ProelSE教程第章電路仿真ppt課件

1、第10章 電路仿真10.1 概述 Protel 99 SE 仿真器包含一個(gè)數(shù)目龐大的仿真庫(kù)，能很好地滿足設(shè)計(jì)的需要。Protel 99 SE Advanced SIM 99是一個(gè)功能強(qiáng)大的數(shù)/?；旌闲盘?hào)電路仿真器，運(yùn)行在Protel的EDA/Client 集成環(huán)境下，與Protel Advanced Schematic原理圖輸入程序協(xié)同工作，作為Advanced Schematic的擴(kuò)展，為用戶提供了一個(gè)完整的從設(shè)計(jì)到驗(yàn)證的仿真設(shè)計(jì)環(huán)境。 在Protel 99 SE中執(zhí)行仿真，需要從仿真用元件庫(kù)中放置所需的元件，連接好原理圖，加上激勵(lì)源，然后單擊仿真按鈕即可自動(dòng)開始。作為一個(gè)真正的混合信號(hào)仿真

2、器，SIM99集成了連續(xù)的模擬信號(hào)和離散的數(shù)字信號(hào)，可以同時(shí)觀察復(fù)雜的模擬信號(hào)和數(shù)字信號(hào)波形，以及得到電路性能的全部波形。10.2 SIM 99仿真庫(kù)中的主要元件 在SIM99的仿真元件庫(kù)中，包含了如下一些主要的仿真元器件。10.2.1 電阻電阻 在庫(kù)Simulation Symbols.lib中，包含了如下的電阻器：v RES： 固定電阻： v RES2： 半導(dǎo)體電阻； v POT2： 電位器； v RES4： 變電阻。 上述符號(hào)代表了一般的電阻類型，如圖10.1所示。 在放置過程中按 Tab鍵，或放置完后雙擊該元器件彈出屬性對(duì)話框，進(jìn)行參數(shù)設(shè)置。圖10.1 仿真庫(kù)中的電阻類型9.2.2 電

3、容 在庫(kù)Simulation Symbols.Lib中，包含了如下的電容： CAP： 定值無(wú)極性電容； ELECTR02： 定值有極性電容； CAPVAR： 單連可變電容。 這些符號(hào)表示了一般的電容類型，如圖 10.2所示。 圖 102 仿真庫(kù)中的電容類型 10.2.3 電感電感 在庫(kù)Simulation Symbols.Lib中，包含的電感INDUCTOR。在電感的屬性對(duì)話框中可設(shè)置如下參數(shù)： Designator： 電感名稱（如L1）； Part Type： 以微亨為單位的電感值（如27mH）； IC： 在Part Fields選項(xiàng)卡中設(shè)置，表示初始條件，即電感的初始電壓值。該項(xiàng)僅在仿真分

4、析工具傅里葉變換中的使用初始條件被選中后，才有效。 9.2.4 二極管 在庫(kù)Diode.lib中，包含了數(shù)目巨大的以工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)部件數(shù)命名的二極管。如圖10.3所示，該圖簡(jiǎn)單列出了庫(kù)中包含的幾種二極管。 圖 9.3 仿真庫(kù)中的二極管類型 9.2.5 三極管三極管 在庫(kù)Bjt.lib中，包含了數(shù)目巨大的以工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)部件數(shù)命名的的三極管。如圖10.4所示，該圖簡(jiǎn)單列出了庫(kù)中包含的三極管型號(hào)。 圖 10.4 仿真庫(kù)中的三極管類型 10.2.6 JFET 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管包含在Jfet.lib庫(kù)文件中。如圖10.5所示，該圖簡(jiǎn)單列出了庫(kù)中包含的結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管。圖 10.5 仿真庫(kù)中的結(jié)型

