材料缺陷簡介概要PPT學(xué)習(xí)教案

1、會計學(xué)1材料缺陷簡介材料缺陷簡介(jin ji)概要概要第一頁，共69頁。晶體結(jié)構(gòu)完整地有規(guī)則排列晶體結(jié)構(gòu)完整地有規(guī)則排列(pili)只是理想情況。只是理想情況。由于原子的熱振動以及晶體的形成過程、加工過程由于原子的熱振動以及晶體的形成過程、加工過程及使用過程受到種種條件的影響，在實際的晶體結(jié)及使用過程受到種種條件的影響，在實際的晶體結(jié)構(gòu)中，原子（離子、原子團(tuán)）并非完整地完全有規(guī)構(gòu)中，原子（離子、原子團(tuán)）并非完整地完全有規(guī)律排列律排列(pili)的，它存在各種不完整性，存在與理的，它存在各種不完整性，存在與理想原子排列想原子排列(pili)的偏離，即晶體缺陷。根據(jù)缺陷的偏離，即晶體缺陷。根據(jù)缺

2、陷的尺寸特征，可分為點缺陷、線缺陷、面缺陷。根的尺寸特征，可分為點缺陷、線缺陷、面缺陷。根據(jù)形成原因，可分為熱缺陷、雜質(zhì)缺陷、非化學(xué)計據(jù)形成原因，可分為熱缺陷、雜質(zhì)缺陷、非化學(xué)計量比缺陷等。量比缺陷等。晶體缺陷在材料組織控制（如擴(kuò)散、相變）和性能晶體缺陷在材料組織控制（如擴(kuò)散、相變）和性能(xngnng)控制（如材料強(qiáng)化）中具有重要作用?？刂疲ㄈ绮牧蠌?qiáng)化）中具有重要作用。第1頁/共69頁第二頁，共69頁。點缺陷與材料的電學(xué)性質(zhì)、光學(xué)性質(zhì)、材料的高溫點缺陷與材料的電學(xué)性質(zhì)、光學(xué)性質(zhì)、材料的高溫(gown)動力學(xué)過程等有關(guān)。動力學(xué)過程等有關(guān)。第2頁/共69頁第三頁，共69頁?？瘴?、間隙等點缺陷的存

3、在都會破壞晶體的規(guī)則排列，使空位、間隙等點缺陷的存在都會破壞晶體的規(guī)則排列，使鄰近的原子發(fā)生位移鄰近的原子發(fā)生位移(wiy)，即晶體發(fā)生畸變，從而產(chǎn)生，即晶體發(fā)生畸變，從而產(chǎn)生點陣應(yīng)變能。使晶體的內(nèi)能增加。點陣應(yīng)變能。使晶體的內(nèi)能增加。第3頁/共69頁第四頁，共69頁?？瘴缓烷g隙存在使晶體的內(nèi)能（和焓）增加空位和間隙存在使晶體的內(nèi)能（和焓）增加(zngji)，也使振，也使振動熵增加動熵增加(zngji)。產(chǎn)生一個空位（間隙）所增加。產(chǎn)生一個空位（間隙）所增加(zngji)的的焓及增加焓及增加(zngji)的振動熵分別稱空位（間隙）形成焓的振動熵分別稱空位（間隙）形成焓Hf及及形成熵形成熵Sf。

4、另一方面，空位（間隙）的存在破壞了晶體的規(guī)。另一方面，空位（間隙）的存在破壞了晶體的規(guī)則排列，因而有比完整晶體更大的組態(tài)熵。則排列，因而有比完整晶體更大的組態(tài)熵。金屬中的空位平衡濃度金屬中的空位平衡濃度(nngd)是很低的，即使在接近是很低的，即使在接近熔點溫度也只有約熔點溫度也只有約10-4。例如鋁的。例如鋁的Hf73.3103J/mol ，Sf 20J/molK，計算所得在靠近，計算所得在靠近熔點的溫度（熔點的溫度（933K）時的平衡空位濃度）時的平衡空位濃度(nngd)Nv8.710-4。 間隙原子的形成焓比空位的約大一個數(shù)量級，所以它的平衡間隙原子的形成焓比空位的約大一個數(shù)量級，所以它

5、的平衡濃度更是非常低的，一般在接近熔點濃度更是非常低的，一般在接近熔點(rngdin)時也只有時也只有10-15 。第4頁/共69頁第五頁，共69頁。第5頁/共69頁第六頁，共69頁。產(chǎn)生產(chǎn)生(chnshng)過飽和點缺陷的方法：過飽和點缺陷的方法：1）激冷）激冷 (淬火）淬火） 高溫時晶體中的空位濃度高溫時晶體中的空位濃度很高，經(jīng)過淬火后，空位來不很高，經(jīng)過淬火后，空位來不及通過擴(kuò)散達(dá)到平衡濃度，在及通過擴(kuò)散達(dá)到平衡濃度，在低溫時仍保持了較高的空位濃低溫時仍保持了較高的空位濃度。度。 過飽和點缺陷過飽和點缺陷(supersaturated point defect)的產(chǎn)生的產(chǎn)生 在點缺陷的平

6、衡濃度下晶體的自由在點缺陷的平衡濃度下晶體的自由(zyu)能最低，能最低，系統(tǒng)最穩(wěn)定。當(dāng)在一定的溫度下，晶體中點缺陷的數(shù)目明系統(tǒng)最穩(wěn)定。當(dāng)在一定的溫度下，晶體中點缺陷的數(shù)目明顯超過其平衡濃度時，這些點缺陷稱為過飽和點缺陷。顯超過其平衡濃度時，這些點缺陷稱為過飽和點缺陷。淬火淬火(cu hu)導(dǎo)致的點缺陷變化導(dǎo)致的點缺陷變化第6頁/共69頁第七頁，共69頁。2）冷加工）冷加工 金屬在室溫下進(jìn)行金屬在室溫下進(jìn)行壓力加工時，由于位錯壓力加工時，由于位錯交割所形成的割階發(fā)生交割所形成的割階發(fā)生攀移，從而使金屬晶體攀移，從而使金屬晶體內(nèi)空位濃度增加。內(nèi)空位濃度增加。3）輻射）輻射 當(dāng)金屬受到高能粒子當(dāng)金

7、屬受到高能粒子(中子、質(zhì)子、氘核、電子中子、質(zhì)子、氘核、電子等）輻照時，晶體中的原等）輻照時，晶體中的原子將被擊出，擠入晶格間子將被擊出，擠入晶格間隙中，由于被擊出的原子隙中，由于被擊出的原子具有很高的能量，因此具有很高的能量，因此(ync)還有可能發(fā)生連鎖作用，在晶還有可能發(fā)生連鎖作用，在晶體中形成大量的空位和間隙原子。體中形成大量的空位和間隙原子。位錯攀移引起位錯攀移引起(ynq)的點缺陷變化的點缺陷變化輻照輻照(f zho)造成的點缺陷變化造成的點缺陷變化第7頁/共69頁第八頁，共69頁。弗倫克爾（弗倫克爾（Frenkel）缺陷）缺陷離開平衡位置的原子進(jìn)入晶格的間隙位置，在原來位置上離開

8、平衡位置的原子進(jìn)入晶格的間隙位置，在原來位置上留下空位所形成的缺陷。弗倫克爾缺陷的特點是空位和間留下空位所形成的缺陷。弗倫克爾缺陷的特點是空位和間隙原子同時出現(xiàn)，晶體體積不發(fā)生變化，晶體不會因為出隙原子同時出現(xiàn)，晶體體積不發(fā)生變化，晶體不會因為出現(xiàn)空位而產(chǎn)生現(xiàn)空位而產(chǎn)生(chnshng)密度變化。密度變化。第8頁/共69頁第九頁，共69頁。晶體中弗倫克爾缺陷數(shù)目的多少與晶體結(jié)構(gòu)有很大關(guān)系。晶體中弗倫克爾缺陷數(shù)目的多少與晶體結(jié)構(gòu)有很大關(guān)系。一般說，正負(fù)離子半徑相差大時弗倫克爾缺陷是主要的，一般說，正負(fù)離子半徑相差大時弗倫克爾缺陷是主要的，這時形成填隙原子這時形成填隙原子(或離子或離子)所需能量所

