電子技術(shù)基礎(chǔ)課件1

1、 電子技術(shù)基礎(chǔ)電子技術(shù)基礎(chǔ) 第1章 半導(dǎo)體器件 POSTS & TELECOM PRESS 中等職業(yè)學(xué)校機(jī)電類規(guī)劃教材 教學(xué)演示課件 電子技術(shù)基礎(chǔ)電子技術(shù)基礎(chǔ) 第1章 半導(dǎo)體器件 POSTS & TELECOM PRESS 1.1 晶體二極管 1.3 場(chǎng)效應(yīng)管 1.2 晶體三極管 1.4 晶閘管 本章首先介紹二極管的結(jié)構(gòu)及單向?qū)П菊率紫冉榻B二極管的結(jié)構(gòu)及單向?qū)щ娦裕O管的主要參數(shù)；特殊二極管電性，二極管的主要參數(shù)；特殊二極管的應(yīng)用；然后介紹晶體三極管的結(jié)構(gòu)及的應(yīng)用；然后介紹晶體三極管的結(jié)構(gòu)及電流放大作用，三極管的特性和主要參電流放大作用，三極管的特性和主要參數(shù)；最后介紹場(chǎng)效應(yīng)管的分類、特性及

2、數(shù)；最后介紹場(chǎng)效應(yīng)管的分類、特性及晶閘管的結(jié)構(gòu)及導(dǎo)電特性。晶閘管的結(jié)構(gòu)及導(dǎo)電特性。 電子技術(shù)基礎(chǔ)電子技術(shù)基礎(chǔ) 第1章 半導(dǎo)體器件 POSTS & TELECOM PRESS 1.1 晶體二極管晶體二極管 人們按照物質(zhì)導(dǎo)電性能，通常將各種材料分為導(dǎo)體、絕緣體和半導(dǎo)體三大類。導(dǎo)電性能良好的物質(zhì)稱為導(dǎo)體，例如金、銀、銅、鋁等金屬材料。另一類是幾乎不導(dǎo)電的物質(zhì)稱為絕緣體，例如陶瓷、橡膠、塑料等材料。再一類是導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體與絕緣體之間的物質(zhì)稱為半導(dǎo)體，例如硅(Si)、鍺(Ge)、砷化鎵等都是半導(dǎo)體。 純凈半導(dǎo)體也叫本征半導(dǎo)體，這種半導(dǎo)體只含有一種原子，且原子按一定規(guī)律整齊排列。如常用半導(dǎo)體材料硅（Si

3、）和鍺（Ge）。在常溫下，其導(dǎo)電能力很弱；在環(huán)境溫度升高或有光照時(shí)，其導(dǎo)電能力隨之增強(qiáng)。 常常在本征半導(dǎo)體中摻入雜質(zhì)，其目的不單純是為了提高半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力，而是想通過控制雜質(zhì)摻入量的多少，來控制半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力的強(qiáng)弱。 電子技術(shù)基礎(chǔ)電子技術(shù)基礎(chǔ) 第1章 半導(dǎo)體器件 POSTS & TELECOM PRESS 1.1 晶體二極管晶體二極管 在硅本征半導(dǎo)體中，摻入微量的五價(jià)元素(磷或砷)，就形成N型半導(dǎo)體。 在硅本征半導(dǎo)體中，摻入微量的三價(jià)元素(銦或硼)，就形成P型半導(dǎo)體。 當(dāng)把一塊P型半導(dǎo)體和一塊N型半導(dǎo)體用特殊工藝緊密結(jié)合時(shí)，在二者的交界面上會(huì)形成一個(gè)具有特殊現(xiàn)象的薄層，這個(gè)薄層被稱為PN結(jié)

