常用電容(共28頁)

1、電 容電容(dinrng)的基礎知識電容器是一種儲能元件(yunjin)，在電路中用于調諧、濾波、耦合、旁路、能量轉換和延時。電容器通常叫做電容。主要(zhyo)性能指標1、標稱容量和允許誤差電容器容量指電容器儲存電荷的能力，常用的單位是F、uF、pF。電容器上標有的電容量是電容器的標稱容量。電容器的標稱容量和它的實際容量會有誤差。一般，電容器上都直接寫出其容量，也有用數字來標志容量的，如有的電容上標有“332”（3300pF）三位有效數字，左起兩位給出電容量的第一、二位數字，而第三位數字則表示在后加0的個數，單位是pF。常用固定電容允許誤差的等級見表1-1：表1-1 電容誤差等級允許誤差等級

2、符號使用范圍0.25pFC10pF以下0.5pFD1F10pF以上5J10K20M+80% -20%Z2、額定工作電壓在規(guī)定的工作溫度范圍內，電容長期可靠地工作，它能承受的最大直流電壓，就是電容的耐壓，也叫做電容的直流工作電壓。如果在交流電路中，要注意所加的交流電壓最大值不能超過電容的直流工作電壓值。常用的固定電容工作電壓有6.3V、10V、16V、25V、50V、63V、100V、250V、400V、500V、630V、1000V。3、絕緣(juyun)電阻絕緣(juyun)電阻表示當在電容器端子之間施加直流電壓 (無紋波) 時，在設定時間 (比如60秒) 之后施加電壓和漏電流之間的比率。由

3、于電容兩極之間的介質(jizh)不是絕對的絕緣體，它的電阻不是無限大，而是一個有限的數值，一般在1000兆歐以上，電容兩極之間的電阻叫做絕緣電阻，或者叫做漏電電阻，大小是額定工作電壓下的直流電壓與通過電容的漏電流的比值。漏電電阻越小，漏電越嚴重。電容漏電會引起能量損耗，這種損耗不僅影響電容的壽命，而且會影響電路的工作。因此，漏電電阻越大越好。為了評價大容量電容的絕緣情況而引入了時間常數，時間常數等于電容的絕緣電阻與容量的乘積。4、損耗角正切（tg）、損耗因子（D.F）、品質因數（Q）電容器在電場作用下消耗的能量，通常用損耗功率和電容器的無功功率之比，即損耗角的正切值表示。損耗角越大，電容器的損

4、耗越大，損耗角大的電容不適于高頻情況下工作。電容的損耗主要由介質損耗，電導損耗和電容所有金屬部分的電阻所引起的，在直流電場的作用下，電容器的損耗以漏電損耗的形式存在，一般較小，在交變電場的作用下，電容的損耗不僅與漏電有關，而且與周期性的極化建立過程有關。D.F.= Tan=1/Q=RsCs5、頻率特性隨著頻率(pnl)的上升，電容的電容量一般有下降的趨勢。6. ESR和ESLESR是EquivalentSeriesResistance三個單詞的縮寫，翻譯(fny)過來就是“ HYPERLINK /word/90316.aspx o 等效(dn xio)串連 等效串連電阻”。ESL就是等效電感.

5、 理論上，一個完美的 HYPERLINK /word/90317.aspx o 電容 電容，自身不會產生任何能量損失，但是實際上，因為制造電容的材料有電阻，電容的絕緣介質有損耗，各種原因導致電容變得不“完美”。這個損耗在外部，表現為就像一個電阻跟電容串連在一起，所以就起了個名字叫做“等效串連電阻”。 在多數場合，低ESR的電容，往往比高ESR的有更好的表現。ESR的高低，與電容器的容量、電壓、頻率及溫度都有關連，當額定電壓固定時，容量愈大 ESR愈低。有人習慣用將多顆小電容并接成一顆大電容以降低阻抗，其理論是電阻并聯阻值降低。但若考慮電容接腳焊點的阻抗，以小并大，不見得一定會有收獲。 反過來說

