MDATESTTHEORY

1、MDA TEST THEORYMDA TEST THEORYKaven_wang 2008/08/18Open/short 為什么使用短路群為什么使用短路群(Short Group)電路板之短路測(cè)試是要測(cè)試出待測(cè)電路板上不被預(yù)期的 (Unexpected)短路現(xiàn)象，而待測(cè)電路板上通常亦有一些預(yù)期的(Expected)短路，如Jumper、Fuse或小電阻、電感等小于短路Threshold之組件存在。故可藉由學(xué)習(xí)的過(guò)程中，將預(yù)期的短路形成一短路群，其功能如下a.節(jié)省測(cè)試程序準(zhǔn)備時(shí)間b.加快測(cè)試速度另一方面，電路板之開路測(cè)試是要測(cè)出待測(cè)電路板上預(yù)期(Expected)短路的組件是否因錯(cuò)件或漏件而造

2、成開路，例如下列之組件即可在開路測(cè)試中，測(cè)出是否為開路。Fuse小于短路Threshold之小電阻JumperInductorsTracesCable短路群學(xué)習(xí)時(shí)會(huì)將預(yù)期(Expected)短路形成短路群，但其判斷的準(zhǔn)則為何？TR-5001在學(xué)習(xí)短路群時(shí)，將由起始針號(hào)開起始針號(hào)開始始，循序?qū)ふ遗c此針號(hào)之阻抗小于RawTHD之針點(diǎn)，形成一短路群。例1：25610251541Raw THD =則短路群為41,6,10執(zhí)行短路群組學(xué)習(xí),其將依照內(nèi)容學(xué)習(xí).此時(shí)治具與待測(cè)板接觸,成待測(cè)狀態(tài). 儲(chǔ)存短路群組資料至.SPG 將學(xué)習(xí)之短路群組數(shù)據(jù)與.DAT檔案比較,分析.將分析結(jié)果儲(chǔ)存至.SPA檔案 RSHO

3、RT testRSHORT test在Open/Short學(xué)習(xí)后,系統(tǒng)會(huì)根據(jù)DAT數(shù)據(jù)檢查是否有類似短路狀態(tài),例如電感L,跳線J,小電阻等,如果找不到相關(guān)原因,會(huì)自動(dòng)產(chǎn)生一個(gè)RSHORT Step.用戶要一個(gè)一個(gè)確認(rèn)其正確與否，找到原因.如待測(cè)板兩點(diǎn)確實(shí)短路，可在電路圖中尋找其原因，如一顆IC內(nèi)部短路，標(biāo)注其原因 如待測(cè)板兩點(diǎn)為開路，可從機(jī)臺(tái)，治具，接觸性這幾個(gè)方面來(lái)檢查.開關(guān)板內(nèi)部是否短路（檢查方法，自檢開關(guān)板），interface探針的完整性檢查治具：看測(cè)試兩點(diǎn)是否內(nèi)部短路，如果短路，修改治具接觸性：貼膠帶在待測(cè)板上校針。電阻測(cè)試原理如上圖所示，在量測(cè)電阻時(shí)是由系統(tǒng)送出一個(gè)定電流源到待測(cè)物

4、上，經(jīng)由量測(cè)待測(cè)物兩端之電壓來(lái)計(jì)算出待測(cè)物之電阻值。我們令系統(tǒng)送出之定電流為I，待測(cè)物之電阻為RX，待測(cè)物上之電壓為VRX，而待測(cè)物之電阻值可以由以下之公式計(jì)算而得之。IVRRXX如上圖所示，若待測(cè)物RX并聯(lián)有較大的電容時(shí)，若仍使用定電流的方式來(lái)量測(cè)的話，則電容會(huì)將定電流源之電流分流，直到電容充飽才成斷路，如此會(huì)增加量測(cè)時(shí)間，此時(shí)若改以電壓源V(0.2V)對(duì)電容加以充電，使電容迅速飽達(dá)到斷路之狀態(tài)，再量回其電流Ix，即可輕易的求得Rx。計(jì)算公式如下：IxVxRXResistance Debug 送電流時(shí)高點(diǎn)盡量少的連接元器件,送電壓時(shí)低點(diǎn)盡量少的連接元器件 找隔離點(diǎn)（首選R,再選C） R的測(cè)量

5、值偏大，先將GuardNail都設(shè)爲(wèi)0,Mode設(shè)為0試試，如果還是偏高,一定要找原因，因?yàn)檎顟B(tài)下R不可能偏大（看電路板上的元器件是否完好，治具是否完好） RR時(shí)，可修改Expect V 單測(cè)穩(wěn)定，整體測(cè)試不穩(wěn)定，Rpt中可設(shè)A orD，如果還是不穩(wěn)定，可移動(dòng)到本項(xiàng)測(cè)試首部，減少干擾 JUMPER測(cè)試原理測(cè)試原理 在TR-5001上我們定義量測(cè)值1為短路，量測(cè)值4為開路。 (ops=5, 25, 55)跳線、短路測(cè)試之量測(cè)值0X515X25125X55355X4如果X25，則量測(cè)值顯示1在25X55之間，則量測(cè)值顯示 3 若55X，則量測(cè)值顯示 4電感Debug 在實(shí)際測(cè)試中我們基本都用跳

