EV事件管理器(2)

1、EVEV中斷中斷EVEV寄存器寄存器 事件管理器的中斷事件分為3組：A、B和C。每一組都有一個不同的中斷標(biāo)志和中斷使能寄存器。每個EV中斷組中有若干個事件管理器外圍設(shè)備中斷請求。每個EV中斷組都有一個中斷標(biāo)志寄存器和一個相應(yīng)的中斷屏蔽寄存器。如果EVAIMRx中的相應(yīng)位為0，那么EVAIFRx（x=A,B,C）中的標(biāo)志位被屏蔽（即不會產(chǎn)生外圍設(shè)備的中斷請求） 事件管理器中斷概述事件管理器中斷概述 若外圍設(shè)備的中斷請求被確認(rèn)，PIE控制器將相應(yīng)的外圍設(shè)備中斷向量裝入外圍設(shè)備中斷向量寄存器（PIVR）。PIVR裝入的向量是具有最高優(yōu)先級的未響應(yīng)事件，中斷服務(wù)程序（ISR）可以讀取向量寄存器 EVE

2、V中斷請求和服務(wù)中斷請求和服務(wù) 當(dāng)EV模塊產(chǎn)生一個中斷事件時，EV中斷標(biāo)志寄存器的相應(yīng)中斷標(biāo)志位置1。如果標(biāo)志位沒有屏蔽（EVAIMRx的相應(yīng)位置1），則外圍設(shè)備中斷擴展控制器會產(chǎn)生一個外圍設(shè)備中斷請求 中斷的產(chǎn)生中斷的產(chǎn)生 當(dāng)中斷請求被確認(rèn)后，與被使能的中斷標(biāo)志對應(yīng)具有最高優(yōu)先級的外圍設(shè)備中斷向量被裝入PIVR（這一切在事件管理器的外圍設(shè)備中斷控制器中完成）。 注意：清除中斷標(biāo)志位失敗，外圍設(shè)備寄存器中的中斷標(biāo)志位需要通過軟件向ISR中的位寫1來清除。沒有清除標(biāo)志位會阻止以后的中斷請求。中斷向量中斷向量 定時器1計數(shù)器寄存器（T1CNT），地址7401h定時器1比較寄存器（T1CMPR），地

3、址7402h定時器1周期寄存器（T1PR），地址7403h定時器2計數(shù)器寄存器（T2CNT），地址7405h定時器2比較寄存器（T2CMPR），地址7406h定時器2周期寄存器（T2PR），地址7407h定時器3計數(shù)器寄存器（T3CNT），地址7501h定時器3比較寄存器（T3CMPR），地址7502h定時器3周期寄存器（T3PR），地址7503h定時器4計數(shù)器寄存器（T4CNT），地址7505h定時器4比較寄存器（T4CMPR），地址7506h定時器4周期寄存器（T4PR），地址7507h定時器1控制寄存器（T1CON），地址7404h定時器2控制寄存器（T2CON），地址7408h定時器3

4、控制寄存器（T3CON），地址7504h定時器4控制寄存器（T4CON），地址7508h注意：所有這些寄存器都是分開的，因此要單獨進行配置。事件管理器的寄存器事件管理器的寄存器定時器寄存器定時器寄存器15141514 Free,Soft 仿真控制位；00 一旦仿真掛起，立即停止；01 一旦仿真掛起，在當(dāng)前周期結(jié)束后停止；10 操作受仿真掛起的影響；11 操作不受仿真掛起的影響。12111211TMODE1TMODE0 計數(shù)模式選擇；00 停止/保持；01 連續(xù)增/減模式；10 連續(xù)增模式；11 定向增/減模式。108 108 TPS2TPS0輸入時鐘預(yù)定標(biāo)因子：000 X/1 001 X/2

