機(jī)械和電子知識(shí)

1、機(jī)械和電子知識(shí)培訓(xùn)教材n四連桿機(jī)構(gòu)n常用電子元件了解四連桿機(jī)構(gòu)動(dòng)作原理n在圖中各字母代表的含義: L-手柄;T-跳扣;M-鎖扣; K-觸頭;CB-上連桿;BA-下連桿; E-主彈簧;D-跳扣軸(定點(diǎn)); F-杠桿支點(diǎn); O-轉(zhuǎn)軸支點(diǎn)(可理解為轉(zhuǎn)軸軸心,為定點(diǎn)).產(chǎn)品分閘和再扣位置時(shí)的示意圖 產(chǎn)品合閘時(shí)操作機(jī)構(gòu)的示意圖 產(chǎn)品脫扣狀態(tài)時(shí)的示意圖 n 斷路器分閘,自由脫扣后再扣位置時(shí),由OA,AB,BC,及固定點(diǎn)CO構(gòu)成一四連桿機(jī)構(gòu),此時(shí)機(jī)構(gòu)只有一個(gè)自由度,即合,分的自由度.當(dāng)機(jī)構(gòu)處于自由脫扣狀態(tài)時(shí),由OA,AB,BC,CD和DO構(gòu)成五連桿,此時(shí)機(jī)構(gòu)便有兩個(gè)自由度,即圍繞D點(diǎn)向前,向后運(yùn)動(dòng)的自由度.

2、當(dāng)產(chǎn)品完全合閘時(shí),下連桿AB與上連桿BC幾乎是一條直線.n在平時(shí)的生產(chǎn)過程中,我們經(jīng)常會(huì)談到產(chǎn)品超程和死點(diǎn)不過問題.首先,死點(diǎn)不過表現(xiàn)在操作上表現(xiàn)在分閘時(shí)比死點(diǎn)過了的產(chǎn)品分閘力會(huì)小, 輕.在圖2中表現(xiàn)在ABC沒有達(dá)到應(yīng)有的角度(接近180度),此時(shí)B點(diǎn)有往左運(yùn)動(dòng)的余量.造成死點(diǎn)不過的原因,從結(jié)構(gòu)分析主要是合閘力矩小于動(dòng)觸頭接觸后產(chǎn)生的反力矩.造成產(chǎn)品死點(diǎn)不過.其次超程問題,從圖2中可以看出,在不改變C,O點(diǎn)位置的情況下通過改變CB,AB的長度來控制超程大小.在實(shí)際中我們通常是更改上連桿的長度來調(diào)整超程的; 我們也可以通過控制O點(diǎn)的高度(杠桿原理)來調(diào)整超程大小.n在學(xué)習(xí)產(chǎn)品的機(jī)構(gòu)時(shí),我們應(yīng)該分

3、析在自由脫扣狀態(tài),分閘,合閘狀態(tài)下四連桿,五連桿結(jié)構(gòu)中各連桿的位置和運(yùn)動(dòng)方向.找出結(jié)構(gòu)中可運(yùn)動(dòng)部件為什么不再運(yùn)動(dòng)?是怎么來定位的?當(dāng)我們熟悉了相關(guān)信息后對(duì)產(chǎn)品結(jié)構(gòu)就很清晰了.n分析方法:n1.先將產(chǎn)品進(jìn)行分閘,合閘狀態(tài)的分析,區(qū)分在合閘過程中的動(dòng)點(diǎn),運(yùn)動(dòng)件的運(yùn)動(dòng)軌跡.n2.分析在脫扣狀態(tài)是否在第一項(xiàng)中的動(dòng)點(diǎn)是否由動(dòng)變靜,或靜點(diǎn)變成了動(dòng)點(diǎn).n3.對(duì)照上面的結(jié)構(gòu)圖找出產(chǎn)品中相對(duì)應(yīng)的點(diǎn)或零件.基本上塑殼產(chǎn)品,框架產(chǎn)品都是上面的結(jié)構(gòu),只是零部件的形狀發(fā)生了改變.微斷產(chǎn)品會(huì)有所差別. n4.確定產(chǎn)品的開距,超程是由什么來控制?一般情況下靠轉(zhuǎn)軸來限位,或者是B相動(dòng)觸頭頂住支架前面的一根軸來限位,或者其他部