6、線來(lái)測(cè)試電感，其誤判的基本處理方法和Jumper差不多，但應(yīng)注意以下兩點(diǎn)： 1.電感OPEN時(shí)測(cè)試值和偏差值都很大。 2.當(dāng)電感并聯(lián)時(shí)和它并聯(lián)的電感一般測(cè)不了。電容測(cè)試原理電容測(cè)試原理 大電容測(cè)試大電容測(cè)試上圖為大電容量測(cè)之線路，量測(cè)原理是利用系統(tǒng)送之定電流源，對(duì)待測(cè)物電容CX加以充電，經(jīng)過(guò)一固定時(shí)間T之后，再去量測(cè)待測(cè)物電容CX上之電壓值VCX，于是便可以利用下列之公式加以算出CX之電容值。其中因?yàn)镮為定值，T也為定值，VCX為已知值，故可輕易地算出CX之值。CXXVCTI交流信號(hào)之電容量測(cè) 如果我們使用直流信號(hào)來(lái)量測(cè)電容，則電容在一開始的瞬時(shí)時(shí)會(huì)類似短路， 當(dāng)其電容穩(wěn)定后則類似斷路，因此我

7、們無(wú)法使用直流信號(hào)來(lái)量測(cè)電容， 于是我們使用交流信號(hào)來(lái)量測(cè)電容。其交流信號(hào)之大小為40mVrms之正弦波電壓。如上圖所示，在待測(cè)物電容CX兩端加上一固定頻率之正弦波信號(hào)，由于電容對(duì)于交流信號(hào)所呈現(xiàn)之阻抗會(huì)隨著頻率而改變，所以我們會(huì)對(duì)待測(cè)物施以一固定頻率之正弦波信號(hào)，再量測(cè)其流經(jīng)待測(cè)物之電流值I，經(jīng)由V/I即可得到電容之交流阻抗，然后再經(jīng)由阻抗計(jì)算公式即可得到其電容值。公式如下：Cxfreq21電容交流阻抗C test Mode Select0-1000pF Mode-2加 補(bǔ)償值 1n-100n Mode-1 100n-1u Mode-01u以上Mode-4,8,11 or 13CR a .R

8、為小電阻，不可測(cè) b .R為大電阻,可測(cè)Mode-5，6 or 7CC a.小電容不可測(cè)，僅測(cè)大電容，ExpectV為所有并聯(lián)電容值之和 b.相同電容，僅測(cè)其中一個(gè)，ExpectV為所有并聯(lián)電容值之和C Test Guard Select 為了使我們送的信號(hào)盡可能準(zhǔn)確，可以選擇隔離點(diǎn)對(duì)電路進(jìn)行隔離，就是利用電壓平衡來(lái)達(dá)到準(zhǔn)確測(cè)量。 對(duì)于小于150UF的電容在選擇Mode 4時(shí)，最多可以選擇2個(gè)隔離點(diǎn)。 對(duì)于大于150UF的電容在選擇Mode 4時(shí)，不允許有隔離點(diǎn)。Diode Test用Mode-1 20mA電流比較大，相對(duì)穩(wěn)定并聯(lián)大電容，測(cè)試不穩(wěn)，加DLY配合RPT(不能用A ,D) 如上圖

9、反向：并聯(lián)電容，電容在未充滿狀態(tài)，可能會(huì)出現(xiàn)Pass現(xiàn)象，持續(xù)F8,可以檢查出，解決方法，加DLY如上圖 正向：可能由于時(shí)間短，電容未充滿，電壓偏低不穩(wěn)，可加DLY解決 測(cè)試diode送的電壓是2V,正向量測(cè)電壓一般爲(wèi)0.7V反向或缺件為2V左右 diode測(cè)試時(shí)必須進(jìn)行反向檢測(cè),確認(rèn)反向是否會(huì)fail，若pass可能為假測(cè)，一定要確認(rèn).測(cè)試LED時(shí)一定要用mode1,并Change Hi Lo pin看是否Fail晶體管量測(cè)晶體管量測(cè)IBVCEIC5mA0.2VExample NPNBCEGPHi pin(AP)Lo pin(BP)a.將射極(Emitter)接地并從AP送一定電流源5mA。

10、b.由VBE (GP)輸入電壓。c.將VBE增加到晶體管進(jìn)入飽合，于是使得VCE的電壓低于0.2v FET testN-TYPEdiode-s-d測(cè)試TYPE-DMode-1在Vgs增加到FET進(jìn)入飽和（2V-5V），得到Vds的電壓低于0.2V（有時(shí)可能達(dá)到0.4V）PartNameBOM-VExpectVHlim%Llim%ModeTypeHiNLoNGuardN-TYPE2V-5V0.2V-0.4V30-14QDSG1，BOM中盡量少用5V高電壓，由于電壓過(guò)高可能會(huì)對(duì)IC造成傷害 2，當(dāng)pass后，設(shè)置BOM值或者Guard點(diǎn)為0（也就是使FET處于非飽和狀態(tài)）,確認(rèn)是否會(huì)fail，若p

