Calibre使用簡(jiǎn)介B

1、 2006 2006 微電子中心微電子中心2022-4-252022-4-251 1Calibre使用簡(jiǎn)介宋存杰2008年05月03日 2006 2006 微電子中心微電子中心2022-4-252022-4-252 2nIntroductionnCalibre DRCnCalibre LVS 2006 2006 微電子中心微電子中心2022-4-252022-4-253 3IntroductionnCalibre 是Mentor Graphics 的IC版圖驗(yàn)證軟件，此軟件包括設(shè)計(jì)規(guī)則檢查（ DRC ）、版圖與原理圖一致性檢查（LVS）、電氣規(guī)則檢查（ERC）、及版圖寄生參數(shù)萃取（LPE）等驗(yàn)

2、證功能。n此軟件的操作界面主要分為圖形模式(GUI)(graphical user interface) Calibre Interactive與指令模式（Command Line），其中圖形模式可以單獨(dú)啟動(dòng)，亦可與Virtuoso 等軟件相連接，其操作界面皆相同；指令模式則是類(lèi)似于Dracula 的操作方式。n對(duì)于規(guī)模較小的版圖應(yīng)用Interactive 很方便，而且直觀(guān)的圖像化接口便于初學(xué)者使用。n采用命令行模式能夠快速輸入控制命令，快速執(zhí)行，其結(jié)果精確穩(wěn)定。n以下簡(jiǎn)介說(shuō)明以圖形模式為主。lGo back 2006 2006 微電子中心微電子中心2022-4-252022-4-254 4U

3、seful AbbreviationsnSVRF-Standard Verification Rule Format（標(biāo)準(zhǔn)的檢查文件）nRVE-Results Viewing Environment（顯示結(jié)果用的環(huán)境窗口）nSVDB-Standard Verification Database (LVS results)nDRC-Design Rule Check（設(shè)計(jì)規(guī)則檢查）nERC-Electrical Rule Checking（電氣規(guī)則檢查）nLVS-Layout Versus Schematic（版圖原理圖一致性檢查）nLPE-Layout Parasitic Extraction

4、（版圖寄生參數(shù)萃?。〤ommercial Verification ToolsnCadencenDraculanSynopsysnHercules nMentornCalibre 2006 2006 微電子中心微電子中心2022-4-252022-4-255 5What are I/Os for DRC and LVS?uInputsl Layout l Schematic or Netlist (LVS only)l Rule Files uOutputsl SVDB (LVS results database)l DRC Resultsl Reportl Log 2006 2006 微電子

5、中心微電子中心2022-4-252022-4-256 6在Cadence環(huán)境里調(diào)用Calibren在.cdsinit （此文件在啟動(dòng)tool時(shí)會(huì)自動(dòng)讀?。├锛由?load(“/usr/calibre/mgc_skl.skl”),這個(gè).skl文件就是Mentor公司提供的skill 文件。n啟動(dòng)icfb &后，打開(kāi)一個(gè)版圖檢查一下頂端的Menu里有沒(méi)有一個(gè)Calibre的菜單。如果有則表示可以在當(dāng)前環(huán)境下使用Calibre了，這個(gè)菜單里有DRC、LVS、RVE等命令。lGo back 2006 2006 微電子中心微電子中心2022-4-252022-4-257 7Calibre DRC

6、n如上圖所示，DRC 的輸入有兩項(xiàng)，一個(gè)是layout，就是手工或APR(automatic place and route) （自動(dòng)布局布線(xiàn)）工具生成的版圖，一般是GDSII 格式。另一個(gè)是Rule File，Rule File 告訴DRC 工具怎樣做DRC，這個(gè)文件十分重要，一般，由流片廠(chǎng)家提供，或者由designer 根據(jù)流片廠(chǎng)家提供的版圖幾何規(guī)范自己寫(xiě)。Calibre 讀入GDS（版圖）和Rule File，進(jìn)行處理，輸出結(jié)果，輸出結(jié)果是calibre 自己定義的格式，designer 可以通過(guò)一個(gè)Viewer 來(lái)看，一般用cadence 的virtuoso 來(lái)分析輸出結(jié)果和修改版圖。