9、需能量(nngling)較小。如較小。如AgCl。一般情況下，由于一般情況下，由于Frenkel缺陷形成能較大，金屬中很少缺陷形成能較大，金屬中很少出現(xiàn)。但在某些特殊情況下，如受核輻照時，將出現(xiàn)大量出現(xiàn)。但在某些特殊情況下，如受核輻照時，將出現(xiàn)大量的的Frenkel缺陷。這是造成金屬輻照損傷的原因。缺陷。這是造成金屬輻照損傷的原因。在一些離子晶體中，由于結(jié)構(gòu)中的原因，可能形成某種在一些離子晶體中，由于結(jié)構(gòu)中的原因，可能形成某種離子的離子的Frenkel缺陷。例如，在鹵化銀中，就有銀離子的缺陷。例如，在鹵化銀中，就有銀離子的Frenkel缺陷。缺陷?？偟膩碚f，在離子晶體及共價晶體中，形成總的來說

10、，在離子晶體及共價晶體中，形成Frenkel缺陷缺陷是比較困難的。是比較困難的。第9頁/共69頁第十頁，共69頁。肖特基（肖特基（Schottky）缺陷）缺陷離開平衡位置的原子遷移至晶體表面的正常格點位置，而晶體離開平衡位置的原子遷移至晶體表面的正常格點位置，而晶體內(nèi)僅留有空位，晶體中形成了肖特基缺陷。晶體表面增加了新內(nèi)僅留有空位，晶體中形成了肖特基缺陷。晶體表面增加了新的原子層，晶體內(nèi)部只有空位缺陷。肖特基缺陷的特點是晶體的原子層，晶體內(nèi)部只有空位缺陷。肖特基缺陷的特點是晶體體積膨脹，密度下降。在離子晶體中形成肖特基缺陷所需要體積膨脹，密度下降。在離子晶體中形成肖特基缺陷所需要(xyo)的能

11、量比形成弗倫克爾缺陷所需要的能量比形成弗倫克爾缺陷所需要(xyo)的能量少。的能量少。對大多數(shù)晶體來說，這種缺陷是主要的缺陷。對大多數(shù)晶體來說，這種缺陷是主要的缺陷。第10頁/共69頁第十一頁，共69頁。主要主要(zhyo)是一種雜質(zhì)缺陷，是一種雜質(zhì)缺陷，外來質(zhì)點（雜質(zhì)）取代外來質(zhì)點（雜質(zhì)）取代正常質(zhì)點位置或進(jìn)入正正常質(zhì)點位置或進(jìn)入正常結(jié)點的間隙位置，引常結(jié)點的間隙位置，引起晶格畸變，使組成發(fā)起晶格畸變，使組成發(fā)生變化。引起原子價態(tài)生變化。引起原子價態(tài)的變化。的變化。第11頁/共69頁第十二頁，共69頁。晶體內(nèi)原子或離子的外層電子受到外界的激發(fā)晶體內(nèi)原子或離子的外層電子受到外界的激發(fā)(熱、光）

12、，熱、光），有少部分電子成為自由電子，對應(yīng)留下空穴。在它們附近有少部分電子成為自由電子，對應(yīng)留下空穴。在它們附近形成了一個附加形成了一個附加(fji)電場，引起周期勢場的畸變，造成晶體電場，引起周期勢場的畸變，造成晶體的不完整，稱為電荷缺陷。的不完整，稱為電荷缺陷。電荷缺陷的存在使晶體的絕緣性變差。電荷缺陷的存在使晶體的絕緣性變差。第12頁/共69頁第十三頁，共69頁。色心是離子晶體中一個負(fù)離子空位色心是離子晶體中一個負(fù)離子空位(kn wi)和一個被束縛在缺位和一個被束縛在缺位庫侖場中的電子所形成的缺陷。是一種非化學(xué)計量比引起庫侖場中的電子所形成的缺陷。是一種非化學(xué)計量比引起的空位的空位(kn

13、 wi)缺陷，該空位缺陷，該空位(kn wi)能吸收可見光使原來透明的晶體出現(xiàn)能吸收可見光使原來透明的晶體出現(xiàn)顏色。色心又稱顏色。色心又稱F心。心。電荷缺陷的存在使晶體的絕緣性變差。電荷缺陷的存在使晶體的絕緣性變差。形成過程形成過程(guchng)是堿鹵晶體在相應(yīng)的過量堿金屬蒸氣中加熱。例是堿鹵晶體在相應(yīng)的過量堿金屬蒸氣中加熱。例如如NaCl晶體在晶體在Na蒸氣中加熱后呈黃色；蒸氣中加熱后呈黃色；KCl晶體在晶體在K蒸氣蒸氣中加熱后呈紫色。中加熱后呈紫色。第13頁/共69頁第十四頁，共69頁。F心的著色原理在于加熱過程中過量的堿金屬原子進(jìn)入心的著色原理在于加熱過程中過量的堿金屬原子進(jìn)入晶體占據(jù)

14、堿金屬格點位置。晶體為保持電中性，會產(chǎn)生晶體占據(jù)堿金屬格點位置。晶體為保持電中性，會產(chǎn)生相應(yīng)數(shù)目的負(fù)離子空位。同時，處于格點的堿金屬原子相應(yīng)數(shù)目的負(fù)離子空位。同時，處于格點的堿金屬原子被電離，失去的電子被帶正電的負(fù)離子空位所束縛，從被電離，失去的電子被帶正電的負(fù)離子空位所束縛，從而在空位附近形成而在空位附近形成F心。心。F心可以心可以(ky)看成是束縛在負(fù)離子空看成是束縛在負(fù)離子空位處的一種位處的一種“電子陷阱電子陷阱”。第14頁/共69頁第十五頁，共69頁。與與F心相對的色心是心相對的色心是V心。當(dāng)堿鹵晶體在過量的鹵素蒸氣心。當(dāng)堿鹵晶體在過量的鹵素蒸氣中加熱后，由于大量的鹵素進(jìn)入晶體，為保持

15、電中性，中加熱后，由于大量的鹵素進(jìn)入晶體，為保持電中性，在晶體中出現(xiàn)了正離子空位，形成負(fù)電中心。這種負(fù)電在晶體中出現(xiàn)了正離子空位，形成負(fù)電中心。這種負(fù)電中心可以束縛一個帶正電中心可以束縛一個帶正電(zhngdin)的的“空穴空穴”所組成的體系稱為所組成的體系稱為V心。心。F心和心和V心在結(jié)構(gòu)上是堿鹵晶體中兩種最簡單的缺陷。在心在結(jié)構(gòu)上是堿鹵晶體中兩種最簡單的缺陷。在有色心存在的晶體中，有色心存在的晶體中，A、B兩種元素的比例已偏離嚴(yán)格兩種元素的比例已偏離嚴(yán)格的化學(xué)計量比。所以色心是一種的化學(xué)計量比。所以色心是一種(y zhn)非化學(xué)計量引起的缺陷。非化學(xué)計量引起的缺陷。色心的應(yīng)用色心的應(yīng)用光學(xué)