4、。（a)Na)N型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體 (b)P(b)P型半導(dǎo)體型半導(dǎo)體 電子技術(shù)基礎(chǔ)電子技術(shù)基礎(chǔ) 第1章 半導(dǎo)體器件 POSTS & TELECOM PRESS 1.1 晶體二極管晶體二極管 1.1.1 晶體二極管的結(jié)構(gòu)與符號(hào)1. 二極管的結(jié)構(gòu) 晶體二極管是由一個(gè)晶體二極管是由一個(gè)PNPN結(jié)結(jié)構(gòu)成的，從構(gòu)成的，從P P區(qū)引出的電極為區(qū)引出的電極為二極管正極，二極管正極， N N區(qū)引出的電區(qū)引出的電極為二極管負(fù)極，用管殼封極為二極管負(fù)極，用管殼封裝起來即成二極管。裝起來即成二極管。二極管的外形圖二極管的外形圖二極管符號(hào) 2. 電路符號(hào) 電子技術(shù)基礎(chǔ)電子技術(shù)基礎(chǔ) 第1章 半導(dǎo)體器件 POSTS & T

5、ELECOM PRESS 1.1 晶體二極管晶體二極管 1.1.2 晶體二極管的單向?qū)щ娦噪娮枋请p向?qū)щ?，二極管如何導(dǎo)電呢？電阻是雙向?qū)щ?，二極管如何導(dǎo)電呢？ 按下圖所示連接電路，觀察指示燈的變化情況。（按下圖所示連接電路，觀察指示燈的變化情況。（建議采用仿真演示建議采用仿真演示） (a) 加正向電壓導(dǎo)通 (b) 加反向電壓截止 結(jié)論：二極管結(jié)論：二極管 具有單向?qū)щ娦?。具有單向?qū)щ娦浴?電子技術(shù)基礎(chǔ)電子技術(shù)基礎(chǔ) 第1章 半導(dǎo)體器件 POSTS & TELECOM PRESS 1.1 晶體二極管晶體二極管 1.1.3 晶體二極管的伏安特性二極管的伏安特性曲線二極管的伏安特性曲線( (1 1)

6、) 正向特性（圖中正向特性（圖中OABOAB段）段） 當(dāng)二極管兩端所加的正向電壓當(dāng)二極管兩端所加的正向電壓由零開始增大時(shí)，在正向電壓比由零開始增大時(shí)，在正向電壓比較小的范圍內(nèi)，正向電流很小，較小的范圍內(nèi)，正向電流很小，二極管呈現(xiàn)很大的電阻，如圖中二極管呈現(xiàn)很大的電阻，如圖中OAOA段，通常把這個(gè)范圍稱為段，通常把這個(gè)范圍稱為死區(qū)死區(qū)，相應(yīng)的電壓叫相應(yīng)的電壓叫死區(qū)電壓死區(qū)電壓。硅硅二極二極管的死區(qū)電壓為管的死區(qū)電壓為0.50.5V V左右，左右，鍺鍺二二極管的死區(qū)電壓約為極管的死區(qū)電壓約為0.10.10.20.2V V。 電子技術(shù)基礎(chǔ)電子技術(shù)基礎(chǔ) 第1章 半導(dǎo)體器件 POSTS & TELECO

7、M PRESS 1.1 晶體二極管晶體二極管 1.1.3 晶體二極管的伏安特性二極管的伏安特性曲線二極管的伏安特性曲線 外加電壓超過死區(qū)電壓外加電壓超過死區(qū)電壓以后，二極管呈現(xiàn)很小的電阻，以后，二極管呈現(xiàn)很小的電阻，正向電流正向電流I ID D迅速增加，這時(shí)二極迅速增加，這時(shí)二極管處于正向?qū)顟B(tài)，如圖中管處于正向?qū)顟B(tài)，如圖中ABAB段為導(dǎo)通區(qū)，此時(shí)管子兩端電壓段為導(dǎo)通區(qū)，此時(shí)管子兩端電壓降變化不大，該電壓值稱為降變化不大，該電壓值稱為正向正向壓降壓降( (或或管壓降管壓降) )，常溫下，常溫下硅硅管約管約為為0.60.60.70.7V V，鍺鍺管約為管約為0.20.20.30.3V V。