7、lGo back 2006 2006 微電子中心微電子中心2022-4-252022-4-258 8n因?yàn)樽鯠RC 會(huì)產(chǎn)生很多文件，建議建立一個(gè)專(zhuān)屬于此Layout 做DRC 時(shí)的新文件夾。然后拷貝Rule File 至此工作目錄下。n從版圖中導(dǎo)出GDS文件至此工作目錄下，亦可在Calibre DRC 圖形界面中選擇從當(dāng)前版圖中導(dǎo)出GDS文件。 2006 2006 微電子中心微電子中心2022-4-252022-4-259 9DRC Rule Filen下面是一個(gè)簡(jiǎn)單的calibre LVS Rule File，右邊是對(duì)它的解釋。與/后是注釋部分nlayout system gdsii 指明輸

8、入的版圖格式是GDSII，calibre 還可支持其他格式nlayout path “/ layout/basic_drc.gds” 輸入版圖的路徑nlayout primary basic_drc 要檢查的版圖的top cell 名字ndrc results database “/training/drc_results_db” drc 的輸出， 將來(lái)可以用calibre 結(jié)合virtuoso 分析nvariable metal_width 3 定義一個(gè)變量nlayer substrate 0 本行和下面相似的行定義了輸入版圖中每一層的名字nlayer pwell 1 本行把GDS 的lay

9、er 1 定義為pwell，接下來(lái)pwell 都指輸入的GDS 的layer1。nlayer oxide 2nlayer res 3nlayer poly 4nlayer nplus 5nlayer pplus 6nlayer contact 7nlayer metal1 8 2006 2006 微電子中心微電子中心2022-4-252022-4-251010DRC Rule Filenlayer via 9nlayer metal2 10n. . . nngate = poly AND nplus # layer 運(yùn)算，由原始的poly 和nplus 層推出ngate 層n. . .n/n/

10、 Module 2 - DRC Measurement Operationsn/ Internal Checksnrule_2a oxide minimum width is 6 / 進(jìn)行檢查，rule_2a 是檢查標(biāo)號(hào)，n/ oxide minimum width is 6 是解釋?zhuān)瑘?bào)錯(cuò)時(shí)會(huì)報(bào)出這一句，ninternal oxide 6 / 這一句是具體動(dòng)作，internal 是calibre 的關(guān)鍵字，n/ 這一句檢查所有的oxide 的internal 小于6 的情況。n/ 如果internal oxide 6 的情況出現(xiàn)，則輸出報(bào)錯(cuò)結(jié)果n/ designer 根據(jù)這個(gè)結(jié)果修改錯(cuò)誤。n/

11、 internal 具體介紹見(jiàn)下一節(jié) 2006 2006 微電子中心微電子中心2022-4-252022-4-251111DRC Rule Filen一般說(shuō)來(lái)，Rule File 首先要設(shè)好calibre 運(yùn)行的環(huán)境，包括GDS 文件的位置、輸出文件的位置等。接下來(lái)要定義輸入的GDS 版圖的層次，例如如果GDS 的layer 1 是多晶硅層，則應(yīng)該定義如下layer poly 1n這句話(huà)表明所有GDS 的layer1 現(xiàn)在都叫 poly（當(dāng)然也可以叫任何名字） 。接下來(lái)可以用poly 來(lái)代表layer1。之所以要這樣做是因?yàn)樵贕DS 內(nèi)，所有的層都用一個(gè)數(shù)字來(lái)表示，如 1，2，3GDS 文件并

12、不知道layer1 是什么，calibre 也無(wú)法從GDS 中知道layer1 是什么，只有designer 來(lái)告訴calibre。 2006 2006 微電子中心微電子中心2022-4-252022-4-251212DRC Rule FilenCalibre 是一個(gè)基于邊（edge）的DRC/LVS 工具，所有的運(yùn)算都是基于“邊”來(lái)進(jìn)行的。邊有內(nèi)邊和外邊之分。n如上圖所示，任一個(gè)polygon 的邊都分為兩部分，polygon 內(nèi)部那一面的稱(chēng)為內(nèi)邊（interior side edge），外部的稱(chēng)為外邊（exterior side edge）。理解這個(gè)定義對(duì)于理解calibre 復(fù)雜的指令是

13、十分有用的。n下面介紹幾個(gè)calibre 基本的的例子。通過(guò)這些例子有助于理解calibre 的工作原理。 2006 2006 微電子中心微電子中心2022-4-252022-4-251313Internal 指令nInternal 指令一般用于檢查polygon 內(nèi)間距，可以用來(lái)檢查同一layer 的polygon 的內(nèi)間距、或檢查兩個(gè)不同layer 的polygon 之間的內(nèi)間距。如下圖所示：n理解Internal 指令的關(guān)鍵是Internal 指令是polygon 的內(nèi)邊（interior edge）的相對(duì)關(guān)系，只有interior edge 之間才能檢查。上圖的左邊是在同一個(gè)polyg