16、材料著色光學(xué)材料著色(zhu s)，寶石著色，寶石著色(zhu s)。色心激光晶體色心激光晶體光敏材料，光致變色材料：信息存儲與讀寫光敏材料，光致變色材料：信息存儲與讀寫第15頁/共69頁第十六頁，共69頁。( )0NaCl sNaClVV 缺陷反應(yīng)和化學(xué)反應(yīng)一樣，可以缺陷反應(yīng)和化學(xué)反應(yīng)一樣，可以(ky)寫成反應(yīng)方程式。寫成反應(yīng)方程式。寫點缺陷方程式必須遵循以下一些基本規(guī)則：寫點缺陷方程式必須遵循以下一些基本規(guī)則：1) 晶格位置平衡晶格位置平衡2) 質(zhì)量平衡質(zhì)量平衡3) 電荷平衡電荷平衡AgCliAgCl(s)AgClAgVCl 第16頁/共69頁第十七頁，共69頁。一般情況下，點缺陷主要影響

17、晶體的物理性質(zhì)，如比容、比熱容、電阻率、擴(kuò)散系數(shù)、介電常數(shù)等。一般情況下，點缺陷主要影響晶體的物理性質(zhì)，如比容、比熱容、電阻率、擴(kuò)散系數(shù)、介電常數(shù)等。1）比容）比容 形成形成Schottky空位時，原子遷移到晶體表面上的新位置，導(dǎo)致晶體體積增加?？瘴粫r，原子遷移到晶體表面上的新位置，導(dǎo)致晶體體積增加。2）比熱容）比熱容 形成點缺陷需向晶體提供附加的能量（空位生成焓），因而引起附加比熱容。形成點缺陷需向晶體提供附加的能量（空位生成焓），因而引起附加比熱容。3）電阻率）電阻率 金屬的電阻主要來源于對傳導(dǎo)電子的散射。正常情況下，電子基本上在均勻電場中運動，在有缺陷的晶體中，晶格的周期性被破壞，電場急

18、劇變化，因而對電子產(chǎn)生強(qiáng)烈散射，導(dǎo)致晶體的電阻率增大。點缺陷對金屬力學(xué)性能影響較小，它只通過與位錯的交互作用，阻礙位錯運動而使晶體強(qiáng)化。但在高能離子輻照情況下，由于金屬的電阻主要來源于對傳導(dǎo)電子的散射。正常情況下，電子基本上在均勻電場中運動，在有缺陷的晶體中，晶格的周期性被破壞，電場急劇變化，因而對電子產(chǎn)生強(qiáng)烈散射，導(dǎo)致晶體的電阻率增大。點缺陷對金屬力學(xué)性能影響較小，它只通過與位錯的交互作用，阻礙位錯運動而使晶體強(qiáng)化。但在高能離子輻照情況下，由于(yuy)形成大量的點缺陷而能引起晶體顯著硬化和脆化（輻照硬化）。形成大量的點缺陷而能引起晶體顯著硬化和脆化（輻照硬化）。第17頁/共69頁第十八頁，

19、共69頁。線缺陷線缺陷(quxin)的產(chǎn)生及運動與材料的韌性、脆性密切的產(chǎn)生及運動與材料的韌性、脆性密切相關(guān)。相關(guān)。第18頁/共69頁第十九頁，共69頁。刃位錯刃位錯晶體中已滑移區(qū)與未滑移區(qū)的邊界線（即位錯線）若垂直于滑晶體中已滑移區(qū)與未滑移區(qū)的邊界線（即位錯線）若垂直于滑移方向，則會存在一多余半排原子面，它像一把刀刃插入晶體移方向，則會存在一多余半排原子面，它像一把刀刃插入晶體中，使此處上下兩部分中，使此處上下兩部分(b fen)晶體產(chǎn)生原子錯排，這種晶體缺晶體產(chǎn)生原子錯排，這種晶體缺陷稱為刃位錯，記為陷稱為刃位錯，記為“”；相反，半排原子面在滑移面下方；相反，半排原子面在滑移面下方的稱負(fù)刃

20、位錯，記為的稱負(fù)刃位錯，記為“”。第19頁/共69頁第二十頁，共69頁。刃位錯的結(jié)構(gòu)特征刃位錯的結(jié)構(gòu)特征刃位錯有一額外半原子面刃位錯有一額外半原子面位錯線不一定是直線，可以是折線或曲線，但刃位錯線必與位錯線不一定是直線，可以是折線或曲線，但刃位錯線必與滑移矢量垂直，且滑移面是位錯線和滑移矢量所構(gòu)成滑移矢量垂直，且滑移面是位錯線和滑移矢量所構(gòu)成(guchng)的唯一平面。的唯一平面。位錯周圍的點陣發(fā)生彈性畸變，位錯周圍的點陣發(fā)生彈性畸變，既有正應(yīng)變，又有切應(yīng)變。既有正應(yīng)變，又有切應(yīng)變。位錯畸變區(qū)只有幾個原子間距，位錯畸變區(qū)只有幾個原子間距，是狹長的管道。是狹長的管道。第20頁/共69頁第二十一頁

21、，共69頁。螺位錯螺位錯晶體中已滑移區(qū)與未滑移區(qū)的邊界線（即位錯線）若平行于滑晶體中已滑移區(qū)與未滑移區(qū)的邊界線（即位錯線）若平行于滑移方向，則在該處附近移方向，則在該處附近(fjn)原子平面已扭曲為螺旋面，即位錯原子平面已扭曲為螺旋面，即位錯線附近線附近(fjn)的原子是按螺旋形式排列的，這種晶體缺陷稱為螺的原子是按螺旋形式排列的，這種晶體缺陷稱為螺位錯位錯(screw dislocation)。根據(jù)原子旋轉(zhuǎn)方向的不同，螺旋位。根據(jù)原子旋轉(zhuǎn)方向的不同，螺旋位錯可分為左螺型和右螺型位錯。錯可分為左螺型和右螺型位錯。第21頁/共69頁第二十二頁，共69頁。螺位錯的結(jié)構(gòu)特征螺位錯的結(jié)構(gòu)特征螺位錯無額

22、外半原子面，原子錯排呈軸對稱螺位錯無額外半原子面，原子錯排呈軸對稱螺位錯線與滑移矢量平行，一定是直線螺位錯線與滑移矢量平行，一定是直線包含螺位錯的面必然包含滑移矢量，故螺位錯可以有無窮包含螺位錯的面必然包含滑移矢量，故螺位錯可以有無窮個滑移面，但實際上滑移通常是在原子密排面上進(jìn)行，故個滑移面，但實際上滑移通常是在原子密排面上進(jìn)行，故有限，滑移面不是唯一的有限，滑移面不是唯一的螺位錯周圍的點陣也發(fā)生彈性畸變，但只有平行于位錯線螺位錯周圍的點陣也發(fā)生彈性畸變，但只有平行于位錯線的切應(yīng)變，無正應(yīng)變（即不引起體積的膨脹和收縮）的切應(yīng)變，無正應(yīng)變（即不引起體積的膨脹和收縮）位錯線的移動位錯線的移動(yd

23、ng)方向與晶塊滑移方向互相垂直方向與晶塊滑移方向互相垂直位錯畸變區(qū)也是幾個原子間距寬度，同樣是線位錯。位錯畸變區(qū)也是幾個原子間距寬度，同樣是線位錯。第22頁/共69頁第二十三頁，共69頁?；旌闲臀诲e的結(jié)構(gòu)特征混合型位錯的結(jié)構(gòu)特征晶體中已滑移區(qū)與未滑移區(qū)的邊界線（即位錯線）既不平行晶體中已滑移區(qū)與未滑移區(qū)的邊界線（即位錯線）既不平行也不垂直于滑移方向也不垂直于滑移方向(fngxing)，即滑移矢量與位錯線成任，即滑移矢量與位錯線成任意角度，這種晶體缺陷稱為混合型位錯（意角度，這種晶體缺陷稱為混合型位錯（mixed dislocation)?；旌闲臀诲e可分解為刃位錯?；旌闲臀诲e可分解為刃位錯分量

