核輻射探測(cè)作業(yè)答案匯總

1、核輻射探測(cè)作業(yè)參考答案第一章作業(yè)答案在鋁中的射程4 A 3 4 27 3R 3.2 10 4 0.318 E 2 3.2 10 4 0.318 42 0.00157 q 2.72RP 3.2 104 A ( EP )1.8 102 3.2 104 27 ( 1 )1.8 102 0.00111 P q 9.3 2.7 9.33從重帶電粒子在物質(zhì)中的射程和在物質(zhì)中的平均速度公式，估算 子在硅中慢化到速度等于零(假定慢化是勻速的)所需的阻止時(shí)間( 射程為 17.8 )。解：依題意慢化是均減速的，有均減速運(yùn)動(dòng)公式：4MeV 的非相對(duì)論 粒4MeV 粒子在硅中的vt v0 ats v0t 1at2a

2、v02s依題已知： s R 17.8cm由E112m v v m2E 可得：t 2.56 10 8 s2sm 4u 4 1.66 10 27 (kg) 6.6465 10 27 (kg)這里 E 4MeV 4 1.60 10 13 Jv2 v02 1.389 10 7(m s 1)410MeV 的氘核與 10MeV 的電子穿過(guò)鉛時(shí)，它們的輻射損失率之比是多少？ 20MeV 的電 子穿過(guò)鉛時(shí)，輻射損失率和電離損失率之比是多少？解：由 dE z2 E由 2 EdEzd2E2ddxdradmddEze2Eedxeradme2 me22 mn mpdx rad m28 22.9589.109534 1

3、0 2821.6749543 1024 1.6726485 10 24dE 2dx radEe mec2 z 20 0.511 82 1681.902dE1600mec21600 0.511 817.6dx ion5能量為 13.7MeV 的 粒子射到鋁箔上， 試問(wèn)鋁箔的厚度多大時(shí)穿過(guò)鋁箔的 粒子的能量等于 7.0MeV?解：13.7MeV 的粒子在鋁箔中的射程 R 1，7.0MeV 粒子在鋁箔中的射程 R 2之差即為穿過(guò)鋁箔的厚度 d由AR 3.2 10 4A Ro3和 Ro 0.318E 2d R 1 R 2 3.2 10 4 AAl (Ro 1 Ro 2) Al27 3 33.2 10

4、4 (0.318 13.72 0.318 72 )2.77.39 10 3cm 6當(dāng)電子在鋁中的輻射損失是全部能量損失的 在鋁中的總能量損失率是多少？ 解：1/4 時(shí)，試估計(jì)電子的動(dòng)能。 27MeV 的電子( dE) ( dE)( dE)( dX ) ( dX )rad ( dX )ion( dE)rad 已知 dX 已知 ( dE) dXdE 1rad434( dX )( ddXE)ion14得到dE)raddX ) rad( dE )ion( dX )ion (Ee mec2)11600mec2 z 3( 又由公式Ee mec2(1600mec2 ) zz 132mec0.511MeV1(

5、 1600 0.511)3 0.5111320.964 0.511 20.453MeV不考慮軌道電子屏蔽時(shí)Ee( ddXE)rad24 1324z2NEe 22Ee 1e re2(lne2)137 emec2 32.7 6.022 102327 13 2 2 27 1 (2.82 10 13)2ln0.511 3271376.38 102 1023 10 26 (4.66 0.33) 2.76MeV /cm( dE )rad rad 根據(jù) dX( dE )ion( dX )ion即( ddXE)ion( dE )rad( dX )rad2(Ee mec2) z 1600 mec2 2.76Me

6、V(27 0.511) 13 6.31MeV /cm 1600 0.511 ( dE) (dE )ion ( dE )rad 2.76MeV /cm 6.31MeV /cm 9.07MeV /cm dX dX ion dX rad考慮電子屏蔽時(shí)1dE 4z(z 1)NEe 2 3 1()rade re2ln(83 z 3)dx 137 1813714 13 14 6.023 1022 27 7.3 10 3 7.95 10 26 (83 13 3) 0.06 3.03MeV /cm( dE )ion 3.03/ 0.437 6.93dx(dE)和 3.03 6.93 9.96 10MeV /c