8、 電子技術(shù)基礎(chǔ)電子技術(shù)基礎(chǔ) 第1章 半導(dǎo)體器件 POSTS & TELECOM PRESS 1.1 晶體二極管晶體二極管 1.1.3 晶體二極管的伏安特性二極管的伏安特性曲線二極管的伏安特性曲線(2) (2) 反向特性反向特性 （圖中（圖中OCDOCD段）段） 當(dāng)給二極管加反向電壓時(shí)，所形成的反當(dāng)給二極管加反向電壓時(shí)，所形成的反向電流是很小的，而且在很大范圍內(nèi)基本向電流是很小的，而且在很大范圍內(nèi)基本不隨反向電壓的變化而變化，即保持恒定。不隨反向電壓的變化而變化，即保持恒定。如曲線如曲線OCOC段稱為反向截止區(qū)，此處的段稱為反向截止區(qū)，此處的I IR R稱為稱為反向飽和電流。反向飽和電流。 當(dāng)反

9、向電壓大到一定數(shù)值當(dāng)反向電壓大到一定數(shù)值U UBRBR時(shí)，反向電時(shí)，反向電流會(huì)急劇增大，如圖中流會(huì)急劇增大，如圖中CDCD段，這種現(xiàn)象稱段，這種現(xiàn)象稱為反向擊穿，相應(yīng)的電壓叫反向擊穿電壓。為反向擊穿，相應(yīng)的電壓叫反向擊穿電壓。正常使用二極管時(shí)（穩(wěn)壓二極管除外），正常使用二極管時(shí)（穩(wěn)壓二極管除外），是不允許出現(xiàn)這種現(xiàn)象的，因?yàn)閾舸┖箅娛遣辉试S出現(xiàn)這種現(xiàn)象的，因?yàn)閾舸┖箅娏鬟^大將會(huì)使管子損壞。流過大將會(huì)使管子損壞。 電子技術(shù)基礎(chǔ)電子技術(shù)基礎(chǔ) 第1章 半導(dǎo)體器件 POSTS & TELECOM PRESS 1.1 晶體二極管晶體二極管 1.1.4 穩(wěn)壓二極管穩(wěn)壓二極管是一種用特殊工藝制穩(wěn)壓二極管是一

10、種用特殊工藝制造的面接觸造的面接觸硅硅材料二極管，由于材料二極管，由于它具有穩(wěn)定電壓的功能，在穩(wěn)壓它具有穩(wěn)定電壓的功能，在穩(wěn)壓設(shè)備和一些電子電路中經(jīng)常用到。設(shè)備和一些電子電路中經(jīng)常用到。所以把這種類型的二極管稱為穩(wěn)所以把這種類型的二極管稱為穩(wěn)壓管。壓管。小型穩(wěn)壓管與二極管外型無異，小型穩(wěn)壓管與二極管外型無異，圖形符號(hào)和外形封裝如圖所示。圖形符號(hào)和外形封裝如圖所示。（a a）為符號(hào)圖，）為符號(hào)圖，( (b b) )為實(shí)物圖。為實(shí)物圖。（a）符號(hào) (b)實(shí)物 結(jié)論：結(jié)論：穩(wěn)壓管工作在特性曲線穩(wěn)壓管工作在特性曲線的反向擊穿區(qū)。這表明穩(wěn)壓管在擊的反向擊穿區(qū)。這表明穩(wěn)壓管在擊穿狀態(tài)下，流過管子的電流在較

11、大穿狀態(tài)下，流過管子的電流在較大范圍內(nèi)變化范圍內(nèi)變化( (I IZ Z) )時(shí)，而管子兩端時(shí)，而管子兩端電壓變化電壓變化( (U UZ Z) )幾乎不變，這就是幾乎不變，這就是穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓作用。穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓作用。 電子技術(shù)基礎(chǔ)電子技術(shù)基礎(chǔ) 第1章 半導(dǎo)體器件 POSTS & TELECOM PRESS 1.1 晶體二極管晶體二極管 1.1.5 其他二極管1 1. . 發(fā)光二極管發(fā)光二極管 發(fā)光二極管發(fā)光二極管( (簡稱簡稱LED)LED)的的PNPN結(jié)工作在正向結(jié)工作在正向偏置狀態(tài)。它是利用電信號(hào)變成光信號(hào)的偏置狀態(tài)。它是利用電信號(hào)變成光信號(hào)的一種半導(dǎo)體器件，它具有功耗低、體積小、一種半導(dǎo)體器

