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1、一、VoLTE語音MOS采樣點(diǎn)機(jī)制 VoLTE語音MOS采樣機(jī)制如下: (1)主叫起呼,進(jìn)行錄音(8s左右); (2)被叫放音,主叫收音,被叫記錄第1個(gè)MOS采樣點(diǎn)(8s); (3)主叫放音,被叫收音,主叫記錄第1個(gè)MOS采樣點(diǎn)(8s); (4)被叫放音,主叫收音,被叫記錄第2個(gè)MOS采樣點(diǎn)(8s,與第1個(gè)采樣點(diǎn)間隔16s); (5)主叫放音,被叫收音,主叫記錄第2個(gè)MOS采樣點(diǎn)(8s,與第1個(gè)采樣點(diǎn)間隔16s); (6)被叫放音,主叫收音,被叫記錄第3個(gè)MOS采樣點(diǎn)(8s),如此類推 二、VoLTE語音MOS優(yōu)化
2、分析方法 1、MOS差的問題點(diǎn)定位 測(cè)試log單次通話連續(xù)兩個(gè)采樣點(diǎn)MOS值小于3的問題點(diǎn)定義為MOS差的問題點(diǎn)。 注意事項(xiàng):需剔除通話結(jié)束的最后一個(gè)采樣點(diǎn)與下次通話第一個(gè)采樣點(diǎn)的MOS值都小于3的問題點(diǎn)。 2、MOS優(yōu)化分析方法 由MOS采樣點(diǎn)機(jī)制可以看出,MOS采樣點(diǎn)收集的是采樣時(shí)間點(diǎn)前8秒的語音質(zhì)量,所以在分析的時(shí)候,需著重分析MOS采樣時(shí)間前8秒U(xiǎn)E本端的下行(包括:無線環(huán)境、語音編碼、抖動(dòng)、丟包、頻繁切換、RRC重建、異頻測(cè)量頻次等),以及對(duì)端的上行(包括:頻繁切換、RRC重建、異頻測(cè)量
3、頻次等)。 三、VoLTE語音MOS值的影響因素及優(yōu)化思路 1、MOS值的影響因素 MOS值的直接影響因素為:端到端時(shí)延、抖動(dòng)、丟包; VoLTE端到端時(shí)延可以分解為:UE語音編/解碼時(shí)延、空口傳輸時(shí)延、核心網(wǎng)的處理時(shí)延、傳輸網(wǎng)的傳輸時(shí)延。丟包和抖動(dòng)的影響因素包括:空口信號(hào)質(zhì)量、eNB負(fù)載、傳輸網(wǎng)的丟包和抖動(dòng)。 故將以上因素分解后,MOS的影響因素包括:語音編碼、覆蓋、干擾、切換、鄰區(qū)、基站負(fù)荷、基站故障、傳輸、核心網(wǎng)、測(cè)試終端、人為操作失誤等。 2、MOS值的優(yōu)化思路 結(jié)合以上影響因素和前期VoLTE拉網(wǎng)測(cè)試時(shí)遇到的MOS
4、問題,共總結(jié)出四類問題點(diǎn)類型:無線問題、基站異常、測(cè)試規(guī)范和設(shè)備、核心網(wǎng)/傳輸。 在分析MOS問題時(shí),我們首先要考慮基站是否正常工作,其次考慮測(cè)試是否規(guī)范、測(cè)試設(shè)備是否正常,再次判斷是否為無線問題造成的,最后才考慮是否核心網(wǎng)及傳輸網(wǎng)引起的。 因此我們?cè)诜治鯩OS問題時(shí),應(yīng)該按以下步驟進(jìn)行MOS優(yōu)化: (1)基站問題: 是指問題路段中心經(jīng)緯度150米以內(nèi)的基站及主瓣65度范圍的小區(qū),若存在基站負(fù)荷過大、影響業(yè)務(wù)的告警、斷站等問題,必將影響MOS值。處理方法:在測(cè)試前確?;菊9ぷ?。 案例1:基站故障導(dǎo)致MOS值低
5、0;問題描述:車輛由南向北行駛至清風(fēng)路與兩河大道交叉路口,UE占用金牛清淳一街-SCDHLS3HM3JN-D2的信號(hào),無線環(huán)境RSRP為-116.81dbm,SINR為-2.5,MOS值1.14,經(jīng)測(cè)試數(shù)據(jù)分析,發(fā)現(xiàn)UE未能收到距離清風(fēng)路與兩河大道交叉路口50米的華力汽車公司車隊(duì)-SCDHLD3HM2GX站點(diǎn)信號(hào),經(jīng)查詢告警得知,發(fā)現(xiàn)該站點(diǎn)網(wǎng)元斷鏈,因而導(dǎo)致該路段出現(xiàn)弱覆蓋現(xiàn)象,最終導(dǎo)致MOS值差。 處理建議:建議處理華力汽車公司車隊(duì)-SCDHLD3HM2GX站點(diǎn)故障。 案例2:基站負(fù)荷過大,導(dǎo)致MOS值低 問題描述:無線環(huán)境較好(RSRP為-95dBm左右,SI
