半導(dǎo)體物理講稿

1、半導(dǎo)體物理實(shí)半導(dǎo)體物理實(shí)驗(yàn)驗(yàn)張國軍張國軍20100104實(shí)驗(yàn)一實(shí)驗(yàn)一 MOS結(jié)構(gòu)高頻結(jié)構(gòu)高頻CV特性測特性測試試 一、實(shí)驗(yàn)?zāi)康囊?、?shí)驗(yàn)?zāi)康?熟悉Agilent 4284A的基本功能和使用方法。2掌握P型（或N型）半導(dǎo)體MOS結(jié)構(gòu)的高頻C-V特性及其測試方法。 3掌握利用高頻C-V特性曲線得出二氧化硅層厚度及襯底摻雜濃度的方法。二、實(shí)驗(yàn)器材二、實(shí)驗(yàn)器材1 1Agilent 4284A 1Agilent 4284A 1臺。臺。2. 2. 測試臺。測試臺。3 3元器件：元器件：9926AMOS9926AMOS管等。管等。4. 4. 導(dǎo)線若干導(dǎo)線若干三、實(shí)驗(yàn)內(nèi)容和步驟實(shí)驗(yàn)內(nèi)容：（1）測量MOS結(jié)構(gòu)高頻

2、CV特性。（2）確定二氧化硅層厚度。（3）確定襯底摻雜濃度。iiiCAd0mimiisscmCCCdd)(iAABsscmnNNqTKdln420, 實(shí)驗(yàn)步驟：實(shí)驗(yàn)步驟：1.1.在固定柵壓上加一個(gè)高頻的小信號（在固定柵壓上加一個(gè)高頻的小信號（1MHz1MHz）2.2.緩慢的改變柵壓（從負(fù)值變到正值），測出高緩慢的改變柵壓（從負(fù)值變到正值），測出高頻的頻的C-VC-V特性。特性。3.3.從高頻的從高頻的C-VC-V特性曲線上得出特性曲線上得出C Ci i和和C Cm m，從而根，從而根據(jù)公式求出氧化層的厚度據(jù)公式求出氧化層的厚度d di i和摻雜濃度和摻雜濃度N NA A或或N ND D( (也

3、可以查表獲得也可以查表獲得) )。五、實(shí)驗(yàn)報(bào)告要求1 整理實(shí)驗(yàn)結(jié)果，打印測量結(jié)果曲線。 2 小結(jié)實(shí)驗(yàn)心得體會。 3 回答思考題。 高頻C-V特性曲線為什么跟想象的不一樣？ 實(shí)驗(yàn)二實(shí)驗(yàn)二 MOS結(jié)構(gòu)準(zhǔn)靜態(tài)結(jié)構(gòu)準(zhǔn)靜態(tài)CV特性特性測量測量一、實(shí)驗(yàn)?zāi)康?進(jìn)一步熟悉Agilent 4284A的基本功能和使用方法。2掌握MOS結(jié)構(gòu)的高、低頻CV特性的測量方法。 3學(xué)會利用高、低頻CV特性曲線確定界面態(tài)密度及其分布。二、實(shí)驗(yàn)器材1Agilent 4284A 1臺。2. 測試臺。3元器件： 9926AMOS9926AMOS管等管等 4. 導(dǎo)線若干。三、實(shí)驗(yàn)內(nèi)容和步驟 實(shí)驗(yàn)內(nèi)容：（1）測量MOS結(jié)構(gòu)的高、低頻C

4、V特性。（2）確定界面態(tài)密度及其分布。)/1/1(1)(2icCiLLsitCCCCCCqVNCL,為存在界面態(tài)時(shí)的電容，Cc高頻時(shí)的電容值（無界面態(tài)時(shí)的電容）四、實(shí)驗(yàn)步驟：1、在固定柵壓上加一個(gè)高頻的小信號（1MHz）。2、緩慢的改變柵壓（從負(fù)值變到正值），測出高頻的C-V特性3、在固定柵壓上加一個(gè)低頻的小信號(100Hz)。4、緩慢的改變柵壓（從負(fù)值變到正值），測出低頻 的C-V特性5、從準(zhǔn)靜態(tài)C-V特性曲線上得到含有界面態(tài)的MOS結(jié) 構(gòu)的電容CL，以及二氧化硅層電容Ci，再根據(jù)高頻 無界面態(tài)的電容CC, 從而通過進(jìn)一步的計(jì)算得出界 面態(tài)密度Nit(Vs)。五、實(shí)驗(yàn)報(bào)告要求1 整理實(shí)驗(yàn)結(jié)果，打印測量結(jié)果曲線2 小結(jié)實(shí)驗(yàn)心得體會。實(shí)驗(yàn)時(shí)間安排： 07060441, 07060442, 07060441X周一上午實(shí)驗(yàn)培訓(xùn) 07060441周一下午，晚上做試驗(yàn)（1） 07060442上午，下午做試驗(yàn)（1） 070