24、和螺位錯分量，它們分分量和螺位錯分量，它們分別具有刃位錯和螺位錯的特別具有刃位錯和螺位錯的特征。征。第23頁/共69頁第二十四頁，共69頁。位錯的運動位錯的運動(yndng)晶體宏觀的塑性變形是通過位錯運動來實現(xiàn)晶體宏觀的塑性變形是通過位錯運動來實現(xiàn)(shxin)，并，并且晶體的力學(xué)性能如強(qiáng)度、塑韌性和斷裂等均與位錯的運且晶體的力學(xué)性能如強(qiáng)度、塑韌性和斷裂等均與位錯的運動有關(guān)。動有關(guān)。位錯運動的基本形式有兩種：滑移位錯運動的基本形式有兩種：滑移(slip)和攀移和攀移(climb)。位錯的滑移是在外加切應(yīng)力作用下，通過位錯中心附近的位錯的滑移是在外加切應(yīng)力作用下，通過位錯中心附近的原子沿柏式矢

25、量方向在滑移面上不斷地作少量位移（小于原子沿柏式矢量方向在滑移面上不斷地作少量位移（小于一個一個(y )原子間距）而逐步實現(xiàn)的。原子間距）而逐步實現(xiàn)的。只有刃位錯才能發(fā)生攀移運動，即位錯在垂直于滑移面的方向上運只有刃位錯才能發(fā)生攀移運動，即位錯在垂直于滑移面的方向上運動。其實質(zhì)是構(gòu)成刃位錯的多余半原子面的擴(kuò)大或縮小，它是通過動。其實質(zhì)是構(gòu)成刃位錯的多余半原子面的擴(kuò)大或縮小，它是通過物質(zhì)遷移即原子或空位的擴(kuò)散來實現(xiàn)的。通常把半原子面向上運動物質(zhì)遷移即原子或空位的擴(kuò)散來實現(xiàn)的。通常把半原子面向上運動稱為正攀移，向下運動稱為負(fù)攀移。稱為正攀移，向下運動稱為負(fù)攀移。第24頁/共69頁第二十五頁，共69

26、頁。（a）正攀移（半原子）正攀移（半原子(yunz)面縮短）面縮短）(b)未攀移未攀移（c）負(fù)攀移（半）負(fù)攀移（半原子原子(yunz)面伸面伸長）長）第25頁/共69頁第二十六頁，共69頁。刃位錯的運動刃位錯的運動(yndng)螺位錯的運動螺位錯的運動(yndng)混合混合(hnh)位錯的運位錯的運動動第26頁/共69頁第二十七頁，共69頁。位錯的生成位錯的生成(shn chn)1）晶體生長過程中產(chǎn)生位錯。其主要來源有：）晶體生長過程中產(chǎn)生位錯。其主要來源有： 由于熔體中雜質(zhì)原子在凝固過程中不均勻分布使晶體的先后凝固部分成分不同，從而點陣常數(shù)也有差異，可能形成位錯作為過渡；由于熔體中雜質(zhì)原子在

27、凝固過程中不均勻分布使晶體的先后凝固部分成分不同，從而點陣常數(shù)也有差異，可能形成位錯作為過渡； 由于溫度梯度、濃度梯度、機(jī)械振動等的影響，致使生長著的晶體偏轉(zhuǎn)或彎曲引起相鄰晶塊之間有位相差，它們之間就會形成位錯；由于溫度梯度、濃度梯度、機(jī)械振動等的影響，致使生長著的晶體偏轉(zhuǎn)或彎曲引起相鄰晶塊之間有位相差，它們之間就會形成位錯； 晶體生長過程中由于相鄰晶粒發(fā)生碰撞或因液流沖擊，以及冷卻時體積變化的熱應(yīng)力等原因會使晶體表面產(chǎn)生臺階或應(yīng)力變形而形成位錯。晶體生長過程中由于相鄰晶粒發(fā)生碰撞或因液流沖擊，以及冷卻時體積變化的熱應(yīng)力等原因會使晶體表面產(chǎn)生臺階或應(yīng)力變形而形成位錯。2） 由于自高溫較快凝固及

28、冷卻時晶體內(nèi)存在大量過飽和空位，空位的聚集能形成位錯。由于自高溫較快凝固及冷卻時晶體內(nèi)存在大量過飽和空位，空位的聚集能形成位錯。3） 晶體內(nèi)部的某些界面（如第二相質(zhì)點、孿晶、晶界等）和微裂紋晶體內(nèi)部的某些界面（如第二相質(zhì)點、孿晶、晶界等）和微裂紋(li wn)的附近，由于熱應(yīng)力和組織應(yīng)力的作用，往往出現(xiàn)應(yīng)力集中現(xiàn)象，當(dāng)此應(yīng)力高至足以使該局部區(qū)域發(fā)生滑移時，就在該區(qū)域產(chǎn)生位錯。的附近，由于熱應(yīng)力和組織應(yīng)力的作用，往往出現(xiàn)應(yīng)力集中現(xiàn)象，當(dāng)此應(yīng)力高至足以使該局部區(qū)域發(fā)生滑移時，就在該區(qū)域產(chǎn)生位錯。第27頁/共69頁第二十八頁，共69頁。第28頁/共69頁第二十九頁，共69頁。面缺陷是在特定表面面缺陷

29、是在特定表面(biomin)上晶體的平移對稱性終止或間上晶體的平移對稱性終止或間斷。晶體的面缺陷包括兩類：一是晶體的外表面斷。晶體的面缺陷包括兩類：一是晶體的外表面(biomin)，二是晶體的內(nèi)界面，其中內(nèi)界面又包括晶界、亞晶界、孿晶界二是晶體的內(nèi)界面，其中內(nèi)界面又包括晶界、亞晶界、孿晶界、相界、堆垛層錯等。、相界、堆垛層錯等。第29頁/共69頁第三十頁，共69頁。（一）晶體表面（一）晶體表面 處于晶體表面的原子，同時受到晶體內(nèi)部自身原子和外部介質(zhì)原處于晶體表面的原子，同時受到晶體內(nèi)部自身原子和外部介質(zhì)原子或分子的作用，這兩種作用力并不平衡，而造成表面層的晶格畸子或分子的作用，這兩種作用力并不

30、平衡，而造成表面層的晶格畸變，從而能量便升高。變，從而能量便升高。影響表面能的因素有：影響表面能的因素有：外部介質(zhì)的性質(zhì)外部介質(zhì)的性質(zhì)(xngzh)。 介質(zhì)不同，表面能也不同，外部介質(zhì)的分子介質(zhì)不同，表面能也不同，外部介質(zhì)的分子或原子對晶體表面原子的作用力與晶體內(nèi)部的原子的作用力相差越或原子對晶體表面原子的作用力與晶體內(nèi)部的原子的作用力相差越懸殊，則表面能越大。懸殊，則表面能越大。表面的原子密度。一般來說，表面為密排面時，表面能最小。表面的原子密度。一般來說，表面為密排面時，表面能最小。晶體表面的曲率。表面能的大小與表面曲率有關(guān)，表面曲率越大，則表晶體表面的曲率。表面能的大小與表面曲率有關(guān)，表

31、面曲率越大，則表面能越大。面能越大。4. 晶體本身性質(zhì)晶體本身性質(zhì)(xngzh)。晶體中原子的結(jié)合能越高，表面能越大。晶體中原子的結(jié)合能越高，表面能越大。第30頁/共69頁第三十一頁，共69頁。（二）晶界（二）晶界 在多晶體中，結(jié)構(gòu)、成分在多晶體中，結(jié)構(gòu)、成分(chng fn)相同，但位向不同的相鄰晶粒之相同，但位向不同的相鄰晶粒之間的界面稱為晶界。晶界是晶粒從有序到無序區(qū)域的過渡地帶。間的界面稱為晶界。晶界是晶粒從有序到無序區(qū)域的過渡地帶。晶界結(jié)構(gòu)和性質(zhì)與相鄰晶粒的取向差有關(guān)，當(dāng)取向差小于晶界結(jié)構(gòu)和性質(zhì)與相鄰晶粒的取向差有關(guān)，當(dāng)取向差小于10o時，時，晶界稱為小角晶界；當(dāng)取向大于晶界稱為小角