4、位.超程出了在前面說到的那些參數(shù)外其實(shí)在合閘后還有一個(gè)限位的,防止例如225型產(chǎn)品就是利用連桿軸碰到跳扣下部來限位,有的是利用上連桿碰到跳扣軸來限位 常用電子元件基本電子元件的識(shí)別與應(yīng)用色環(huán)電阻與貼片電阻的識(shí)別及應(yīng)用n電阻，用符號(hào)R表示。其最基本的作用就是阻礙電流的流動(dòng)。衡量電阻器的兩個(gè)最基本的參數(shù)是阻值和功率。阻值用來表示電阻器對(duì)電流阻礙作用的大小，用歐姆表示。除基本單位外，還有千歐和兆歐。功率用來表示電阻器所能承受的最大電流，用瓦特表示，有1/16W，1/8W，1/4W，1/2W，1W，2W等多種，超過這一最大值，電阻器就會(huì)燒壞。 電阻在標(biāo)記它的值的方法是用色環(huán)標(biāo)記法。它的識(shí)別方法如右圖所

5、示： n電阻的常用標(biāo)志法 在使用電阻器時(shí)，需要了解它的主要參數(shù)。對(duì)電阻器需知道其標(biāo)稱阻值、功率、允許偏差。電阻器的標(biāo)稱值和允許偏差一般都標(biāo)在電阻體上，而在電路圖上通常只標(biāo)出標(biāo)稱值。電阻的標(biāo)志方法分為下列四種： 1. 直標(biāo)法：直標(biāo)法是將電阻器的標(biāo)稱值用數(shù)字和文字符號(hào)直接標(biāo)在電阻體上，其允許偏差則用百分?jǐn)?shù)表示，末標(biāo)偏差值的即為20%的允許偏差。 n2. 文字符號(hào)法：文字符號(hào)法是將電阻器的標(biāo)稱值和允許偏差值用數(shù)字和文字符號(hào)法按一定的規(guī)律組合標(biāo)志在電阻體上。電阻器的標(biāo)稱值的單位標(biāo)志符號(hào)見表1，允許偏差見表2。 表1 電阻值 文字符號(hào) 單位及進(jìn)位關(guān)系 名稱 R (100) 歐姆 K K(103) 千歐

6、M M(106) 兆歐 G G(109) 吉?dú)W T T(1012) 太歐 n表2 允許偏差（%） 文字符號(hào) 允許偏差（%） 文字符號(hào) 0.001 Y 0.5 D 0.002 X 1 F 0.005 E 2 G 0.01 L 5 J 0.02 P 10 K 0.05 W 20 M 0.1 B 30 N 0.25 n C 注：大多數(shù)電阻器的允許偏差值J、K、M三類。 例如：6R2J表示該電阻標(biāo)稱值為6.2，允許偏差為5%；3K6K表示電阻值為3.6K，允許偏差為10%；1M5則表示電阻值為1.5M，允許偏差為20%。 n3. 色標(biāo)法：普通的電阻器用四色環(huán)表示，精密電阻用五色環(huán)表示。緊靠電阻體一端頭

7、的色環(huán)為第一環(huán)，露著電阻體本色教多的另一端頭為末環(huán)。 帶有四個(gè)色環(huán)的其中第一、二環(huán)分別代表阻值的前兩位數(shù)；第三環(huán)代表倍率；第四環(huán)代表誤差?？焖僮R(shí)別的關(guān)鍵在于根據(jù)第三環(huán)的顏色把阻值確定在某一數(shù)量級(jí)范圍內(nèi)，例如是幾點(diǎn)幾K、還是幾十幾K的，再將前兩環(huán)讀出的數(shù)“代”進(jìn)去，這樣就可很快讀出數(shù)來。n（1）熟記第一、二環(huán)每種顏色所代表的數(shù)?？蛇@樣記憶：棕1，紅2，橙3，黃4，綠5，藍(lán)6，紫7，灰8，白9，黑0。n（2）記住第四環(huán)顏色所代表的誤差，即：金色為5；銀色為10；無色為20。n 例1當(dāng)四個(gè)色環(huán)依次是黃、橙、紅、金色時(shí)，因第三環(huán)為紅色、阻值范圍是幾點(diǎn)幾k的，按照黃、橙兩色分別代表的數(shù)“4”和“3”代入

8、,，則其讀數(shù)為43 k。第環(huán)是金色表示誤差為5。n 例2當(dāng)四個(gè)色環(huán)依次是棕、黑、橙、金色時(shí)，因第三環(huán)為橙色，第二環(huán)又是黑色，阻值應(yīng)是整幾十k的，按棕色代表的數(shù)1代入，讀數(shù)為10 k。n4. 數(shù)碼標(biāo)志法：在產(chǎn)品和電路圖上用三為數(shù)字來表示元件的標(biāo)稱值的方法稱之為數(shù)碼標(biāo)志法。常見于貼片電阻或進(jìn)口器件上。在三位數(shù)碼中，從左至右第一、二位數(shù)表示電阻標(biāo)稱值的第一、二位有效數(shù)字，第三位數(shù)為倍率10n 的“n”（即前面兩位數(shù)后加“0”的個(gè)數(shù)）,單位為。例如標(biāo)識(shí)為222的電阻器，其阻值為2200既2.2K；表識(shí)為105的電阻器為1M；標(biāo)志為47的電阻器阻值為4.7。需要注意的是要將這種標(biāo)志法與傳統(tǒng)的方法區(qū)別開來