6、，當容量固定時，選用高WV額定電壓的品種也能降低 ESR；故耐壓高確實好處多多。頻率的影響：低頻時ESR高，高頻時ESR低；當然，高溫也會造成ESR的提升。 串聯等效電阻ESR的單位是m，高級系列電容常是low ESR及l(fā)ow ESL。若比較低內阻(ni z)及低漏電流兩種特性，則低內阻容易達成，故標示low ESR的電容倒很常見。ESR與損失(snsh)角有關聯，ESRtan/(Cs)，Cs是電容量。 有時電容器規(guī)格上會有Z，它與ESR的意義不同，但Z的計算(j sun)示與ESR有關，同時也考慮到容抗及感抗，是真正的內阻。剛才提到電容的ESR單位是m，那是指大電容，若是220F小容量電容，

7、其ESR單位就不是m而是。電容選用原則1、 選擇合適的型號；2、 合理確定電容器的精度；3、 確定電容器的額定工作電壓：對一般電路，電路的工作電壓應為電容器額定電壓的10%20%；當有脈動電壓時，工作電壓應為脈動的最高電壓。當應用于交流時，額定電壓隨頻率的增加而要相應增大。當溫度環(huán)境比較高時，額定電壓還要選用更大的；4、 盡量選擇絕緣電阻大的電容；5、 考慮溫度系數和頻率特性；6、 注意使用環(huán)境；各種電路中的選用可以參考表1-3：表1-3 電路與電容電路參考電容高頻旁路陶瓷電容器、云母電容器、玻璃膜電容器、滌綸電容器、玻璃釉電容器低頻旁路紙介電容器、陶瓷電容器、鋁電解電容器、滌綸電容器濾 波鋁

8、電解電容器、紙介電容器、復合紙介電容器、液體鉭電容器調 諧陶瓷電容器、云母電容器、玻璃膜電容器、聚苯乙烯電容器高頻耦合陶瓷電容器、云母電容器、聚苯乙烯電容器低頻耦合紙介電容器、陶瓷電容器、鋁電解電容器、滌綸電容器、固體鉭電容器。電容(dinrng)的種類與特性電容器根據所用介質可以分為(fn wi)三類：電解電容器、無機介質電容器和有機介質電容器。下面分別介紹這三種電容器的特性： 電解(dinji)電容器電解電容器的一個電極是用固體和液體電解質而不是用金屬極板制成，電容器的介質材料是用經過特殊工藝處理后生成的金屬氧化物，利用其單向導電特性用作介質的，如AL2O3膜介質，Ta2O5膜介質；電容器

9、的另一個電極是用金屬制成，如鉭和鋁；而我們看到的另一個金屬電極實際上是電解電容器陰極（固體和液體電解質的輔助電極，僅做“引出線”之用）。電解電容器的主要特點：電容大、體積小、質量輕，有自愈特性，單位電容量的成本低。缺點：容量制造偏差大，介質損耗角正切大，絕緣特性比較差，上限額定工作電壓不是很高。電解電容器根據陽極材料可以分為鉭電解電容、鋁電解電容和鈮電解電容。鋁電解電容鋁電解電容是由鋁圓筒做負極，里面裝有液體電解質，插入一片彎曲的鋁帶做正極制成。還需要經過直流電壓處理，使正極片上形成一層氧化膜做介質。電容量：0.4710000u額定電壓：6.3450V優(yōu)點：容量大，單位體積電容電壓乘積較大，價

10、格便宜；缺點：漏電大、高頻特性和穩(wěn)定性差；使用：有正負極性，不適宜用在高頻和低溫下，不適宜用在25kHz以上的頻率，適宜用于電源濾波、低頻旁路和耦合電路中。使用的時候，正負極不要接反。鋁電解電容主要品牌廠商：黑金剛、紅寶石（Rubycon）、三洋、NICHICON、法拉電容（ELNA）、松下（PANASONIC）等.鋁 HYPERLINK /product/searchfile/272.html t _blank 電解(dinji) HYPERLINK /product/file308.html t _blank 電容器是有極性的電容器，它的正極板用鋁箔，將其浸在電解液中進行陽極氧化處理，鋁箔