32、晶界；當(dāng)取向大于10o時，晶界稱為大角度晶界。時，晶界稱為大角度晶界。實際的多晶材料一般實際的多晶材料一般(ybn)都是大角度晶界，但晶粒內(nèi)部的亞晶界則都是大角度晶界，但晶粒內(nèi)部的亞晶界則是小角晶界。是小角晶界。 第31頁/共69頁第三十二頁，共69頁。1. 小角晶界小角晶界 （1）對稱傾側(cè)晶界）對稱傾側(cè)晶界(tilt boundary)： 兩側(cè)的晶界有位向差兩側(cè)的晶界有位向差，相當(dāng)于晶界兩邊的晶體繞平行于位錯線，相當(dāng)于晶界兩邊的晶體繞平行于位錯線的軸，各自的軸，各自(gz)旋轉(zhuǎn)了方向相反的旋轉(zhuǎn)了方向相反的/2角而形成的。角而形成的。第32頁/共69頁第三十三頁，共69頁。 （2）扭轉(zhuǎn)晶界）扭

33、轉(zhuǎn)晶界(twist boundary)： 將一塊晶體沿中間將一塊晶體沿中間(zhngjin)平面切開，然后使右半部分繞平面切開，然后使右半部分繞Y軸轉(zhuǎn)動軸轉(zhuǎn)動角角 ，即得扭轉(zhuǎn)晶界。，即得扭轉(zhuǎn)晶界。第33頁/共69頁第三十四頁，共69頁。2. 大角晶界大角晶界 相鄰兩晶粒之間位向差大于相鄰兩晶粒之間位向差大于10o的晶界，通常的晶界，通常(tngchng)稱為稱為大角晶界。大角晶界。B：受壓縮的區(qū)域：受壓縮的區(qū)域D：同屬于：同屬于(shy)兩個晶粒的原子兩個晶粒的原子C：受拉伸的區(qū)域：受拉伸的區(qū)域A：不屬于：不屬于(shy)任一晶粒的原子任一晶粒的原子第34頁/共69頁第三十五頁，共69頁。3.

34、 晶界能量晶界能量 晶界上原子排列是畸變的，因而自由能升高，通常把單位界面上晶界上原子排列是畸變的，因而自由能升高，通常把單位界面上的能量升高值稱為晶界能。晶界能可以界面張力的形式表現(xiàn)的能量升高值稱為晶界能。晶界能可以界面張力的形式表現(xiàn)(bioxin)出來，當(dāng)三個晶粒共同相遇于出來，當(dāng)三個晶粒共同相遇于O點時，作用于此點的點時，作用于此點的界面張力應(yīng)彼此平衡，其矢量和應(yīng)為零。界面張力應(yīng)彼此平衡，其矢量和應(yīng)為零。第35頁/共69頁第三十六頁，共69頁。4. 晶界特性晶界特性 1）晶體中的晶?？偩哂凶园l(fā)長大和使界面平直化以減少）晶體中的晶粒總具有自發(fā)長大和使界面平直化以減少(jinsho)晶界總面

35、積的趨勢晶界總面積的趨勢 2）晶界處原子排列的不規(guī)則性，會阻礙位錯通過，宏觀上）晶界處原子排列的不規(guī)則性，會阻礙位錯通過，宏觀上表現(xiàn)為晶界有較高的強(qiáng)度表現(xiàn)為晶界有較高的強(qiáng)度 3）晶界的熔點較低，金屬的熔化總是從晶界處開始）晶界的熔點較低，金屬的熔化總是從晶界處開始 4）晶界上具有較高的能量，相變時往往在晶界上首先形核）晶界上具有較高的能量，相變時往往在晶界上首先形核 5）晶界上的原子處于不穩(wěn)定狀態(tài)，因此晶界的腐蝕速度一）晶界上的原子處于不穩(wěn)定狀態(tài)，因此晶界的腐蝕速度一般比晶內(nèi)快般比晶內(nèi)快 6）由于晶界能的存在，當(dāng)金屬中含有可降低界面能的異類）由于晶界能的存在，當(dāng)金屬中含有可降低界面能的異類原子

36、時，它們會向晶界處偏聚，這種現(xiàn)象稱為內(nèi)吸附。凡原子時，它們會向晶界處偏聚，這種現(xiàn)象稱為內(nèi)吸附。凡是提高界面能的原子將會偏聚于晶粒內(nèi)部，稱為反吸附。是提高界面能的原子將會偏聚于晶粒內(nèi)部，稱為反吸附。第36頁/共69頁第三十七頁，共69頁。（三）層錯（三）層錯 層錯是在密排晶體中原子面的堆垛順序出現(xiàn)層錯是在密排晶體中原子面的堆垛順序出現(xiàn)(chxin)反反常所造成的面缺陷。常所造成的面缺陷。 以面心立方結(jié)構(gòu)為例，當(dāng)正常層序中抽走一密排層以面心立方結(jié)構(gòu)為例，當(dāng)正常層序中抽走一密排層,相應(yīng)位置出現(xiàn)一個相應(yīng)位置出現(xiàn)一個(y )逆順序堆層逆順序堆層ABCACABC稱抽出型稱抽出型(或內(nèi)稟或內(nèi)稟)層錯；如果層

37、錯；如果正常層序中插入一密排層，相應(yīng)位置出現(xiàn)兩個逆順序堆層正常層序中插入一密排層，相應(yīng)位置出現(xiàn)兩個逆順序堆層ABCACBCAB稱插入型稱插入型(或外稟或外稟)層錯。層錯。 第37頁/共69頁第三十八頁，共69頁。 這種結(jié)構(gòu)變化，并不改變層錯處原子最近鄰的關(guān)系這種結(jié)構(gòu)變化，并不改變層錯處原子最近鄰的關(guān)系(包括配位數(shù)、鍵長、鍵角包括配位數(shù)、鍵長、鍵角)，只改變次近鄰的錯排，幾乎不產(chǎn)生畸變，所引起只改變次近鄰的錯排，幾乎不產(chǎn)生畸變，所引起(ynq)的畸變能很小。因而，的畸變能很小。因而，層錯是一種低能量的界面。層錯是一種低能量的界面。 除密推積結(jié)構(gòu)外，其他類型的晶體也可能出現(xiàn)層除密推積結(jié)構(gòu)外，其他類

38、型的晶體也可能出現(xiàn)層錯，如金剛石結(jié)構(gòu)和閃鋅礦結(jié)構(gòu)的錯，如金剛石結(jié)構(gòu)和閃鋅礦結(jié)構(gòu)的1 1 1面在外延生長過程中，將會出現(xiàn)層錯面在外延生長過程中，將會出現(xiàn)層錯。第38頁/共69頁第三十九頁，共69頁。（四）反映（四）反映(fnyng)孿晶界面孿晶界面 (lin c)晶體以此面成鏡面對稱。這兩部分晶體成孿晶關(guān)系，由于兩者具有反映關(guān)系，稱反映孿晶，該晶面稱孿晶界面。第39頁/共69頁第四十頁，共69頁。沿著孿晶界面，孿晶的兩部分完全密合，最近鄰關(guān)系不發(fā)生任何沿著孿晶界面，孿晶的兩部分完全密合，最近鄰關(guān)系不發(fā)生任何(rnh)改變，只有次近鄰關(guān)系才有變化，引入的原子錯排很小，稱共格孿晶界面。孿晶界面的能量