9、：如標(biāo)志為220的電阻器其電阻為22，只有標(biāo)志為221的電阻器其阻值才為220。標(biāo)志為0或000的電阻器，實(shí)際是跳線，阻值為0。在一些微調(diào)電阻器阻值的標(biāo)志法除了用三位數(shù)字外還有用兩位數(shù)字的。如標(biāo)志為53表示5，14和54分別表示10和50。一些精密貼片電阻器也有用四位數(shù)字表示法，如1005表示10等。電阻的分類n為了區(qū)別不同種類的電阻，常用幾個(gè)拉丁字母表示電阻類別，如圖1所示。第一個(gè)字母R表示電阻，第二個(gè)字母表示導(dǎo)體材料，第三個(gè)字母表示形狀性能。上圖是碳膜電阻，下圖是精密金屬膜電阻。表1列出電阻的類別和符號(hào)。表2是常用電阻的技術(shù)特性電阻額定功率值在電路圖上的符號(hào)n所謂電阻的額定功率值，指的是電

10、阻所承受的最高電壓和最大電流的乘積。每個(gè)電阻都有其額定功率值，常見電阻的額定功率一般分為1/8W、1/4W、1/2W、1W、2W、3W、4W、5W、10W等。其中1/8W和1/4W的電阻較為常用，不過，在大電流場合，大功率的電阻也用得很普遍。下圖為各額定功率值功率的電阻在電路圖上的符號(hào)。不難看出，額定功率值在1W以上用羅馬數(shù)字表示。電容的基本知識(shí)n電容，用字母C表示。顧名思義，電容器就是“儲(chǔ)存電荷的容器”。盡管電容器品種繁多，但它們的基本結(jié)構(gòu)和原理是相同的。兩片相距很近的金屬中間被某物質(zhì)（固體、氣體或液體）所隔開，就構(gòu)成了電容器。兩片金屬稱為的極板，中間的物質(zhì)叫做介質(zhì)。電容器也分為容量固定的與

11、容量可變的。但常見的是固定容量的電容，最多見的是電解電容和瓷片電容 電容的基本單位n不同的電容器儲(chǔ)存電荷的能力也不相同。規(guī)定把電容器外加1伏特直流電壓時(shí)所儲(chǔ)存的電荷量稱為該電容器的電容量。電容的基本單位為法拉（F ）。但實(shí)際上，法拉是一個(gè)很不常用的單位，因?yàn)殡娙萜鞯娜萘客?法拉小得多，常用微法（F）、納法（nF）、皮法（pF）（皮法又稱微微法）等，它們的關(guān)系是：1法拉（F）= 1000000微法（F） 1微法（F）= 1000納法（nF）= 1000000皮法（pF）一、電容器的型號(hào)命名方法一、電容器的型號(hào)命名方法n 國產(chǎn)電容器的型號(hào)一般由四部分組成（不適用于壓敏、可變、真空電容器）。依次

12、分別代表名稱、材料、分類和序號(hào)。第一部分：名稱，用字母表示，電容器用C。第二部分：材料，用字母表示。第三部分：分類，一般用數(shù)字表示，個(gè)別用字母表示。第四部分：序號(hào)，用數(shù)字表示。用字母表示產(chǎn)品的材料：A-鉭電解、B-聚苯乙烯等非極性薄膜、C-高頻陶瓷、D-鋁電解、E-其它材料電解、G-合金電解、H-復(fù)合介質(zhì)、I-玻璃釉、J-金屬化紙、L-滌綸等極性有機(jī)薄膜、N-鈮電解、O-玻璃膜、Q-漆膜、T-低頻陶瓷、V-云母紙、Y-云母、Z-紙介 電容器的分類電容器的分類n1、按照結(jié)構(gòu)分三大類：固定電容器、可變電容器和微調(diào)電容器。2、按電 解質(zhì) 分類有：有機(jī)介質(zhì)電容器、無機(jī)介質(zhì)電容器、電解電容器和空氣介質(zhì)電