5、場(chǎng)效應(yīng)管類型 10.2.7 MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管 MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管是現(xiàn)代集成電路中最常用的元器件。SIM 99提供了四種MOXFET模型，它們的伏安特性公式各不相同，但它們基于的物理模型是相同的。 在庫(kù)Mosfet.lib中，包含了數(shù)目巨大的以工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)部位數(shù)命名的MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管。如圖10.6所示，該圖簡(jiǎn)單列出了庫(kù)中包含的MOS場(chǎng) 效應(yīng)晶體管。 圖 10.6 仿真庫(kù)中的MOS場(chǎng)效應(yīng)管 10.2.8 電壓/電流控制開關(guān) 庫(kù)Switch.lib包含了如下的可用于仿真的開關(guān)： CSW： 默認(rèn)電流控制開關(guān)； SW： 默認(rèn)電壓控制開關(guān)。 如圖10.7所示，該圖簡(jiǎn)單列出了庫(kù)中包含的電壓/電流控制開關(guān)。圖

6、 107 仿真庫(kù)中的電壓/電流控制開關(guān) 10.2.9 熔絲 Fuse.lib包含了一般的保險(xiǎn)絲元器件。在熔絲的屬性對(duì)話框中可設(shè)置如下參數(shù)：Designator：熔絲名稱（如F1）；Curent： 熔斷電流（單位A，如1A）；Resistance：在Part Fields選項(xiàng)卡中設(shè)置，以歐姆為單位的串聯(lián)熔絲阻抗。 10.2.10 繼電器（RELAY） 庫(kù)Relay.lib包括了大量的繼電器，如圖10.8所示。 在繼電器的屬性對(duì)話框中可設(shè)置如下參數(shù)： Designator：繼電器名稱； Pullin：觸點(diǎn)引入電壓； DroPoff：觸點(diǎn)偏離電壓； Contar： 觸點(diǎn)阻抗 Resignator：線

7、圈阻抗； Inductor： 線圈電感。 圖 10.8 仿真庫(kù)中的繼電器類型 10.2.11 互感（電感耦合器） 庫(kù)Transformer.lib包括了大量的電感耦合器。 在電感耦合器的屬性對(duì)話框中可設(shè)置如下參數(shù)： Designator：電感受耦合器名稱（如T1）； Ratio：二次側(cè)/一次側(cè)變壓比，這將改變模型的默認(rèn)值； RP：可選項(xiàng)，一次側(cè)阻抗； RS：可選項(xiàng)，二次側(cè)阻抗。10.2.12 TTL和CMOS數(shù)字電路元器件 庫(kù)74XX.lib包含了74XX系列的TTL邏輯元件；庫(kù)Cmos.lib包含了4000系列的CMOS邏輯元件。設(shè)計(jì)者可把上述元件庫(kù)包含的數(shù)字電路元器件用到所設(shè)計(jì)的仿真圖中。

8、10.2.13 模塊電路 SIM 99中復(fù)雜元件都被用SPICE的子電路完全模型化，該元件沒有設(shè)計(jì)者需設(shè)置的選項(xiàng)。對(duì)于這些元器件，設(shè)計(jì)者只需簡(jiǎn)單放置并設(shè)置該標(biāo)號(hào)。所有的仿真用參數(shù)都已在SPECE子電路設(shè)定好。10.3 SIM 99中的激勵(lì)源 在SIM 99的仿真元件庫(kù)中，包含了以下主要激勵(lì)源。10.3.1直流源在庫(kù)Simulation Symbols.lib 中，包含了如下的直流源元器件： VSRC 電壓源；ISRC 電流源；仿真庫(kù)中的電壓/電流源的符號(hào)如圖10.9所示。 圖 10.9 電壓/電流源符號(hào) 10.3.2 正弦仿真源 庫(kù)Simulation Symbols.lib 中，包含了如下的