39、約為層錯能之半。改變，只有次近鄰關(guān)系才有變化，引入的原子錯排很小，稱共格孿晶界面。孿晶界面的能量約為層錯能之半。 第40頁/共69頁第四十一頁，共69頁。 晶體內(nèi)部偏離周期性點陣結(jié)構(gòu)的三維缺陷稱為體缺陷，主要晶體內(nèi)部偏離周期性點陣結(jié)構(gòu)的三維缺陷稱為體缺陷，主要(zhyo)有包裹體有包裹體、空洞、夾雜物、第二相等。、空洞、夾雜物、第二相等。 體缺陷較重要的包裹體。體缺陷較重要的包裹體。 包裹體是晶體生長過程中界面所捕獲的夾雜物。它可能是晶體原包裹體是晶體生長過程中界面所捕獲的夾雜物。它可能是晶體原料中某一過量組分形成的固體顆粒，也可能是晶體生產(chǎn)過程中坩料中某一過量組分形成的固體顆粒，也可能是晶體

40、生產(chǎn)過程中坩堝材料帶入的雜質(zhì)微粒。這是一種嚴(yán)重影響堝材料帶入的雜質(zhì)微粒。這是一種嚴(yán)重影響(yngxing)晶體性質(zhì)的體缺陷，晶體性質(zhì)的體缺陷，如造成光散射，或吸收強(qiáng)光引起發(fā)熱從而影響如造成光散射，或吸收強(qiáng)光引起發(fā)熱從而影響(yngxing)晶體的強(qiáng)度。另一晶體的強(qiáng)度。另一方面，由于包裹體的熱膨脹系數(shù)一般與晶體不同，在單晶體生長方面，由于包裹體的熱膨脹系數(shù)一般與晶體不同，在單晶體生長的冷卻過程中會產(chǎn)生體內(nèi)應(yīng)力，造成大量位錯的形成。的冷卻過程中會產(chǎn)生體內(nèi)應(yīng)力，造成大量位錯的形成。第41頁/共69頁第四十二頁，共69頁。 1. 固溶體的定義：固溶體的定義： 固溶體固溶體(solid solution

41、)是指在固態(tài)是指在固態(tài)(gti)條件下，一種組分內(nèi)條件下，一種組分內(nèi)“溶解溶解”了其了其他組分而形成的單相態(tài)固體。在固溶體中，一般把含量較高的組分稱為他組分而形成的單相態(tài)固體。在固溶體中，一般把含量較高的組分稱為溶劑、主晶相或基質(zhì)，其他組分稱為溶質(zhì)或雜質(zhì)。溶劑、主晶相或基質(zhì)，其他組分稱為溶質(zhì)或雜質(zhì)。第42頁/共69頁第四十三頁，共69頁。 2. 固溶體的分類：固溶體的分類： 按雜質(zhì)按雜質(zhì)(zzh)原子在固溶體中的位置分類，原子在固溶體中的位置分類， 置換型固溶體：雜質(zhì)置換型固溶體：雜質(zhì)(zzh)原子進(jìn)入晶體中正常格點位置所生成的固原子進(jìn)入晶體中正常格點位置所生成的固溶體。溶體。 間隙型固溶體：

42、雜質(zhì)間隙型固溶體：雜質(zhì)(zzh)原子進(jìn)入溶劑晶格中的間隙位置所生成的原子進(jìn)入溶劑晶格中的間隙位置所生成的固溶體。填隙能力多孔固溶體。填隙能力多孔八面體八面體四面體，沸石四面體，沸石金紅石金紅石TiO2MgO 空位固溶體（化合物）空位固溶體（化合物）置換置換(zhhun)型固溶體型固溶體間隙間隙(jin x)型固溶體型固溶體空位固溶體空位固溶體第43頁/共69頁第四十四頁，共69頁。 按雜質(zhì)原子在晶體中的溶解度分類：按雜質(zhì)原子在晶體中的溶解度分類： 無限型無限型(連續(xù)連續(xù))固溶體：溶質(zhì)和溶劑兩種晶體可以按任意固溶體：溶質(zhì)和溶劑兩種晶體可以按任意(rny)比例無限制地相比例無限制地相互固溶。例如：

43、互固溶。例如： Mg1-xNixO，0 x 1 有限型固溶體：溶質(zhì)只能以一定有限型固溶體：溶質(zhì)只能以一定 的溶解限量溶入到溶劑中。例如：的溶解限量溶入到溶劑中。例如： Mg1-xCaxO， 0 x 0.05； Ca1-xMgxO， 0 x 0.05。第44頁/共69頁第四十五頁，共69頁。 1. 形成置換固溶體的影響因素：形成置換固溶體的影響因素：離子尺寸因素離子尺寸因素 15規(guī)律：（規(guī)律：（R1R2）/R1，當(dāng)溶質(zhì)和基質(zhì)的原子半徑相對，當(dāng)溶質(zhì)和基質(zhì)的原子半徑相對差值超過差值超過(chogu)1415時，尺寸因素不利于固溶體的生成。時，尺寸因素不利于固溶體的生成。尺寸尺寸效應(yīng)是生成置換固溶體的

44、必要條件。效應(yīng)是生成置換固溶體的必要條件。置換置換(zhhun)型固溶體型固溶體第45頁/共69頁第四十六頁，共69頁。 1. 形成置換形成置換(zhhun)固溶體的影響因素：固溶體的影響因素：離子的電價因素離子的電價因素 晶體在總體上保持電中性，離子價相同或同號離子的離子價晶體在總體上保持電中性，離子價相同或同號離子的離子價總和相同時生成連續(xù)固溶體?？偤拖嗤瑫r生成連續(xù)固溶體。第46頁/共69頁第四十七頁，共69頁。 1. 形成置換固溶體的影響因素：形成置換固溶體的影響因素：晶體的結(jié)構(gòu)因素晶體的結(jié)構(gòu)因素 晶體結(jié)構(gòu)相似有利于生成置換固溶體，晶體結(jié)構(gòu)不相似只能晶體結(jié)構(gòu)相似有利于生成置換固溶體，晶體

45、結(jié)構(gòu)不相似只能生成有限固溶體。如生成有限固溶體。如PbTiO3和和PbZrO3具有鈣鈦礦結(jié)構(gòu)，形成連具有鈣鈦礦結(jié)構(gòu)，形成連續(xù)鈣鈦礦固溶體續(xù)鈣鈦礦固溶體PbZrxTi1-xO3。電負(fù)性因素電負(fù)性因素 電負(fù)性差值大于電負(fù)性差值大于0.4，生成固溶體可能性小，生成固溶體可能性小 雜質(zhì)原子傾向于占據(jù)電負(fù)性相近的原子所占據(jù)的格點位置。雜質(zhì)原子傾向于占據(jù)電負(fù)性相近的原子所占據(jù)的格點位置。如如(Ag1-xNax)(Br1-yCly) 如果雜質(zhì)原子電負(fù)性具有中間如果雜質(zhì)原子電負(fù)性具有中間(zhngjin)值，進(jìn)入何種位置取決于值，進(jìn)入何種位置取決于幾何幾何結(jié)構(gòu)因子。如結(jié)構(gòu)因子。如(Mg2-2xFe2x)(Si

46、1-yGey)O4第47頁/共69頁第四十八頁，共69頁。形成形成(xngchng)間隙型固間隙型固溶體的條件溶體的條件間隙型固溶體的固溶度仍然取決于離子尺寸間隙型固溶體的固溶度仍然取決于離子尺寸(ch cun)、離子價、電負(fù)性、結(jié)構(gòu)等因素。、離子價、電負(fù)性、結(jié)構(gòu)等因素。1. 雜質(zhì)質(zhì)點大小雜質(zhì)質(zhì)點大小 即添加的原子越小，易形成固溶體，反之亦然。即添加的原子越小，易形成固溶體，反之亦然。2. 晶體晶體(基質(zhì)）結(jié)構(gòu)基質(zhì)）結(jié)構(gòu) 離子尺寸離子尺寸(ch cun)是與晶體結(jié)構(gòu)的關(guān)系密切相關(guān)的，在一定程度上來說，結(jié)構(gòu)中間隙的大小起了決定性的作用。一般晶體中空隙越大，結(jié)構(gòu)越疏松，易形成固溶體。是與晶體結(jié)構(gòu)的

