《電磁場(chǎng)與電磁波》(第4版)謝處方第六章 均勻平面波的反射與透射

1、第6 6章 均勻平面波的反射與透射電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波1-72第6 6章 均勻平面波的反射與透射電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波2-72 討論內(nèi)容討論內(nèi)容 6.1 均勻平面波對(duì)分界面的垂直入射均勻平面波對(duì)分界面的垂直入射 6.2 均勻平面波對(duì)多層介質(zhì)分界平面的垂直入射均勻平面波對(duì)多層介質(zhì)分界平面的垂直入射 6.3 均勻平面波對(duì)理想介質(zhì)分界平面的斜入射均勻平面波對(duì)理想介質(zhì)分界平面的斜入射 6.4 均勻平面波對(duì)理想導(dǎo)體表面的斜入射均勻平面波對(duì)理想導(dǎo)體表面的斜入射第6 6章 均勻平面波的反射與透射電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波3-72邊界條件邊界條件入射波（已知）反射波（未知）入射波（已知）反射波

2、（未知） 透射波（未知）透射波（未知） 現(xiàn)象現(xiàn)象：電磁波入射到不同媒質(zhì)電磁波入射到不同媒質(zhì) 分界面上時(shí)，一部分波分界面上時(shí)，一部分波 被分界面反射，一部分被分界面反射，一部分 波透過(guò)分界波透過(guò)分界 面面。均勻平面波垂直入射到兩種不同媒均勻平面波垂直入射到兩種不同媒質(zhì)的分界平面質(zhì)的分界平面 入入射射波波 反反射射波波 介介質(zhì)質(zhì)分分界界面面 iE ik rE iH rH rk o z y x 媒媒質(zhì)質(zhì) 1 媒媒質(zhì)質(zhì) 2 tE tH tk 透透射射波波 入射方式入射方式：垂直入射、斜入射；垂直入射、斜入射； 媒質(zhì)類型媒質(zhì)類型： 理想導(dǎo)體、理想介質(zhì)、導(dǎo)電媒質(zhì)理想導(dǎo)體、理想介質(zhì)、導(dǎo)電媒質(zhì) 分析方法分析方

3、法：第6 6章 均勻平面波的反射與透射電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波4-72 6.1 均勻平面波對(duì)分界平面的垂直入射均勻平面波對(duì)分界平面的垂直入射 6.1.1 對(duì)導(dǎo)電媒質(zhì)分界面的垂直入射對(duì)導(dǎo)電媒質(zhì)分界面的垂直入射111、222、 沿沿x方向極化的均勻平面波從方向極化的均勻平面波從 媒質(zhì)媒質(zhì)1 垂直入射到與導(dǎo)電媒質(zhì)垂直入射到與導(dǎo)電媒質(zhì) 2 的分界平面上。的分界平面上。 z 0中，導(dǎo)電媒質(zhì)中，導(dǎo)電媒質(zhì) 2 的參數(shù)為的參數(shù)為zx媒質(zhì)媒質(zhì)1 1：媒質(zhì)媒質(zhì)2 2：111,222,yiEiHikrErHrktEtHtk第6 6章 均勻平面波的反射與透射電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波5-7211c11c1 21

4、111jjj(1j)k 1 21111c1c111 2111(1j)(1j)媒質(zhì)媒質(zhì)1中的入射波：中的入射波：11iimimi1c( )e( )ezxzyEze EEHze媒質(zhì)媒質(zhì)1中的反射波中的反射波：11rrmrmr1c( )e( )ezxzyEze EEHze 媒質(zhì)媒質(zhì)1中的合成波中的合成波：11111irimrmrmim1ir1c1c( )( )( )ee( )( )( )eezzxxzzyyEzEzEze Ee EEEHzHzHzee第6 6章 均勻平面波的反射與透射電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波6-72媒質(zhì)媒質(zhì)2中的透射波中的透射波：1 2222c22c222jjj(1j)k 1 2

5、1 222222c22c222(1j)(1j)22tmttmt2c( )e,( )ezzxyEEze EHze在分界面在分界面z = 0 上，電場(chǎng)強(qiáng)度和磁場(chǎng)強(qiáng)度切向分量連續(xù)，即上，電場(chǎng)強(qiáng)度和磁場(chǎng)強(qiáng)度切向分量連續(xù)，即)0()0()0()0(2121HHEEimrmtmimrmtm1c2c11()EEEEEE第6 6章 均勻平面波的反射與透射電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波7-72 定義分界面上的定義分界面上的反射系數(shù)反射系數(shù)為反射波電場(chǎng)的振幅與入射波電為反射波電場(chǎng)的振幅與入射波電場(chǎng)振幅之比、場(chǎng)振幅之比、透射系數(shù)透射系數(shù)為為透射波電場(chǎng)的振幅與入射波電場(chǎng)振幅透射波電場(chǎng)的振幅與入射波電場(chǎng)振幅之比，則之比，

6、則21221212,imrmtmimrmtm1c2c11()EEEEEEtm2cim2c1c2EE2c1crmim2c1cEE 討論：討論：1 和和 是復(fù)數(shù)，表明反射波和透射波的振幅和相位與入射波是復(fù)數(shù)，表明反射波和透射波的振幅和相位與入射波 都不同。都不同。01、 若兩種媒質(zhì)均為理想介質(zhì)，即若兩種媒質(zhì)均為理想介質(zhì)，即1= 2= 0，則得到，則得到 若媒質(zhì)若媒質(zhì)2為理想導(dǎo)體，即為理想導(dǎo)體，即2 = ，則，則 ，故有，故有2c0第6 6章 均勻平面波的反射與透射電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波8-72rmimEE 6.1.2 對(duì)理想導(dǎo)體表面的垂直入射對(duì)理想導(dǎo)體表面的垂直入射x媒質(zhì)媒質(zhì)1 1：媒質(zhì)媒質(zhì)

7、2 2：111,2zz = 0yiEiHikrErHrk媒質(zhì)媒質(zhì)1為理想介質(zhì)，為理想介質(zhì)，10媒質(zhì)媒質(zhì)2為理想導(dǎo)體，為理想導(dǎo)體，2故故01、媒質(zhì)媒質(zhì)1中的入射波：中的入射波：11jjimiimi1( )e,( )ezzxyEEze EHze媒質(zhì)媒質(zhì)1中的反射波中的反射波：11jjimrimr1( )e,( )ezzxyEEze EHze 11 1, 111,則則20在分界面上，反射在分界面上，反射波電場(chǎng)與入射波電波電場(chǎng)與入射波電場(chǎng)的相位差為場(chǎng)的相位差為第6 6章 均勻平面波的反射與透射電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波9-721111jj1imim1jjimim1111( )(ee)j2sin()2