12、件，它具有功耗低、體積小、工作可靠等特點(diǎn)。工作可靠等特點(diǎn)。2 2. . 光敏二極管光敏二極管光敏二極管又稱光電二極管，其光敏二極管又稱光電二極管，其PNPN結(jié)工作結(jié)工作在反向偏置狀態(tài)。目前使用最多的是硅在反向偏置狀態(tài)。目前使用最多的是硅（SiSi）光電二極管。）光電二極管。(a)符號(hào) (b)實(shí)物(a)符號(hào)圖 (b)實(shí)物圖 電子技術(shù)基礎(chǔ)電子技術(shù)基礎(chǔ) 第1章 半導(dǎo)體器件 POSTS & TELECOM PRESS 1.2 晶體三極管晶體三極管 晶體三極管是具有電流放大作用的半導(dǎo)體器件，為此晶體晶體三極管是具有電流放大作用的半導(dǎo)體器件，為此晶體三極管組成的放大電路在實(shí)際電子設(shè)備中得到廣泛應(yīng)用，如三極

13、管組成的放大電路在實(shí)際電子設(shè)備中得到廣泛應(yīng)用，如收音機(jī)、電視機(jī)、擴(kuò)音機(jī)、測(cè)量儀器及自動(dòng)控制裝置等。如收音機(jī)、電視機(jī)、擴(kuò)音機(jī)、測(cè)量儀器及自動(dòng)控制裝置等。如圖所示為三極管放大作用的應(yīng)用示意圖。圖所示為三極管放大作用的應(yīng)用示意圖。 電子技術(shù)基礎(chǔ)電子技術(shù)基礎(chǔ) 第1章 半導(dǎo)體器件 POSTS & TELECOM PRESS 1.2 晶體三極管晶體三極管 1.2.1 晶體三極管的結(jié)構(gòu)與符號(hào)1.1.晶體管的結(jié)構(gòu)晶體管的結(jié)構(gòu)晶體管是由晶體管是由兩個(gè)兩個(gè)PNPN結(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu)成的，兩個(gè)成的，兩個(gè)PNPN結(jié)將整個(gè)半導(dǎo)體基片分為結(jié)將整個(gè)半導(dǎo)體基片分為3 3個(gè)區(qū)個(gè)區(qū)-發(fā)射區(qū)、發(fā)射區(qū)、基區(qū)和集電區(qū)。由基區(qū)和集電區(qū)。由3 3個(gè)

14、區(qū)各引出一個(gè)電極，分別為基極個(gè)區(qū)各引出一個(gè)電極，分別為基極b b、發(fā)射極、發(fā)射極e e和集電極和集電極c c。發(fā)射區(qū)與基區(qū)之間的發(fā)射區(qū)與基區(qū)之間的PNPN結(jié)稱為結(jié)稱為發(fā)射結(jié)發(fā)射結(jié)，集電區(qū)與基區(qū)之間的，集電區(qū)與基區(qū)之間的PNPN結(jié)稱為結(jié)稱為集電結(jié)集電結(jié)。晶體管按結(jié)構(gòu)可分為晶體管按結(jié)構(gòu)可分為NPNNPN型和型和PNPPNP型兩類。型兩類。（a）實(shí)物圖 （b）外形圖三極管結(jié)構(gòu)、符號(hào) 電子技術(shù)基礎(chǔ)電子技術(shù)基礎(chǔ) 第1章 半導(dǎo)體器件 POSTS & TELECOM PRESS 1.2 晶體三極管晶體三極管2.2.晶體管的分類晶體管的分類三極管的種類很多，通常按以下方法進(jìn)行分類：三極管的種類很多，通常按以下