7、m dx7.當(dāng)快電子穿過(guò)厚為 0.40 的某物質(zhì)層后，其能量平均減少了25%.若已知電子的能量損失基本上是輻射損失，試求電子的輻射長(zhǎng)度。解：xm由 E E0exomxmE 75% e xomE09xe9x0xex00.40 e x0ln 0.75 0.40x0x00.4 1.39cmln 0.758能量為 1.25MeV 的 放射源放在鉛容器里，為了安全，必須使容器外的強(qiáng)度減小為原來(lái) 的 1/4000, 試求容器壁至少需多厚。解：2(Ee mec2) z 357.643 0.43721600 mec2817.6 0.43I I 0e x 查附錄 6 表并用內(nèi)插法得 1.25MeV 的 射線(xiàn)在鉛

8、中的質(zhì)量系吸收數(shù)0.07080.0708 0.05171.5 1.00.25 0.0670而 m pb 0.0670 11.3 0.7571(cm 1)所以ln IIx0.7571ln 1ln 1000 6.9080781000 9.124(cm)0.75719一準(zhǔn)直的 光子束，能量為 2.04MeV,穿過(guò)薄鉛片，在 200 方向測(cè)量次級(jí)電子，求在這個(gè) 方向發(fā)射的光電子和康普頓反沖電子的能量是多少？（鉛的Bk88.1keV,Bl=15keV） .解：光電子能量K 層 L 層的能量分別為Ee Er Bk 2.04 0.0881 1.95MeVEe Er Bl 2.04 0.015 2.035Me

9、V康普頓電子能量：已知E2 mec200 ,由ctg(1 Er 2)tg222.75 (1 2.04 )tg0.511 2得 tg0.55cos1 tg 221 tg 21 0.325 0.53551 0.325Ece2Er2(1 cos )2.042 (1 0.53)11. 一個(gè) 2MeV射角度分別是解：由 Ermec2 Er(1 cos )1.32MeV0.511 2.04 (1 0.53)的光子射在探測(cè)器上，遭受兩次相繼的康普頓散射逃離。若兩次散射的散30 和 6 0，沉積在探測(cè)器中的反沖電子的總能量是多少？Er1 Er 2 1 cos mec得出：2Er21.312(MeV )1 2

10、1 cos3000.51160.574(MeV ) 1.312Er 1.312 0 1 1 cos600 0.511所以探測(cè)器中沉積能量為：E Er Er 2 0.574 1.426(MeV )第二章作業(yè)答案1活度為 5.55 109 Bq的14C 射線(xiàn)源（ 射線(xiàn)的平均能量為 50keV）置于充 Ar 的 4 電離室內(nèi)，若全部粒子的能量都消耗在電離室內(nèi)， 求飽和電流是多少？ 解： 飽和電流 I 飽和 E n e=50 10 5.55 109 1.6 10 19 1.68 10 6（A）W 26.4（ 由于是 4 電離室 , 且電離室對(duì) 的本征效率 100，因此 總 100）2極間距離為 5 ，

11、具有 150pF 電容的平行版電離室工作在電子靈敏方式。計(jì) 算離陽(yáng)極 2 處形成 1000 個(gè)離子對(duì)產(chǎn)生的脈沖幅度？解：對(duì)于平行版電離室，電子對(duì)脈沖幅度的貢獻(xiàn)為V N0e x0maxcd依題意 x 0=2 ,d=5 ,c=150pF,N 0=1000,e=1.6 10-19c1000 1.6 10 19 3max6.4 10 7(V).10010501.160 1120354一個(gè)具有比較好的信噪比特性的放大器給定 10mV的最小輸入脈沖。 如果測(cè)量 500keV 的 X射線(xiàn)，在一個(gè)具有 200pF的充 Ar 正比計(jì)數(shù)管中需要多大的氣體放大 因子？ 解：正比計(jì)數(shù)管脈沖N0MEx5 105ev26

12、.4ev1893910 10 3 200 10 12 5.28 10 115 105 1.6 10 19 8 10 1426.4660VmaxMN 0ecV.cN0e依題已知Vmax10mV，c200pF e1.6 10-19c氬氣的平均電離能 W26.4ev.5Ex=500kev=5105ev5Ex5 105ev 18939N0 W 26.4ev5.28 10 118 10 1466010 10 3 200 10 12 M55 105191.6 10 1926.4補(bǔ)充題 1 當(dāng) G-M計(jì)數(shù)管的窗厚加 60mg/cm2 時(shí)，的計(jì)數(shù)率減少一半。試求這種 放射源發(fā)射的 射線(xiàn)的最大能量是多少？解：根