5、010 X/4011 X/8 100 X/16 101 X/32110 X/64 111 X/128（X=器件CPU時鐘頻率）7 7T2SWT1/T4SWT3 T2SWT1對應(yīng)EVA（用定時器2啟動定時器1），使用定時器2的使能位啟動定時器1。這一位在T1CON 中是保留位。T4SWT3對應(yīng)EVB（定時器4啟動定時器3），使用定時器4的使能位啟動定時器3。這一位在T3CON中是保留位。0 使用自身的使能位。1 使用T1CON的使能位（EVA中）或T3CON的使能位（EVB中），忽略自身的使能位 6 6 TENABLE 定時器使能位。0 禁止定時器操作（定時器保持并且預(yù)定標(biāo)因子 為0）。1使能定

6、時器操作。54 54 TCLKS1TCLKS0 時鐘源00 內(nèi)部時鐘（例如HSPCLK）；01 外部時鐘（例如TCLKIN）；10 保留；11 QEP電路。3232 TCLD1TCLD0 定時器比較寄存器重載條件00 當(dāng)計數(shù)器值為0；01 當(dāng)計數(shù)器值為0或等于周期寄存器值；10 立即；11 保留。1 1 TECMPR 定時器比較使能。0 禁止定時器操作；1 使能定時器操作 0 0 SELT1PR/SELT3PR 在EVA中是SELT1PR （選擇周期寄存器），當(dāng)T2CON中的此位為1， 將忽略定時器2的周期寄存器，選用定時器1的 周期寄存器。這一位在T1CON中是保留位。在 EVB中是SELT

7、3PR（選擇周期寄存器），當(dāng) T4CON中的此位為1，將忽略定時器4的周期寄 存器，選用定時器3的周期寄存器。這一位在 T3CON中是保留位。0 選用自身周期寄存器。1 選用T1PR或T3PR作為周期寄存器，忽略自身寄存 器。12 T2CTRIPE T2CTRIP使能位，使能或 禁止定時器2的比較陷阱。當(dāng)EXTCON（0） =1，該位激活；當(dāng)EXTCON（0）=0，該位保留。0 禁止T2CTRIP。T2CTRIP不影響定時器2的比較輸出、GPTCON（5）或PDPINT標(biāo)志。1 使能T2CTRIP。當(dāng)T2CTRIP為低電平，定時器2變?yōu)楦咦锠顟B(tài)，GPTCON（5）變?yōu)?，PDPINT標(biāo)志 EV

8、IFRA（0）置1 11 T1CTRIPE T1CTRIP使能位。使能或禁 止定時器1的比較陷阱。當(dāng)EXTCON（0）=1，該位激活；當(dāng)EXTCON（0）=0，該位保留。0 禁止T1CTRIP。T1CTRIP不影響定時器1的比較輸 出、GPTCON（4）或PDPINT標(biāo)志。1 使能T1CTRIP。當(dāng)T1CTRIP為低電平，定時器1變 為高阻狀態(tài)，GPTCON（4）變?yōu)?，PDPINT標(biāo)志 EVIFRA（0）置1 109109 T2TOADC 定時器2事件啟動ADC。00 不啟動ADC；01 下溢中斷啟動ADC；10 周期中斷啟動ADC；11 比較中斷啟動ADC。 87 T1TOADC 定時器1

9、事件啟動ADC。00 不啟動ADC；01 下溢中斷啟動ADC；10 周期中斷啟動ADC；11 比較中斷啟動ADC。6 TCMPOE 比較輸出使能位，禁止或使能定時器比較輸出。只有當(dāng)EXTCON（0）=1時才激活該位，當(dāng)EXTCON（0）=0時該位保留。當(dāng)PDPINT/T1CTRIP為低電平且EVIMRA（0）=1時激活該位，它會變?yōu)?。0 定時器比較輸出T1/2PWM_T1/2CMPR為高阻；1定時器比較輸出T1/2PWM_T1/2CMPR由各自的定時器比較邏輯驅(qū)動。5 T2CMPOE 定時器2比較輸出使能位，使能或禁止定時器2的比較輸出T2PWM_T2CMP。EXTCON（0）=1激活該位，