14、on 的internal 檢查，請(qǐng)注意左邊凹進(jìn)去的相對(duì)兩邊不作檢查，這是因?yàn)檫@兩邊是exterior edge。n同一layer 的polygon 的Internal 檢查一般用于寬度檢查，例如金屬的最小寬度：Internal Metal1 Select ChecksnChecks :Show出rule file里的所有rule，可click決定某些rule不做check。nGroups :由rule file里定義groups，可click決定某特定的group或rule不做check。nCheck Text :顯示rule file 里的解釋。 2006 2006 微電子中心微電子中心20

15、22-4-252022-4-253232nRun Calibre DRC的相關(guān)option，可決定是n否以64bit，遠(yuǎn)端操作，或多臺(tái)server執(zhí)行，n一般均改變預(yù)設(shè)值。nTranscript 記錄Run DRC的過(guò)程與相關(guān)信息，無(wú)法順利執(zhí)行，可由此看錯(cuò)誤訊息，亦可用Transcript - Save as 存成log file。nRun DRC 執(zhí)行Calibre DRC check。n可點(diǎn)擊Start RVE 自行以手動(dòng)方式開(kāi)啟RVE視窗。 2006 2006 微電子中心微電子中心2022-4-252022-4-253333n此圖形是run完DRC后彈出的窗口。n左邊的是除錯(cuò)(debug

16、)用的RVE窗口。n右邊是一個(gè)簡(jiǎn)述的結(jié)果文件(DRC Summary Report File)n左邊的窗口里有紅色的，表示有DRC錯(cuò)誤，假如沒(méi)有DRC錯(cuò)誤會(huì)出來(lái)綠色的。點(diǎn)擊每個(gè)錯(cuò)誤左邊的 ，就可以進(jìn)行每個(gè)具體錯(cuò)誤的Debug。 2006 2006 微電子中心微電子中心2022-4-252022-4-253434n在Setup RVE 窗口里選中 Edit-in-place while highlighting。這樣在底層的錯(cuò)誤就可直接跳到可編輯狀態(tài)。 n在Calibre菜單里選中Setup下的 RVE 命令 2006 2006 微電子中心微電子中心2022-4-252022-4-253535n

17、點(diǎn)開(kāi)一個(gè)具體的錯(cuò)誤，比如下面的第一個(gè) Check GT_7-1 Error ，有一個(gè)錯(cuò)誤：01，雙擊01，版圖上就會(huì)直接顯示當(dāng)前錯(cuò)誤所在的位置。你改完當(dāng)前錯(cuò)誤后就可在01點(diǎn)擊右鍵選中 Error Fixed 這樣就表示這個(gè)錯(cuò)誤已修改，相應(yīng)的01 也會(huì)變成01 。n這個(gè)RVE窗口的下面Checktext 為當(dāng)前錯(cuò)誤的注釋?zhuān)@個(gè)注釋是Rule File里以開(kāi)頭的語(yǔ)句。n右邊的窗口為錯(cuò)誤所在的坐標(biāo)。Click坐標(biāo)，可刻在Layout Tool (如Virtuoso Layout Editor)上show出此error 的edge。每個(gè)錯(cuò)誤有幾個(gè)edge就有幾個(gè)坐標(biāo)。nCell :顯示此錯(cuò)誤在底層單元

18、中的坐標(biāo)。nTop :顯示此錯(cuò)誤在頂層單元中的坐標(biāo)。n兩坐標(biāo)不一定相同。 2006 2006 微電子中心微電子中心2022-4-252022-4-253636n當(dāng)我們修改完layout時(shí)再依照上面的流程run DRC即可不用再導(dǎo)出*.gds文件。n當(dāng)你的DRC RVE 的圖顯示 No Errors 時(shí)，這就表示你的layout 已經(jīng)通過(guò)了DRC 的檢驗(yàn)。n清除高亮。n高亮顯示上一個(gè)錯(cuò)誤。n高亮顯示當(dāng)前的錯(cuò)誤。n高亮顯示下一個(gè)錯(cuò)誤。 2006 2006 微電子中心微電子中心2022-4-252022-4-253737用commond line 來(lái)運(yùn)行Calibre DRC檢查n先必須有一個(gè)完整的

