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文檔簡(jiǎn)介

1、TPK Confidential and Proprietary Information整理課件黃光流程了解及各站點(diǎn)的出現(xiàn)的異常描述黃光流程了解及各站點(diǎn)的出現(xiàn)的異常描述TPK Confidential and Proprietary Information整理課件2ITO流程流程(Front & Back)清洗清洗IR/UV/CP光阻涂布光阻涂布軟烤軟烤曝光曝光顯影顯影蝕刻蝕刻剝膜剝膜Metal 流程流程清洗清洗IR/UV/CP光阻涂布光阻涂布軟烤軟烤曝光曝光顯影顯影硬烤硬烤濺渡濺渡 MetalPC405 流程流程清洗清洗IR/UV/CP涂布涂布軟烤軟烤曝光曝光顯影顯影濺渡濺渡 SiO

2、2保護(hù)涂布保護(hù)涂布蝕刻蝕刻剝膜剝膜硬烤硬烤ADI檢驗(yàn)AEI檢驗(yàn)ADI檢驗(yàn)AEI檢驗(yàn)ADI檢驗(yàn)DITO(N系列系列)流程流程硬烤硬烤TPK Confidential and Proprietary Information整理課件3SITO的流程的流程ITO流程(流程(Front)清洗清洗IR/UV/CP光阻涂布光阻涂布軟烤軟烤曝光曝光顯影顯影蝕刻蝕刻剝膜剝膜PI 流程流程清洗清洗IR/UV/CP光阻涂布光阻涂布軟烤軟烤曝光曝光顯影顯影渡渡 PIMetal流程流程清洗清洗IR/UV/CP涂布涂布軟烤軟烤曝光曝光顯影顯影濺渡濺渡 Metal保護(hù)涂布保護(hù)涂布硬烤硬烤剝膜剝膜ADI檢驗(yàn)AEI檢驗(yàn)ADI檢

3、驗(yàn)ADI檢驗(yàn)蝕刻蝕刻AEI檢驗(yàn)濺渡濺渡 SITOPC405流程流程清洗清洗IR/UV/CP涂布涂布軟烤軟烤曝光曝光顯影顯影硬烤硬烤ADI檢驗(yàn)硬烤硬烤硬烤硬烤TPK Confidential and Proprietary Information整理課件4光阻塗佈曝光顯影烘乾清洗制程的相關(guān)示意圖制程的相關(guān)示意圖TPK Confidential and Proprietary Information整理課件5蝕刻剝膜檢查T(mén)PK Confidential and Proprietary Information整理課件6 2.顯影不良顯影不良: 顯影不凈顯影不凈/過(guò)顯過(guò)顯/刮傷刮傷/臟污臟污/藥液殘留

4、藥液殘留/光阻脫落光阻脫落/顯影圈顯影圈/凹點(diǎn)凹點(diǎn) 1.涂布不良涂布不良: 涂布針孔涂布針孔/箭影箭影/氣泡氣泡/刮傷刮傷/臟污臟污/光阻回濺光阻回濺 黃光生產(chǎn)常見(jiàn)的不良黃光生產(chǎn)常見(jiàn)的不良 3.蝕刻不良蝕刻不良: ITO&Metal蝕刻不凈蝕刻不凈/被蝕被蝕/臟污臟污/刮傷刮傷/ITO&AL殘留殘留 4.剝剝膜不良膜不良: 剝膜不凈剝膜不凈/臟污臟污/刮傷刮傷/藥液殘留藥液殘留 5.其他不良其他不良: MO脫落脫落/SIO2脫落脫落/靜電擊傷靜電擊傷/Organic脫落脫落/線阻大小線阻大小 TPK Confidential and Proprietary Informatio

5、n整理課件7 2.涂布?xì)馀萃坎細(xì)馀?部分因臟污/光阻粘度/涂布機(jī)臺(tái)異常等所導(dǎo)致,目視為白色亮點(diǎn))1. 涂布針孔涂布針孔(部分因臟污/光阻粘度/涂布機(jī)臺(tái)異常等所導(dǎo)致,目視為白色亮點(diǎn))涂布異常圖片涂布異常圖片TPK Confidential and Proprietary Information整理課件8 3.涂布臟污涂布臟污(部分因來(lái)料臟污/未清洗干凈/機(jī)臺(tái)臟污等所導(dǎo)致) 4. 4.涂布箭影涂布箭影( (部分因玻璃上粘有有機(jī)物/涂布機(jī)臺(tái)異常/光阻粘度/風(fēng)刀水未吹干等所導(dǎo)致) )TPK Confidential and Proprietary Information整理課件9顯影異常圖片顯影異常圖