10、EXTCON（0）=0該位保留。當(dāng)T2CTRIP為低電平且被使能，激活T2CMPOE使其變?yōu)?。0 定時器2比較輸出T2PWM_T2CMPR為高阻。1 定時器2比較輸出T2PWM_T2CMPR由定時器2比較邏 輯驅(qū)動4 T1CMPOE 定時器1比較輸出使能位，使能或 禁止定時器1的比較輸出T1PWM_T1CMP。EXTCON（0）=1激活該位，EXTCON（0）=0該位保留。當(dāng)T1CTRIP為低電平且被使能，激活T1CMPOE使其變?yōu)?。0 定時器1比較輸出T1PWM_T1CMPR為高阻。1 定時器1比較輸出T1PWM_T1CMPR由定時器1比較邏輯驅(qū)動。32 32 T2PIN 定時器2比較輸

11、出極性。00 強制低；01 低電平；10 高電平；11 強制高。 10 10 T1PIN 定時器1比較輸出極性。00 強制低；01 低電平；10 高電平；11 強制高。 注意： 當(dāng)EXTCON0第一次置1時，GPTCON12和GPTCON11默認(rèn)為1。 MUXs取代GPTCON6和（EVIMRA（0）/PDPINT）來驅(qū)動T1PWM_T1CMPR和T2PWM_T2CMPR的使能和禁止。EXTCON0控制MUXs：EXTCON0=0，MUX選GPTCON6和（EVIMRA（0）/PDPINT）EXTCON1=1，T1PWM_T1CMPR的MUXs選擇GPTCON4,T2PWM_T2CMPR的MU

12、Xs選擇GPTCON5。 在240 x的設(shè)計中，（！EVIMRA（0）/PDPINT）代表PDPINT引腳到比較輸出緩沖器的非同步路徑 比較控制寄存器（比較控制寄存器（A）1413 1413 CLD1CLD0 00 當(dāng)T1CNT=0（即下溢中斷）；01 當(dāng)T1CNT=0或T1CNT=T1PR（即下溢中斷或周期匹 配）；10 立即；11 保留；不可知結(jié)果 12 12 SVENABLE 使能空間向量PWM模式。0 禁止空間向量PWM模式。1 使能空間向量PWM模式。11101110 ACTRLD1 ACTRLD0 控制寄存器重載條件。00 當(dāng)T1CNT（下溢）；01 當(dāng)T1CNT=0或T1CNT=

13、T1PR（即下溢或周期匹配）；10 立即；11 保留。9 9 FCMPOE 全比較輸出使能位：激活該位同時使能或禁止所有的比較輸出。當(dāng)EXTCONA（0）=1，該位激活；當(dāng)EXTCONA（0）=0，該位保留。當(dāng)PDPINT/T1CTRIP為低電平且EVIMRA（0）=1時激活該位，它會變?yōu)?。0 全比較輸出，PWM1/2/3/4/5/6處于高阻。1 全比較輸出，PWM1/2/3/4/5/6由相應(yīng)的比較邏輯驅(qū)動 8Status該位反映PDPINTA引腳的當(dāng)前狀態(tài) 7 7 FCMP3OE 全比較3輸出使能位：激活該位可以使能或禁止全比較、PWM5/6。當(dāng)EXTCONA（0）=1，該位激活；EXTC

14、ONA（0）=0，該位保留。當(dāng)C3TRIP為低電平且被使能，激活該位使其變?yōu)?。0 全比較3輸出，PWM5/6處于高阻。1 全比較3輸出，PWM5/6由全比較3邏輯驅(qū)動 6 6 FCMP2OE 全比較2輸出使能位：激活該位可以使能或禁止全比較、PWM4/5。當(dāng)EXTCONA（0）=1，該位激活；當(dāng)EXTCONA（0）=0，該位保留。當(dāng)C2TRIP為低電平且被使能，激活該位使其變?yōu)?。0 全比較2輸出，PWM4/5處于高阻。1全比較2輸出，PWM4/5由全比較2邏輯驅(qū)動5 5 FCMP1OE 全比較1輸出使能位：激活該位可以使能或禁止全比較、PWM1/2。當(dāng)EXTCONA（0）=1，該位激活；當(dāng)