15、方法進(jìn)行分類：(1) (1) 按半導(dǎo)體材料分，可分為硅管和鍺管。硅管工作穩(wěn)定優(yōu)于鍺管，因按半導(dǎo)體材料分，可分為硅管和鍺管。硅管工作穩(wěn)定優(yōu)于鍺管，因此當(dāng)前生產(chǎn)和使用常用硅管。此當(dāng)前生產(chǎn)和使用常用硅管。(2) (2) 按三極管內(nèi)部基本結(jié)構(gòu)分，可分為按三極管內(nèi)部基本結(jié)構(gòu)分，可分為NPNNPN型和型和PNPPNP型兩類。目前我國制型兩類。目前我國制造的硅管多為造的硅管多為NPNNPN型型( (也有少量也有少量PNPPNP型型) )，鍺管多為，鍺管多為PNPPNP型。型。(3) (3) 按結(jié)構(gòu)工藝分，分為合金管和平面管。按結(jié)構(gòu)工藝分，分為合金管和平面管。(4) (4) 按用途分，可分為普通放大管和開關(guān)管

16、等。按用途分，可分為普通放大管和開關(guān)管等。(5) (5) 按功率大小分，可分為小功率管、中功率管和大功率管。按功率大小分，可分為小功率管、中功率管和大功率管。(6) (6) 按工作頻率分，可分為超高頻管、高頻管、低頻管。按工作頻率分，可分為超高頻管、高頻管、低頻管。 電子技術(shù)基礎(chǔ)電子技術(shù)基礎(chǔ) 第1章 半導(dǎo)體器件 POSTS & TELECOM PRESS 1.2 晶體三極管晶體三極管 1.2.2 晶體三極管的電流放大作用1.1. 三極管的電流放大作用三極管的電流放大作用 按圖連接電路，觀察各極電流的大小及其按圖連接電路，觀察各極電流的大小及其關(guān)系。關(guān)系。 ( (建議采用仿真演示建議采用仿真演示

17、) )（1 1）三極管電流分配關(guān)系）三極管電流分配關(guān)系 I IE E I IB B I IC C （2 2）三極管電流放大作用）三極管電流放大作用 BCIIBCII直流直流交流交流三極管各極上的電流分配關(guān)系 電子技術(shù)基礎(chǔ)電子技術(shù)基礎(chǔ) 第1章 半導(dǎo)體器件 POSTS & TELECOM PRESS 1.2 晶體三極管晶體三極管 1.2.2 晶體三極管的電流放大作用2. 2. 具有電流放大作用的外部條件具有電流放大作用的外部條件發(fā)射結(jié)加正向偏置，集電結(jié)加反向偏置。發(fā)射結(jié)加正向偏置，集電結(jié)加反向偏置。 三極管各極上的電流分配關(guān)系 結(jié)論：三極管在一定的外界電結(jié)論：三極管在一定的外界電壓條件下所具有的壓

18、條件下所具有的I IC C受受I IB B控制且二控制且二者成線性關(guān)系的特性，稱為三極管者成線性關(guān)系的特性，稱為三極管的直流電流放大作用。而的直流電流放大作用。而I IC C受受I IB B控制且二者成線性關(guān)系的特性，稱控制且二者成線性關(guān)系的特性，稱為三極管的交流電流放大作用。為三極管的交流電流放大作用。 電子技術(shù)基礎(chǔ)電子技術(shù)基礎(chǔ) 第1章 半導(dǎo)體器件 POSTS & TELECOM PRESS 1.2 晶體三極管晶體三極管3.3.三極管的連接方式（組態(tài)）三極管的連接方式（組態(tài)） 1.2.2 晶體三極管的電流放大作用三極管的三種組態(tài)三極管的三種組態(tài)(a) (a) 共射組態(tài)共射組態(tài) (b) (b)