19、規(guī)則檢查文件，必須包含運(yùn)行設(shè)置、層次定義、層次運(yùn)算、規(guī)則檢查等幾部分。n在UNIX的命令窗口里輸入 calibre hier drc rulefile 。n運(yùn)行完后可在Cadence的版圖窗口里的Calibre菜單點(diǎn)出start RVE ，或者在命令窗口里輸入 calibre rve ,然后就可進(jìn)行DRC錯(cuò)誤的修改了。n也可輸入 calibre gui 調(diào)出calibre 圖形界面，具體的運(yùn)行方式類(lèi)似Cadence環(huán)境下的模式。lGo back 2006 2006 微電子中心微電子中心2022-4-252022-4-253838Calibre LVSn為什么要做LVS？LVS 作了些什么？nA

20、PR (Automatic place and Route)自動(dòng)布局布線(xiàn)工具作出的版圖，基本上是正確的。但是，不能保證APR 工具是絕對(duì)正確的，也就是說(shuō)，APR 工具可能會(huì)出錯(cuò)。為了發(fā)現(xiàn)并改正APR 工具布線(xiàn)的錯(cuò)誤，需要做LVS。n另外，從版圖中提取電路圖，同樣需要驗(yàn)證電路圖與版圖的一致性。nLVS的目的就是證明版圖的邏輯與網(wǎng)表是一致的，APR 將網(wǎng)表實(shí)現(xiàn)成了版圖，現(xiàn)在LVS 要證明這個(gè)實(shí)現(xiàn)是正確的。lGo back 2006 2006 微電子中心微電子中心2022-4-252022-4-253939nLVS 的流程是：l從APR 工具實(shí)現(xiàn)的版圖中提?。╡xtract）出一個(gè)網(wǎng)表。l將這個(gè)提取

21、出的網(wǎng)表與APR 工具要實(shí)現(xiàn)的網(wǎng)表比較，它們應(yīng)該相同。l如果兩個(gè)網(wǎng)表不一樣，這時(shí)手工修改版圖，使之與要實(shí)現(xiàn)的網(wǎng)表相一致。n上圖描述了Calibre LVS 的flow。 2006 2006 微電子中心微電子中心2022-4-252022-4-254040LVS Rule Filen下面是一個(gè)簡(jiǎn)單的calibre LVS Rule File，右邊后內(nèi)容是對(duì)它的解釋。nLAYOUT SYSTEM GDSII 指定layout 的格式為gdsnLAYOUT PATH “/user/joeb/proj/layout/ictr” 指定版圖的路徑nLAYOUT PRIMARY CalibreM 版圖的to

22、p cellnSOURCE SYSTEM SPICE 指定source 的格式為spice 網(wǎng)表nSOURCE PATH “/user/joeb/proj/logic/ictr” source 的路徑nSOURCE PRIMARY CalibreM source 的top cellnMASK RESULTS DATABASE CalibreM.db LVS 的結(jié)果保存文件，將來(lái)指導(dǎo)改正版圖nLVS REPORT CalibreM.rpt report 文件nlayer PWELL 1 讀入版圖的各層信息nlayer OXIDE 2nlayer RES 3nlayer POLY 4nlayer

23、NPLUS 5nlayer PPLUS 6nlayer CONTACT 7nlayer METAL1 8 2006 2006 微電子中心微電子中心2022-4-252022-4-254141LVS Rule Filenlayer VIA 9nlayer METAL2 10nchip = extentnnsub = chip not pwell 進(jìn)行l(wèi)ayer operation。ngate = oxide and polynsd = oxide not polynngate = gate and nplusnpgate = gate and pplusnpsd = sd and pplusnn

24、sd = sd and nplusnsdm = pplus or nplusnconnect psd pwell 定義連接關(guān)系nconnect nsd nsubnconnect metal1 poly nsd psd by contactnconnect metal2 metal1 by viandevice mn ngate poly nsd nsd pwell 0 提取 nmosndevice mp pgate poly psd psd nsub 0 提取 pmosnCalibre 根據(jù)這個(gè)Rule File 提供的信息，首先從版圖中提取出一個(gè)網(wǎng)表，再將這個(gè)網(wǎng)表與APR要實(shí)現(xiàn)的網(wǎng)表進(jìn)行比較

25、，判斷APR 生成的版圖是否正確。 2006 2006 微電子中心微電子中心2022-4-252022-4-254242LVS Rule Filen這個(gè)Rule File 首先設(shè)置LVS 的運(yùn)行環(huán)境，然后讀入版圖各層的信息，接下來(lái)進(jìn)行l(wèi)ayer的運(yùn)算，為下一步提取device 作準(zhǔn)備。nConnect layer1 layer2 是定義連接關(guān)系，提取版圖時(shí)將根據(jù)這個(gè)信息來(lái)提取連接關(guān)系。ndevice mn 。是提取具體的mos 管nmn 指提出的device 為nmos 管，ngate 的解釋為seed，即只要在版圖上發(fā)現(xiàn)ngate，就提出一個(gè)nmos 管，seed 后面的四個(gè)參數(shù)為 G S