15、EXTCONA（0）=0，該位保留。當(dāng)C1TRIP為低電平且被使能，激活該位使其變?yōu)?。0 全比較1輸出，PWM1/2處于高阻。1 全比較1輸出，PWM1/2由全比較1邏輯驅(qū)動 2 2 C3TRIPE C3TRIP使能位：激活該位可以使能或禁止全比較3陷阱。當(dāng)EXTCONA（0）=1，該位激活；當(dāng)EXTCONA（0）=0，該位保留。0 禁止C3TRIP。C3TRIP不影響全比較輸出3、COMCONA（8）或PDPINT標(biāo)志（EVAIFRA（0）。1 使能C3TRIP。當(dāng)C3TRIP為0，全比較3輸出變?yōu)楦咦钁B(tài)，COMCONA（8）變?yōu)?，PDPINT標(biāo)志（EVAIFRA（0）置1。1 1 C2

16、TRIPE C2TRIP使能位：激活該位可以使能或禁止全比較2陷阱。當(dāng)EXTCONA（0）=1，該位激活；EXTCONA（0）=0，該位保留。0 禁止C2TRIP。C2TRIP不影響全比較輸出2、COMCONA（7）或PDPINT標(biāo)志（EVAIFRA（0）。1 使能C2TRIP。當(dāng)C2TRIP為0，全比較2輸出變?yōu)楦咦钁B(tài)，COMCONA（7）變?yōu)?，PDPINT標(biāo)志（EVAIFRA（0）置1 0 C1TRIPE C1TRIP使能位：激活該位可以使能或禁止全比較1陷阱。當(dāng)EXTCONA（0）=1，該位激活；當(dāng)EXTCONA（0）=0，該位保留0 禁止C1TRIP。C1TRIP不影響全比較輸出1、

17、COMCONA（6）或PDPINT標(biāo)志（EVAIFRA（0）。1 使能C1TRIP。當(dāng)C1TRIP為0時，全比較1輸出變?yōu)楦咦钁B(tài)，COMCONA（6）變?yōu)?，PDPINT標(biāo)志（EVAIFRA（0）置1。 若比較操作由COMCONx15使能，則比較行為控制寄存器（ACTRA 和ACTRB）控制著一個比較事件中6個比較輸出引腳（PWMx，ACTRA為x=16，ACTRB為x=712）各自發(fā)生的行為。ACTRA和ACTRB是雙緩沖的。ACTRA和ACTRB被重載的條件由COMCONx的位來指定。ACTRA和ACTRB也包含了SVRDIR，D2，D1及D0位，這些位是空間矢量PWM操作所需要的。 比較

18、行為控制寄存器比較行為控制寄存器1515 SVRDIR 空間矢量PWM轉(zhuǎn)動方向，僅使用在空間矢量PWM輸出的產(chǎn)生。0 正向（CCW）。1 負(fù)向（CW）。1412 1412 D2 D0 空間矢量位。僅使用在空間矢量PWM輸出的產(chǎn)生上 11101110 CMP6ACT1 CMP6ACT0比較輸出引腳6（CMP6）上的動作。00 強制低；01 低有效；10 高有效；11 強制高。9898 CMP5ACT1 CMP5ACT0 比較輸出引腳5（CMP5）上的動作。 00 強制低；01 低有效；10 高有效；11 強制高。7676 CMP4ACT1 CMP4ACT0 比較輸出引腳4（CMP4）上的動作。0