13、據(jù) 射線(xiàn)吸收規(guī)律，窗厚為 xm時(shí)進(jìn)入 G-M管靈敏體積內(nèi)的 強(qiáng)度為I I0e mxm I I0e mxm 窗厚以后，穿過(guò)窗進(jìn)入 G-M管靈敏體積的 射線(xiàn)強(qiáng)度為E II0e m(xm 0.6)計(jì)數(shù)減少一半，即I e m (xm 0.6)I 0eI0e m xm得em 0.062 從而得到11.55( cm2 / g)又由221.33Emmax22最后得到 T 2 54.1分E ()1.33 1.623 MeVmax 11.55補(bǔ)充題 2：用錮（ In ）片活化法測(cè)量熱中子通量密度，已知銦片 s=4 2,x m=100mg/cm2, 錮 中 115In 的豐度為 95.7%，熱中子活化截面 145

14、b。將銦片放在中子場(chǎng)中照射 6 小 時(shí)后取出，等待 20 分鐘開(kāi)始測(cè)量 116In 的放射性，測(cè)量 10 分鐘測(cè)得計(jì)數(shù)率為 164000cps，求照射的熱中子通量密度。（ 116mIn 的半衰期為 54.1 分， 116In 半衰期為 14.1 秒）解：活化反應(yīng)為 115In（n, ） 116mIn根據(jù)題意知，銦片內(nèi)的 115In 的核素為smN1NA 95.7%A4 0.1 236.022 1023 0.957114.8212 1021T 2 54.1 分鐘又由公式dEdX)raddEdX)ion2(1E6e00mmeecc22) z2(Ee mec )12z 推出 1600mec23z 1

15、32mec2 0.511MeVln222.135 10 4s 11( 1600 0.511)Ee3 0.511e 1320.964 0.511 20.453MeV10 分鐘測(cè)得的總計(jì)數(shù)為164000 60 10 N1 (1 e t0 )e t1 e t22 1021 145 10 242.135 10 42.135 10 4 6 60 60 2.135 10 4 20 60 (1 e )(e2.135 10 4 30 60 e)21 242 1021 145 10 242.135 10 4(0.99) (0.744 0.681)1.25 102 1.25 102 7.87 105 9.84 1

16、07中子7.87 105中子 /cm2 s補(bǔ)充題 3電容為 10PF的沖氬氣的脈沖電離室， 前置放大器的噪聲約 20MV，輸入電容 20PF （忽略分布電容）。若認(rèn)為信噪比小于 5 就無(wú)法測(cè)量了，求該電離室能夠測(cè)量的 粒子最低能量。解：由脈沖電離室輸出脈沖幅度EeWci c0 c依題意V 5 20MV 100MV ,c 0100 10 6 30 10 12 26.4E V (cic0) W/e 100 10 1.63010110926.451.6 105ev 0.16(MeV) 補(bǔ)充題 4死時(shí)間分別為 30 s和100 s的探測(cè)器 A和B，若 B探測(cè)器的死時(shí)間漏計(jì)數(shù)率是A探測(cè)器死時(shí)間漏計(jì)數(shù)率的

17、兩倍，求應(yīng)測(cè)的計(jì)數(shù)率是多少？ 解：因n0n （得1分） 得 n0 -n n0n （得1分）1n得： nn0（得1分）1 n0據(jù)題意 : 2（ n0 nA A ）A （n0nB B ）B （得1分） 已知： A 30 s， B 100 s（得1分）帶入得： 2n0A 2n0B （得1分 ）1 n0 A1 n0 B2 0 -6 30 10-60 -6 100 10-6 (得1分 )1 n0 30 10-61 n0 100 10-6解得： n0 4 104 s-1 (得1分) 03第三章作業(yè)答案2使用一個(gè)完全耗盡了的 0.1mm厚的硅探測(cè)器，若偏壓大到足夠使載流子速度 處出飽和，估算電子和空穴的最大

18、收集時(shí)間。解：在室溫（ 300K）時(shí)電子和空穴的飽和速度 V=8106.s -1max91.25 10 9 s0.01(cm)618 106 ( cm.s 1) 3.當(dāng)粒子被準(zhǔn)直得垂直于金硅面壘探測(cè)器的表面時(shí)， 241Am刻度源的主要 射線(xiàn) 峰中心位于多道分析器的 461 道。然后改變幾何條件，使 粒子偏離法線(xiàn) 350角 入射，此時(shí)，峰位移到 449道，試求死層厚度（以 粒子粒子能量損失表示） 。 解：當(dāng)能量為損失 E0 的 粒子垂直入射時(shí) 0 設(shè) 粒子在探測(cè)器死層內(nèi)的能量為 E1則探測(cè)器靈敏體積得到的能量為（ E0- E1） 譜峰位在 461 道當(dāng) 35 時(shí) 死層內(nèi)能量損失為 E2 12 5