11、表面上便生成一層三氧化二鋁薄膜，其厚度一般為0.020.03m。這層氧化膜便是正、負極板間的絕緣介質。電容器的負極是由電解質構成的，電解液一般由硼酸(pn sun)、氨水、乙二醇等組成。為了便于電容器的制造，通常是把電解質溶液浸漬在特殊的紙上，再用一條原態(tài)鋁箔與浸過電解質溶液的紙貼合在一起，這樣可以比較方便地在原態(tài)鋁箔帶上引出負極，鋁電解電容結構(jigu)如下圖a所示，正、負極按其中心軸卷繞，便構成了鋁 HYPERLINK /product/searchfile/329.html t _blank 電解電容器的芯子，然后將芯子放大鋁外殼封裝，便構成了 HYPERLINK /product/f

12、ile316.html t _blank 鋁電解電容器。為了保持電解質溶液不泄漏、不干涸，在鋁外殼的口部用橡膠塞進行密封，如圖一b所示鋁 HYPERLINK /product/searchfile/1243.html t _blank 電解電容器之所以有極性，是因為正極板上的氧化鋁膜具有單向導電性，只有在電容器的正極接 HYPERLINK /product/searchfile/2937.html t _blank 電源的正極，負極接電源的負極時，氧化鋁膜才能起到絕緣介質的作用。如果將鋁電解電容器的極性接反，氧化鋁膜就變成了導體，電解電容器不但不能發(fā)揮作用，還會因有較大的電流通過，造成過熱而損

13、壞電容器。鋁電解電容參數：1 額定電壓（Rated voltage U R）：額定電壓指電容器的設計最大連續(xù)正常工作電壓；2直流電壓（ DC Voltage UDC ）：直流電壓指施加于電容器件的直流電壓的平均值3 交流(jioli)疊加電壓 / 紋波電壓（ Superimposed AC VoltageUAC/ ripple voltage ）：交流疊加電壓又稱紋波電壓 , 指疊加于直流電壓上的最大交流電壓成分。施加(shji)的 DC 電壓與交流疊加電壓 ( 紋波電壓 ) 之和不能大于電容器的額定電壓 , 既有關系式 :UAC+UDC UR 。4 額定反向(fn xin)電壓（ Rated

14、 reversed voltage URE ）：額定反向電壓指電解電容最大允許反向電壓（非持續(xù)性）。電介質（氧化鋁層）單向特性（ rectifying properties ）決定了電解電容具有很小的反向耐壓特性。一般只有 1V 左右的容許量。5 浪涌電壓（ Surge voltage US ）：浪涌電壓指允許短時間內施加于電解電容的最大電壓值。按 IEC 60384-4 規(guī)定，電電解電容應具有這樣的浪涌電壓值：對于 UR 315 V 的電解電容， US = 1.15 X UR ； 對于 UR 315 V 的電解電容， US = 1.10 X UR 。浪涌電壓允許持續(xù)的時間和發(fā)生的頻率請參閱具

15、體規(guī)格書目。6 電容溫度特性溫度對電解電容的容量影響較大，溫度降低時，電解液的粘性增大，導電性降低。損耗系數也隨著溫度的增加而減少。7 頻率特性電解電容的頻率特性如下(rxi)圖所示，隨著頻率的增加，電容值下降較快，等效(dn xio)串聯電阻也會隨著頻率的增加而降低8 阻抗(zkng)電解電容可以等效為以下模型：電解電容的阻抗來自于各部分等效電阻：容量C的容性阻抗1/C；電解液及接線端子的介電損耗和歐姆阻抗ESR；電容繞線及接線端子的感性電抗ESL；頻率較低時，容性阻抗起支配作用；隨著頻率的增加，容性阻抗減小直到電解液的阻抗等級；頻率更高時，電解液的阻抗起主要作用；頻率達到一定程度時，電容繞

16、制及接線端子的感抗起主要作用；電解電容的阻抗隨頻率變化趨勢如下圖所示：鉭電解電容鉭電容器的工作介質是在鉭金屬表面生成的一層極薄的五氧化二鉭膜。此層氧化膜介質完全與組成電容器的一端極結合成一個整體，不能單獨存在。因此單位體積內所具有的電容量特別大。即比容量非常高，特別適宜于小型化。在鉭電容器工作過程中，具有自動修補或隔絕氧化膜中的疵點所在的性能，使氧化膜介質隨時得到加固和恢復其應有的絕緣能力，而不致遭到連續(xù)的累積(lij)性破壞。這種獨特自愈性能，保證了其長壽命和可靠性的優(yōu)勢。電容量：0.11000u額定( dng)電壓：6.3125V優(yōu)點：固體鉭電容的體積小、容量(rngling)大、性能穩(wěn)定