19、 共基組態(tài)共基組態(tài) (c) (c) 共集組態(tài)共集組態(tài) 電子技術(shù)基礎(chǔ)電子技術(shù)基礎(chǔ) 第1章 半導(dǎo)體器件 POSTS & TELECOM PRESS 1.2 晶體三極管晶體三極管 1.2.3 晶體三極管的特性曲線(1) (1) 三極管輸入特性曲線三極管輸入特性曲線 反映輸入電流反映輸入電流I IB B與輸入電壓與輸入電壓U UBEBE之間的關(guān)系的曲線叫輸入之間的關(guān)系的曲線叫輸入特性曲線，它以輸出電壓特性曲線，它以輸出電壓U UCECE一定值作參考量。當(dāng)一定值作參考量。當(dāng)U UCECE1V1V之后，輸入特性曲線基本重合之后，輸入特性曲線基本重合。輸入特性輸入特性 電子技術(shù)基礎(chǔ)電子技術(shù)基礎(chǔ) 第1章 半導(dǎo)

20、體器件 POSTS & TELECOM PRESS 1.2 晶體三極管晶體三極管 1.2.3 晶體三極管的特性曲線(2) (2) 三極管輸出特性曲線三極管輸出特性曲線 截止區(qū)截止區(qū) I IB B0 0那條輸出特性曲那條輸出特性曲線以下的區(qū)域。在這個(gè)區(qū)域內(nèi)的三線以下的區(qū)域。在這個(gè)區(qū)域內(nèi)的三極管極管兩個(gè)兩個(gè)PNPN結(jié)均處于反向偏置狀態(tài)。結(jié)均處于反向偏置狀態(tài)。相當(dāng)于三極管內(nèi)部各極開路，即相當(dāng)于三極管內(nèi)部各極開路，即相相當(dāng)于開關(guān)斷開。當(dāng)于開關(guān)斷開。 飽和區(qū)飽和區(qū) 每條曲線拐點(diǎn)連線左側(cè)每條曲線拐點(diǎn)連線左側(cè)的區(qū)域。在這個(gè)區(qū)域內(nèi)的三極管的區(qū)域。在這個(gè)區(qū)域內(nèi)的三極管兩兩個(gè)個(gè)PNPN結(jié)均處于正向偏置狀態(tài)。結(jié)均處

21、于正向偏置狀態(tài)。 放大區(qū)放大區(qū) 每條曲線的平直部分所構(gòu)成的區(qū)域。在該區(qū)域三極管滿足每條曲線的平直部分所構(gòu)成的區(qū)域。在該區(qū)域三極管滿足發(fā)發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)反偏射結(jié)正偏、集電結(jié)反偏的放大條件，的放大條件，具有電流放大作用具有電流放大作用。 管子相當(dāng)于開關(guān)閉合。管子相當(dāng)于開關(guān)閉合。 電子技術(shù)基礎(chǔ)電子技術(shù)基礎(chǔ) 第1章 半導(dǎo)體器件 POSTS & TELECOM PRESS *1.3 場(chǎng)效應(yīng)管場(chǎng)效應(yīng)管場(chǎng)效應(yīng)晶體管簡稱場(chǎng)效應(yīng)管，它也是一種具有結(jié)的半導(dǎo)體器件。場(chǎng)效應(yīng)晶體管簡稱場(chǎng)效應(yīng)管，它也是一種具有結(jié)的半導(dǎo)體器件。 1. 1. 場(chǎng)效應(yīng)管的類型場(chǎng)效應(yīng)管的類型場(chǎng)效應(yīng)管按其結(jié)構(gòu)的不同分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管和絕緣柵型場(chǎng)效

22、應(yīng)管，其外形場(chǎng)效應(yīng)管按其結(jié)構(gòu)的不同分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管，其外形如圖所示。而結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管又分為溝道、溝道兩類；絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)如圖所示。而結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管又分為溝道、溝道兩類；絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管分為增強(qiáng)型和耗盡型兩類，每類又有管分為增強(qiáng)型和耗盡型兩類，每類又有P P溝道和溝道和N N溝道兩種。溝道兩種。 2.2.場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)及符號(hào)場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)及符號(hào)N溝道增強(qiáng)型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管 (a)結(jié)構(gòu)示意圖 (b) 電路符號(hào) 外形圖 電子技術(shù)基礎(chǔ)電子技術(shù)基礎(chǔ) 第1章 半導(dǎo)體器件 POSTS & TELECOM PRESS 1.4 晶閘管晶閘管 1.4.1 普通晶閘管的結(jié)構(gòu)及導(dǎo)電特性1. 1. 結(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu)