13、容器等。n3、按用途分有：高頻旁路、低頻旁路、濾波、調(diào)諧、高頻耦合、低頻耦合、小型電容器。4、頻旁路：陶瓷電容器、云母電容器、玻璃膜電容器、滌綸電容器、玻璃釉電容器。5、低頻旁路：紙介電容器、陶瓷電容器、鋁電解電容器、滌綸電容器。6、濾波：鋁電解電容器、紙介電容器、復(fù)合紙介電容器、液體鉭電器。7、調(diào)諧：陶瓷電容器、云母電容器、玻璃膜電容器、聚苯乙烯電容器。 8、高頻耦合：陶瓷電容器、云母電容器、聚苯乙烯電容器。9、低耦合：紙介電容器、陶瓷電容器、鋁電解電容器、滌綸電容器、固體鉭電容器。10、小型電容：金屬化紙介電容器、陶瓷電容器、鋁電解電容器、聚苯乙烯電 容器、固體鉭電容器、玻璃釉電容器、金屬

14、化滌綸電容器、聚丙烯電容器、云母電容 電容的作用n在電子線路中，電容用來通過交流而阻隔直流，也用來存儲(chǔ)和釋放電荷以充當(dāng)濾波器，平滑輸出脈動(dòng)信號(hào)。小容量的電容，通常在高頻電路中使用，如收音機(jī)、發(fā)射機(jī)和振蕩器中。n大容量的電容往往是作濾波和存儲(chǔ)電荷用。而且還有一個(gè)特點(diǎn)，一般1F以上的電容均為電解電容，而1F以下的電容多為瓷片電容，當(dāng)然也有其他的，比如獨(dú)石電容、滌綸電容、小容量的云母電容等。n電解電容有個(gè)鋁殼，里面充滿了電解質(zhì)，并引出兩個(gè)電極，作為正（+）、負(fù)（-）極，與其它電容器不同，它們?cè)陔娐分械臉O性不能接錯(cuò)，而其他電容則沒有極性。電容器的選用涉及到很多問題。首先是耐壓的問題。加在一個(gè)電容器的兩

15、端的電壓超過了它的額定電壓，電容器就會(huì)被擊穿損壞。一般電解電容的耐壓分檔為6.3V，10V，16V，25V，50V等 電容識(shí)別方法n電容器容量標(biāo)示電容器容量標(biāo)示1、直標(biāo)法、直標(biāo)法 用數(shù)字和單位符號(hào)直接標(biāo)出。如01uF表示0.01微法，有些電容用“R”表示小數(shù)點(diǎn)，如R56表示0.56微法。2、文字符號(hào)法、文字符號(hào)法 用數(shù)字和文字符號(hào)有規(guī)律的組合來表示容量。如p10表示0.1pF,1p0表示1pF,6P8表示6.8pF, 2u2表示2.2uF.3、色標(biāo)法、色標(biāo)法 用色環(huán)或色點(diǎn)表示電容器的主要參數(shù)。電容器的色標(biāo)法與電阻相同。電容器偏差標(biāo)志符號(hào)：+100%-0-H、+100%-10%-R、+50%-1

16、0%-T、+30%-10%-Q、+50%-20%-S、+80%-20%-Z。 n 電容器主要特性參數(shù)電容器主要特性參數(shù)n1、標(biāo)稱電容量和允許偏差、標(biāo)稱電容量和允許偏差 標(biāo)稱電容量是標(biāo)志在電容器上的電容量。電容器實(shí)際電容量與標(biāo)稱電容量的偏差稱誤差，在允許的偏差范圍稱精度。精度等級(jí)與允許誤差對(duì)應(yīng)關(guān)系：00（01）-1%、0（02）-2%、-5%、-10%、-20%、 -（+20%-10%）、-（+50%-20%）、-（+50%-30%）一般電容器常用、級(jí)，電解電容器用、級(jí)，根據(jù)用途選取。 2、額定電壓、額定電壓 在最低環(huán)境溫度和額定環(huán)境溫度下可連續(xù)加在電容器的最高直流電壓有效值，一般直接標(biāo)注在電容

17、器外殼上，如果工作電壓超過電容器的耐壓，電容器擊穿，造成不可修復(fù)的永久損壞 n3、絕緣電阻、絕緣電阻 直流電壓加在電容上，并產(chǎn)生漏電電流，兩者之比稱為絕緣電阻. 當(dāng)電容較小時(shí)，主要取決于電容的表面狀態(tài)，容量0.1uf時(shí)，主要取決于介質(zhì)的性能，絕緣電阻越大越好。 電容的時(shí)間常數(shù)：為恰當(dāng)?shù)脑u(píng)價(jià)大容量電容的絕緣情況而引入了時(shí)間常數(shù)，他等于電容的絕緣電阻與容量的乘積。4、頻率特性、頻率特性 隨著頻率的上升，一般電容器的電容量呈現(xiàn)下降的規(guī)律 n5、損耗、損耗 電容在電場作用下，在單位時(shí)間內(nèi)因發(fā)熱所消耗的能量叫做損耗。各類電容都規(guī)定了其在某頻率范圍內(nèi)的損耗允許值，電容的損耗主要由介質(zhì)損耗，電導(dǎo)損耗和電容所