26、D B ,分別為nmos 管的4 各pin。n根據(jù)device 指令，calibre 從版圖中提出各種device，根據(jù)connect 指令提出連接關(guān)系。n提出完整的netlist 后，calibre 會(huì)與source netlist 比較，來(lái)判斷網(wǎng)表與版圖是否一致。 2006 2006 微電子中心微電子中心2022-4-252022-4-254343nLVS流程n專(zhuān)門(mén)建立一個(gè)新的文件夾用于此次LVS 。n將Rule File拷貝至此文件夾。n從版圖中導(dǎo)出GDS文件至此文件夾下，操作同DRC時(shí)導(dǎo)出版圖，亦可在Calibre DRC 圖形界面中選擇從當(dāng)前版圖中導(dǎo)出GDS 文件。n利用Analog

27、 Environment 中的hspiceS 從電路圖中導(dǎo)出網(wǎng)表。下面是導(dǎo)出網(wǎng)表的圖示。 2006 2006 微電子中心微電子中心2022-4-252022-4-254444n在Simulator中選擇hspiceS 2006 2006 微電子中心微電子中心2022-4-252022-4-254545n將電路圖網(wǎng)表拷貝至你所建立的新目錄scj_lvs中與*.gds和rule file 放置在一起，此時(shí)要修改電路圖網(wǎng)表的內(nèi)容，使其與layout有相同的model name，以及把VDD!等的驚嘆號(hào)去掉，以保持與layout網(wǎng)表的一致性。 2006 2006 微電子中心微電子中心2022-4-25

28、2022-4-254646 2006 2006 微電子中心微電子中心2022-4-252022-4-254747n在VIM中少量替換可以使用%substitute/from/to/命令。n如果需要修改的model name 比較多的話(huà)，可使用上面的腳本，將相應(yīng)項(xiàng)目替換掉即可。 2006 2006 微電子中心微電子中心2022-4-252022-4-254848n啟動(dòng)LVS方法（三種方法啟動(dòng)圖形界面）n在版圖的Calibre菜單下點(diǎn)出 RUN LVS 命令n在命令窗口里輸入 calibre gui 啟動(dòng)calibre GUI,再選擇LVSn直接在命令窗口里輸入calibre gui -lvs 2

29、006 2006 微電子中心微電子中心2022-4-252022-4-254949nRunset File是RUN LVS時(shí)需要填入的一些設(shè)置，方便于下次RUN。第一次由于沒(méi)有，所以就選擇New Runset ,等第一次RUN完后，可以將填入的設(shè)置存成一個(gè)Runset File。再RUN LVS時(shí)，可以將這個(gè)Runset File Load進(jìn)來(lái)。同RUN DRC。 2006 2006 微電子中心微電子中心2022-4-252022-4-255050n上面的窗口中，可以看到 Rules 與 Inputs 兩個(gè)命令是紅色的，表示 RUN LVS 需你設(shè)置的。n點(diǎn)擊 Rules 命令，在 Calib

30、reLVS Rules File 的命令行里輸入用來(lái)做 LVS檢查的文件（SVRF），這個(gè)文件里包括了一些層次及器件的定義等。n在 CalibreLVSun Directory 里輸入你要 RUN LVS 的路徑，建議建一個(gè)專(zhuān)門(mén)的目錄?？梢钥吹竭@時(shí)Rules 已經(jīng)變成綠色，表示 Rules 里設(shè)置完成了。每個(gè)命令行后面的可以幫助你選擇文件。 2006 2006 微電子中心微電子中心2022-4-252022-4-255151n點(diǎn)擊Inputs 命令，如果選擇Layout vs Netlist ,則在Layout 命令行里輸入你要檢查的版圖的GDS，假如你已經(jīng)當(dāng)前版圖輸出GDS 了，可以輸入已經(jīng)

