納米圖像電子束曝光系統(tǒng)納米圖形發(fā)生器電子束光刻

1、NPGS納米圖像電子束曝光系統(tǒng)/納米圖形發(fā)生器/電子束光刻· 產(chǎn)品型號(hào)：NPGS納米圖像電子束曝光系統(tǒng) · 參考價(jià)格：面議 · 廠商性質(zhì)：授權(quán)經(jīng)銷商 · 品    牌：PINE · 產(chǎn)    地：美國(guó) · 典型用戶：0 詳細(xì)信息NPGS納米圖像電子束曝光系統(tǒng)     NPGS電子束曝光系統(tǒng)是利用計(jì)算機(jī)控制電子束成像電鏡及偏轉(zhuǎn)系統(tǒng)，聚焦形成高能電子束流，轟擊照射涂有高分辨率和高靈敏度化學(xué)抗蝕劑的晶片直接描畫或投影復(fù)印圖

2、形的技術(shù)。NPGS的特點(diǎn)是分辨率高、圖形產(chǎn)生和修改容易、制作周期短。    由于SEM、STEM及FIB的工作方式與電子束曝光機(jī)十分相近，美國(guó)JC Nabity Lithography Systems公司成功研發(fā)了基于改造商品SEM、STEM或FIB的NPGS電子束曝光裝置（Nanometer Pattern Generation System納米圖形發(fā)生系統(tǒng)，簡(jiǎn)稱NPGS）。NPGS為電子束直寫光刻圖形發(fā)生系統(tǒng)，改造現(xiàn)有SEM等，外加電子束控制系統(tǒng)，將會(huì)聚的電子束斑逐點(diǎn)地在樣品臺(tái)上移動(dòng)，直接輻照電子抗蝕劑上或刻蝕基片形成圖形。相對(duì)于購(gòu)買昂貴的專用電子束曝光機(jī)，以

3、既有的SEM等為基礎(chǔ)，可大幅節(jié)省造價(jià)，且兼具原SEM 的觀測(cè)功能，在功能與價(jià)格方面均有優(yōu)勢(shì)。    NPGS由于具有高分辨率及低成本等特點(diǎn)，在北美研究機(jī)構(gòu)中，NPGS是最暢銷的與掃描電鏡配套的電子束曝光系統(tǒng)，并且它的應(yīng)用在世界各地也越來越廣泛。NPGS的技術(shù)目標(biāo)是提供一個(gè)功能強(qiáng)大的多樣化簡(jiǎn)易操作系統(tǒng)，結(jié)合市面上已有的掃描電鏡、掃描透射電鏡或聚焦離子束裝置，實(shí)現(xiàn)高級(jí)的電子束或離子束光刻技術(shù)。當(dāng)前眾多用戶的一致肯定和推薦足以證明NPGS實(shí)現(xiàn)了自己的目標(biāo)，滿足了用戶對(duì)納米級(jí)光刻加工技術(shù)的需求。應(yīng)用簡(jiǎn)述    NPGS電鏡改裝系統(tǒng)所具有的超高

4、分辨率，無需投影光學(xué)系統(tǒng)和費(fèi)時(shí)的掩模制備過程，計(jì)算機(jī)產(chǎn)生圖形并控制電子束直接將圖形掃描到光刻膠上的特點(diǎn)，使它在納米加工方面有著巨大的優(yōu)勢(shì)。NPGS系統(tǒng)能夠制備出具有高深寬比的微細(xì)結(jié)構(gòu)納米線條，從而為微電子領(lǐng)域如掩模板制造、微電子器件制造、全息圖形制作、電子束誘導(dǎo)表面沉淀等微/納加工相關(guān)技術(shù)提供了新的方法。NPGS系統(tǒng)刻畫圖案的大小從納米級(jí)到顯微鏡能達(dá)到的最大尺度，即最大可到10毫米。然而，對(duì)任何SEM電子束曝光系統(tǒng)，刻畫精度將隨著圖案大小的增加而降低。主要特點(diǎn)：    為滿足納米級(jí)電子束曝光要求，JC Nabity出品的NPGS系統(tǒng)設(shè)計(jì)了一個(gè)納米圖形發(fā)生器和數(shù)模轉(zhuǎn)

5、換電路，并采用電腦控制。電腦通過圖形發(fā)生器和數(shù)模轉(zhuǎn)換電路驅(qū)動(dòng)SEM等儀器的掃描線圈，從而使電子束偏轉(zhuǎn)并控制束閘的開關(guān)。通過NPGS可以對(duì)標(biāo)準(zhǔn)樣片進(jìn)行圖像采集及掃描場(chǎng)的校正。配合精密定位的工件臺(tái)，還可以實(shí)現(xiàn)曝光場(chǎng)的拼接和套刻。利用配套軟件也可以新建或?qū)攵喾N通用格式的曝光圖形。系統(tǒng)參數(shù)：最細(xì)線寬（m）：根據(jù)SEM最小束斑（m）：根據(jù)SEM掃描場(chǎng)：可調(diào)加速電壓：根據(jù)SEM，一般為0-40kV速度：5MHz（可選6MHz）A. 硬件：微影控制介面卡：NPGS PCI-516A High Speed Lithography Board，16 Bit，high resolution (0.25%)控制電