19、5 1.22 E1 0.22 探測(cè)器靈敏體得到的能量為（ E0- E2） E0-1.22 E1 譜峰位 449 道則 粒子兩個(gè)角度入射探測(cè)器靈敏體積分別得到的能量的差為E 461 449（ E0- E1）（ E0- E2）12E0 E1- E 0+1.22 E1=0.22 E1所以 E1 12 55 道0.223. 試就以下條件畫(huà)出硅面壘探測(cè)器的期望微分脈沖幅度譜：10（a）5MeV 入射 粒子，探測(cè)器的耗盡深度大于 粒子的射程。（b）5MeV 粒子，探測(cè)器的耗盡深度為 粒子射程之半。（c）情況同（ a），但 5MeV 粒子已經(jīng)經(jīng)過(guò)一塊吸收體， 其厚度等于該物質(zhì) 中 射程的一半。解： 根據(jù)射程

20、方程R 3.2 104 A (0.285 0.005E )Ea） 相應(yīng) 能譜峰位能量 E =5.3Mev(c) 當(dāng) E =5Mev時(shí) 0.005 E 0.025 0.2853.2 104 A0.285E3/22(5.59) 3 3.15MeVb) 相應(yīng)的能量為 E E 5 3.15 1.85MeV先經(jīng)過(guò) 12R 厚物質(zhì)后，穿過(guò)探測(cè)器內(nèi)的 粒子能量 E 由1 3 31 31 312RE 2得E 212E 212525.59 E 5一個(gè) Ge（Li ）探頭相對(duì)于標(biāo)準(zhǔn) 7.62cm6.62cm 的 NaI（T1） 閃爍體有 8的光電峰效率。求對(duì)于距探測(cè)器 40 處一個(gè) 3.7107Bq的60Co點(diǎn)源

21、的 1.33MeV全 能峰計(jì)數(shù)率。解：已知相對(duì)峰 8%,h2=40cm11源峰N p ( GeLi )源峰 源峰 (Ge)Np (NaI)源峰 1.2 10 3Ge(Li)對(duì)于 h1=25cm的 60Co的 1.33MeV源峰1.2 10-310-2=9.610-5又 源峰 本征峰 本4征峰 Ge（ Li ）對(duì)于 1.33MeV 的本征峰效率源峰（Ge）本征峰 -59.6 10-51 (12h1 2 )2r 2 h12-59.6 10-5-59.6 10-523 1.68 101 (1 25 ) 5.7 10 323.812 25225現(xiàn)在 h2 40cm， 源峰 本征峰1 h2 2 3 2

22、5（1 2 ） 1.68 10 2 2.25 10 3 1.68 10 2 3.78 10 52 r 2 h22np A 源峰=3.7 107 3.78 10 5 1.4 103（cps）6本征層厚度為 3mm的一個(gè) 380mm2的平面 Ge（Li ）探測(cè)器對(duì)距它表面 100處 0.25MBq的 137Cs射線(xiàn)源測(cè)量 5min 所得的全能峰、單逃逸峰、雙逃逸峰下面 的計(jì)數(shù)（ R 1 ）20解：1已知峰總比 R，依 R=Np/N總源峰/ 絕對(duì) 本征峰/ 本征20查表得對(duì) 622KeV射線(xiàn) Ge的 m 0.0777(cm2 g 1)g m 5.33 0.0777 0.414(cm 1) 本征 1

23、e x 1 e 0.414 0.3 0.117則 立體角因子（幾何因子）1 h 1 10幾何 (1 ) (1)2 r 2 h2 2102 1.211源峰 幾何 本征 R 0.117 0.494 20 0.00289全能峰內(nèi)計(jì)數(shù) N全npt=A 源峰 t=2.5 105(s-1)560(s) 源峰=216750137Cs發(fā)射 662kev射線(xiàn)， 662kev1.022kev, 不可能與 Ge發(fā)生電子對(duì)產(chǎn)生效應(yīng)， 故無(wú)單逃逸峰和雙逃逸峰。7絕對(duì)峰效率為 38的 NaI（T1）閃爍探測(cè)器，對(duì) 57Co源的 122kev射線(xiàn)測(cè)量1215min 光電峰計(jì)數(shù) 146835個(gè)。然后同樣的源置于離表面積為 3