31、生成的GDS。假如你還沒(méi)有輸出GDS，可以選下面的Import layout database from layout viewer 設(shè)置，這樣Calibre 在Run LVS 時(shí)就先把當(dāng)前的版圖輸出GDS，名字就是你上面輸入的GDS 名。nPrimary Cell 的命令行里就是當(dāng)前的頂層單元名。nLayout Netlist 的命令行里填入版圖提取出 SPICE 網(wǎng)表的名稱(chēng)。 2006 2006 微電子中心微電子中心2022-4-252022-4-255252n如果選擇Netlist vs Netlist , 此時(shí)layout 選項(xiàng)中的Files 不可選，則必須已經(jīng)有了layout的網(wǎng)表，

32、在Layout Netlist命令行里填入layout網(wǎng)表的名稱(chēng)。n如果選擇Netlist Extraction ,則只從layout中抽取出網(wǎng)表，不與電路圖網(wǎng)表進(jìn)行比對(duì)。nPrimary Cell 的命令行里就是當(dāng)前的頂層單元名，與上面Layout vs Netlist 時(shí)相同。 2006 2006 微電子中心微電子中心2022-4-252022-4-255353n在Files命令行里填入邏輯網(wǎng)表。n可以選擇從電路圖中自動(dòng)導(dǎo)出，此電路圖應(yīng)與當(dāng)前版圖在同一個(gè)Library里的同一個(gè)Cell里，自動(dòng)導(dǎo)出的網(wǎng)表為cdl格式。n通常利用Import自動(dòng)產(chǎn)生Source netlist 后，其devi

33、ce的model name會(huì)與layout不匹配，因此常需要自行修正。nPrimary Cell里填入邏輯的頂層單元名。n使用hspice格式的網(wǎng)表時(shí)，由于其頂層單元不包括.subckt語(yǔ)句，所以就用”.”填入。因?yàn)樘睢?”時(shí)，LVS只讀取.subckt語(yǔ)句之外的內(nèi)容。n使用cdl格式的網(wǎng)表時(shí)，有.subckt語(yǔ)句來(lái)定義頂層單元名，就填入頂層單元名。n建議使用hspice格式的網(wǎng)表。 2006 2006 微電子中心微電子中心2022-4-252022-4-255454n以此為例說(shuō)明spice格式網(wǎng)表與cdl網(wǎng)表的區(qū)別。 2006 2006 微電子中心微電子中心2022-4-252022-4-2

34、55555n點(diǎn)擊Netlist邊上的H-Cells，選中Match cells by name(automatch)選項(xiàng)。Calibre Hierarchical LVS是先完成底層單元的比對(duì)，但需要將底層單元設(shè)為H-Cells。如果一個(gè)單元只調(diào)用了一次，沒(méi)必要將它設(shè)為H-Cells。但被調(diào)用了多次時(shí)，將它設(shè)為H-Cells時(shí)會(huì)大大減少LVS時(shí)間。如果你清楚的知道你電路里的單元時(shí)，你可編輯一個(gè)H-Cell文件，格式如下：/是注釋。n/Layout cell Name Source cell namen ABC DEFn ABC GHIn UVW XYZn RST XYZn可見(jiàn)單元名可以1 VS

35、 N 或者N VS 1 ,但是不要出現(xiàn)M VS N 的情況。當(dāng)有這個(gè)文件時(shí)就可以選中Use H-Cells file選項(xiàng)，在命令行里填入H-Cells文件。沒(méi)有就選中Match cells by name(automatch)將版圖里和邏輯里單元名相同的設(shè)為H-Cells.nHCells是使用Hierarchical模式做LVS時(shí)才需設(shè)定，否則不需額外去做設(shè)定。使用Hierarchical模式下最常見(jiàn)的設(shè)定是Automatch，一般在Layout所用的Cell Name于Schematic 的Cell Name 不一致的情況下方需設(shè)定HCells. 2006 2006 微電子中心微電子中心20

36、22-4-252022-4-255656n在LVS Report File 的命令行里輸入LVS輸出的文本文件的路徑及名稱(chēng)。n在SVDB Directory 的命令行里輸入LVS輸出的數(shù)據(jù)存放的路徑。這個(gè)數(shù)據(jù)是用Calibre RVE來(lái)Debug時(shí)讀入的數(shù)據(jù)。n選擇run完LVS后檢視Report。n建SVDB database并在run完LVS后開(kāi)啟RVE來(lái)檢視error。 2006 2006 微電子中心微電子中心2022-4-252022-4-255757nSetup-LVS Optionsn在Options里的Supply選項(xiàng)里選中Abort LVS on power/ground ne

