功率器件封裝工藝詳解(公司最新)

1、至誠(chéng)至愛(ài)，共創(chuàng)未來(lái) SI SEMI.SI SEMI.2至誠(chéng)至愛(ài)，共創(chuàng)未來(lái) SI SEMI.SI SEMI.主要內(nèi)容介紹主要內(nèi)容介紹一、功率器件后封裝工藝流程一、功率器件后封裝工藝流程二、產(chǎn)品參數(shù)一致性和可靠性的保證二、產(chǎn)品參數(shù)一致性和可靠性的保證三、產(chǎn)品性價(jià)比三、產(chǎn)品性價(jià)比四、今后的發(fā)展四、今后的發(fā)展2至誠(chéng)至愛(ài)，共創(chuàng)未來(lái) SI SEMI.SI SEMI.劃片粘片壓焊塑封老化打印管腳上錫測(cè)試切筋檢驗(yàn)包裝入庫(kù)Die bondingDie sawwire bondingmoldingmarkingHeat agingplatingsegregatingTesting Inspection Packi

2、ng Ware house 3至誠(chéng)至愛(ài)，共創(chuàng)未來(lái) SI SEMI.SI SEMI.劃片劃片 劃片圓硅片劃片及繃片后的圓片劃片：將圓片切割成單個(gè)分離的芯片劃片特點(diǎn)：日本DISCO劃片機(jī)，具有高穩(wěn)定性，劃片刀的厚度25um，芯片損耗小。4至誠(chéng)至愛(ài)，共創(chuàng)未來(lái) SI SEMI.SI SEMI. 日本DISKO劃片機(jī)5至誠(chéng)至愛(ài)，共創(chuàng)未來(lái) SI SEMI.SI SEMI.（將單顆芯片粘結(jié)到引線框架上）實(shí)物圖劃片粘片壓焊塑封打印6至誠(chéng)至愛(ài)，共創(chuàng)未來(lái) SI SEMI.SI SEMI.1、自動(dòng)粘片機(jī)，芯片和引線框架的粘結(jié)牢固，一致性好。2、優(yōu)質(zhì)的框架及焊接材料使用，獲得良好的熱學(xué)和電學(xué)特性。3、芯片與框架的熱匹

3、配性良好，芯片和框架之間的應(yīng)力達(dá)到最小，熱阻小，散熱性好。4、氮?dú)錃怏w保護(hù)，避免高溫下材料氧化。7至誠(chéng)至愛(ài)，共創(chuàng)未來(lái) SI SEMI.SI SEMI.粘片員工在認(rèn)真操作8至誠(chéng)至愛(ài)，共創(chuàng)未來(lái) SI SEMI.SI SEMI.全新的TO-220粘片機(jī)9至誠(chéng)至愛(ài)，共創(chuàng)未來(lái) SI SEMI.SI SEMI.壓焊：用金絲或鋁絲將芯片上的電極跟外引線（框架管腳）連接起來(lái)。金絲金絲球焊鋁絲超聲波焊壓焊示意圖劃片粘片壓焊塑封打印10至誠(chéng)至愛(ài)，共創(chuàng)未來(lái) SI SEMI.SI SEMI.1、自動(dòng)壓焊機(jī)，一致性好，焊點(diǎn)、弧度、高度最佳，可靠性高。2、根據(jù)管芯的實(shí)際工作電流選擇引線直徑規(guī)格，保證了良好的電流特性 。壓

4、焊實(shí)物圖11至誠(chéng)至愛(ài)，共創(chuàng)未來(lái) SI SEMI.SI SEMI.全新的KS TO-92壓焊機(jī)壓焊車間12至誠(chéng)至愛(ài)，共創(chuàng)未來(lái) SI SEMI.SI SEMI.塑封塑封塑封體框架管腳塑封：壓機(jī)注 塑，將已裝片的管子進(jìn)行包封塑封示意圖劃片粘片壓焊塑封打印13至誠(chéng)至愛(ài)，共創(chuàng)未來(lái) SI SEMI.SI SEMI.采用環(huán)氧樹(shù)脂塑封材料封裝，阻燃，應(yīng)力小，強(qiáng)度高，導(dǎo)熱性好，密封性好，保證晶體管大功率使用情況下具有良好散熱能力，管體溫度低。塑封機(jī)14至誠(chéng)至愛(ài)，共創(chuàng)未來(lái) SI SEMI.SI SEMI.塑封車間塑封車間塑封生產(chǎn)車間的景象15至誠(chéng)至愛(ài)，共創(chuàng)未來(lái) SI SEMI.SI SEMI.激光打標(biāo)激光打印機(jī)在