17、、壽命長、絕緣電阻大、溫度特性好。缺點：價格昂貴；使用：高精度電源濾波、信號級間耦合、音響電路。鉭電容主要品牌：KEMET，AVX，NICHICON，NEC等，鉭電容外形有黃色（美國）和黑色兩種（日本）鉭電容結果如下圖所示，先將鉭引線埋入已混合粘合劑的鉭粉中 ,加壓成形并燒結，形成正電極，然后通過電化學方法進行陽極氧化處理，使其表面形成電介質氧化膜，即Ta2O5。通過硝酸錳的熱分解反應，其表面又形成一層固體電解質二氧化錳。形成電容的負極。鉭電容目前主要有兩種：鉭聚合物電容和鉭二氧化錳電容：鉭二氧化錳(r yn hu mn)電容組成示意圖：鉭聚合物電容(dinrng)組成(z chn)示意圖：兩

18、種鉭電容的特性：串聯等效電阻（ESR）從上圖可以(ky)看出，鉭聚合物電容(dinrng)的ESR鉭二氧化錳(r yn hu mn)電容ESR鋁電解電容的ESR；而ESR與頻率的關系可參考下圖，圖中T491為KEMET鉭電容系列中的MnO2產品，目前市面上KEMET產品中最常見的工業(yè)級電容，T495為KEMET MnO2電容中的低ESR和高浪涌電流系統產品，T520則是鉭聚合物電容；鉭電容的電容與頻率特性從上圖可以(ky)看出，鉭聚合物電容(dinrng)高頻(o pn)特性要好于鉭二氧化錳電容，在100KHz時鉭聚合物電容值開始下降，而鉭二氧化錳電容值已經下降到原來的1/3；兩種鉭電容的安全

19、性：一個是安靜包容一個是火爆易怒鉭二氧化錳電容會爆炸：當電容遇到反向電壓（就是交流電或生產時搞錯了極性）或突發(fā)大電流時，由于熱量迅速增加，陰極二氧化錳會釋放出大量的氧氣，氧氣通過介質五氧化二鉭的裂縫或空隙遇到陽極鉭，氧氣遇到鉭再加高熱，就是皮厚的坦克也怕遇見，之后就是轟的一聲爆炸；鉭聚合物電容不會爆炸：當鉭聚合物電容碰到極性相反的電壓或巨大的電流時，高熱首先會讓部分陰極聚合物揮發(fā)，即使有些聚合物釋放(shfng)出氧氣也沒關系，其它聚合物會吸收氧氣并膨脹，這樣從根本上杜絕氧氣與鉭粉接觸，沒有了氧氣這個氧化劑，爆炸怎么發(fā)生呢？由此看出鉭聚合物電容還有自愈特性，即使碰到惡劣條件還能繼續(xù)工作，所以可

20、靠性特別高。小熊在線(zi xin)www.beareyes.c兩種鉭電容的價格(jig)：普通鉭二氧化錳電容是不貴，約幾毛錢至一元多錢一片，鉭聚合物電容每顆要幾美元；鉭電容值隨溫度的變化：鉭電容容值隨溫度變化如下圖所示； KEMET（基美）鉭電容介紹(jisho)：美國(mi u)KEMET電子(dinz)公司生產的KEMET系列固體鉭電容， 在 0.1uF1000uF的范圍內，根據不同需要分成若干系列， 可供使用者選擇:T491系列 （工業(yè)級）：該系列是目前使用表面安裝元件設計的主選產品，該產品在性能要求上符合或超過EIA標準535BAAC，其引線和尺寸符合全球標準。T492系列 （軍品級