9、正弦源元器件： VSIN 正弦電壓源；ISIN 正弦電流源。 通過這些源可創(chuàng)建正弦波電壓和電流源。仿真庫(kù)中的正弦電壓/電流源符號(hào)如圖10.10所示。 圖10.10 正弦電壓/電流源符號(hào) 10.3.3 周期脈沖源 庫(kù)Simulation Symbols.lib 中，包含了如下的周期脈沖源元器件： VPULSE： 電壓脈沖源； IPULSE： 電流脈沖源； 利用這些源可以創(chuàng)建周期的連續(xù)的脈沖。仿真庫(kù)中的周期脈沖源符號(hào)如圖10.11所示。 圖 10.11 周期脈沖源符號(hào) 在周期脈沖源的屬性對(duì)話框可設(shè)置如下參數(shù)： Designator： 設(shè)置所需的激勵(lì)源元器件名稱（如INPUT）； DC： 此項(xiàng)不用設(shè)

10、置； AC： 如果欲在此電源上進(jìn)行交流小信號(hào)分析，可設(shè)置此項(xiàng)（典型值為1）； AC Phase： 小信號(hào)的電壓相位； Initial Value： 電壓或電流的起始值； Pulsed： 上升時(shí)間時(shí)的電壓或電流值； Time Delay： 激勵(lì)源從初始狀態(tài)到激發(fā)時(shí)的延時(shí)，單位為s； Rise Time： 上升時(shí)間，必須大于0； Fall Time： 下降時(shí)間，必須大于0； Pulse Width： 脈沖寬度，即脈沖激發(fā)狀態(tài)的時(shí)間，單位為s； Period： 脈沖周期，單位為s；10.3.4 指數(shù)激勵(lì)源 庫(kù)Simulation Symbols.lib 中，包含了如下的指數(shù)激勵(lì)源元器件： VEXP：

11、指數(shù)激勵(lì)電壓源； IEXP：指數(shù)激勵(lì)電流源； 利用這些源可創(chuàng)建帶有指數(shù)上升沿或下降沿的脈沖波形。圖10.12中是仿真庫(kù)中的指數(shù)激勵(lì)源元器件。 圖10.12 指數(shù)激勵(lì)源符號(hào) 10.3.5 單頻調(diào)頻源 庫(kù)Simulation Symbols.lib 中，包含了如下的單頻調(diào)頻源元器件： VSFFM 電壓源； ISFFM 電流源； 利用這些源可創(chuàng)建一個(gè)單頻調(diào)頻波。圖10.13中是仿真庫(kù)中的單頻調(diào)頻源元器件。 圖 10.13 單頻調(diào)頻源符號(hào) 10.3.6 線性受控源 庫(kù)Simulation Symbols.lib 中，包含了如下的線性受控源元器件： HSRC： 線性電壓控制電流源； GSRC： 線性電壓

12、控制電壓源； FSRC： 線性電流控制電流源； ESRC： 線性電流控制電壓源；仿真器中的線性受控源元器件如圖10.14所示。 圖 10.14 線性受控源元元器件 以上是標(biāo)準(zhǔn)的SPECE線性受控源，每個(gè)線性受控源都有兩個(gè)輸入節(jié)點(diǎn)和兩個(gè)輸出節(jié)點(diǎn)。輸出節(jié)點(diǎn)間的電壓或電流是輸入節(jié)點(diǎn)間的電壓或電流的線性函數(shù)，一般由源的增益、跨導(dǎo)等決定。 在線性受控源的屬性對(duì)話框可設(shè)置如下數(shù)： Designator： 設(shè)置所需的激勵(lì)源元器件名稱（GSRC1） Part Type： 對(duì)于線性電壓控制電流源，設(shè)置跨導(dǎo)，單位為S（西門子）； 對(duì)于線性電壓控制電壓源，設(shè)置電壓增益，其無(wú)量綱； 對(duì)于線性電流控制電壓源， 設(shè)置互阻