8、cos()( )(ee)zzxxzzyyE ze EeEzEEzHzee 媒質(zhì)媒質(zhì)1中合成波的電磁場(chǎng)為中合成波的電磁場(chǎng)為合成波的平均能流密度矢量合成波的平均能流密度矢量*im1av11im112cos()11ReRej2sin()022xyEzSEHeEzej11im1jim1111( , )Re( )e2sin()sin()2( , )Re( )ecos()cos()txtyE z tE zeEztEHz tHzezt瞬時(shí)值形式瞬時(shí)值形式im1imn100112cos()2( )|SzzyzxEzEJeH zeee 理想導(dǎo)體表面上的感應(yīng)電流理想導(dǎo)體表面上的感應(yīng)電流第6 6章 均勻平面波的反射

9、與透射電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波10-72im2*111111411Re( )( )Resincos022avzESE zHze jzz 媒質(zhì)媒質(zhì)1中合成波的平均坡印廷矢量中合成波的平均坡印廷矢量1111jj1imim1jjimim1111( )(ee)j2sin()2cos()( )(ee)zzxxzzyyE ze EeEzEEzHzee 不發(fā)生能量的傳播不發(fā)生能量的傳播第6 6章 均勻平面波的反射與透射電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波11-72 合成波的特點(diǎn)合成波的特點(diǎn)1minzn 1min2nz 1max(21)4nz (n = 0,1,2,3,) (n = 0 ,1,2,3, ) 媒質(zhì)媒

10、質(zhì)1中的合成波是駐波。中的合成波是駐波。 電場(chǎng)振幅的最大值為電場(chǎng)振幅的最大值為2Eim， 最小值為最小值為0 ；磁場(chǎng)振幅的最；磁場(chǎng)振幅的最 大值為大值為2Eim /1，最小值也，最小值也 為為0。1( ) zE 電場(chǎng)波節(jié)點(diǎn)（電場(chǎng)波節(jié)點(diǎn)（ 的最小值的位置）的最小值的位置） 電場(chǎng)波腹點(diǎn)（電場(chǎng)波腹點(diǎn)（ 的最大值的位置）的最大值的位置）1( )E z1 min(21)/2zn 第6 6章 均勻平面波的反射與透射電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波12-72 坡印廷矢量的平均值為零，不坡印廷矢量的平均值為零，不 發(fā)生能量傳輸過(guò)程，僅在兩個(gè)發(fā)生能量傳輸過(guò)程，僅在兩個(gè) 波節(jié)間進(jìn)行電場(chǎng)能量和磁場(chǎng)能波節(jié)間進(jìn)行電場(chǎng)能量和

11、磁場(chǎng)能 的交換。的交換。 在時(shí)間上在時(shí)間上有有/ 2 的相移。的相移。 11EH、 在空間上錯(cuò)開(kāi)在空間上錯(cuò)開(kāi)/ 4，電，電 場(chǎng)場(chǎng)的波腹（節(jié)）點(diǎn)正好是磁場(chǎng)的波腹（節(jié)）點(diǎn)正好是磁場(chǎng) 的波節(jié)腹）點(diǎn)。的波節(jié)腹）點(diǎn)。11EH、 兩相鄰波節(jié)點(diǎn)之間任意兩點(diǎn)兩相鄰波節(jié)點(diǎn)之間任意兩點(diǎn) 的電場(chǎng)同相。同一波節(jié)點(diǎn)兩的電場(chǎng)同相。同一波節(jié)點(diǎn)兩 側(cè)的電場(chǎng)反相。側(cè)的電場(chǎng)反相。第6 6章 均勻平面波的反射與透射電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波13-72 例例6.1.1 一均勻平面波沿一均勻平面波沿+ +z 方向傳播，其電場(chǎng)強(qiáng)度矢量為方向傳播，其電場(chǎng)強(qiáng)度矢量為i100sin()200cos() V/mxyEetzetz 解解：(1)

12、 (1) 電場(chǎng)強(qiáng)度的復(fù)數(shù)表示電場(chǎng)強(qiáng)度的復(fù)數(shù)表示 jj/2ji100ee200ezzxyEee（1）求相伴的磁場(chǎng)強(qiáng)度）求相伴的磁場(chǎng)強(qiáng)度 ；（2）若在傳播方向上）若在傳播方向上z = 0處，放置一無(wú)限大的理想導(dǎo)體平板，處，放置一無(wú)限大的理想導(dǎo)體平板， 求區(qū)域求區(qū)域 z 0 中的電場(chǎng)強(qiáng)度中的電場(chǎng)強(qiáng)度 和磁場(chǎng)強(qiáng)度和磁場(chǎng)強(qiáng)度 ；（3）求理想導(dǎo)體板表面的電流密度。）求理想導(dǎo)體板表面的電流密度。jjj/2ii0011( )(200e100ee)zzzxyH zeEee則則 第6 6章 均勻平面波的反射與透射電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波14-72寫(xiě)成瞬時(shí)表達(dá)式寫(xiě)成瞬時(shí)表達(dá)式 (2) 反射波的電場(chǎng)為反射波的電場(chǎng)

13、為 jii0( , )Re( )e11200cos()100cos()2txyH z tH zetzetz反射波的磁場(chǎng)為反射波的磁場(chǎng)為jj / 2jr( )100ee200ezzxyEzee jjj/2rr0011( )()(200e100ee)zzzxyHzeEee第6 6章 均勻平面波的反射與透射電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波15-72j/21irj/21ir0j200esin()j400sin()1400cos()200ecos()xyxyEEEezezHHHezez j/200200400ej0.531.06xyxyeeee 在區(qū)域在區(qū)域 z 1時(shí)，時(shí)， 0，反射波電場(chǎng)與入射波電場(chǎng)同相。

14、反射波電場(chǎng)與入射波電場(chǎng)同相。 當(dāng)當(dāng)2 1時(shí)，時(shí)， 0）當(dāng)當(dāng)21z =2n,即即 z =n1/ 2 時(shí)，有時(shí)，有(0,1,2,)n 當(dāng)當(dāng)21z =(2n1),即即z =(2n+1)1 /4 時(shí)，有時(shí)，有(0,1,2,)n 第6 6章 均勻平面波的反射與透射電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波20-721j221imim1( )1e12cos(2)zE zEEz1immin( )1E zE1immax( )1E zE 合成波電場(chǎng)振幅合成波電場(chǎng)振幅（ 0）2/1 1 2/31 12 2/51 41431451491471 合成波電合成波電 場(chǎng)振幅場(chǎng)振幅 合成波電合成波電 場(chǎng)場(chǎng)z當(dāng)當(dāng)21z =2n,即即 z