24、600m的 Si（Li） 探測(cè)器的表面為 10記錄 60得到一個(gè)譜。如果在 7.1kev 的 KX射線(xiàn)峰下面 的計(jì)數(shù)為 932個(gè)，那么在這個(gè)能量時(shí) Si（Li） 探測(cè)器的效率是多少？ （對(duì)于 57Co 的特征 X射線(xiàn)和射線(xiàn)的強(qiáng)度比 X/分別為：對(duì)6.40kev 的K線(xiàn)為 0.5727 ， 對(duì) 7.1kev 的 K線(xiàn)為 0.7861 。解：依題意可得 57Co源 122kev 的射線(xiàn)強(qiáng)度Ir 源峰 t 146835429(Bq)146835 146835 146835 源峰 t 0.38 15 60 342則 7.1kev 的 KX 射線(xiàn)強(qiáng)度為I x Ir 0.7861 337(Bq)又N=Ix

25、幾何 本征峰 t10幾何 1 (1 2 ) 0.4942 102 1.15本征峰9320.00156 Ix 幾何 t 337 幾何 60 608.比較比Si材料和用 Ge材料做成的探測(cè)器由于電子空穴對(duì)的統(tǒng)計(jì)漲落對(duì)分辨 率的影響。如果除了統(tǒng)計(jì)漲落外，所有其他因素對(duì)譜線(xiàn)寬度的貢獻(xiàn)為 5kev，那 么對(duì) Si 和 Ge來(lái)說(shuō)，探測(cè)多大能量的粒子才會(huì)形成 20kev 的線(xiàn)寬？ 解：E=E2tongE其2 它即20(kev) (2.36 FWE)2 5220 (2.362 FWE 25202 2522.362 FSi WSi400 252.362 0.137 (3.62 10 3)1360kev0.255

26、3752.362 0.057 2.8 10 33750.0894213(kev)0.137 3.620.057 2.81.763Si2.36 FSiWSi /EFSiWSi /EGe 2.36FGeWGe / EFGeWGe /E補(bǔ)充題 1 40.8mm金硅面壘探測(cè)器測(cè) 能譜時(shí)，當(dāng) E0時(shí)相應(yīng)于零道，對(duì) 241Am 的 5.486MeV 的粒子譜峰位于 116 道，如果重離子能量為 21.00MeV譜峰被記錄 在 402 道，求脈沖幅度虧損是多少（已知前置放大器的輸入電容為10PF）。解：依題意，能量刻度曲線(xiàn)（直線(xiàn)）的截距為 0即 EKD K 為斜率13由 5.486MeV=K 116得 K

27、5.486/116=0.0473MeV/ 道 對(duì)于 E 21.00MeV應(yīng)該在 D21.00/0.0473=444（ 道 ） 實(shí)測(cè)在 402 道則能量虧損為 E（ 444402） 0.0473=1.9876MeV 脈沖幅度虧損為V （ E/W） e ci cd4d3 2 10 11r24d3.14 （0.2）2 11.73 2 3 11 2 3 2 10 11 0.4 10 12（F）4 3.14 0.081.9876 1063.621.6 10 1910 10 12 0.4 10 126.4 10 1210.4 10 120.6（V ）第四章作業(yè)答案1. NaI（T1） 閃爍體的衰變時(shí)間（即

28、衰變常數(shù)倒數(shù)）為 230ns，忽略光電倍增管引 入的任何時(shí)間展寬，求閃爍探測(cè)器陽(yáng)極電路時(shí)間常數(shù)為10，000 和 1000ns時(shí)的電壓脈沖幅度。解：Vmax=（ 0/C）（RC/ ）- / （RC- ）當(dāng) RC=10ns時(shí) Vmax=（ 0/C）（10/230）-230/ （10-230）=3.77 10-2（ 0/C）當(dāng) RC=100ns時(shí) Vmax=（ 0/C）（100/230）-230/ （100-230）=0.29 0/C當(dāng) RC=1000ns時(shí) Vmax=（ 0/C）（1000/230）-230/ （1000-230）=0.645 0/C3在 NaI（T1） 中 2MeV射線(xiàn)相互作用