13、，單位為； 對(duì)于線性電流控制電流源，設(shè)置電流增益，其無(wú)量綱。 10.3.7 非線性受控源 庫(kù)Simulation Symbols.lib 中，包含了如下的非線性受控源元器件： BVSRC 電壓源； BISRC 電流源； 圖10.15是仿真器中包括的非線性受控源元器件。 圖10.15 非線性受控源符號(hào) 10.3.8 壓控振蕩（VCO）仿真源 庫(kù)Simulation Symbols.lib 中，包含了如下的壓控振蕩源元器件： SINEVCO 壓控正弦振蕩器； SQRVCO 壓控方波振蕩器； TRIVEO 壓控三角波振蕩器。 設(shè)計(jì)者可利用以上元器件在原理圖中創(chuàng)建壓控振蕩器,圖10.16是仿真器中包括

14、的壓控振蕩源元器件。 圖10.16 壓控震蕩源元器件 10.4 仿真器設(shè)置 10.4.1 設(shè)置仿真初始狀態(tài) 設(shè)置初始狀態(tài)是為計(jì)算仿真電路直流偏置點(diǎn)而設(shè)定一個(gè)或多個(gè)電壓（或電流）值。在仿真非線性電路、振蕩電路及觸發(fā)器電路的直流或瞬態(tài)特性時(shí)，常出現(xiàn)解的不收斂現(xiàn)象，而實(shí)際電路是收斂的，其原因是偏置點(diǎn)發(fā)散或收斂的偏置點(diǎn)不能適應(yīng)多種情況。設(shè)置初始值最通常的原因就是在兩個(gè)或更多的穩(wěn)定工作點(diǎn)中選擇一個(gè)，以便仿真順利進(jìn)行。 庫(kù)Simulation Symbols.lib 中，包含了兩個(gè)特別的初始狀態(tài)定義符： NS NODESET； IC Initial Condition。 1節(jié)點(diǎn)電壓設(shè)置.NS 該設(shè)置使指定

15、的節(jié)點(diǎn)固定在所給定的電壓下，仿真器按這些節(jié)點(diǎn)電壓求得直流或瞬態(tài)的初始解。其對(duì)雙穩(wěn)態(tài)或非穩(wěn)態(tài)電路的計(jì)算收斂可能是必須的，它可使電路擺脫“停頓”狀態(tài)，而進(jìn)入所希望的狀態(tài)。一般情況下，設(shè)置是不必要。 在節(jié)點(diǎn)電壓設(shè)置的屬性對(duì)話框可設(shè)置如下參數(shù)： Designator： 節(jié)點(diǎn)名稱，每個(gè)節(jié)點(diǎn)電壓設(shè)置必須有唯一的標(biāo)識(shí)符，如NS1； Part Type： 節(jié)點(diǎn)電壓的初始幅值，如12V。2初始條件設(shè)置.IC 該設(shè)置是用來(lái)設(shè)置瞬態(tài)初始條件的，“IC”僅用于設(shè)置偏置點(diǎn)的初始條件，它不影響DC掃描。 在初始條件設(shè)置的屬性對(duì)話框可設(shè)置如下參數(shù)： Designator： 節(jié)點(diǎn)名稱，每個(gè)初始條件設(shè)置必須有唯一的標(biāo)識(shí)符（如I

16、C1）； Part Type： 節(jié)點(diǎn)電壓的初始幅值，如5V。 初始狀態(tài)的設(shè)置共有三種途徑：“IC”設(shè)置、“NS”設(shè)置和定義元器件屬性。在電路模擬中，如有這三種或兩種共存時(shí)，在分析中優(yōu)先考慮的次序是定義元器件屬性、“IC”設(shè)置、“NS”設(shè)置。如果“NS”和“IC”共存時(shí)，則“IC”設(shè)置將取代“NS”設(shè)置。10.4.2 仿真器設(shè)置 在進(jìn)行仿真前，設(shè)計(jì)者必須決定對(duì)電路進(jìn)行哪種分析，要收集哪幾個(gè)變量數(shù)據(jù)，以及仿真完成后自動(dòng)顯示哪個(gè)變量的波形等。 1 進(jìn)入分析（進(jìn)入分析（Analysis）主菜單）主菜單 進(jìn)入Protel 99 SE原理圖編輯的主菜單后，單擊“SimulateSetup”命令，進(jìn)入仿真器