15、=n1/ 2 時(shí)，有時(shí)，有(0,1,2,)n 當(dāng)當(dāng)21z =(2n1)，即，即z =-(2n+1)1 /4 時(shí)，有時(shí)，有(0,1,2,)n 第6 6章 均勻平面波的反射與透射電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波21-72 駐波系數(shù)駐波系數(shù) S 定義為駐波的電場(chǎng)強(qiáng)度振幅的最大值與最小值之定義為駐波的電場(chǎng)強(qiáng)度振幅的最大值與最小值之比，即比，即11SS駐波系數(shù)駐波系數(shù)(駐波比駐波比) Smaxmin11ESE 討論討論 當(dāng)當(dāng)0 時(shí)，時(shí)，S 1，為行波。，為行波。 當(dāng)當(dāng)1 時(shí)，時(shí)，S = ，是純駐波。是純駐波。 當(dāng)當(dāng) 時(shí)，時(shí)，1 S ，為混合波。，為混合波。S 越大，駐波分量越大，駐波分量 越越 大，行波分量

16、越小；大，行波分量越?。?1第6 6章 均勻平面波的反射與透射電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波22-72媒質(zhì)媒質(zhì)2中的平均功率密度中的平均功率密度媒質(zhì)媒質(zhì)1中沿中沿 z 方向傳播的平均功率密度方向傳播的平均功率密度*2iaviiim111Re22zSEHeE 電磁能流密度電磁能流密度22121(1)(1)由由1av2avSS入射波平均功率入射波平均功率密度減去反射波密度減去反射波平均功率密度平均功率密度*22ravrrim111Re22zSEHeE 2*2im1av1111Re(1)22zESEHe2*2im2av2221Re22zESEHe第6 6章 均勻平面波的反射與透射電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與

17、電磁波23-72 例例6.1.2 在自由空間，一均勻平面波垂直入射到半無(wú)限大的在自由空間，一均勻平面波垂直入射到半無(wú)限大的無(wú)耗介質(zhì)平面上，已知自由空間中，合成波的駐波比為無(wú)耗介質(zhì)平面上，已知自由空間中，合成波的駐波比為3，介質(zhì)內(nèi)，介質(zhì)內(nèi)傳輸波的波長(zhǎng)是自由空間波長(zhǎng)的傳輸波的波長(zhǎng)是自由空間波長(zhǎng)的1/6，且分界面上為駐波電場(chǎng)的最，且分界面上為駐波電場(chǎng)的最小點(diǎn)。求介質(zhì)的相對(duì)磁導(dǎo)率和相對(duì)介電常數(shù)。小點(diǎn)。求介質(zhì)的相對(duì)磁導(dǎo)率和相對(duì)介電常數(shù)。131S解解：因?yàn)轳v波比因?yàn)轳v波比由于界面上是駐波電場(chǎng)的最小點(diǎn)，故由于界面上是駐波電場(chǎng)的最小點(diǎn)，故6002rr又因?yàn)橛忠驗(yàn)?區(qū)的波長(zhǎng)區(qū)的波長(zhǎng)12 2121而反射系數(shù)而反射

18、系數(shù)10,2202rr式中式中1291rr36rr02312r18r第6 6章 均勻平面波的反射與透射電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波24-72 例例6.1.3 入射波電場(chǎng)入射波電場(chǎng) ，從空，從空氣（氣（z 0區(qū)域中，區(qū)域中，r=1 、r = 4 。求區(qū)域。求區(qū)域 z 0的電場(chǎng)和磁場(chǎng)的電場(chǎng)和磁場(chǎng) 。 9i100cos(31010 ) V/mxEetz 解解：z 0 區(qū)域的本征阻抗區(qū)域的本征阻抗 2r2202r212060 2透射系數(shù)透射系數(shù) 21222 600.66712060媒質(zhì)媒質(zhì)1媒質(zhì)媒質(zhì)20,1110,222zxyiEiHikrErHrktEtHtk第6 6章 均勻平面波的反射與透射電磁場(chǎng)

19、與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波25-72相位常數(shù)相位常數(shù) 故故 922200r283 10220 rad/m3 10 22m2im299cos()cos()0.667 10cos(3 1020 )6.67cos(3 1020 ) V/mxxxxEe EtzeEtzetzetz2229916.67cos(3 1020 )600.036cos(3 1020 ) A/mzyyHeEetzetz第6 6章 均勻平面波的反射與透射電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波26-72 例例 6.1.4 已知媒質(zhì)已知媒質(zhì)1的的r1=4、r1=1、1=0 ； 媒質(zhì)媒質(zhì)2 的的r2=10、r2 = 4、2= 0 。角頻率。角頻率51

20、08 rad /s 的均勻平面波從媒質(zhì)的均勻平面波從媒質(zhì)1垂垂直入射到分界面上，設(shè)入射波是沿直入射到分界面上，設(shè)入射波是沿 x 軸方向的線極化波，在軸方向的線極化波，在t0、z0 時(shí)，入射波電場(chǎng)的振幅為時(shí)，入射波電場(chǎng)的振幅為2.4 V/m 。求：。求： (1) 1和和2 ； (2) 反射系數(shù)反射系數(shù)1 和和2 ； (3) 1區(qū)的電場(chǎng)區(qū)的電場(chǎng) ； (4) 2區(qū)的電場(chǎng)區(qū)的電場(chǎng) 。),(1tzE),(2tzE解解:（1） 811 100r1r185 1023.33 rad/m3 10 8200r2r285 1010 410.54 rad/m3 10 第6 6章 均勻平面波的反射與透射電磁場(chǎng)與電磁波電

21、磁場(chǎng)與電磁波27-721r11001r1160 22r22002r2475.9 10117. 09 .7560609 .751212（2 2） （3 3） 1 1區(qū)的電場(chǎng)區(qū)的電場(chǎng)111jj1irimjim1j3.33( )( )( )(ee)(1)ej2sin()2.41.117ej0.234sin(3.33 )zzxzxzxE zE zE ze Ee Ezez第6 6章 均勻平面波的反射與透射電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波28-72（4）22jj2tmim( )eezzxxEze EeE故故 12. 1221282( , )2.68cos(5 1010.54 )xEz tetz或或 j3.33

22、j3.331ir( )( )( )2.4e0.281ezzxxE zE zE zeej1188( , )Re( )e2.4cos(5 103.33 )0.281cos(5 103.33 )txxE z tE zetzetzj10.54j10.541.12 2.4e2.68ezzxxee第6 6章 均勻平面波的反射與透射電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波29-72 電磁波在多層介質(zhì)中的傳播具有普遍的實(shí)際意義。電磁波在多層介質(zhì)中的傳播具有普遍的實(shí)際意義。 以三種介質(zhì)形成的多層媒質(zhì)為例，說(shuō)明平面波在多層媒質(zhì)中以三種介質(zhì)形成的多層媒質(zhì)為例，說(shuō)明平面波在多層媒質(zhì)中的傳播過(guò)程及其求解方法。的傳播過(guò)程及其求解方法

