二極管壓降）/R1=（5.0V-0.7V）/2k= 2.2mA 顯而易見，當超容量電容充電時，Vcc2和Vcc1之間的電壓減少，因而充電電流將會減小。11 、 時鐘/ / 日歷多字節(jié) （ Burst ） 方式 時鐘/日歷命令字節(jié)可規(guī)定多字節(jié)工作方式。在此方式下，最先8個時鐘/日歷寄存器可以從地址0的第0位開始連續(xù)地讀或?qū)懀ㄒ妶D 4）。當指定寫時鐘/日歷的多字節(jié)方式時，如果寫保護位設置為高電平，那么沒有數(shù)據(jù)會傳到 8 個時鐘/日歷寄存器（包括控制寄存器）中的任一個。在多字節(jié)方式下，慢速充電器時不可訪問的。 HYM130

13、212 、 RAM 靜態(tài) RAM 是 RAM 地址空間中順序?qū)ぶ返?31 × 8 字節(jié)。13 、M RAM RAM 命令字節(jié)可規(guī)定多字節(jié)工作方式。在此方式下，可以從地址 0 的第 0 位開始順序讀或?qū)?31 字節(jié)RAM 寄存器（見圖 5） 。14 、 寄存器概要寄存器數(shù)據(jù)格式概要示于圖 5.圖 5 寄存器地址/定義15 、 晶振選擇 32.768kHz 的晶振可通過引腳 2 和 3（X1 和 X2）直接連接至 HYM1302。所選晶振規(guī)定的負載電容量（CL）應當為 6pF。16 、 電源控制 Vcc1 在單電源與電池供電的系統(tǒng)中提供低電源并提供低功率的電池備份。 Vcc2 在雙電源系統(tǒng)中提供主電源，此時 Vcc1 連接到備份電源，以便在沒有主電源的情況下能保存時間