18、有金屬部分的電阻所引起的。 在直流電場的作用下，電容器的損耗以漏導(dǎo)損耗的形式存在，一般較小，在交變電場的作用下，電容的損耗不僅與漏導(dǎo)有關(guān)，而且與周期性的極化建立過程有關(guān)。電感 n 電感電感在電路中常用“L”加數(shù)字表示，如：L6表示編號(hào)為6的電感。電感線圈是將絕緣的導(dǎo)線在絕緣的骨架上繞一定的圈數(shù)制成。直流可通過線圈，直流電阻就是導(dǎo)線本身的電阻，壓降很小；當(dāng)交流信號(hào)通過線圈時(shí)，線圈兩端將會(huì)產(chǎn)生自感電動(dòng)勢(shì)，自感電動(dòng)勢(shì)的方向與外加電壓的方向相反，阻礙交流的通過，所以電感的特性是通直流阻交流，頻率越高，線圈阻抗越大。電感在電路中可與電容組成振蕩電路。電感一般有直標(biāo)法和色標(biāo)法，色標(biāo)法與電阻類似。如：棕、黑

19、、金、金表示1uH（誤差5%）的電感。 電感的基本單位為：亨（H） 換算單位有：1H=103mH=106uH 一、電感的分類一、電感的分類n按 電感形式 分類：固定電感、可變電感。按導(dǎo)磁體性質(zhì)分類：空芯線圈、鐵氧體線圈、鐵芯線圈、銅芯線圈。按 工作性質(zhì) 分類：天線線圈、振蕩線圈、扼流線圈、陷波線圈、偏轉(zhuǎn)線圈。按 繞線結(jié)構(gòu) 分類：單層線圈、多層線圈、蜂房式線圈。 電感線圈的主要特性參數(shù)電感線圈的主要特性參數(shù)n1、電感量、電感量L 電感量L表示線圈本身固有特性，與電流大小無關(guān)。除專門的電感線圈（色碼電感）外，電感量一般不專門標(biāo)注在線圈上，而以特定的名稱標(biāo)注。2、感抗、感抗XL 電感線圈對(duì)交流電流阻

20、礙作用的大小稱感抗XL，單位是歐姆。它與電感量L和交流電頻率f的關(guān)系為XL=2fL3、品質(zhì)因素、品質(zhì)因素Q 品質(zhì)因素Q是表示線圈質(zhì)量的一個(gè)物理量，Q為感抗XL與其等效的電阻的比值，即：Q=XL/R。 線圈的Q值愈高，回路的損耗愈小。線圈的Q值與導(dǎo)線的直流電阻，骨架的介質(zhì)損耗，屏蔽罩或鐵芯引起的損耗，高頻趨膚效應(yīng)的影響等因素有關(guān)。線圈的Q值通常為幾十到幾百。4、分布電容、分布電容 線圈的匝與匝間、線圈與屏蔽罩間、線圈與底版間存在的電容被稱為分布電容。分布電容的存在使線圈的Q值減小，穩(wěn)定性變差，因而線圈的分布電容越小越好. n晶體二極管 晶體二極管在電路中常用“D”加數(shù)字表示，如： D5表示編號(hào)為

21、5的二極管。 1.作用：二極管的主要特性是單向?qū)щ娦裕簿褪窃谡螂妷旱淖饔孟?，?dǎo)通電阻很??；而在反向電壓作用下導(dǎo)通電阻極大或無窮大。常用在整流、隔離、穩(wěn)壓、極性保護(hù)、編碼控制、調(diào)頻調(diào)制和靜噪等電路中。晶體二極管按作用可分為：整流二極管（如1N4004）、隔離二極管（如1N4148）、肖特基二極管（如BAT85）、發(fā)光二極管、穩(wěn)壓二極管等。nn2.識(shí)別方法：二極管的識(shí)別很簡單，小功率二極管的N極（負(fù)極），在二極管外表大多采用一種色圈標(biāo)出來，有些二極管也用二極管專用符號(hào)來表示P極（正極）或N極（負(fù)極），也有采用符號(hào)標(biāo)志為“P”、“N”來確定二極管極性的。發(fā)光二極管的正負(fù)極可從引腳長短來識(shí)別，長腳