37、t errors,這個(gè)選項(xiàng)的目的是當(dāng)電源地短路時(shí)中斷LVS.n如果出現(xiàn)電源地短路,再RUN LVS時(shí)就不選這個(gè)選項(xiàng)，這樣LVS就不會(huì)中斷并且會(huì)報(bào)出電源地短路的地方。n但是不選這個(gè)選項(xiàng)會(huì)RUN很長(zhǎng)時(shí)間，所以一般都會(huì)選上這個(gè)選項(xiàng)。n在Power nets 和Ground nets 兩個(gè)命令行里分別輸入電源地的名稱(chēng)。一般rule file里已經(jīng)寫(xiě)好了，load rule file 或 runset file時(shí)自動(dòng)會(huì)填在這里面。 2006 2006 微電子中心微電子中心2022-4-252022-4-255858n在Report 選項(xiàng)里的LVS Report Options 里選中S選項(xiàng)。這樣在LVS

38、 Report File 里會(huì)輸出詳細(xì)的軟連接的沖突。n軟連接(soft connect) 是將電位單向由上傳至下層的layer,以用來(lái)檢查是否有不同電壓準(zhǔn)位透過(guò)底層連接，或是上層電位是從底層傳遞過(guò)去的。nSoft connect VSS unknow _nconnect 是雙向傳遞電位的，由上至下或由下至上傳遞。nconnect VSS VSS _ 2006 2006 微電子中心微電子中心2022-4-252022-4-255959n在 Gates 選項(xiàng)里選中 Recognize all gates 選項(xiàng)，目的是 Calibre LVS 能以所有的邏輯門(mén)（與非門(mén)、倒相器、或非門(mén)、與或非門(mén)等）

39、為單元來(lái)比對(duì)。n選中 Recognize simple gates，只能以基本的邏輯門(mén)（倒相器、與非門(mén)、或非門(mén)）比對(duì)。n選中 Turn gate recognition off 時(shí)，LVS將以單管為單位來(lái)比對(duì)。當(dāng)你允許邏輯門(mén)的輸入可以互換時(shí)選前兩個(gè)，如果你不允許時(shí)就選最后一個(gè)。 2006 2006 微電子中心微電子中心2022-4-252022-4-256060n當(dāng)你要在RUN LVS 的同時(shí)RUN ERC 檢查時(shí)選中ERC 選項(xiàng)，選中Run ERC 選項(xiàng)n在ERC Results File 命令行里填入ERC 的結(jié)果數(shù)據(jù)的路徑和名稱(chēng)。n在ERC Summary File 命令行里填入ERC

40、的簡(jiǎn)述文件的路徑和名稱(chēng)。 2006 2006 微電子中心微電子中心2022-4-252022-4-256161n在Connect 選項(xiàng)里選中Connect nets with colon(:) ,當(dāng)你的版圖里有用TEXT 加冒號(hào)來(lái)表示兩條線(xiàn)的連接時(shí)要選中這個(gè)選項(xiàng)。 2006 2006 微電子中心微電子中心2022-4-252022-4-256262nTranscript 記錄Run LVS的過(guò)程與相關(guān)信息，無(wú)法順利執(zhí)行，可由此看錯(cuò)誤訊息，亦可用Transcript - Save as 存成log file。nRun LVS 執(zhí)行Calibre LVS check。n可點(diǎn)擊Start RVE 自

41、行以手動(dòng)方式開(kāi)啟RVE視窗。nRun Calibre LVS的相關(guān)option，可決定是n否以64bit，遠(yuǎn)端操作，或多臺(tái)server執(zhí)行，n一般均改變預(yù)設(shè)值。 2006 2006 微電子中心微電子中心2022-4-252022-4-256363n在Report 上出現(xiàn)笑臉?lè)?hào)代表LVS check正確，RVE也將顯示Design Match. 2006 2006 微電子中心微電子中心2022-4-252022-4-256464n利用Calibre LVS RVE來(lái)分析版圖 2006 2006 微電子中心微電子中心2022-4-252022-4-256565n有關(guān)Net PON 的信息n雙擊N

42、et PON in layout cell T.n版圖上立即高亮顯示 2006 2006 微電子中心微電子中心2022-4-252022-4-256666n雙擊具體某層數(shù)據(jù)比如metal1，則版圖上在layer metal1立即高亮顯示net PON。 2006 2006 微電子中心微電子中心2022-4-252022-4-256767nDevice 是指版圖中的一個(gè)管子，器件nX89/X5479/M1是層層調(diào)用的關(guān)系nInstance 是指底層單元單元nTCM13_33_DIFFRCVR在layout netlist中編號(hào)為X89 2006 2006 微電子中心微電子中心2022-4-252