47、關(guān)系密切相關(guān)的，在一定程度上來說，結(jié)構(gòu)中間隙的大小起了決定性的作用。一般晶體中空隙越大，結(jié)構(gòu)越疏松，易形成固溶體。3. 電價因素電價因素 外來雜質(zhì)原子進(jìn)入間隙時，必然引起晶體結(jié)構(gòu)中電價的不平衡，這時可以通過生成空位，產(chǎn)生部分取代或離子的價態(tài)變化來保持電價平衡。外來雜質(zhì)原子進(jìn)入間隙時，必然引起晶體結(jié)構(gòu)中電價的不平衡，這時可以通過生成空位，產(chǎn)生部分取代或離子的價態(tài)變化來保持電價平衡。第48頁/共69頁第四十九頁，共69頁。例如例如(lr)YF3加入到加入到CaF2中：中：當(dāng)當(dāng)F-進(jìn)入間隙時，產(chǎn)生負(fù)電荷，由進(jìn)入間隙時，產(chǎn)生負(fù)電荷，由Y3+進(jìn)入進(jìn)入Ca2+位置來保持位置關(guān)系和電價的平衡。位置來保持位置

48、關(guān)系和電價的平衡。間隙固溶體的生成，一般都使晶格常數(shù)增大，增加到一定的程度，使固溶體變成不穩(wěn)定而離解，所以間隙型固溶體不可能是連續(xù)的固溶體。晶體中間隙是有限間隙固溶體的生成，一般都使晶格常數(shù)增大，增加到一定的程度，使固溶體變成不穩(wěn)定而離解，所以間隙型固溶體不可能是連續(xù)的固溶體。晶體中間隙是有限(yuxin)的，容納雜質(zhì)質(zhì)點的能力的，容納雜質(zhì)質(zhì)點的能力10。第49頁/共69頁第五十頁，共69頁。形成形成(xngchng)固溶體后對晶固溶體后對晶體性質(zhì)的影響體性質(zhì)的影響1.穩(wěn)定晶格，阻止某些晶型轉(zhuǎn)變的發(fā)生穩(wěn)定晶格，阻止某些晶型轉(zhuǎn)變的發(fā)生2. ZrO2是一種高溫耐火材料，熔點是一種高溫耐火材料，熔點

49、2680，但發(fā)生相變時，伴隨很大，但發(fā)生相變時，伴隨很大的體積收縮，這對高溫結(jié)構(gòu)材料是致命的。若加入的體積收縮，這對高溫結(jié)構(gòu)材料是致命的。若加入CaO，則和，則和ZrO2形成形成固溶體，無晶型轉(zhuǎn)變，體積效應(yīng)減少，使固溶體，無晶型轉(zhuǎn)變，體積效應(yīng)減少，使ZrO2成為一種很好的高溫結(jié)構(gòu)成為一種很好的高溫結(jié)構(gòu)材料。材料。3.2. 活化活化(huhu)晶格晶格4. 形成固溶體后，晶格結(jié)構(gòu)有一定畸變，處于高能量的活化形成固溶體后，晶格結(jié)構(gòu)有一定畸變，處于高能量的活化(huhu)狀狀態(tài)，有利于進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)。如態(tài)，有利于進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)。如Al2O3熔點高（熔點高（2050），不利于燒結(jié)，），不利于燒結(jié)，若加入若

50、加入TiO2，可使燒結(jié)溫度下降到，可使燒結(jié)溫度下降到1600，這是因為，這是因為Al2O3與與TiO2形成形成固溶體，固溶體，Ti4+置換置換Al3+后，帶正電，為平衡電價，產(chǎn)生了正離子空位，后，帶正電，為平衡電價，產(chǎn)生了正離子空位，加快擴(kuò)散，有利于燒結(jié)進(jìn)行。加快擴(kuò)散，有利于燒結(jié)進(jìn)行。第50頁/共69頁第五十一頁，共69頁。3. 固溶強(qiáng)化固溶強(qiáng)化 定義：固溶體的強(qiáng)度與硬度往往高于各組元，而塑性則較低，定義：固溶體的強(qiáng)度與硬度往往高于各組元，而塑性則較低，稱為固溶強(qiáng)化。稱為固溶強(qiáng)化。 固溶強(qiáng)化的特點和規(guī)律：固溶強(qiáng)化的程度（或效果）不僅取決固溶強(qiáng)化的特點和規(guī)律：固溶強(qiáng)化的程度（或效果）不僅取決于它

51、的成分，還取決于固溶體的類型、結(jié)構(gòu)特點、固溶度、于它的成分，還取決于固溶體的類型、結(jié)構(gòu)特點、固溶度、組元原子半徑差等一系列因素。組元原子半徑差等一系列因素。 1）間隙式溶質(zhì)原子的強(qiáng)化效果一般要比置換式溶質(zhì)原子更顯）間隙式溶質(zhì)原子的強(qiáng)化效果一般要比置換式溶質(zhì)原子更顯著。著。 2）溶質(zhì)和溶劑）溶質(zhì)和溶劑(rngj)原子尺寸相差越大或固溶度越小，固原子尺寸相差越大或固溶度越小，固溶強(qiáng)化越顯著。溶強(qiáng)化越顯著。4. 形成固溶體后對材料物理性質(zhì)的影響形成固溶體后對材料物理性質(zhì)的影響 固溶體的電學(xué)、熱學(xué)、磁學(xué)等物理性質(zhì)也隨成分而連續(xù)變化，固溶體的電學(xué)、熱學(xué)、磁學(xué)等物理性質(zhì)也隨成分而連續(xù)變化，但一般都不是線性

52、關(guān)系。固溶體的強(qiáng)度與硬度往往高于各組但一般都不是線性關(guān)系。固溶體的強(qiáng)度與硬度往往高于各組元，而塑性則較低。元，而塑性則較低。第51頁/共69頁第五十二頁，共69頁。例如例如PbTiO3是一種鐵電體，純是一種鐵電體，純PbTiO3燒結(jié)性能極差，居里點為燒結(jié)性能極差，居里點為490，發(fā)生相變時，晶格常數(shù)劇烈變化，在常溫下發(fā)生開裂。，發(fā)生相變時，晶格常數(shù)劇烈變化，在常溫下發(fā)生開裂。PbZrO3是一種反鐵電體，居里點為是一種反鐵電體，居里點為230。兩者結(jié)構(gòu)相同，兩者結(jié)構(gòu)相同，Zr4+、Ti4+離子尺寸相差不多，能在常溫下生成連續(xù)固溶體離子尺寸相差不多，能在常溫下生成連續(xù)固溶體Pb(ZrxTi1-x)

53、O3，x0.10.3。在斜方鐵電體和四方鐵電體的邊界。在斜方鐵電體和四方鐵電體的邊界(binji)組成組成Pb(Zr0.54Ti0.46)O3處，壓電性能、介電常數(shù)都達(dá)到最大值，燒結(jié)性能也很好，被命名為處，壓電性能、介電常數(shù)都達(dá)到最大值，燒結(jié)性能也很好，被命名為PZT陶瓷。陶瓷。噴射噴射(pnsh)方法印制的方法印制的PZT陶瓷系列陶瓷系列第52頁/共69頁第五十三頁，共69頁。固溶體的研究固溶體的研究(ynji)方法方法（一）（一） 固溶體類型固溶體類型(lixng)的大略估計的大略估計1. 在金屬氧化物中，具有氯化鈉結(jié)構(gòu)的晶體，只有四面體間隙是在金屬氧化物中，具有氯化鈉結(jié)構(gòu)的晶體，只有四面