22、為正，短腳為負(fù)。n3、測試注意事項(xiàng)：用數(shù)字式萬用表去測二極管時(shí)，紅表筆接二極管的正極，黑表筆接二極管的負(fù)極，此時(shí)測得的阻值才是二極管的正向?qū)ㄗ柚担@與指針式萬用表的表筆接法剛好相反 晶體二極管的主要參數(shù)晶體二極管的主要參數(shù)n晶體二極管一般可用到十萬小時(shí)以上。但是如果使用不合理，他就不能充分發(fā)揮作用，甚至很快地被損壞。要合理地使用二極管，必須掌握他的主要參數(shù)，因?yàn)閰?shù)是反應(yīng)質(zhì)量和特性的。 n最高工作頻率最高工作頻率 f M （ MC ） - 二極管能承受的最高頻率。通過 PN 結(jié)交流電頻率高于此值，二極管接不能正常工作。 n最高反向工作電壓最高反向工作電壓 V RM （ V ） - 二極管長期

23、正常工作時(shí)，所允許的最高反壓。若越過此值， PN 結(jié)就有被擊穿的可能，對(duì)于交流電來說，最高反向工作電壓也就是二極管的最高工作電壓。 n最大整流電流最大整流電流 I OM （ mA ） - 二極管能長期正常工作時(shí)的最大正向電流。因?yàn)殡娏魍ㄟ^二極管時(shí)就要發(fā)熱，如果正向電流越過此值，二極管就會(huì)有燒壞的危險(xiǎn)。所以用二極管整流時(shí)，流過二極管的正向電流（既輸出直流）不允許超過最大整流電流。穩(wěn)壓二極管n 穩(wěn)壓二極管在電路中常用“ZD”加數(shù)字表示，如：ZD5表示編號(hào)為5的穩(wěn)壓管。 1.穩(wěn)壓二極管的穩(wěn)壓原理：穩(wěn)壓二極管的特點(diǎn)就是擊穿后，其兩端的電壓基本保持不變。這樣，當(dāng)把穩(wěn)壓管接入電路以后，若由于電源電壓發(fā)生波

24、動(dòng)，或其它原因造成電路中各點(diǎn)電壓變動(dòng)時(shí)，負(fù)載兩端的電壓將基本保持不變。 2.故障特點(diǎn)：穩(wěn)壓二極管的故障主要表現(xiàn)在開路、短路和穩(wěn)壓值不穩(wěn)定。在這3種故障中，前一種故障表現(xiàn)出電源電壓升高；后2種故障表現(xiàn)為電源電壓變低到零伏或輸出不穩(wěn)定。常用穩(wěn)壓二極管的型號(hào)及穩(wěn)壓值如下表：型號(hào)1N47281N47291N47301N47321N47331N47341N47351N47441N47501N47511N4761穩(wěn)壓值3.3V3.6V3.9V4.7V5.1V5.6V6.2V15V27V30V75V可控硅的應(yīng)用與特性n可控硅（SCR）國際通用名稱為Thyyistoy，中文簡稱晶閘管。它能在高電壓、大電流條件

25、下工作，具有耐壓高、容量大、體積小等優(yōu)點(diǎn)，它是大功率開關(guān)型半體n元器件，廣泛應(yīng)用于電力，電子線路中。n1可控硅的特性n可控硅分單向可控硅、雙向可控硅。單向可控硅有陽極A、陰極K、控制極G三個(gè)引出腳。雙向可控硅有第一陽極A1（T1），第二陽極A2（T2）、控制極G三個(gè)引出腳。只有當(dāng)單向可控硅陽極A與陰極K之間加有正向電壓，同時(shí)控制極G與陰極間加上所需的正向觸發(fā)電壓時(shí)，方可被觸發(fā)導(dǎo)通。此時(shí)A、K間呈低阻導(dǎo)通狀態(tài)，陽極A與陰極K間壓降約1V。n 可控硅的主要參數(shù)n一 斷態(tài)重復(fù)峰值電壓U DRMn在額定結(jié)溫（100A以上為115度，50A以下為100度），門極開路和晶閘管正向阻斷條件下，允許重復(fù)加在陽