6、片1. 顯影不凈顯影不凈(部分因軟烤溫度/時(shí)間/曝光能量/顯影速度等所導(dǎo)致,出現(xiàn)為顯影后,目視白色條狀,2D為彩色物質(zhì))2. 藥液殘留藥液殘留(在顯影在顯影/剝膜清洗后留下的藥液殘留剝膜清洗后留下的藥液殘留)TPK Confidential and Proprietary Information整理課件103. AL線上光阻殘留線上光阻殘留(固定光阻殘留主要因光罩上粘有臟污等其他物質(zhì)所導(dǎo)致)4. 光阻脫落光阻脫落(部分因軟烤溫度/曝光能量/顯影速度等所導(dǎo)致,出現(xiàn)為顯影后,目視黑色點(diǎn)狀,如脫落不嚴(yán)重目視無(wú)法識(shí)別)TPK Confidential and Proprietary Informati

7、on整理課件112.2.頂傷頂傷( (因機(jī)臺(tái)及導(dǎo)輪毛刺等所導(dǎo)致.出現(xiàn)在每道制程,目視為白色亮點(diǎn)/2D下成臟污狀且透有彩色) 1. 1.光阻刮傷光阻刮傷( (因機(jī)臺(tái)及導(dǎo)輪毛刺等所導(dǎo)致.出現(xiàn)在每道制程,強(qiáng)光下目視為白色條/點(diǎn)狀)TPK Confidential and Proprietary Information整理課件125. 顯影圈顯影圈(部分因顯影速度及電導(dǎo)率等所導(dǎo)致,出現(xiàn)在顯影后,目視為小白點(diǎn)/較小且密集)6.PC405/Tory6.PC405/Tory鋸齒鋸齒( (部分因軟烤溫度/曝光能量/顯影速度等所導(dǎo)致,出現(xiàn)在顯影后,目視鋸齒狀/外觀”老鼠咬”) )TPK Confidential

8、 and Proprietary Information整理課件137. 凹點(diǎn)凹點(diǎn)(大部分是因臟污或其它物質(zhì)導(dǎo)致光阻無(wú)法被顯影干凈,一般出現(xiàn)在PC405制程,目視為亮點(diǎn))8.8.藥液殘留藥液殘留( (部分是因風(fēng)刀未吹干及藥液回粘水洗不掉,出現(xiàn)在每道制程,目視背光為白色/未烤前大部分可擦拭) )TPK Confidential and Proprietary Information整理課件14ITO蝕刻異常圖片蝕刻異常圖片1 .ITO蝕刻不凈蝕刻不凈/ITO殘留殘留(一般因光阻殘留/蝕刻速度及藥液濃度/光阻回濺等導(dǎo)致蝕刻不凈蝕刻不凈嚴(yán)重的強(qiáng)光下目視為白霧狀,白光下不明顯,通常借助于2D或萬(wàn)用表)

9、2 .ITO被蝕被蝕(一般因涂布異常/蝕刻速度等所導(dǎo)致/光阻被刮傷等目視對(duì)光可見(jiàn),背光不可見(jiàn))TPK Confidential and Proprietary Information整理課件15AL蝕刻異常圖片蝕刻異常圖片2.AL被蝕被蝕(大部分是因涂布異常/蝕刻速度/光阻被刮傷/曝光/顯影等)1.AL蝕刻不凈蝕刻不凈/AL殘留殘留(大部分是因光阻殘留/蝕刻速度/藥液濃度等目視反光且不透光)TPK Confidential and Proprietary Information整理課件16其他不良圖片其他不良圖片 2.AL 2.AL刮傷刮傷(大部分因機(jī)臺(tái)異常/作業(yè)手法等所導(dǎo)致.目視為白色點(diǎn)線狀

10、,背光明顯)1.ITO1.ITO刮傷刮傷/ /表面刮傷表面刮傷( (大部分因機(jī)臺(tái)異常/作業(yè)手法等所導(dǎo)致.目視為白色點(diǎn)線狀,背光明顯) )TPK Confidential and Proprietary Information整理課件173.3.靜電擊傷靜電擊傷( (最常出現(xiàn)在涂布/曝光/軟硬烤段,目視為白色點(diǎn)狀,強(qiáng)光下可見(jiàn)) )4. SIO2氣泡氣泡(一般出現(xiàn)在PC405顯影后/來(lái)料,目視為白色亮點(diǎn))TPK Confidential and Proprietary Information整理課件186.Organic脫落脫落(玻璃表面保護(hù)層如PC405/TS821等脫落)5.SIO2脫落脫落T

11、PK Confidential and Proprietary Information整理課件198.ITO線上光阻殘留線上光阻殘留(固定光阻殘留主要因光罩上粘有臟污等其他物質(zhì)所導(dǎo)致)7.MO脫落脫落(部分因存放環(huán)境目視泛白且半透光)TPK Confidential and Proprietary Information整理課件209.臟污臟污 10. 偏移偏移(主要出現(xiàn)在曝光光罩偏位及耙標(biāo)異常所導(dǎo)致)Metal偏移PC405偏移Metal偏移TPK Confidential and Proprietary Information整理課件2111.AL氧化氧化(部分因存放環(huán)境目視泛白且半透光)12.PI異常異常 (Metal 蝕刻剝膜時(shí)藥液滲透蝕刻剝膜時(shí)藥液滲透)TPK Confidential and Proprietary Information整理課件22TPK

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