19、0 強制低；01 低有效；10 高有效；11 強制高。 5454 CMP3ACT1 CMP3ACT0 比較輸出引腳3（CMP3）上的動作。00 強制低；01 低有效；10 高有效；11 強制高。32 CMP2ACT1 CMP2ACT0 比較輸出引腳2（CMP2）上的動作。00 強制低；01 低有效；10 高有效；11 強制高。10 CMP1ACT1 CMP1ACT0 比較輸出引腳1（CMP1）上的動作。00 強制低；01 低有效；10 高有效；11 強制高。 捕捉單元操作由4個16位控制寄存器CAPCONA/B和CAPFIFOA/B控制。因為任何一個定時器都可以為捕捉單元提供時基，所以TxCO

20、N（x=1，2，3，4）可以控制捕捉單元的操作。另外，CAPCONA/B也可控制QEP電路的操作。 捕捉單元寄存器捕捉單元寄存器 1111 CAP3EN 捕捉3使能。0 禁止捕捉3。捕捉3的FIFO堆棧保持不變。1 使能捕捉3。1010 CAP3TSEL 捕捉單元3選擇定時器位。0 選擇定時器2。1選擇定時器1。9 9 CAP2TSEL 捕捉單元2選擇定時器位。0 選擇定時器2。1 選擇定時器1。8 8 CAP3TOADC 捕捉單元3事件啟動ADC。0 不啟動。1當(dāng)CAP3INT標(biāo)志位置1啟動ADC。76 76 CAP1EDGE 捕捉單元1邊沿監(jiān)測控制位。00 不檢測；01 檢測上升沿；10

21、檢測下降沿；11 檢測兩個邊沿。54 54 CAP2EDGE 捕捉單元兩邊沿監(jiān)測控制位。00 檢測上升沿；01 檢測下降沿；10 檢測下降沿；11 檢測兩個邊沿。3232 CAP3EDGE 捕捉單元3邊沿監(jiān)測控制位。00 檢測上升沿；01 檢測下降沿；10 檢測下降沿；11 檢測兩個邊沿。 CAPFIFOA中有捕捉單元的3個FIFO堆棧狀態(tài)位。當(dāng)捕捉事件發(fā)生時，CAPnFIFOA的狀態(tài)位正在更新，與此同時對其狀態(tài)位進行寫操作，那么先執(zhí)行寫操作。 向CAPFIFOx寄存器寫數(shù)據(jù)可以作為一個編程的優(yōu)點。例如，向CAPnFIFO位寫數(shù)據(jù)01，EV模塊會認(rèn)為FIFO堆棧中已經(jīng)存在一個數(shù)值，因此，隨后每

22、當(dāng)FIFO堆棧得到一個新的數(shù)值都會產(chǎn)生一個捕捉中斷。 捕捉捕捉FIFOFIFO狀態(tài)寄存器狀態(tài)寄存器A A（CAPFIFOACAPFIFOA）13121312CAP3FIFO CAP3FIFO狀態(tài)位。 00 空； 01 有1個數(shù)值； 10 有兩個數(shù)值； 11 已有兩個數(shù)值并且又捕捉了1個數(shù)值，第1個數(shù)值丟失。11101110CAP2FIFO CAP2FIFO狀態(tài)位。 00 空； 01 有1個數(shù)值； 10 有兩個數(shù)值； 11 已有兩個數(shù)值并且又捕捉了1個數(shù)值，第1個數(shù)值丟失。9898 CAP1FIFO CAP1FIFO狀態(tài)位。 00 空； 01 有1個數(shù)值； 10 有兩個數(shù)值； 11 已有兩個數(shù)值

23、并且又捕捉了1個數(shù)值，第1個數(shù)值丟失。 118 DBT3DBT0死區(qū)定時器周期。這4位定義了3個4位死區(qū)定時器的周期值。7 EDBT3 死區(qū)定時器3使能位（用于比較單元3的PWM5和PWM6引腳）。 0 禁止。 1 使能。6 EDBT2 死區(qū)定時器2使能位（用于比較單元2的PWM3和PWM4引腳）。 0 禁止。 1 使能。5 EDBT1 死區(qū)定時器1使能位（用于比較單元1的PWM1和PWM2引腳）。 0 禁止。 1 使能。42 DBTPS2 DBTPS0 死區(qū)定時器預(yù)定標(biāo)因子。 000 x/1 001 x/2 010 x/4 011 x/8 100 x/16 101 x/32 110 x/32