23、。 如圖所示，當(dāng)平面波自媒質(zhì)如圖所示，當(dāng)平面波自媒質(zhì)向分界面垂直入射時(shí)，在媒質(zhì)向分界面垂直入射時(shí)，在媒質(zhì)和之間的分界面上發(fā)生反射和之間的分界面上發(fā)生反射和透射。當(dāng)透射波到達(dá)媒質(zhì)和和透射。當(dāng)透射波到達(dá)媒質(zhì)和的分界面時(shí)，又發(fā)生反射與透的分界面時(shí)，又發(fā)生反射與透射，而且此分界面上的反射波回射，而且此分界面上的反射波回到到媒質(zhì)和的分界面上媒質(zhì)和的分界面上時(shí)再次時(shí)再次發(fā)生反射與透射。發(fā)生反射與透射。由此可見(jiàn)，在兩個(gè)分界面上發(fā)生多次反射與透射現(xiàn)象。由此可見(jiàn)，在兩個(gè)分界面上發(fā)生多次反射與透射現(xiàn)象。6.2 均勻平面波對(duì)多層介質(zhì)分界平面的垂直入射均勻平面波對(duì)多層介質(zhì)分界平面的垂直入射 Odz 1, 1k1iH1

24、iE1ik1rH2iE2ik2iE1rH1rk2rE2rH2rk3tH3tE3t 2, 2 3, 3x界面界面1 1界面界面2 2第6 6章 均勻平面波的反射與透射電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波30-72 媒質(zhì)和中存在兩種平面波，其一是向正媒質(zhì)和中存在兩種平面波，其一是向正z 方向傳播的波，方向傳播的波，另一是向負(fù)另一是向負(fù)z 方向傳播的波，在媒質(zhì)中僅存在向正方向傳播的波，在媒質(zhì)中僅存在向正z 方向傳播的方向傳播的波波 。因此，各個(gè)媒質(zhì)中的電場(chǎng)和磁場(chǎng)強(qiáng)度可以分別表示為。因此，各個(gè)媒質(zhì)中的電場(chǎng)和磁場(chǎng)強(qiáng)度可以分別表示為 1. 1. 多層介質(zhì)中的場(chǎng)量關(guān)系與等效波阻抗多層介質(zhì)中的場(chǎng)量關(guān)系與等效波阻抗 1

25、11111jjjj11im1rm1im1jj1im111( )(ee)(ee)( )(ee)zzzzxxzzyE ze EEe EEH ze222222j()j()j()j()22im2rm11im2j()j()11im222( )eeee( )eez dz dz dz dxxz dz dyEze EEeEEHze333j()j()33tm1 21imj()1 21im33( )ee( )ez dz dxxz dyE ze EeEEHze 1rm11imEE2im11imEE2rm22imEE3tm22imEE第6 6章 均勻平面波的反射與透射電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波31-7222jj11

26、2121(1)eedd3222)1 (122jj1121eedd221根據(jù)根據(jù)邊界條件，在邊界條件，在分界面分界面z = d上 ， 得得)()()()(3232dHdHdEdE、在在分界面分界面z = 0 上，上， ，得，得)0()0()0()0(2121HHEE、,2323223322ef11ef1,2211jj21eedd其中：其中：2222jj3222ef22jj2232jtan()eeeejtan()dddddd等效波阻抗等效波阻抗第6 6章 均勻平面波的反射與透射電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波 媒質(zhì)媒質(zhì)2和媒質(zhì)和媒質(zhì)3對(duì)對(duì)z=0處的反射系數(shù)的影響可以用一種等處的反射系數(shù)的影響可以用一種

27、等效媒質(zhì)來(lái)代替，此等效媒質(zhì)的本征阻抗即為等效阻抗效媒質(zhì)來(lái)代替，此等效媒質(zhì)的本征阻抗即為等效阻抗32-72Odz 1, 1k1iH1iE1ik1rH2iE2ik2iE1rH1rk2rE2rH2rk3tH3tE3t 2, 2 3, 3x界面界面1 1界面界面2 2ef11ef1ef第6 6章 均勻平面波的反射與透射電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波33-72 引入等效波阻抗以后，在計(jì)算第一層媒質(zhì)分界面上的反射系引入等效波阻抗以后，在計(jì)算第一層媒質(zhì)分界面上的反射系數(shù)數(shù) 時(shí)時(shí) ，第二層媒質(zhì)和第三層媒質(zhì)可以看作等效波阻抗為，第二層媒質(zhì)和第三層媒質(zhì)可以看作等效波阻抗為 的的一種媒質(zhì)。一種媒質(zhì)。ef1Odz 1,

28、 1k1iH1iE1ik1rH2iE2ik2iE1rH1rk2rE2rH2rk3tH3tE3t 2, 2 3, 3x界面界面1 1界面界面2 2Oz 1, 1k1iH1iE1ik1rH2E2k2E1rH1r efx界面界面1 1第6 6章 均勻平面波的反射與透射電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波34-72 利用等效波阻抗計(jì)算利用等效波阻抗計(jì)算n 層媒質(zhì)的第一條邊界上的總反射系數(shù)層媒質(zhì)的第一條邊界上的總反射系數(shù)時(shí)，首先求出第時(shí)，首先求出第 (n2) 條分界面處的等效波阻抗條分界面處的等效波阻抗(n-2)ef ，然后用，然后用波阻抗為波阻抗為(n-2)ef 的媒質(zhì)代替第的媒質(zhì)代替第(n1) 層及第層及第

29、 n 層媒質(zhì)。層媒質(zhì)。 依次類推，自右向左逐一計(jì)算各條分界面處的等效波阻抗，直依次類推，自右向左逐一計(jì)算各條分界面處的等效波阻抗，直至求得第一條邊界處的等效波阻抗后，即可計(jì)算總反射系數(shù)。至求得第一條邊界處的等效波阻抗后，即可計(jì)算總反射系數(shù)。123(n-2)ef(3)(2)(1)(n-3)12ef(1)123(n-2)(n-1)n(n-2) (n-1)(3)(2)(1)(n-3)123(n-2)(n-1)ef(n-2)(3)(2)(1)(n-3)第6 6章 均勻平面波的反射與透射電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波35-72 設(shè)兩種理想介質(zhì)的波阻抗分別為設(shè)兩種理想介質(zhì)的波阻抗分別為1 與與3 ，為了消除