29、的光電效應(yīng)、康普頓效應(yīng)和電子對(duì)效應(yīng)的 截面比為 1：20：2，入射到 NaI（T1） 中的 2MeV射線(xiàn)的脈沖幅度譜給出的峰 總比是小于、大于還是近似等于 1/23?解：R大于 1/23 ， 由于康普頓散射和電子對(duì)產(chǎn)生效應(yīng)的累計(jì)效應(yīng)的脈沖也會(huì)對(duì) 全能峰內(nèi)計(jì)數(shù)有貢獻(xiàn)4計(jì)算 24Na2.76MeV射線(xiàn)在 NaI（T1） 單晶 譜儀測(cè)得的能譜圖上的康普頓邊緣 與單光子逃逸峰之間的相對(duì)位置。試詳細(xì)解釋 射線(xiàn)在 NaI（T1） 閃爍體中產(chǎn) 生那些次級(jí)過(guò)程（一直把 能量分解到全部成為電子的動(dòng)能）？解：?jiǎn)我莘?E=2.76-0.511=2.249Mev康普頓峰 Emax Er （1meC 2Er） 2.52

30、6Mev光電效應(yīng) 光電子14康普頓效應(yīng)康普頓電子 散射 光電效應(yīng)光電子電子對(duì)效應(yīng)負(fù)e光電效應(yīng) 光電子正e 湮滅 康普頓電子 康普頓效應(yīng)光電效應(yīng) 光電子4. 如果一個(gè) NaI(T1) 閃爍探測(cè)器對(duì) 137Cs射線(xiàn) (0.662MeV)的能量分辨率是 7%, 計(jì)算它對(duì) 22Na的 1.28MeV射線(xiàn)的能量分辨率。解：由于 2 Er 為常數(shù)所以 2 正比于 1 且 很小可以忽略Er當(dāng) Er0.662Mev 時(shí) 7當(dāng) Er1.28Mev時(shí) 0.6612.280.07補(bǔ)充題：1試定性分析朔料閃爍體與 NaI(T1) 所測(cè) 0.662MeV的譜型有什么不同。若C發(fā)光0.13, 而遠(yuǎn)型 P、M管的光收集效率

31、 0.35,D 1的光電子收集效率接近 100，光陰極的量子效率 0.22, 1 25, 6, 求 NaI(T1) 對(duì) 0.662MeV的能量分辨率解： 由與物質(zhì)幾率與原子序數(shù)的關(guān)系知道， 朔料閃爍探測(cè)器的朔料閃爍體是碳?xì)浠?合物，原子序數(shù)很低， 0.662MeV 的射線(xiàn)只能與它發(fā)生康普頓散射，所以只有 康普頓連續(xù)譜。而 NaI(T1) 閃爍譜儀測(cè)的 0.662MeV 的譜，除了康普頓連續(xù)譜 外還有 117Cs的子體 137Ba的 KX射線(xiàn)峰，反散射峰和全能峰。2V 1 ( M )2 2.355 ( VP ) 2.355 M VPNaI(T1) 對(duì) 0.662MeV的全能峰能量分辨率為：1(

32、C光 )2 1 ( C光 )2 ( 光子)21 ) 2n光子 C光C 光C光n光子n光子第二項(xiàng)和第三項(xiàng)對(duì) 的貢獻(xiàn)均為 4第一項(xiàng)：由 ( MM )2 1 1 1 265 611 0.04815hchv121ev 1.6 10 12erghv hc 6.62 10 27erg s 3 1010cm s14.15 10 5cm124.78 10 erg 2.99ev 0.662 n光子 C 光hvfangguangT透明G G光K 0.662 CK2 C fangguang hcT透明G G光 K 20.662 1062.990.13 1 0.35 0.222.216 103 (guangdianzi )1 ( M)2M 4.72868 10 4n光子 C光則第一項(xiàng)貢獻(xiàn)為1 ( M )22.3552 M 5.12% n光子 C光1(4%) 2 (4%)2 (5.12%)2 2 7.6%2. 求 NaI(T1) 閃爍探測(cè)器的輸出脈沖幅度， 若 Er 1MeV全部損失在 NaI(T1) 中， 發(fā)光 效率 0.15, 光收 集 效率 0.5, 光陰 極 效率 0.2,D 1 收 集效率 0.8, =2.5,R=100K ,C=100PF解：VmaxQ0RC (RC )C0 ( )(RC )RC 100