6、腦：Pentium IV 3.0 GHz computer (or better) with 512 Mb RAM, 80G硬盤, CDRW Drive，17"液晶顯示器.皮可安培計(jì)：Keithley 6485 PicoammeterB. 軟件：微影控制軟件NPGS V9.0DesignCAD Express v16.2 或更高版本 NPGS納米圖形電子束曝光系統(tǒng)-關(guān)于電鏡    NPGS技術(shù)以電子顯微鏡為基礎(chǔ)，提供了一個(gè)功能強(qiáng)大且操作簡(jiǎn)便的電子束曝光系統(tǒng)。事實(shí)上，NPGS可以應(yīng)用到任何SEM, STEM或FIB以實(shí)現(xiàn)電子束光刻技術(shù)作為基礎(chǔ)研究

7、及技術(shù)開發(fā)。市場(chǎng)上還沒有其他掃描電鏡電子束曝光系統(tǒng)可以像NPGS一樣提供既快速且高精度的電子束光刻技術(shù)，并且使用成本有了很大程度的降低。    以下列表是已成功應(yīng)用NPGS技術(shù)的電鏡型號(hào)。需注意的是，某些電鏡型號(hào)要求額外的外部輸入裝置。通常，同一個(gè)廠家的不同電鏡型號(hào)有相同的XY接口。因此，某些在此未列明型號(hào)的電鏡同樣可安裝NPGS。如有疑問，可來郵件咨詢。s. Amray 1200, 1400, 1830 SEMs s. Amray 1845 FE-SEM s. Camscan Series 4 SEM s. Elionix ERA-8

8、800 s. FEI XL30 LaB6 SEM s. FEI XL30 FEG & XL30 SFEG FE-SEMs s. FEI XL30 ESEM FEG FE-SEM s. FEI Inspect S & Quanta SEMs s. FEI Inspect F, Quanta FEG, & FEG ESEM FE-SEMs s. FEI Sirion, NanoSEM, & Magellan FE-SEM s. FEI Quanta 3D Dual W & Ion Beam Microscope s. FEI Strata 235/

9、237/620/810/820, Quanta 3D, Nova Nanolab , & Helios Dual FE & Ion Beam Microscope s. Hitachi S510, S570 SEMs s. Hitachi S2460N SEM s. Hitachi S2300, S2400, S2500 Delta, S2700 SEMs s. Hitachi S3000H, S3000N, S3400, S3500N SEMs s. Hitachi S4000, S4100, S4200, S4700, S4800 cFE-SEMs s. Hitachi S

10、4300SE FE-SEM t. Hitachi SU-6600 &SU-70 FE-SEMs s. Hitachi FB2000A FIB s. ISI 60 SEM NPGS納米圖形電子束曝光系統(tǒng)的配置考慮因素s. 電子束流穩(wěn)定性：電子束流穩(wěn)定性取決于圖形的線寬和曝光時(shí)間。曝光時(shí)間從幾秒鐘到幾小時(shí)不等。六硼化鑭及鎢燈絲電鏡的效果較好，而冷場(chǎng)發(fā)電鏡容易出現(xiàn)漂移且噪音較大。當(dāng)冷場(chǎng)發(fā)電鏡要安裝NPGS，需提供“電子束電流VS時(shí)間圖”幫助我們?cè)u(píng)價(jià)可能存在的問題。有NPGS的用戶反映，冷場(chǎng)發(fā)電鏡至少有+/-3%的噪音及通常每小時(shí)+/-15%的漂移。相比之下，熱場(chǎng)發(fā)電鏡的電子束流更穩(wěn)定且噪音小

11、。例如，有熱場(chǎng)發(fā)NPGS用戶12個(gè)小時(shí)內(nèi)電子束流最大到最小的變化小于1pA，而通常的變化值為129.5pA，因此該用戶的偏移率每小時(shí)僅為0.1%。97%的數(shù)據(jù)（每5s鐘讀取）沒有噪音（0.1pA分辨率），剩下的3%數(shù)據(jù)在0.4pA平均值。這樣的穩(wěn)定電流是SEM電子束曝光系統(tǒng)的理想工作條件。 s. 最大電子束電流：鎢絲及六硼化鑭絲電鏡可以提供大多數(shù)SEM電子束曝光系統(tǒng)需要的電子束流條件，老款熱場(chǎng)發(fā)電鏡要差一些，但是其最大電流可以滿足大多數(shù)SEM電子束曝光系統(tǒng)的條件。冷場(chǎng)發(fā)電鏡比熱場(chǎng)發(fā)的提供的電流小，當(dāng)運(yùn)用較大電子束電流刻畫大面積圖形時(shí)可能會(huì)受到一定影響。 s. 分辨率：一般來說，高分辨率電鏡通常意味著高性能，然而電鏡最終的分辨率對(duì)電子束曝光系統(tǒng)卻不是最重要的考慮。能夠持續(xù)的降低像散性（astigmatism）對(duì)大多數(shù)電子束曝光系統(tǒng)來說才是最重要的問題。 s. 放大倍數(shù)：放大倍數(shù)將決定圖形的視野大小及最小線寬。通常，刻畫精致圖形(< 0.1 um)需要放大約100um2的視野。 s. 工作臺(tái)穩(wěn)定性：需要考慮的是后座及漂移。例如，一個(gè)圖形由0.1um的直線組成需刻畫1分鐘，工作臺(tái)的偏移為每分鐘20nm是可以接受的。當(dāng)工作臺(tái)有偏移問題，在刻畫前校正寫場(chǎng)對(duì)準(zhǔn)可減少影響。 s. 磁場(chǎng)屏蔽：工作環(huán)境受到磁場(chǎng)影響的電鏡需要做磁場(chǎng)屏蔽。（消磁產(chǎn)品Spi