30、分界面，為了消除分界面的反射，可在兩種理想介質(zhì)中間插入厚度為四分之一波長(zhǎng)（該的反射，可在兩種理想介質(zhì)中間插入厚度為四分之一波長(zhǎng)（該波長(zhǎng)是指平面波在夾層中的波長(zhǎng)）的理想介質(zhì)夾層，波長(zhǎng)是指平面波在夾層中的波長(zhǎng)）的理想介質(zhì)夾層，如圖所示。如圖所示。 首先求出第一個(gè)分界面上的等效波首先求出第一個(gè)分界面上的等效波阻抗。考慮到阻抗?？紤]到24d1232422d為了消除反射，必須要求為了消除反射，必須要求 ，那么由上式得，那么由上式得ef121 3 2. 四分之一波長(zhǎng)匹配層四分之一波長(zhǎng)匹配層221323222ef22323jtan()jtan()dd第6 6章 均勻平面波的反射與透射電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電

31、磁波36-72同時(shí)，同時(shí)， 3. 半波長(zhǎng)介質(zhì)窗半波長(zhǎng)介質(zhì)窗 2222tan()tan()tan02d322ef231232jtan()jtan()ddef11ef102211jj2211ee1dd 1 21 3tm1imEE 312/2d 如果介質(zhì)如果介質(zhì)1和介質(zhì)和介質(zhì)3是相同的介質(zhì)，即是相同的介質(zhì)，即 ，當(dāng)介質(zhì)，當(dāng)介質(zhì)2的厚的厚度度 時(shí)，有時(shí)，有由此得到介質(zhì)由此得到介質(zhì)1與介質(zhì)與介質(zhì)2的分界面上的反射系數(shù)的分界面上的反射系數(shù)2/2d2d結(jié)論結(jié)論：電磁波可以無(wú)損耗地通過(guò)厚度為：電磁波可以無(wú)損耗地通過(guò)厚度為 的介質(zhì)層。因此，這的介質(zhì)層。因此，這 種厚度種厚度 的介質(zhì)層又稱為半波長(zhǎng)介質(zhì)窗。的介質(zhì)層

32、又稱為半波長(zhǎng)介質(zhì)窗。22d第6 6章 均勻平面波的反射與透射電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波37-72 此外，如果夾層媒質(zhì)的相對(duì)介電常數(shù)等于相對(duì)磁導(dǎo)率，即此外，如果夾層媒質(zhì)的相對(duì)介電常數(shù)等于相對(duì)磁導(dǎo)率，即 r = r ，那么，夾層媒質(zhì)的波阻抗等于真空的波阻抗。，那么，夾層媒質(zhì)的波阻抗等于真空的波阻抗。 由此可見(jiàn)，若使用這種媒質(zhì)制成保護(hù)天線的天線罩，其電由此可見(jiàn)，若使用這種媒質(zhì)制成保護(hù)天線的天線罩，其電磁特性十分優(yōu)越。但是，普通媒質(zhì)的磁導(dǎo)率很難與介電常數(shù)達(dá)磁特性十分優(yōu)越。但是，普通媒質(zhì)的磁導(dǎo)率很難與介電常數(shù)達(dá)到同一數(shù)量級(jí)。近來(lái)研發(fā)的新型磁性材料可以接近這種需求。到同一數(shù)量級(jí)。近來(lái)研發(fā)的新型磁性材料可

33、以接近這種需求。 當(dāng)這種夾層置于空氣中，平面波向其表面正投射時(shí)，無(wú)論夾當(dāng)這種夾層置于空氣中，平面波向其表面正投射時(shí)，無(wú)論夾層的厚度如何，反射現(xiàn)象均不可能發(fā)生。換言之，這種媒質(zhì)對(duì)于層的厚度如何，反射現(xiàn)象均不可能發(fā)生。換言之，這種媒質(zhì)對(duì)于電磁波似乎是完全電磁波似乎是完全“透明透明”的。的。應(yīng)用：應(yīng)用：雷達(dá)天線罩的設(shè)計(jì)就利用了這個(gè)原理。為了使雷達(dá)天線免雷達(dá)天線罩的設(shè)計(jì)就利用了這個(gè)原理。為了使雷達(dá)天線免受惡劣環(huán)境的影響，通常用天線罩將天線保護(hù)起來(lái)，若天線罩的受惡劣環(huán)境的影響，通常用天線罩將天線保護(hù)起來(lái)，若天線罩的介質(zhì)層厚度設(shè)計(jì)為該介質(zhì)中的電磁波的半個(gè)波長(zhǎng)，就可以消除天介質(zhì)層厚度設(shè)計(jì)為該介質(zhì)中的電磁波的

34、半個(gè)波長(zhǎng)，就可以消除天線罩對(duì)電磁波的反射。線罩對(duì)電磁波的反射。 第6 6章 均勻平面波的反射與透射電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波38-726.3 均勻平面波對(duì)理想介質(zhì)分界平面的斜入射均勻平面波對(duì)理想介質(zhì)分界平面的斜入射 當(dāng)平面波以任意角度入當(dāng)平面波以任意角度入射到兩種介質(zhì)分界面上，同射到兩種介質(zhì)分界面上，同樣會(huì)發(fā)生反射與透射現(xiàn)象，樣會(huì)發(fā)生反射與透射現(xiàn)象，而且通常透射波的方向與入而且通常透射波的方向與入射波不同，其傳播方向發(fā)生射波不同，其傳播方向發(fā)生彎折。因此，這種透射波又彎折。因此，這種透射波又稱為折射波。稱為折射波。入射面入射面：入射線與邊界面法線構(gòu)成的平面：入射線與邊界面法線構(gòu)成的平面反射角

35、反射角r ：反射線與邊界面法線之間的夾角反射線與邊界面法線之間的夾角入射角入射角i ：入射線與邊界面法線之間的夾角：入射線與邊界面法線之間的夾角折射角折射角t ：折射線與邊界面法線之間的夾角：折射線與邊界面法線之間的夾角均勻平面波對(duì)理想介質(zhì)分界面的斜入射均勻平面波對(duì)理想介質(zhì)分界面的斜入射 iqrqtqzxyiE/iEiE入射波入射波 反射波反射波 透射波透射波 分界面分界面 入射面入射面 /rErErEtEtE/tEikrktk第6 6章 均勻平面波的反射與透射電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波 如果入射波的電場(chǎng)垂直于入射平面，則稱為垂直極化波介質(zhì)介質(zhì) 1介質(zhì)介質(zhì) 2zxiEiHierHrEretH

36、tEte入射波入射波反射波反射波透射波透射波rqiqtqO介質(zhì)介質(zhì) 1介質(zhì)介質(zhì) 2zxiEiHierHrEretHtEte入射波入射波反射波反射波透射波透射波rqiqtqO介質(zhì)介質(zhì) 1介質(zhì)介質(zhì) 2ziEiHierHrEretHtEte入射波入射波反射波反射波透射波透射波rqiqtqxO 如果入射波的電場(chǎng)平行于入射平面，則稱為平行極化波第6 6章 均勻平面波的反射與透射電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波40-72設(shè)入射面位于設(shè)入射面位于 x oz 平面內(nèi)，則入射波的電場(chǎng)強(qiáng)度可以表示為平面內(nèi)，則入射波的電場(chǎng)強(qiáng)度可以表示為1iij(sincos)iim( )ekxzErEqq1rrj( sincos)rr