54、體間隙是空的，不大可能生成間隙式固溶體，例如空的，不大可能生成間隙式固溶體，例如MgO，NaCl、GaO、SrO、CoO、FeO、KCl等都不會生成間隙式固溶體。等都不會生成間隙式固溶體。2. 具有空的氧八面體間隙的金紅石結(jié)構(gòu)，或具有更大空隙的螢石具有空的氧八面體間隙的金紅石結(jié)構(gòu)，或具有更大空隙的螢石型結(jié)構(gòu)，金屬離子能填入。例如型結(jié)構(gòu)，金屬離子能填入。例如CaF2、ZrO2、UO2等，有可能等，有可能生成間隙式固溶體。生成間隙式固溶體。第53頁/共69頁第五十四頁，共69頁。（二）（二） 固溶體類型固溶體類型(lixng)的實驗判別的實驗判別對于金屬氧化物系統(tǒng)，最可靠而簡便的方法是寫出生成不同

55、類型對于金屬氧化物系統(tǒng)，最可靠而簡便的方法是寫出生成不同類型(lixng)固溶體的缺陷反應(yīng)方程，根據(jù)缺陷方程計算出雜質(zhì)濃度與固溶體固溶體的缺陷反應(yīng)方程，根據(jù)缺陷方程計算出雜質(zhì)濃度與固溶體密度的關(guān)系，并畫出曲線，然后把這些數(shù)據(jù)與實驗值相比較，哪密度的關(guān)系，并畫出曲線，然后把這些數(shù)據(jù)與實驗值相比較，哪種類型種類型(lixng)與實驗相符合即是什么類型與實驗相符合即是什么類型(lixng)。第54頁/共69頁第五十五頁，共69頁。第55頁/共69頁第五十六頁，共69頁。非化學(xué)非化學(xué)(huxu)計量計量各元素原子數(shù)不為簡單整數(shù)比各元素原子數(shù)不為簡單整數(shù)比晶體點缺陷與非化學(xué)計量化合物晶體點缺陷與非化學(xué)計

56、量化合物 本征缺陷不影響化合物的化學(xué)計量關(guān)系本征缺陷不影響化合物的化學(xué)計量關(guān)系 Schottky，F(xiàn)rankel缺陷只有結(jié)構(gòu)缺陷，無組成缺陷缺陷只有結(jié)構(gòu)缺陷，無組成缺陷 雜質(zhì)缺陷產(chǎn)生的填隙和空位缺陷會導(dǎo)致雜質(zhì)缺陷產(chǎn)生的填隙和空位缺陷會導(dǎo)致(dozh)化學(xué)計量的偏離化學(xué)計量的偏離 環(huán)境氣氛影響化學(xué)組成的改變，產(chǎn)生填隙和空位缺陷會導(dǎo)致環(huán)境氣氛影響化學(xué)組成的改變，產(chǎn)生填隙和空位缺陷會導(dǎo)致(dozh)化學(xué)化學(xué)計量的偏離計量的偏離第56頁/共69頁第五十七頁，共69頁。非化學(xué)計量非化學(xué)計量(jling)化合物的特點化合物的特點1）非化學(xué)計量化合物產(chǎn)生及缺陷濃度與氣氛性質(zhì)、壓力有關(guān)；）非化學(xué)計量化合物產(chǎn)生

57、及缺陷濃度與氣氛性質(zhì)、壓力有關(guān)； 2）可以看作是高價化合物與低價化合物的固溶體；）可以看作是高價化合物與低價化合物的固溶體；3）缺陷濃度與溫度有關(guān)，這點可以從平衡常數(shù)看出；）缺陷濃度與溫度有關(guān)，這點可以從平衡常數(shù)看出；4）非化學(xué)計量化合物都是半導(dǎo)體。）非化學(xué)計量化合物都是半導(dǎo)體。 半導(dǎo)體材料分為兩大類：一是摻雜半導(dǎo)體，如半導(dǎo)體材料分為兩大類：一是摻雜半導(dǎo)體，如Si、Ge中摻雜中摻雜B、P，Si中摻中摻P為為n型半導(dǎo)體；二是非化學(xué)計量化合物半導(dǎo)體，又分為金屬型半導(dǎo)體；二是非化學(xué)計量化合物半導(dǎo)體，又分為金屬(jnsh)離子過剩（離子過剩（n型）（包括負(fù)離子缺位和間隙正離子）和負(fù)離子過剩（型）（包括

58、負(fù)離子缺位和間隙正離子）和負(fù)離子過剩（p型）（正離子缺位和間隙負(fù)離子）型）（正離子缺位和間隙負(fù)離子） 第57頁/共69頁第五十八頁，共69頁。為什么為什么TiO2-x是一種是一種(y zhn)n型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體？TiO2-x結(jié)構(gòu)缺陷結(jié)構(gòu)缺陷在氧空位上捕獲兩個電子，成為一種色心。色心上的電子能吸收在氧空位上捕獲兩個電子，成為一種色心。色心上的電子能吸收(xshu)一定波長的光，使氧化鈦從黃色變成藍(lán)色直至灰黑色。一定波長的光，使氧化鈦從黃色變成藍(lán)色直至灰黑色。第58頁/共69頁第五十九頁，共69頁。在氣體和液體中物質(zhì)在氣體和液體中物質(zhì)(wzh)的遷移一般是通過對流和擴(kuò)散來實現(xiàn)的。的遷移一般是通過對

59、流和擴(kuò)散來實現(xiàn)的。但在固體中不發(fā)生對流，擴(kuò)散是唯一的物質(zhì)但在固體中不發(fā)生對流，擴(kuò)散是唯一的物質(zhì)(wzh)遷移方式，其原子遷移方式，其原子或分子由于熱運動不斷從一個位置遷移到另一個位置?；蚍肿佑捎跓徇\動不斷從一個位置遷移到另一個位置。研究擴(kuò)散一般有兩種方法：研究擴(kuò)散一般有兩種方法：1）表象理論）表象理論根據(jù)所測量的參數(shù)描述物質(zhì)傳輸?shù)乃俾矢鶕?jù)所測量的參數(shù)描述物質(zhì)傳輸?shù)乃俾?sl)和數(shù)量等。和數(shù)量等。2）原子理論）原子理論擴(kuò)散過程中原子是如何遷移的。擴(kuò)散過程中原子是如何遷移的。第59頁/共69頁第六十頁，共69頁。表象表象(bioxing)理論理論菲克第一定律菲克第一定律當(dāng)固體中存在著成分當(dāng)固體中存

60、在著成分(chng fn)差異時，原子將從濃差異時，原子將從濃度高處向濃度低處擴(kuò)散。度高處向濃度低處擴(kuò)散。Adolf Fick 1855年描述原子年描述原子的遷移速率：擴(kuò)散中原子的通量的遷移速率：擴(kuò)散中原子的通量與質(zhì)量濃度梯度成正比。與質(zhì)量濃度梯度成正比。該方程稱為菲克第一定律或擴(kuò)散第一定律。式中，該方程稱為菲克第一定律或擴(kuò)散第一定律。式中，J為擴(kuò)散通量，表示單位時間內(nèi)通過垂直于擴(kuò)散方向為擴(kuò)散通量，表示單位時間內(nèi)通過垂直于擴(kuò)散方向X的單位面積的擴(kuò)散物質(zhì)質(zhì)量，其單位為的單位面積的擴(kuò)散物質(zhì)質(zhì)量，其單位為kg/(m2s)；D為擴(kuò)散系數(shù)，其單位為為擴(kuò)散系數(shù)，其單位為m2/s，C是擴(kuò)散物質(zhì)的質(zhì)量濃度，其