5、管體打上標(biāo)記塑封切筋打印電鍍測(cè)試?yán)匣?6至誠(chéng)至愛(ài)，共創(chuàng)未來(lái) SI SEMI.SI SEMI.電鍍：純錫電鍍，符合無(wú)鉛化要求切筋：器件分散連筋切筋示意圖塑封切筋打印電鍍測(cè)試?yán)匣?7至誠(chéng)至愛(ài)，共創(chuàng)未來(lái) SI SEMI.SI SEMI.切筋員工在操作18至誠(chéng)至愛(ài)，共創(chuàng)未來(lái) SI SEMI.SI SEMI.1、嚴(yán)格的篩選條件，溫度140150。2、使用有N2保護(hù)的烘箱，防止管子在高溫下氧化。塑封切筋打印電鍍測(cè)試?yán)匣?9至誠(chéng)至愛(ài)，共創(chuàng)未來(lái) SI SEMI.SI SEMI.切筋電鍍測(cè)試?yán)匣瘷z驗(yàn)包裝測(cè)試流程20至誠(chéng)至愛(ài)，共創(chuàng)未來(lái) SI SEMI.SI SEMI.測(cè)試設(shè)備測(cè)試設(shè)備KT9614與DTS-1000

6、分選機(jī)21至誠(chéng)至愛(ài)，共創(chuàng)未來(lái) SI SEMI.SI SEMI.整潔的包裝車間新型的包裝方式編帶我公司今年新引進(jìn)的編帶機(jī)22至誠(chéng)至愛(ài)，共創(chuàng)未來(lái) SI SEMI.SI SEMI.1、產(chǎn)品的一致性 a.芯片生產(chǎn)工藝控制 b.通過(guò)細(xì)分類進(jìn)行控制2、產(chǎn)品可靠性 a.優(yōu)化芯片生產(chǎn)工藝提高可靠性 b.封裝工藝的嚴(yán)格要求 23至誠(chéng)至愛(ài)，共創(chuàng)未來(lái) SI SEMI.SI SEMI.高精度的測(cè)試系統(tǒng) 1、最高測(cè)試電壓為1000V，最大電流20A，漏電流最高精度達(dá)到pA級(jí)，電壓測(cè)試精度達(dá)到2mV 2、可測(cè)試的半導(dǎo)體器件有雙極晶體管，MOS管，二極管等多種器件。 3、對(duì)于雙極晶體管，可測(cè)試hFE、Vcesat、Vbes

7、at、Rhfe、Iceo、Iebo、Bveb、Icbo、Bvceo、Vfbe、Vfbc、Vfec、Bton、Bvces、Bvcer、Icer、Icex、Icbr、Icbs、BVcbo、Iceo等參數(shù)24至誠(chéng)至愛(ài)，共創(chuàng)未來(lái) SI SEMI.SI SEMI.一、降低熱阻二、控制“虛焊”三、增強(qiáng)塑封氣密性25至誠(chéng)至愛(ài)，共創(chuàng)未來(lái) SI SEMI.SI SEMI.降低器件發(fā)熱量的三個(gè)途徑一、通過(guò)優(yōu)化電路，避免開(kāi)關(guān)器件進(jìn)入放大區(qū)，減小器件上的功率消耗 。二、降低器件的熱阻，即提高器件的散熱能力。 三、提高器件的電流性能，降低飽和壓降 。 在電路和芯片都已固定的情況下，避免器件發(fā)熱失效重要的途徑就是降低器件

8、的熱阻熱阻 。26至誠(chéng)至愛(ài)，共創(chuàng)未來(lái) SI SEMI.SI SEMI.一、熱阻的定義 熱阻(Rth)是表征晶體管工作時(shí)所產(chǎn)生的熱量向外界散發(fā)的能力，單位為/W，即是當(dāng)管子消耗掉1W時(shí)器件溫度升高的度數(shù)。RTH總 RT1+ RT2+ RT327至誠(chéng)至愛(ài)，共創(chuàng)未來(lái) SI SEMI.SI SEMI.二、晶體管熱阻的組成1、RT1內(nèi)熱阻由芯片的大小及材料決定。2、 RT2接觸熱阻與封裝工藝有關(guān)。3、 RT3與封裝形式及是否加散熱片有關(guān)。28至誠(chéng)至愛(ài)，共創(chuàng)未來(lái) SI SEMI.SI SEMI. 我們工藝控制過(guò)程中，最重要的是解決接觸熱阻。主要的控制手段： 1、粘片工藝對(duì)接觸熱阻的控制。 2、高效的測(cè)試手