11、ass可能為假測(cè)，一定要確認(rèn). P-TYPE 1.diode-d-s測(cè)試TYPE-D Mode-1 2.在Vgd增加到FET進(jìn)入飽和（2V-5V），得到Vsd的電壓低于0.2V （有時(shí)可能達(dá)到0.4V）PartNameBOM-VExpectVHlim%Llim%ModeTypeHiNLoNGuardP-TYPE2V-5V0.2V-0.4V30-13QSDG如果上面不能測(cè)試，可以試 Rgd-2.4K左右 TYPE-RMode-4 or 5 Rgs-2.4K左右 TYPE-R Mode-4 or 5ClampingDiode測(cè)試原理測(cè)試原理大部份IC在輸入/輸出PIN中，會(huì)加上保護(hù)DIODE，主要

12、目的為作電壓CLAMP，以CMOS組件為例gateI/O pinVccGNDSiO2Rs由于輸入端為MOS的gate，gate為一“金屬-SiO2”的電容，其中SiO2為一薄膜，若gate的電壓太高，如靜電，將會(huì)產(chǎn)生大電場(chǎng)而擊穿此SiO2薄膜，故須對(duì)gate端作限壓，乃加入DIODE，但當(dāng)PIN的電壓過(guò)高時(shí)，易將DIODE燒毀(有大電流流經(jīng)DIODE)，故常在gate端串接電阻作限流，以保護(hù)DIODE即“以DIODE保護(hù)MOS的gate“而”以RS保護(hù)DIODE“,此RS由IC制程中所作出，通常為數(shù)百至數(shù)K，誤差很大(IC的制程不易做出準(zhǔn)確的電阻，且此RS只是作保護(hù)，不須準(zhǔn)確) Clmapin

13、g Diode TEST即利用此DIODE特性，來(lái)判斷IC的PIN有無(wú)空焊方法為于控制板中產(chǎn)生電壓(依輸入值)源送出，而為防止負(fù)載短路，須加限流(3mA)，同時(shí)于控制板中量回負(fù)載電壓(與量電阻的Vx方式相似)，由于RS的誤差大，且隨各廠牌而異，故對(duì)ClampingDiode的量測(cè)值需取較大的誤差此電壓源為可調(diào)式，通常以一DAC(數(shù)位-模擬轉(zhuǎn)換器)來(lái)完成，由于須由程控，故此可調(diào)式電壓源置于控制板內(nèi)，同時(shí)量回Vx的方式與量電阻相似，故由控制板量測(cè)Vx值。 V xA SB SR sclamping diode 注意事項(xiàng) 學(xué)習(xí)值大于1.4v a.必須逐個(gè)確認(rèn)大于1.4V的步驟，標(biāo)注其原因.例如沒有cl

14、amping diode等. b.針對(duì)產(chǎn)品不同，或客戶要求不同來(lái)判斷是否skip. 例如notebook,由于元器件對(duì)電壓相對(duì)敏感，必須要skip2.兩個(gè)或多個(gè)clamping diode并聯(lián)，沒有辦法測(cè)試其缺件和反向3.如果沒有Vcc和Gnd或少于8pin時(shí)，不能學(xué)習(xí)Clamping Diode4.把所有不能learning的IC確認(rèn)是否有Diode的測(cè)試方式，若有則必須在component teststep部分增加其測(cè)試步驟，測(cè)試方法與DiodeTest一樣. 檢查時(shí)，測(cè)量值偏小很多加DLY,不要用Mode-1,防止電流過(guò)大，引起IC燒毀AgilentTestJet測(cè)試原理測(cè)試原理其原理是

15、利用IC內(nèi)部的LeadFrame與SensorPlate之間的微小電容量，當(dāng)我們從TESTPIN送一個(gè)300mV,10KHz之訊號(hào)到待測(cè)物的待測(cè)腳上時(shí)，此時(shí)會(huì)將IC的其他接腳透過(guò)FIXTURE上的TESTPIN接到地，若是待測(cè)腳OPEN時(shí)由於LeadFrame上并沒有信號(hào)，所以Sensor Plate上的Amplifier無(wú)法感應(yīng)到夠大的電壓，當(dāng)接腳是接上的時(shí)則因?yàn)長(zhǎng)eadFrame與SensorPlate之間的電容量使得Sensor Plate上的Amplifier可以感應(yīng)到一個(gè)比ICOPEN時(shí)大的電壓，于是我們便可以依此電壓得知IC腳是否有OPEN。TestJet Learning 方式用max./min. value方式相同類型的nail太多引起learning上下限偏高，也會(huì)被skip例如Vcc，Gnd. a. Tp-表示共有多少個(gè)相同