17、的設(shè)置，如圖10.17所示。 圖 10.17 “SimulateSetup”命令 單擊Setup選取項(xiàng)，將啟動(dòng)“仿真器設(shè)置”對(duì)話框，如圖10.18所示。在General選項(xiàng)中，設(shè)計(jì)者可以選擇分析類別。 圖10.18 “仿真器設(shè)置”對(duì)話框 2. 瞬態(tài)特性分析瞬態(tài)特性分析(Transient Analysis) 瞬態(tài)特性分析是從時(shí)間零開始，到用戶規(guī)定的時(shí)間范圍內(nèi)進(jìn)入的。瞬態(tài)分析的輸出是在一個(gè)類似示波器的窗口中，在設(shè)計(jì)者定義的時(shí)間間隔內(nèi)計(jì)算變量瞬態(tài)輸出電流或電壓值。如果不使用初始條件，則表態(tài)工作點(diǎn)分析將在瞬態(tài)分析前自動(dòng)執(zhí)行，以測(cè)得電路的直流偏置。 瞬態(tài)分析通常從時(shí)間零開始。若不從時(shí)間零開始，則在時(shí)間

18、零和開始時(shí)間（Start Time）之間，瞬態(tài)分析照樣進(jìn)行，只是不保存結(jié)果。從開始時(shí)間（Start Time）和終止時(shí)間(Stop Time)的間隔內(nèi)的結(jié)果將予保存，并用于顯示。 步長(zhǎng)(Step Time)通常是指在瞬態(tài)分析中的時(shí)間增量。 要在SIM 99中設(shè)置瞬態(tài)分析的參數(shù)，可以通過激活Transien/Fourier選項(xiàng)便得到如圖10.19所示的“設(shè)置瞬態(tài)分析/傅里葉分析參數(shù)”對(duì)話框。 圖 10.19 “設(shè)置瞬態(tài)分析/傅立葉分析參數(shù)”對(duì)話框3 傅里葉分析（傅里葉分析（Fourier） 傅里葉分析是計(jì)算瞬態(tài)分析結(jié)果的一部分，得到基頻、DC分量和諧波。 要進(jìn)行傅里葉分析，必須激活圖10.19中

19、Transien/Fourier Analysis選項(xiàng)。4 交流小信號(hào)分析交流小信號(hào)分析(AC Small Signal Analysis) 交流小信號(hào)分析將交流輸出變量作為頻率的函數(shù)計(jì)算出來(lái)。先計(jì)算電路的直流工作點(diǎn)，決定電路中所有非線性元器件的線性化小信號(hào)模型參數(shù)，然后在設(shè)計(jì)者所指定的頻率范圍內(nèi)對(duì)該線性化電路進(jìn)行分析。 通過激活A(yù)C Small Signal Analysis選項(xiàng)可得“交流小信號(hào)分析參數(shù)設(shè)置”對(duì)話框。5. 直流分析(DC Sweep Analysis) 直流分析產(chǎn)生直流轉(zhuǎn)移曲線。直流分析將執(zhí)行一系列表態(tài)工作點(diǎn)分析，從而改變前述定義所選擇電源的電壓。設(shè)置中可定義或可選輔助源。通

20、過激活DC Sweep Analysis選項(xiàng)可得“直流分析參數(shù)設(shè)置”對(duì)話框。6 蒙特卡羅分析（Monte Carlo Analysis） 蒙特卡羅分析是使用隨機(jī)數(shù)發(fā)生器按元件值的概率分布來(lái)選擇元件，然后對(duì)電路進(jìn)行模擬分析。 SIM 99中通過激活Monte Carlo Analysis選項(xiàng)可得“蒙特卡羅直流分析參數(shù)設(shè)置”對(duì)話框。7 掃描參數(shù)分析（掃描參數(shù)分析（Parame Sweep Anlysis） 掃描參數(shù)分析允許設(shè)計(jì)者以自定義的增幅掃描元器件的值。掃描參數(shù)分析可以改變基本的元器件和模式，但并不改變子電路的數(shù)據(jù)。 設(shè)置掃描參數(shù)分析的參數(shù)，可通過激活Paramete Sweep Analys