6、NR為10左右),無頻繁切換;但MOS打點(diǎn)前8s主被叫占用電子科大-SCDHLS0HM1CH-D5,抖動(dòng)和丟包均比較異常(RTP Jitter為992ms,RTP Loss Rate為3.99%),后臺(tái)查詢電子科大-SCDHLS0HM1CH-D5問題發(fā)生時(shí)間點(diǎn)15分鐘粒度的上行PRB峰值利用率為65.145%,上行PRB平均利用率為45.949%,初步判斷為基站負(fù)荷過大導(dǎo)致調(diào)度不及時(shí),從而影響了MOS值。 處理建議:解決電子科大-SCDHLS0HM1CH-D5負(fù)荷過大的問題。 (2)測(cè)試規(guī)范/測(cè)試設(shè)備: 包括M
7、OS設(shè)備調(diào)試造成的MOS設(shè)備性能低、MOS差、音頻線松動(dòng)、終端異常等。 處理方法:在測(cè)試前確保MOS設(shè)備正常工作、事先調(diào)試好MOS值、音頻線插緊、檢查終端等。 案例1:調(diào)試MOS導(dǎo)致MOS值低 問題描述:周圍站點(diǎn)狀態(tài)正常,無線環(huán)境良好;本次問題發(fā)生在1月25日下午第一個(gè)正式log的第1次至第3次呼叫,連續(xù)21個(gè)MOS值均低于1.5(覆蓋較好,無干擾和故障),車輛一直停留在北京華聯(lián)雙橋店門口,第4次起呼MOS值恢復(fù)正常,初步判斷為當(dāng)天下午剛開始測(cè)試時(shí)MOS設(shè)備有問題導(dǎo)致。 處理建議:建議按測(cè)試規(guī)范進(jìn)行測(cè)試,測(cè)試前確保MOS設(shè)備正常工作。
8、0;案例2: 無線環(huán)境良好,MOS采樣點(diǎn)前8s信令丟失 問題描述:周圍站點(diǎn)狀態(tài)正常,無線環(huán)境良好;主叫9:29:35發(fā)起INVITE請(qǐng)求,9:32:28出現(xiàn)低MOS,分析主叫前8s測(cè)試數(shù)據(jù),此時(shí)占用春良賓館-SCDHLD3HM3JJ-F3,此時(shí)RSRP=-87.25dbm,SINR=17,9:32:20至9:32:28主叫無信令交換,查看9:32:20無RTP丟包異常,RTP抖動(dòng)正常,分析被叫LOG,無信令。初步判斷為終端問題導(dǎo)致MOS差。 處理建議:建議按測(cè)試規(guī)范進(jìn)行測(cè)試,測(cè)試前確保UE終端正常工作。 (3)無線問題: 主要包括弱
9、覆蓋(RSRP<-100dBm,SINR<0)、質(zhì)差(RSRP>-100dBm,SINR<0)、頻繁切換等。 引起弱覆蓋的原因包括:周邊缺站(需新規(guī)劃)、已規(guī)劃站點(diǎn)但未建設(shè)、周邊基站故障、室分泄露、鄰區(qū)漏配、切換參數(shù)不當(dāng)。 質(zhì)差包括弱覆蓋質(zhì)差和強(qiáng)覆蓋質(zhì)差,前者優(yōu)先處理弱覆蓋,后者通常是由MOD3干擾、GPS失步引起的干擾、外部干擾等干擾引起的。 頻繁切換通常是由于網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)不合理、天饋接反、切換參數(shù)設(shè)置不當(dāng)造成的。 案例1:周邊缺站(需新規(guī)劃),弱覆蓋導(dǎo)致MOS值低 問題描述:測(cè)試車輛在川建路由西向東行駛,主被叫占用靈潤(rùn)路
10、8號(hào)-SCDHLD3HM3JN-F1、鳳凰石油加油站-SCDHLS2HM1JN-D3通話(RSRP-94-115、SINR-915)鄰區(qū)無更好接續(xù)小區(qū),該路段為弱覆蓋(連續(xù)覆蓋路段約180米R(shí)SRP-105),無線環(huán)境差導(dǎo)致低MOS(時(shí)間為14:58:30至14:58:41、14:59:11至14:59:45)。該路段鳳凰石油加油站-SCDHLS2HM1JN與匯澤路-SCDHLS3HM3JN站間距為600米左右,站間距過大不能夠保證有效覆蓋;周邊無規(guī)劃站點(diǎn)。 處理建議:建議在川建路新建站點(diǎn)(經(jīng)度104.06242,緯度30.73527) 案例2:已規(guī)劃站點(diǎn)未建設(shè),弱覆蓋導(dǎo)致MOS值低 問題描述:主叫UE在成雙大道占用桐希亨-SCDHLS1HM1WH-D3時(shí)MOS低,在
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