37、m( )e,kxzE rEqq2ttj( sincos)ttm( )ekxzE rEqq反射波及折射波電場(chǎng)分別為反射波及折射波電場(chǎng)分別為 6.3.1 反射定律與折射定律反射定律與折射定律由于分界面由于分界面 ( z = 0 ) 上電場(chǎng)切向分量連續(xù)，得上電場(chǎng)切向分量連續(xù)，得 2t1i1rjsinjsinjsinimrmtmeeek xk xk xzzeEEeEqqq上述等式對(duì)于任意上述等式對(duì)于任意 x 均應(yīng)成立，因此各項(xiàng)指數(shù)中對(duì)應(yīng)的系數(shù)應(yīng)該均應(yīng)成立，因此各項(xiàng)指數(shù)中對(duì)應(yīng)的系數(shù)應(yīng)該相等，即相等，即1i1r2tsinsinsinkkkqqq 此式表明反射波及透射波的相位沿分界面的變化始終與入射此式表明

38、反射波及透射波的相位沿分界面的變化始終與入射波保持一致。因此，該式又稱為分界面上的波保持一致。因此，該式又稱為分界面上的相位匹配條件相位匹配條件。 第6 6章 均勻平面波的反射與透射電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波41-72 折射角折射角 q t 與入射角與入射角 q i 的關(guān)系的關(guān)系 （斯耐爾折射定律斯耐爾折射定律）i2t1sinsinkkqq式中式中 ， 。111k222k由由1i1rsinsinkkqq，得，得 riqq 反射角反射角q r 等于入射角等于入射角q i （斯耐爾反射定律斯耐爾反射定律）由由1i2tsinsinkkqq，得，得 斯耐爾定律描述了電磁波的反射和折射規(guī)律，具有廣泛應(yīng)

39、用。斯耐爾定律描述了電磁波的反射和折射規(guī)律，具有廣泛應(yīng)用。上述兩條結(jié)論總稱為斯耐爾定律。上述兩條結(jié)論總稱為斯耐爾定律。第6 6章 均勻平面波的反射與透射電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波42-72 斜入射時(shí)的反射系數(shù)及折射斜入射時(shí)的反射系數(shù)及折射系數(shù)與平面波的極化特性有關(guān)。系數(shù)與平面波的極化特性有關(guān)。6.3.2 反射系數(shù)與折射系數(shù)反射系數(shù)與折射系數(shù)任意極化波平行極化波垂直極化波任意極化波平行極化波垂直極化波 定義定義（如圖所示（如圖所示) ) 平行極化波平行極化波:電場(chǎng)方向與入電場(chǎng)方向與入 射面平行的平面波射面平行的平面波。 垂直極化波垂直極化波:電場(chǎng)方向與入電場(chǎng)方向與入 射面垂直的平面波射面垂直的

40、平面波；均勻平面波對(duì)理想介質(zhì)分界面的斜入射均勻平面波對(duì)理想介質(zhì)分界面的斜入射 iqrqtqzxyiE/iEiE入射波入射波 反射波反射波 透射波透射波 分界面分界面 入射面入射面 /rErErEtEtE/tEikrktk 根據(jù)邊界條件可推知，無(wú)論平行極化平面波或者垂直極化平根據(jù)邊界條件可推知，無(wú)論平行極化平面波或者垂直極化平面波在平面邊界上被反射和折射時(shí)，極化特性都不會(huì)發(fā)生變化，面波在平面邊界上被反射和折射時(shí)，極化特性都不會(huì)發(fā)生變化，即反射波和折射波與入射波的極化特性相同。即反射波和折射波與入射波的極化特性相同。第6 6章 均勻平面波的反射與透射電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波43-721. 垂直

41、極化波的反射系數(shù)與透射系數(shù)垂直極化波的反射系數(shù)與透射系數(shù)媒質(zhì)媒質(zhì)1 1中的入射波中的入射波：1iij( sincos)iim( )ekxzyE re Eqq1ii1iiiii1j( sincos)iiim1( sincos)imii11( )( )1(sincos)e(sincos)ekxzxzyjkxzzxH reE reee EEeeqqqqqqqqii 111 1iii,sincosxzxyzkekkeeere xe ye z qq由于由于故故介質(zhì)介質(zhì) 1介質(zhì)介質(zhì) 2zxiEiHierHrEretHtEte入射波入射波反射波反射波透射波透射波rqiqtqO第6 6章 均勻平面波的反射與透

42、射電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波44-72媒質(zhì)媒質(zhì)1 1中的反射波中的反射波：r1iijrimj( sincos)im( )eek rykxzyE reEeEqq1ii1iirrr1j( sincos)iiim1j( sincos)imii11( )( )1(sincos)e(sincos)ekxzxzykxzzxHreE reeeEEeeqqqqqqqqrr111 1rii,sincosxzke kkeee qq由于由于故故介質(zhì)介質(zhì) 1介質(zhì)介質(zhì) 2zxiEiHierHrEretHtEte入射波入射波反射波反射波透射波透射波rqiqtqO第6 6章 均勻平面波的反射與透射電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電

43、磁波45-72媒質(zhì)媒質(zhì)1 1中的合成波中的合成波：1ii1ii1i1i1i1irj( sincos)j( sincos)imjcosjcosjsinim( )( )( )ee(ee)ekxzkxzyk zk zk xyE rE rE re Ee Eqqqqqqq1ii1ii1ii1ii1i1i1i1j( sincos)j( sincos)imi1j( sincos)j( sincos)imi1jcosjcosjsinimi1im( )( )( )sineecoseesineeeirkxzkxzzkxzkxzxk zk zk xzxEeEeEeEeqqqqqqqqqqqqqqHrH rHr1i1

44、i1ijcosjcosjsini1coseeek zk zk xqqqq第6 6章 均勻平面波的反射與透射電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波46-72媒質(zhì)媒質(zhì)2中的透射波中的透射波：2tt2tj( sincos)im( )( )ekxzyErE reEqqt2 t222ttt,sincosxzxyzkk ekeeere xe ye z qqt2tt2ttt2jttim2j( sincos)imtt21( )( )( )1(sincos)e(sincos)ek rxzykxzzxHrHreE reeeEEeeqqqqqq故故由于由于介質(zhì)介質(zhì) 1介質(zhì)介質(zhì) 2zxiEiHierHrEretHtEte入射波