26、極與陰極間的最大正向峰值電壓，它反映了阻斷條件下的晶閘管能承受的正向電壓。n二 反復(fù)重復(fù)峰值電壓U RRMn在額定結(jié)溫和門極開路情況下，允許重復(fù)加在陽極和陰極之間的反向峰值電壓，它反映了阻斷的情況下晶閘管能承受的反向電壓。通常U DRM和U RRM數(shù)值大致相等，習(xí)慣上統(tǒng)稱為峰值電壓。n。n在性能上，可控硅不僅具有單向?qū)щ娦裕疫€具有比硅整流元件（俗稱“死硅”）更為可貴的可控性。它只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種狀態(tài)。可控硅能以毫安級(jí)電流控制大功率的機(jī)電設(shè)備，如果超過此頻率，因元件開關(guān)損耗顯著增加，允許通過的平均電流相降低，此時(shí)，標(biāo)稱電流應(yīng)降級(jí)使用。可控硅的優(yōu)點(diǎn)很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍數(shù)高

27、達(dá)幾十萬倍；反應(yīng)極快，在微秒級(jí)內(nèi)開通、關(guān)斷；無觸點(diǎn)運(yùn)行，無火花、無噪音；效率高，成本低等等?？煽毓璧娜觞c(diǎn)：靜態(tài)及動(dòng)態(tài)的過載能力較差；容易受干擾而誤導(dǎo)通?？煽毓鑿耐庑紊戏诸愔饕校郝菟ㄐ?、平板形和平底形。 晶體三極管的結(jié)構(gòu)和類型晶體三極管，是半導(dǎo)體基本元器件之一，具有電流放大作用，是電子電路的核心元件。三極管是在一塊半導(dǎo)體基片上制作兩個(gè)相距很近的PN結(jié)，兩個(gè)PN結(jié)把正塊半導(dǎo)體分成三部分，中間部分是基區(qū)，兩側(cè)部分是發(fā)射區(qū)和集電區(qū)，排列方式有PNP和NPN兩種，如圖從三個(gè)區(qū)引出相應(yīng)的電極，分別為基極b發(fā)射極e和集電極c。發(fā)射區(qū)和基區(qū)之間的PN結(jié)叫發(fā)射結(jié)，集電區(qū)和基區(qū)之間的PN結(jié)叫集電極。基區(qū)很薄，而

28、發(fā)射區(qū)較厚，雜質(zhì)濃度大，PNP型三極管發(fā)射區(qū)發(fā)射的是空穴，其移動(dòng)方向與電流方向一致，故發(fā)射極箭頭向里；NPN型三極管發(fā)射區(qū)發(fā)射的是自由電子，其移動(dòng)方向與電流方向相反，故發(fā)射極箭頭向外。發(fā)射極箭頭向外。發(fā)射極箭頭指向也是PN結(jié)在正向電壓下的導(dǎo)通方向。硅晶體三極管和鍺晶體三極管都有PNP型和NPN型兩種類型。n 晶體三極管的結(jié)構(gòu)和類型三極管的封裝形式和管腳識(shí)別n朝下放置，則從三極管的封裝形式和管腳識(shí)別常用三極管的封裝形式有金屬封裝和塑料封裝兩大類，引腳的排列方式具有一定的規(guī)律，如圖對(duì)于小功率金屬封裝三極管，按圖示底視圖位置放置，使三個(gè)引腳構(gòu)成等腰三角形的頂點(diǎn)上，從左向右依次為e b c；對(duì)于中小功

29、率塑料三極管按圖使其平面朝向自己，三個(gè)引腳左到右依次為e b c。例如下圖晶體三極管的電流放大作用n晶體三極管的電流放大作用晶體三極管具有電流放大作用，其實(shí)質(zhì)是三極管能以基極電流微小的變化量來控制集電極電流較大的變化量。這是三極管最基本的和最重要的特性。我們將Ic/Ib的比值稱為晶體三極管的電流放大倍數(shù)，用符號(hào)“”表示。電流放大倍數(shù)對(duì)于某一只三極管來說是一個(gè)定值，但隨著三極管工作時(shí)基極電流的變化也會(huì)有一定的改變。 n晶體三極管的三種工作狀態(tài)截止?fàn)顟B(tài)：當(dāng)加在三極管發(fā)射結(jié)的電壓小于PN結(jié)的導(dǎo)通電壓，基極電流為零，集電極電流和發(fā)射極電流都為零，三極管這時(shí)失去了電流放大作用，集電極和發(fā)射極之間相當(dāng)于開

