三極管特性曲線參數及場效應管 模擬電子 傳感器技術 教學ppt課件_第1頁
三極管特性曲線參數及場效應管 模擬電子 傳感器技術 教學ppt課件_第2頁
三極管特性曲線參數及場效應管 模擬電子 傳感器技術 教學ppt課件_第3頁
三極管特性曲線參數及場效應管 模擬電子 傳感器技術 教學ppt課件_第4頁
三極管特性曲線參數及場效應管 模擬電子 傳感器技術 教學ppt課件_第5頁
已閱讀5頁,還剩33頁未讀, 繼續(xù)免費閱讀

下載本文檔

版權說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內容提供方,若內容存在侵權,請進行舉報或認領

文檔簡介

1、 共發(fā)射極接法的供電電路和電壓-電流關系如以下圖。圖 共發(fā)射極接法的電壓-電流關系雙極型半導體三極管的特性曲線; iB是輸入電流,vBE是輸入電壓,加在B、E兩電極之間。 iC是輸出電流,vCE是輸出電壓,從C、E 兩電極取出。 輸入特性曲線 iB=fvBE vCE=const 輸出特性曲線 iC=fvCE iB=const共發(fā)射極接法三極管的特性曲線,即;1 輸入特性曲線; 2輸出特性曲線 共發(fā)射極接法的輸出特性曲線如圖02.06所示,它是以iB為參變量的一族特性曲線。現(xiàn)以其中任何一條加以闡明,當vCE=0 V時,因集電極無搜集作用,iC=0。當vCE稍增大時,發(fā)射結雖處于正向電壓之下,但集

2、電結反偏電壓很小,如 vCE 1 V vBE=0.7 V vCB= vCE- vBE= 0,VGS=0, ID不等于零。2VGS0時,ID 。3VGS0時,ID 。圖圖 N溝道耗盡型溝道耗盡型MOSFET的構造的構造; a a 構造表示圖構造表示圖 b b 轉移特性曲線轉移特性曲線 圖圖02.17 N02.17 N溝道耗盡型溝道耗盡型MOSFETMOSFET的構造的構造 和和轉移特性曲線轉移特性曲線 2N溝道耗盡型溝道耗盡型MOSFET; 3P溝道耗盡型溝道耗盡型MOSFET P溝道溝道MOSFET的任務原理與的任務原理與N溝道溝道MOSFET完全一樣,只不過導電的載流完全一樣,只不過導電的載

3、流子不同,供電電壓極性不同而已。這如子不同,供電電壓極性不同而已。這如同雙極型三極管有同雙極型三極管有NPN型和型和PNP型一樣。型一樣。; 圖02.18 各類場效應三極管的特性曲線絕緣柵場效應管N溝道增強型P溝道增強型伏安特性曲線伏安特性曲線;絕緣柵場效應管 N溝道耗盡型P 溝道耗盡型;結型場效應管 N溝道耗盡型P溝道耗盡型;2.2.4 2.2.4 場效應三極管的參數和型號場效應三極管的參數和型號1 場效應三極管的參數 開啟電壓VGSth 或VT 開啟電壓是MOS加強型管的參數,柵源電壓小于開啟電壓的絕對值, 場效應管不能導通。 夾斷電壓VGSoff 或VP 夾斷電壓是耗盡型FET的參數,當VGS=VGSoff 時,漏極電流為零。 飽和漏極電流IDSS 耗盡型場效應三極管, 當VGS=0時所對應的漏極電流。; 輸入電阻輸入電阻RGS 場效應三極管的柵源輸入電阻的典型值,對于場效應三極管的柵源輸入電阻的典型值,對于結型場效應三極管,反偏時結型場效應三極管,反偏時RGS約大于約大于107,對,對于絕緣柵型場效應三極管于絕緣柵型場效應三極管, RGS約是約是1091015。 低頻跨導gm 低頻跨導反映了柵壓對漏極電流的控制造用,這一點與電子管的控制造用類似。gm可以在轉 移特性曲線上求

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網頁內容里面會有圖紙預覽,若沒有圖紙預覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經權益所有人同意不得將文件中的內容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 人人文庫網僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內容的表現(xiàn)方式做保護處理,對用戶上傳分享的文檔內容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內容負責。
  • 6. 下載文件中如有侵權或不適當內容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

最新文檔

評論

0/150

提交評論