21、is 選項(xiàng)，可得掃描參數(shù)分析對(duì)話框。8 掃描溫度分析掃描溫度分析(Temperature Sweep Analysis) 掃描溫度分析和交流小信號(hào)分析，直流分析及瞬態(tài)特性分析中的一種或幾種相連的。該設(shè)置規(guī)定了在什么溫度下進(jìn)行模擬。如果設(shè)計(jì)者給了幾個(gè)溫度，則對(duì)每個(gè)溫度都要做一遍所有的分析。 設(shè)置掃描溫度分析的參數(shù)，可通過激活Temperature Sweep Analysis選項(xiàng)，可得“掃描溫度分析”對(duì)話框。 9 傳遞函數(shù)分析 傳遞函數(shù)分析計(jì)算直流輸入阻抗、輸出阻抗，以及直流增益。設(shè)置傳遞函數(shù)分析的參數(shù)，可通過激活Transfer Function選項(xiàng)，可得“傳遞函數(shù)分析”對(duì)話框。 10 噪聲分

22、析（Noise Analysis） 電路中產(chǎn)生噪聲的元器件有電阻器和半導(dǎo)體元器件，每個(gè)元器件的噪聲源在交流小信號(hào)分析的每個(gè)頻率計(jì)算出相應(yīng)的噪聲，并傳送到一個(gè)輸出節(jié)點(diǎn)，所有傳送到該節(jié)點(diǎn)的噪聲進(jìn)行RMS（均方根）相加，就得到了指定輸出端的等效輸出噪聲。 設(shè)置噪聲分析的參數(shù)，可通過激活Noise選項(xiàng)。 10.5 運(yùn)行電路仿真 10.5.1 仿真總體設(shè)計(jì)流程圖 采用SIM 99進(jìn)行混合信號(hào)仿真的總體設(shè)計(jì)流程如圖10.20所示。 圖 10.20 電路仿真一般流程設(shè)計(jì)需要仿真的原理圖文件設(shè)置 SIM99 仿真環(huán)境分 析 仿 真 結(jié) 果仿 真 所 設(shè) 的 原理 圖10.5.2 仿真原理圖設(shè)計(jì) 1 仿真原理圖

23、設(shè)計(jì)步驟（1）調(diào)用元件庫(kù) 在Protel 99 SE中，默認(rèn)的原理圖庫(kù)包含中一系列的數(shù)據(jù)庫(kù)中，每個(gè)數(shù)據(jù)庫(kù)中有數(shù)目不等的原理圖庫(kù)。設(shè)計(jì)中，一旦加載數(shù)據(jù)庫(kù)，則該數(shù)據(jù)庫(kù)下的所有庫(kù)都將列出來(lái)。仿真原理圖用庫(kù)在LibrarySChSIM.ddb中。 創(chuàng)建仿真用的原理圖在仿真用的數(shù)據(jù)庫(kù)SIM.ddb加載后，如圖10.21所示的包含在SIM.ddb中的后綴名為.lib的仿真原理圖庫(kù)將列出在Browse欄內(nèi)。圖10.21 SIM.ddb中包含.Lib庫(kù)文件 （2）選擇仿真元件 創(chuàng)建仿真用原理圖的簡(jiǎn)便方法是使用Protel仿真庫(kù)中的件。Protel 99 SE包含了大約6400多個(gè) 元器件模型，這些模型都是為仿