30、關(guān)的斷開狀態(tài)，我們稱三極管處于截止?fàn)顟B(tài)。放大狀態(tài)：當(dāng)加在三極管發(fā)射結(jié)的電壓大于PN結(jié)的導(dǎo)通電壓，并處于某一恰當(dāng)?shù)闹禃r(shí)，三極管的發(fā)射結(jié)正向偏置，集電結(jié)反向偏置，這時(shí)基極電流對(duì)集電極電流起著控制作用，使三極管具有電流放大作用，其電流放大倍數(shù)Ic/Ib，這時(shí)三極管處放大狀態(tài)。n飽和導(dǎo)通狀態(tài)：當(dāng)加在三極管發(fā)射結(jié)的電壓大于PN結(jié)的導(dǎo)通電壓，并當(dāng)基極電流增大到一定程度時(shí)，集電極電流不再隨著基極電流的增大而增大，而是處于某一定值附近不怎么變化，這時(shí)三極管失去電流放大作用，集電極與發(fā)射極之間的電壓很小，集電極和發(fā)射極之間相當(dāng)于開關(guān)的導(dǎo)通狀態(tài)。三極管的這種狀態(tài)我們稱之為飽和導(dǎo)通狀態(tài)。 MOS場效應(yīng)管n即金屬-氧

31、化物-半導(dǎo)體型場效應(yīng)管，英文縮寫為MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor），屬于絕緣柵型。其主要特點(diǎn)是在金屬柵極與溝道之間有一層二氧化硅絕緣層，因此具有很高的輸入電阻（最高可達(dá)1015）。它也分N溝道管和P溝道管，符號(hào)如圖1所示。通常是將襯底（基板）與源極S接在一起。根據(jù)導(dǎo)電方式的不同，MOSFET又分增強(qiáng)型、耗盡型。所謂增強(qiáng)型是指：當(dāng)VGS=0時(shí)管子是呈截止?fàn)顟B(tài)，加上正確的VGS后，多數(shù)載流子被吸引到柵極，從而“增強(qiáng)”了該區(qū)域的載流子，形成導(dǎo)電溝道。耗盡型則是指，當(dāng)VGS=0時(shí)即形成溝道，加上正確的VGS時(shí)，能使多數(shù)載

32、流子流出溝道，因而“耗盡”了載流子，使管子轉(zhuǎn)向截止。n 以N溝道為例，它是在P型硅襯底上制成兩個(gè)高摻雜濃度的源擴(kuò)散區(qū)N+和漏擴(kuò)散區(qū)N+，再分別引出源極S和漏極D。源極與襯底在內(nèi)部連通，二者總保持等電位。圖1（a）符號(hào)中的前頭方向是從外向電，表示從P型材料（襯底）指身N型溝道。當(dāng)漏接電源正極，源極接電源負(fù)極并使VGS=0時(shí)，溝道電流（即漏極電流）ID=0。隨著VGS逐漸升高，受柵極正電壓的吸引，在兩個(gè)擴(kuò)散區(qū)之間就感應(yīng)出帶負(fù)電的少數(shù)載流子，形成從漏極到源極的N型溝道，當(dāng)VGS大于管子的開啟電壓VTN（一般約為+2V）時(shí)，N溝道管開始導(dǎo)通，形成漏極電流ID。n 國產(chǎn)N溝道MOSFET的典型產(chǎn)品有3D

33、O1、3DO2、3DO4（以上均為單柵管），4DO1（雙柵管）。它們的管腳排列（底視圖）見圖2。 MOS場效應(yīng)管比較“嬌氣”。這是由于它的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小，極易受外界電磁場或靜電的感應(yīng)而帶電，而少量電荷就可在極間電容上形成相當(dāng)高的電壓（U=Q/C），將管子損壞。因此了廠時(shí)各管腳都絞合在一起，或裝在金屬箔內(nèi)，使G極與S極呈等電位，防止積累靜電荷。管子不用時(shí)，全部引線也應(yīng)短接。在測量時(shí)應(yīng)格外小心，并采取相應(yīng)的防靜電感措施。 管腳的判別n 1準(zhǔn)備工作 測量之前，先把人體對(duì)地短路后，才能摸觸MOSFET的管腳。最好在手腕上接一條導(dǎo)線與大地連通，使人體與大地保持等電位。再把管腳分開，然后拆掉導(dǎo)線。 2判定電極 將萬用表撥于R100檔，首先確定柵極。若某腳與其它腳的電阻都是無窮大，證明此腳就是柵極G。交換表筆重測量，S-D之間的電阻值應(yīng)為幾百歐至幾千歐，其中阻值較小的那一次，黑表筆接的為D極，紅表筆接的是S極。日本生產(chǎn)的3SK系列產(chǎn)品，S極與管殼接通，據(jù)此很容易確定S極。nVMOS場效應(yīng)管VMOS場效應(yīng)管（VMOSFET）簡稱VMOS管或功率場效應(yīng)管，其全稱為V型槽MOS場效應(yīng)管。它是繼MOSFET之后新發(fā)展起來的高效、功率開關(guān)器件。它不