23、晶閘管是用晶閘管是用硅硅材料制成的半導(dǎo)材料制成的半導(dǎo)體器件。它是由體器件。它是由P P型和型和N N型半導(dǎo)型半導(dǎo)體交替迭合而成的體交替迭合而成的P-N-P-NP-N-P-N四四層半導(dǎo)體元件，具有層半導(dǎo)體元件，具有三個(gè)三個(gè)PNPN結(jié)結(jié)和三個(gè)電極。如圖所示，圖和三個(gè)電極。如圖所示，圖（a a）給出了晶閘管的外形，）給出了晶閘管的外形，有螺栓式和平板式兩種，圖有螺栓式和平板式兩種，圖 (b)(b)為內(nèi)部結(jié)構(gòu)，圖（為內(nèi)部結(jié)構(gòu)，圖（c c）為其）為其圖形符號(hào)，文字符號(hào)為圖形符號(hào)，文字符號(hào)為SCRSCR。 電子技術(shù)基礎(chǔ)電子技術(shù)基礎(chǔ) 第1章 半導(dǎo)體器件 POSTS & TELECOM PRESS 1.4 晶

24、閘管晶閘管 1.4.1 普通晶閘管的結(jié)構(gòu)及導(dǎo)電特性2 2. 導(dǎo)電特性導(dǎo)電特性 晶閘管可以理解為一個(gè)受控制的二極管，它也具有單向?qū)щ娦裕煌幨蔷чl管可以理解為一個(gè)受控制的二極管，它也具有單向?qū)щ娦?，不同之處是除了?yīng)具有陽極與陰極之間的正向偏置電壓外，還必須給控制極加一個(gè)足夠大除了應(yīng)具有陽極與陰極之間的正向偏置電壓外，還必須給控制極加一個(gè)足夠大的控制電壓，在這個(gè)控制電壓作用下，晶閘管就會(huì)像二極管一樣導(dǎo)通了，一旦的控制電壓，在這個(gè)控制電壓作用下，晶閘管就會(huì)像二極管一樣導(dǎo)通了，一旦晶閘管導(dǎo)通，控制電壓即使取消，也不會(huì)影響其正向?qū)ǖ墓ぷ鳡顟B(tài)。晶閘管導(dǎo)通，控制電壓即使取消，也不會(huì)影響其正向?qū)ǖ墓ぷ?/p>

25、狀態(tài)。 晶閘管單向?qū)щ娦钥捎脠D所示實(shí)驗(yàn)電路驗(yàn)證。晶閘管單向?qū)щ娦钥捎脠D所示實(shí)驗(yàn)電路驗(yàn)證。（建議采用仿真）（建議采用仿真） 結(jié)論：結(jié)論：要使晶閘管由阻斷狀態(tài)變?yōu)閷?dǎo)要使晶閘管由阻斷狀態(tài)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)，必須在晶閘管上加正向電壓的通狀態(tài)，必須在晶閘管上加正向電壓的同時(shí)，在控制極上加一定大小的正向電同時(shí)，在控制極上加一定大小的正向電壓（這個(gè)電壓成為觸發(fā)電壓）這樣才能壓（這個(gè)電壓成為觸發(fā)電壓）這樣才能使晶閘管導(dǎo)通，一旦晶閘管導(dǎo)通，控制使晶閘管導(dǎo)通，一旦晶閘管導(dǎo)通，控制極就失去控制作用。極就失去控制作用。 電子技術(shù)基礎(chǔ)電子技術(shù)基礎(chǔ) 第1章 半導(dǎo)體器件 POSTS & TELECOM PRESS 1.4 晶閘管晶閘管 1.4.2 雙向晶閘管1. 1. 結(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu) 雙向晶閘管是一種新型的半導(dǎo)體三端器件，它具有相當(dāng)于雙向晶閘管是一種新型的半導(dǎo)體三端器件，它具有相