24、真準(zhǔn)備的。 在大多數(shù)情況下，設(shè)計(jì)者只需從如圖10.21所示的庫(kù)中選擇一元件，設(shè)定它的值，連接好線路，就可以進(jìn)行仿真了。每個(gè)元件包含了Spice仿真用的所有的信息。 最常用的仿真元器件如下： 激勵(lì)源： 給所設(shè)計(jì)電路一個(gè)合適的激勵(lì)源，以便仿真器進(jìn)行仿真； 添加網(wǎng)絡(luò)標(biāo)號(hào)： 設(shè)計(jì)者須在需要觀測(cè)輸出波形的節(jié)點(diǎn)處定義網(wǎng)絡(luò)標(biāo)號(hào)，以便于仿真器的識(shí)別。（3）實(shí)施仿真 在設(shè)計(jì)完原理圖后并對(duì)該原理圖進(jìn)行ERC檢查，如有 錯(cuò)誤返回原理圖設(shè)計(jì)。然后，設(shè)計(jì)者就需對(duì)該仿真器設(shè)置，決定對(duì)原理圖進(jìn)行何種分析，并確定該分析采有的參數(shù)。設(shè)置不正確，仿真器可能在仿真前報(bào)告警告信息，仿真后將仿真過程中的錯(cuò)誤寫入Filename.err

25、文件中。仿真完成后，將輸出一系列的文件，供設(shè)計(jì)者對(duì)所設(shè)計(jì)的電路進(jìn)行分析。具體的輸出文件和具體的步驟詳見實(shí)例。10.5.3 模擬電路仿真實(shí)例 通過對(duì)一個(gè)簡(jiǎn)單模擬電路的仿真，具體說(shuō)明Protel 99 SE中仿真器的使用。（1）生成原理圖文件 本例是一個(gè)簡(jiǎn)單的整流穩(wěn)壓電路，如圖10.22所示。一正弦波信號(hào)經(jīng)過10：1的變壓器變壓、全波整流橋的整流以及電容濾波等一系列的變化后，得到一個(gè)相當(dāng)穩(wěn)定的低壓直流信號(hào)。 在該電路中定義了一個(gè)有效值為125V，頻率為50Hz的正弦波激勵(lì)源。同時(shí)，在需要顯示波形的幾處添加了網(wǎng)絡(luò)標(biāo)號(hào)，用于顯示輸入波形、輸出波形以及一些中間波形。 圖10.22 整流穩(wěn)壓電路原理圖（2

26、）設(shè)置仿真器 在本次仿真中，采用如圖10.23所示的仿真設(shè)置項(xiàng)。將對(duì)電路進(jìn)行瞬態(tài)分析。 設(shè)置完以后，單擊Run Analyses按鈕開始仿真，或單擊Close按鈕結(jié)束該設(shè)置，再通過SimulateSetupCreat SPICE Netlist菜單實(shí)現(xiàn)仿真。 在仿真設(shè)置后，將生成“.cfg”文件。該文件以文本的方式記錄下了仿真器的設(shè)置環(huán)境。 圖10.23 仿真器設(shè)置（3）仿真器輸出仿真結(jié)果 仿真器的輸出文件為“.Nsx”文件和“.Sdf”文件。為了更好地完善原理圖設(shè)計(jì)，可以執(zhí)行“SimulateCreateSPICE Netlist”命令，之后，將生成一個(gè)后綴為“.Nsx”的文件，如圖10.24所示?！?Sdf”文件為仿真波形顯示。 圖 10.24 仿真生成的“.Nsx”文件 （4）仿真編輯器 當(dāng)仿真完成后，執(zhí)行“*.sdf”文件，將出現(xiàn)如圖10.25所示的波形編輯器。波形欄內(nèi)列出了所能顯示的原理圖中節(jié)點(diǎn)的波形，或某節(jié)點(diǎn)信號(hào)的多次諧波波形。該欄下的三個(gè)按鈕Show、Hide 和Color分別用于顯示波形、隱藏波形和改變波形顏色等。波形編輯器