9、段進(jìn)行篩選 。29至誠(chéng)至愛(ài)，共創(chuàng)未來(lái) SI SEMI.SI SEMI.熱阻偏大的原因分析與工藝保證30至誠(chéng)至愛(ài)，共創(chuàng)未來(lái) SI SEMI.SI SEMI. 晶體管的熱阻測(cè)試原理： 在一定范圍內(nèi)pn結(jié)的正向壓降Vbe 的變化與結(jié)溫度的變化T有近似線性的關(guān)系： VbekT 對(duì)于硅pn結(jié)，k約等于2，熱阻的計(jì)算公式為： RthT/P 只需加一個(gè)穩(wěn)定的功率，測(cè)量晶體管的Vbe即可計(jì)算出晶體管的熱阻 RT。31至誠(chéng)至愛(ài)，共創(chuàng)未來(lái) SI SEMI.SI SEMI. 進(jìn)行熱阻測(cè)試篩選，我們用的是日本TESEC的Vbe測(cè)試儀 。32至誠(chéng)至愛(ài)，共創(chuàng)未來(lái) SI SEMI.SI SEMI.Vbe測(cè)試儀的性能參數(shù)及優(yōu)

10、點(diǎn)：測(cè)試精度：0.1mV脈沖時(shí)間精確度：1us最高電壓：200V最大電流：20A優(yōu)點(diǎn)： 1.精度高，且精度高可達(dá)到0.1mV，重復(fù)性好。 2.篩選率高 33至誠(chéng)至愛(ài)，共創(chuàng)未來(lái) SI SEMI.SI SEMI.優(yōu)點(diǎn)2：篩選率高如粘片有空洞，脈沖測(cè)試在很短功率脈沖內(nèi)，由于熱量來(lái)不及傳導(dǎo)，有空洞的地方就會(huì)形成一個(gè)熱點(diǎn)（即溫度比粘結(jié)面其他地區(qū)高出很多的小區(qū)域）（如右圖示 ）。 熱點(diǎn)處溫度高，Vbe將比其他地方的Vbe變化大。整個(gè)pn結(jié)的Vbe將主要受熱點(diǎn)處的Vbe的影響，因此，有空洞的管子的Vbe比正常管子的Vbe要大很多。34至誠(chéng)至愛(ài)，共創(chuàng)未來(lái) SI SEMI.SI SEMI.通過(guò)測(cè)量Vbe，再經(jīng)過(guò)

11、公式 Rth Vbe /KP我公司典型產(chǎn)品值：35至誠(chéng)至愛(ài)，共創(chuàng)未來(lái) SI SEMI.SI SEMI._X36至誠(chéng)至愛(ài)，共創(chuàng)未來(lái) SI SEMI.SI SEMI.壓焊工序?qū)σ€拉力進(jìn)行了嚴(yán)格的控制37至誠(chéng)至愛(ài)，共創(chuàng)未來(lái) SI SEMI.SI SEMI.38至誠(chéng)至愛(ài)，共創(chuàng)未來(lái) SI SEMI.SI SEMI.產(chǎn)品性價(jià)比產(chǎn)品性價(jià)比1、材料的選用2、先進(jìn)的工藝制程3、嚴(yán)格的生產(chǎn)過(guò)程控制39至誠(chéng)至愛(ài)，共創(chuàng)未來(lái) SI SEMI.SI SEMI.材料的選用材料的選用1.供應(yīng)商均經(jīng)過(guò)評(píng)價(jià)認(rèn)證2.品質(zhì)好價(jià)格高的材料40至誠(chéng)至愛(ài)，共創(chuàng)未來(lái) SI SEMI.SI SEMI.先進(jìn)的工藝制程先進(jìn)的工藝制程 一、凈化廠房，潔凈度10000級(jí)，避免了粉塵灰粒的粘污二、全自動(dòng)的粘片、壓焊機(jī)，并有氮?dú)錃獗Ｗo(hù)三、所有產(chǎn)品經(jīng)過(guò)高溫老化，性能更穩(wěn)定更可靠四、精度高、穩(wěn)定性好的測(cè)試篩選設(shè)備， DTS-1000 ， Vbe41至誠(chéng)至愛(ài)，共創(chuàng)未來(lái) SI SEMI.SI SEMI.產(chǎn)品的特點(diǎn)產(chǎn)品的特點(diǎn)1、電流特性好，飽和壓降小，在輸出相同的功率下，晶體管消耗的功率小，發(fā)熱量低2、產(chǎn)品種類型號(hào)豐富，專門(mén)針對(duì)節(jié)能燈、電子鎮(zhèn)流器進(jìn)行設(shè)計(jì)封裝形式：TO-92、TO-126、TO-220、 TO-262、TO-263、TO251帶抗飽和電路的系列L(低電壓)系列晶體管42至誠(chéng)至愛(ài)，共創(chuàng)未來(lái) SI SEMI.S