45、入射波反射波反射波透射波透射波rqiqtqO第6 6章 均勻平面波的反射與透射電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波47-72分界面上電場(chǎng)強(qiáng)度和磁場(chǎng)強(qiáng)度的切向分量連續(xù)，有分界面上電場(chǎng)強(qiáng)度和磁場(chǎng)強(qiáng)度的切向分量連續(xù)，有)0 ,()0 ,(21xExEyy)0 ,()0 ,(21xHxHxx對(duì)于非磁性介質(zhì)，對(duì)于非磁性介質(zhì)，120 ，則則111ti222, sinsinqq2i1t2i1t2i2i1tcoscoscoscos2coscoscosqqqqqqq2i21i2i21ii2i21icossincossin2coscossinqqqqqqq1ti12coscos(1)qq菲涅爾公式菲涅爾公式第6 6章 均

46、勻平面波的反射與透射電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波48-722. 平行極化波的反射系數(shù)與透射系數(shù)平行極化波的反射系數(shù)與透射系數(shù)ii 1i1 1iii,sincosxzkekeeee qq由于由于1iiiii1j( sincos)im11( )( )ekxzyH reE rEeqq故故1iij( sincos)iiiim( )(sincos)ekxzzxE reeEqqqq 媒質(zhì)媒質(zhì)1中的入射波中的入射波介質(zhì)介質(zhì) 1介質(zhì)介質(zhì) 2ziEiHierHrEretHtEte入射波入射波反射波反射波透射波透射波rqiqtqxO第6 6章 均勻平面波的反射與透射電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波49-721iij(

47、 sincos)rii/im( )(sincos)ekxzzxE reeEqqqq rr111 1rii,sincosxzke kkeee qq由于由于故故rm/imEE1iirrr1j( sincos)/im11( )( )ekxzyHreE rEeqq其中其中 媒質(zhì)媒質(zhì)1中的反射波中的反射波介質(zhì)介質(zhì) 1介質(zhì)介質(zhì) 2ziEiHierHrEretHtEte入射波入射波反射波反射波透射波透射波rqiqtqxO第6 6章 均勻平面波的反射與透射電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波50-721i1i1i1irjcosjcosjsinim/1( )( )( )(ee)ek zk zk xyH rH rH rE

48、eqqq1i1i1i1i1i1i1irjcosjcosjsinimi/jcosjcosjsinimi/( )( )( )sin( ee)ecos( ee)ek zk zk xzk zk zk xxE rE rEre Ee Eqqqqqqqq 媒質(zhì)媒質(zhì)1中的合成波中的合成波第6 6章 均勻平面波的反射與透射電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波51-722tt2ttt2j( sincos)/im21( )( )( )ekxzyHrH reE rEeqqt2t222ttt,sincosxzkk ekeee qq2ttj( sincos)2ttt/im( )( )(sincos)ekxzzxErEreeEqq

49、qq tm/imEE其中其中 媒質(zhì)媒質(zhì)2中的透射波中的透射波介質(zhì)介質(zhì) 1介質(zhì)介質(zhì) 2ziEiHierHrEretHtEte入射波入射波反射波反射波透射波透射波rqiqtqxO第6 6章 均勻平面波的反射與透射電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波52-72分界面上電場(chǎng)強(qiáng)度和磁場(chǎng)強(qiáng)度切向分量連續(xù)，即分界面上電場(chǎng)強(qiáng)度和磁場(chǎng)強(qiáng)度切向分量連續(xù)，即1020( )|( )|xzxzErEr1020( )|( )|yzyzHrHr/1211(1)/i/t(1)coscosqq1i2t/1i2t2i/1i2tcoscoscoscos2coscoscosqqqqqqq111ti222, sinsinqq221i21i/2

50、21i21i21i/221i21i()cos()sin()cos()sin2 () cos()cos()sinqqqqqqq對(duì)于非磁性介質(zhì)，對(duì)于非磁性介質(zhì)，120 ，則則菲涅爾公式菲涅爾公式第6 6章 均勻平面波的反射與透射電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波53-72irqq1i1r2tsinsinsinkkkqqq 小結(jié)小結(jié) 分界面上的分界面上的相位匹配條件相位匹配條件 反射定律反射定律 折射定律折射定律1i2tsinsinnnqq 或或 反射系數(shù)、透射系數(shù)與兩種媒質(zhì)性質(zhì)、入射角大小以及反射系數(shù)、透射系數(shù)與兩種媒質(zhì)性質(zhì)、入射角大小以及 入射波的極化方式有關(guān)，由菲涅爾公式確定。入射波的極化方式有關(guān)，

51、由菲涅爾公式確定。1i2tsinsinkkqq第6 6章 均勻平面波的反射與透射電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波54-721020,2.25,120 布儒斯特角布儒斯特角b ：使平行極化波的反射系數(shù)等于：使平行極化波的反射系數(shù)等于0 的角。的角。垂直極化波垂直極化波/40.20.40.60.81.0/20.0透射系數(shù)透射系數(shù)反射系數(shù)反射系數(shù)平行極化波平行極化波/4/20.20.40.60.81.00.0透射系數(shù)透射系數(shù)反射系數(shù)反射系數(shù)/第6 6章 均勻平面波的反射與透射電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波6.3.3 全反射與全透射全反射與全透射 1. 全反射與臨界角全反射與臨界角問(wèn)題問(wèn)題：電磁波在理想導(dǎo)體

52、表面會(huì)產(chǎn)生全反射，在理想介質(zhì)表面也電磁波在理想導(dǎo)體表面會(huì)產(chǎn)生全反射，在理想介質(zhì)表面也 會(huì)產(chǎn)生全反射嗎？會(huì)產(chǎn)生全反射嗎？概念概念：反射系數(shù)的模等于反射系數(shù)的模等于 1 的電磁現(xiàn)象稱為的電磁現(xiàn)象稱為全反射全反射。2i21i2i21icos/sincos/sinqqqq條件條件：（非磁性媒質(zhì)，即（非磁性媒質(zhì)，即 ）120由于由于221i21i/221i21i(/)cos/sin(/)cos/sinqqqq1122sinsintinnqq21sin/iq2i1arcsinq1122sinsintinnqq由由 可得可得 /2tq透射角透射角 時(shí)的入射角稱時(shí)的入射角稱為臨界角，記作為臨界角，記作t/2q

53、 cq第6 6章 均勻平面波的反射與透射電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波6.3.3 全反射與全透射全反射與全透射 1. 全反射與臨界角全反射與臨界角2i21i2i21icos/sincos/sinqqqq由于由于221i21i/221i21i(/)cos/sin(/)cos/sinqqqq當(dāng)當(dāng)21/均為實(shí)數(shù)均為實(shí)數(shù)當(dāng)當(dāng)21212112sin/sin/sinsin/1/2iititqqqqq/仍為實(shí)數(shù)仍為實(shí)數(shù)/第6 6章 均勻平面波的反射與透射電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波因此得到，產(chǎn)生全反射的條件為：因此得到，產(chǎn)生全反射的條件為： 電磁波由稠密媒質(zhì)入射到稀疏媒質(zhì)電磁波由稠密媒質(zhì)入射到稀疏媒質(zhì)中，即中