43、022-4-256868n可以通過(guò)點(diǎn)擊Net by location,然后在版圖中選擇要查看的net.n查找Device ,instance ,port 的方法與net相同。n還可以通過(guò)Location Queries來(lái)查找。 2006 2006 微電子中心微電子中心2022-4-252022-4-256969LVS 錯(cuò)誤舉例nRVE 顯示有四處net 錯(cuò)誤，一處port 錯(cuò)誤，一處instance 錯(cuò)誤，一處property 錯(cuò)誤。 2006 2006 微電子中心微電子中心2022-4-252022-4-257070nRVE 顯示有四處net 錯(cuò)誤，點(diǎn)開(kāi)第二個(gè)錯(cuò)誤，下面顯示了詳細(xì)的incor

44、rect nets 的信息。LAYOUT 中一條net 對(duì)應(yīng)著電路圖中的兩條net ,表示電路圖中有一處Open Circuit 開(kāi)路錯(cuò)誤。 或者是layout 中有一處Short Circuits 短路錯(cuò)誤。n雙擊LAYOUT NAME 中的Net X89/inp ,則會(huì)打開(kāi)版圖并高亮此net . 2006 2006 微電子中心微電子中心2022-4-252022-4-257171n通過(guò)版圖中高亮的net ,找出與此錯(cuò)誤有關(guān)系的cell ,然后在電路圖上在根據(jù)cell ,找出有錯(cuò)誤的net ,如下圖所示n左右兩條紅線(xiàn)net ,在版圖上是連起來(lái)的，所以修正電路圖如下圖所示 2006 2006

45、微電子中心微電子中心2022-4-252022-4-257272n點(diǎn)開(kāi)第三個(gè)錯(cuò)誤，下面顯示了詳細(xì)的incorrect nets 的信息。LAYOUT 中兩條net 對(duì)應(yīng)著電路圖中的一條net ,表示layout 中有一處Open Circuit 開(kāi)路錯(cuò)誤。 或者是電路圖中有一處Short Circuits 短路錯(cuò)誤。 2006 2006 微電子中心微電子中心2022-4-252022-4-257373 2006 2006 微電子中心微電子中心2022-4-252022-4-257474n版圖上a1 和a2 是兩條net ,而在電路圖上兩條線(xiàn)連了起來(lái)，修正后如右圖所示。 2006 2006 微電

46、子中心微電子中心2022-4-252022-4-257575nRVE 顯示property 參數(shù)錯(cuò)誤，mos管的寬度不匹配。n雙擊LAYOUT 下邊的X89/X8422/M0 ,在版圖中高亮這個(gè)晶體管。n電路圖中multiplier 參數(shù)錯(cuò)誤。nProperty 錯(cuò)誤 2006 2006 微電子中心微電子中心2022-4-252022-4-257676nRVE 顯示port 錯(cuò)誤，在下面可以看到，layout 中的port DOUT 在source 中對(duì)應(yīng)著DOUT_E ,把名字改過(guò)來(lái)即可。nPort 錯(cuò)誤 2006 2006 微電子中心微電子中心2022-4-252022-4-257777n

47、Instance 錯(cuò)誤n從版圖中可以看到M_133一端接VD33，所以其model name 應(yīng)該填PD，然后在導(dǎo)出的spice網(wǎng)表中再改為P33即可。 2006 2006 微電子中心微電子中心2022-4-252022-4-257878n從右面三張圖上可以看到，M_130_133 上的bulk一端，layout與source上不一致，將電路圖上的bulk node connection 的值改為與版圖一致的VD33 即可。 2006 2006 微電子中心微電子中心2022-4-252022-4-257979How to read Calibre lvs reportnLvs中Input和Ou

48、tput的信息：n該部分主要記錄calibre中的一些信息，例如layout，netlist，report file，運(yùn)行時(shí)間以及calibre的版本信息。 2006 2006 微電子中心微電子中心2022-4-252022-4-258080nLvs是否匹配最明顯的標(biāo)志：NOT COMPARED, CORRECT 和 INCORRECTnNOT COMPARED: lvs沒(méi)有完成，會(huì)有Error信息出現(xiàn)在report file的開(kāi)頭，提示為什么lvs沒(méi)有進(jìn)行，一般是lvs文件中input的信息不對(duì)；nCORRECT：layout與netlist匹配；nINCORRECT: layout與netlist不匹配，有error信息提示，表示具體不匹配的原因； 2006 2006 微電子中心微電子中心2022-4-252022-4-258181nLVS PARAMETERS部分：這部