Hall效應(yīng)測(cè)試儀

1、+-VHEHeFmFbIdBABZXY+-VHEHFmFeBbIdABdIBRVHHIBKVHH或HRHK 稱(chēng)為霍爾系數(shù)霍爾系數(shù) 稱(chēng)為霍爾元件的靈敏度霍爾元件的靈敏度，單位為mv / (mAT) 產(chǎn)生霍爾效應(yīng)的原因是電流作定向運(yùn)動(dòng)，帶電粒子即載流子產(chǎn)生霍爾效應(yīng)的原因是電流作定向運(yùn)動(dòng)，帶電粒子即載流子（N型半導(dǎo)體中的載流子是帶負(fù)電荷的電子，型半導(dǎo)體中的載流子是帶負(fù)電荷的電子，P型半導(dǎo)體中的型半導(dǎo)體中的載流子是帶正電荷的空穴）在磁場(chǎng)中所受到的洛侖茲力作用載流子是帶正電荷的空穴）在磁場(chǎng)中所受到的洛侖茲力作用而產(chǎn)生的而產(chǎn)生的。 jeVBBVeBVqFm式中V為電子的漂移運(yùn)動(dòng)速度，其方向沿X軸的負(fù)方向。

2、e為電子的電荷量。指向Y軸的負(fù)方向。 +- - -VHEHeFmFbIdBABZXY+- - -VHEHFmFeBbIdABjbVejeEEeEqFHHHHe0emFF0jbVejeVBHbVeeVBH即VBbVHnebdIV IBKdIBRIBnedVHHH1所以neRH1稱(chēng)為霍爾系數(shù)霍爾系數(shù) nedKH1稱(chēng)為霍爾元件的靈敏度霍爾元件的靈敏度 HHVBIKIBdVRHH電導(dǎo)率電導(dǎo)率 的測(cè)量的測(cè)量按圖按圖1所示，設(shè)所示，設(shè)A、C之間的距離為之間的距離為L(zhǎng)，樣品的橫截面積為，樣品的橫截面積為S=bd，流經(jīng)樣品的電流為流經(jīng)樣品的電流為IS，在零磁場(chǎng)下，若測(cè)得，在零磁場(chǎng)下，若測(cè)得A、C間的電位差為間的電位差為VAC，可由下式求得。，可由下式求得。 SVLIACSne即即 ，測(cè)出值，測(cè)出值 即可求即可求 。|R|H嚴(yán)格地說(shuō)，在半導(dǎo)體中載流子的漂移運(yùn)動(dòng)速度并不完全相同，考慮到載流子速度的統(tǒng)計(jì)分布，并認(rèn)為多數(shù)載流子的濃度與遷移率之積遠(yuǎn)大于少數(shù)載流子的濃度與遷移率之積，可得半導(dǎo)體霍爾系數(shù)的公式中還應(yīng)引入一個(gè)霍爾因子，即)(pernerRHHH或xyzI12I43BHINV1234abceHI RLV HV1（4）不等電勢(shì)差 不等電勢(shì)差是由于霍爾元件的材料本身不均勻，以及電壓輸入端引線(xiàn)在制作時(shí)不可能絕對(duì)對(duì)稱(chēng)地焊接在霍爾片的兩側(cè)，如圖所示。因此，當(dāng)電流 流過(guò)霍爾元件時(shí)，在電極3、4間也具有電勢(shì)差，