24、 111 x=CPU時鐘頻率。事件管理器中斷標(biāo)志寄存器事件管理器中斷標(biāo)志寄存器 所有的寄存器都可看作是16位存儲器映射寄存器。通過軟件讀保留位返回0；寫操作無效。因為EVxIFR是可讀寄存器，當(dāng)中斷被屏蔽時，可以通過軟件檢測EVxIFRxD的相應(yīng)位來判斷是否發(fā)生中斷 10 10 T1OFINT FLAG 定時器1上溢中斷。 讀：0 標(biāo)志復(fù)位； 1 標(biāo)志置位。 寫：0 無效； 1 復(fù)位標(biāo)志位。9 9 T1UFINT FLAG 定時器1下溢中斷。 讀：0 標(biāo)志復(fù)位； 1 標(biāo)志置位。 寫：0 無效； 1 1 復(fù)位標(biāo)志位。復(fù)位標(biāo)志位。8 8 T1CINT FLAG 定時器1比較中斷。 讀：0 標(biāo)志復(fù)位

25、； 1 標(biāo)志置位。 寫：0 無效； 1 復(fù)位標(biāo)志位。7 7 T1PINT FLAG 定時器1周期中斷。 讀：0 標(biāo)志復(fù)位； 1 標(biāo)志置位。 寫：0 無效； 1 復(fù)位標(biāo)志位。3 3 CMP3INT FLAG 比較3中斷。 讀：0 標(biāo)志復(fù)位； 1 標(biāo)志置位。 寫：0 無效； 1 復(fù)位標(biāo)志位2 2 CMP2INT FLAG 比較2中斷。 讀：0 標(biāo)志復(fù)位； 1 標(biāo)志置位。 寫：0 無效； 1 復(fù)位標(biāo)志位。1 CMP1INT FLAG比較1中斷。 讀：0 標(biāo)志復(fù)位； 1 標(biāo)志置位。 寫：0 無效； 1 復(fù)位標(biāo)志位。0 PDPINTA FLAG功率驅(qū)動保護中斷標(biāo)志：該位的定義取決于EXTCON（0）。當(dāng)

26、EXTCON（0）=0，定義與240 x相同；EXTCON（0）=1，當(dāng)任何一個比較陷阱使能并為0時該位置1。 讀：0 標(biāo)志復(fù)位； 1 標(biāo)志置位。 寫：0 無效； 1 復(fù)位標(biāo)志位。10 T1OFINT T1OFINT使能位。 0 禁止。 1 使能。9 T1UFINT T1UFINT使能位。 0 禁止。 1 使能。8 T1CINT T1CINT使能位。 0 禁止。 1 使能。7 T1PINT T1PINT使能位。 0 禁止。 1 使能。3 CMP3INT CMP3INT使能位。 0 禁止。 1 使能。2 CMP2INT CMP2INT使能位。 0 禁止。 1 使能。1 CMP1INT CMP1INT使能位。 0 禁止。 1 使能。0 PDPINTA PDPINTA使能位。該位的定義取決于EXTCON（0）。當(dāng)EXTCON（0）=0，定義與240 x相同，例如，該位使能或禁止PDP中斷和PDP引腳通往比較輸出緩沖器的直接路徑。EXTCON（0）=1，該位僅為PDP中斷的使能和禁止位。 0 禁止。 1 使能。EVEV控制寄存器控制寄存器 3 3 EVSOCE EV啟動轉(zhuǎn)換輸出的使能位。該位可以使能或禁止EV的ADC啟動轉(zhuǎn)換輸出