54、，即1 2 ； 對(duì)全反射的進(jìn)一步討論對(duì)全反射的進(jìn)一步討論 i c 時(shí)，時(shí)，/1 透射波仍然是沿分界面方向傳播，但振幅在垂直于分界面的透射波仍然是沿分界面方向傳播，但振幅在垂直于分界面的方向上按指數(shù)規(guī)律衰減。這種波稱為方向上按指數(shù)規(guī)律衰減。這種波稱為表面波表面波。 cq122t2jsinttm( )eek xk zE rEq第6 6章 均勻平面波的反射與透射電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波z分界面分界面稀疏媒質(zhì)稀疏媒質(zhì)表面波表面波第6 6章 均勻平面波的反射與透射電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波 例例6.3.1 下圖為光纖的剖面示意圖，如果要求光波從空氣進(jìn)下圖為光纖的剖面示意圖，如果要求光波從空氣進(jìn)入光

55、纖芯線后，在芯線和包層的分界面上發(fā)生全反射，從一端傳入光纖芯線后，在芯線和包層的分界面上發(fā)生全反射，從一端傳至另一端，確定入射角的最大值。至另一端，確定入射角的最大值。1qtqiq22rn1r1n1q 解解：在芯線和包層的分界面上發(fā)生全反射的條件為：在芯線和包層的分界面上發(fā)生全反射的條件為22221it1t121120sinsin1cos1(/)nnnnnnnnqqq1c21sinsin/nnqq1ttsinsin()cos2qqq2tc1cossinnnqq1t2qq由于由于所以所以22imax12arcsin()nnq故故1c2121arcsin/arcsin(/)nnqq第6 6章 均勻

56、平面波的反射與透射電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波2. 全透射和布儒斯特角全透射和布儒斯特角平行極化波發(fā)生全透射。平行極化波發(fā)生全透射。當(dāng)當(dāng)ib 時(shí)，時(shí)，/ = 0 全透射現(xiàn)象全透射現(xiàn)象：反射系數(shù)為：反射系數(shù)為0 無(wú)反射波。無(wú)反射波。2b1arctanq 布儒斯特角布儒斯特角（非磁性媒質(zhì)）（非磁性媒質(zhì)） ： 討論討論bt2qq 產(chǎn)生全透射時(shí)，產(chǎn)生全透射時(shí)， 。 在非磁性媒質(zhì)中，垂直極化入射的波不會(huì)產(chǎn)生全透射。在非磁性媒質(zhì)中，垂直極化入射的波不會(huì)產(chǎn)生全透射。 任意極化波以任意極化波以ib 入射時(shí)，反射波中只有垂直極化分量入射時(shí)，反射波中只有垂直極化分量 極極 化濾波?；癁V波。第6 6章 均勻平面波的

57、反射與透射電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波222ii11/222ii11cossin0cossinqqqq222ii11cossin0qq22222222iiii111()sectan(tan1)tanqqqqi21tan/qb21arctan(/)q b的推證的推證22222ii11() cossinqq第6 6章 均勻平面波的反射與透射電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波63-726.46.4 均勻平面波對(duì)理想導(dǎo)體表面的斜入射均勻平面波對(duì)理想導(dǎo)體表面的斜入射 6.4.1 垂直極化波對(duì)理想導(dǎo)體表面的斜入射垂直極化波對(duì)理想導(dǎo)體表面的斜入射 2i1t2i1t2i2i1tcoscoscoscos2coscos

58、cosqqqqqqq22c22c22/(j)001設(shè)媒質(zhì)設(shè)媒質(zhì)1為理想介質(zhì)，媒質(zhì)為理想介質(zhì)，媒質(zhì)2 為理想導(dǎo)電體，即為理想導(dǎo)電體，即120, 則媒質(zhì)則媒質(zhì) 2 的波阻抗為的波阻抗為 此結(jié)果表明，當(dāng)平面波向理想導(dǎo)體表面斜投射時(shí)，無(wú)論入射此結(jié)果表明，當(dāng)平面波向理想導(dǎo)體表面斜投射時(shí)，無(wú)論入射角如何，均會(huì)發(fā)生全反射。因?yàn)殡姶挪o(wú)法進(jìn)入理想導(dǎo)體內(nèi)部，角如何，均會(huì)發(fā)生全反射。因?yàn)殡姶挪o(wú)法進(jìn)入理想導(dǎo)體內(nèi)部，入射波必然被全部反射。入射波必然被全部反射。 第6 6章 均勻平面波的反射與透射電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波1ii1rr1ij( sincos)j( sincos)1imimjsinim1i( )eej

59、2sin(cos)ekxzkxzyk xyE reEEeEk zqqqqqq 1i1ijsinimi11i1jsinimi1i1j2sin( )sin(cos)e2coscos(cos)ek xzk xxEHrek zEek zqqqqqq 媒質(zhì)媒質(zhì)1中的合成波中的合成波 合成波是沿合成波是沿 x 方向的行波，其振幅沿方向的行波，其振幅沿 z 方向成駐波分布，是方向成駐波分布，是非均勻平面波；非均勻平面波； 合成波電場(chǎng)垂直于傳播方向，而磁場(chǎng)則存在合成波電場(chǎng)垂直于傳播方向，而磁場(chǎng)則存在 x 分量，這種波分量，這種波 稱為橫電波，即稱為橫電波，即TE 波；波； 合成波的特點(diǎn)合成波的特點(diǎn)第6 6章 均勻平面波的反射與透射電磁場(chǎng)與電磁波電磁場(chǎng)與電磁波 在在 處，合成波電場(chǎng)處，合成波電場(chǎng)E1= 0，如果在此處放置一如果在此處放置一塊無(wú)限大的理想導(dǎo)電平面，則塊無(wú)限大的理想導(dǎo)電平面，則 不會(huì)破壞原來(lái)的場(chǎng)分布，這就不會(huì)破壞原來(lái)的場(chǎng)分布，這就 意味著在兩塊相互平行的無(wú)限意味著在兩塊相互平行的無(wú)限 大理想導(dǎo)電平面之間可以傳播大理想導(dǎo)電平面之間可以傳播 TE波。波。1i/(2cos)znq 1av1111112imi1i11Re( )( )21Re( )( )( )( )24Esinsin (cos)xyzzyxxSE rHre Er Hre Er Hrek zqq 合成波