21、）：T492 系列電容通過了MIL_C_55365/8的認可，其元件失效率為0.001%/1000小時，它是T491系列產品的軍用版。T494系列（低等效串聯電阻ESR，工業(yè)級）：T494系列是工業(yè)級低等效串聯電阻系列， 尺寸及電容和額定電壓乘積CV值與T491系列相同， 該系列電容主要用于輸出濾波等。T495系列（低等效串聯電阻， 強浪涌型）：T495系列是特別為開關電源和 DC-DC 變換器而設計的輸出濾波電容，具有非常低的等效串聯電阻， 可承受很高的紋波電流， 穩(wěn)定性好。該系列電容容量范圍在4.7uF470uF 額定工作電壓為 650V。T496 系列（帶保險裝置）：T496系列是一種能

22、提供“自動防故障裝置” 的鉭電容。 在電容內部裝有保險元件， 當在電路中出現了較高的故障電流時，可提供很好的保護。該系列電容容量范圍在0.15uF470uF， 額定工作電壓為650V，標準容值誤差為20%和10%；T510系列（超低等效串聯電阻）：該系列是新型超低等效串聯電阻的鉭電容，具有超低等效串聯電阻和高紋波電流承載能力，可用于高速微處理器 SMPS濾波和電源去耦。T520系列(KO電容)：該系列采用鉭陽極和Ta2O5電介質， 使用一種傳導性良好的聚合物替代MnO2作為電容器的陰極，使得該種電容器具有非常低的等效串聯電阻（比標準鉭電容要小50%以上），且適合在高頻條件下使用。MLCCMLC

23、C (Multi-Layer Ceramic Capacitor) 電容(dinrng)：多層陶瓷電容器，在英文表達中又有Chip Monolithic Ceramic Capacitor。兩種表達都是以此類電容器外形和內部結構特點進行，也就是內部多層、整體獨石(單獨細小的石頭)的結構，獨石電容包括(boku)多層陶瓷電容器、圓片陶瓷電容器等，由于元件小型化、貼片化的飛速發(fā)展，常規(guī)圓片陶瓷電容器逐步被多層陶瓷電容器取代，人們把多層陶瓷電容器簡稱為獨石電容或貼片電容。圖1表明，片式疊層陶瓷電容器是一個多層疊合的結構，其實質是由多個(du )簡單平行板電容器的并聯體。因此，該電容器的電容量計算公式

24、為C=NKAt式中，C為電容量；N為電極層數；K為介電常數(俗稱(s chn)K值)；A為相對電極覆蓋面積；t為電極間距(介質厚度)。由此式可見，為了實現(shxin)片式疊層陶瓷電容器大容量和小體積的要求。只要增大N(增加層數)便可增大電容量。當然采用高K值材料(降低穩(wěn)定性能)、增加A(增大體積)和減小t(降低電壓耐受能力)也是可以采取的辦法。這里特別說一說介電常數K值，它取決于電容器中填充介質的陶瓷材料。電容器使用的環(huán)境溫度、工作電壓和頻率、以及工作的時間(長期工作的穩(wěn)定性)等對不同的介質會有不同的影響。通常介電常數(K值)越大，穩(wěn)定性、可靠性和耐用性能越差。常用的陶瓷介質的主要成分是Mg

25、TiO3、CaTiO3、SrTiO3和TiO2再加入適量的稀土類氧化物等配制而成。其特點是介質系數較大、介質損耗低、溫度系數小、環(huán)境溫度適用范圍廣和高頻特性好，用在要求較高的場合(I類瓷介電容器)中。另一類是低頻高介材料稱為強介鐵電陶瓷(toc)，常用作類瓷介電容器的介質，一般(ybn)以BaTiO3為主體的鐵電陶瓷，其特點是介電系數特別高，達到數千，甚至上萬；但是介電系數隨溫度呈非線性變化，介電常數隨施加的外電場也有非線性關系。目前最常用的多層陶瓷電容器介質有三個類型：COG或NPO是超穩(wěn)定材料(cilio)，K值為10100；X7R是較穩(wěn)定的材料，K值為2 0004 000；Y5V或Z5U

26、為一般用途的材料，K值為5 00025 000。在我國的標準里則分為I類陶瓷(C C 4和CC41)及類陶瓷(CT4和CT41)兩種。上述材料中，COG和NPO為超穩(wěn)定材料，在-55+125范圍內電容器的容量變化不超過 30ppm。其余材料是按其工作溫度的范圍和電容量的變化率來命名的。詳見表1。幾種常用的片式電容器的介質材料中：X7R代表使用溫度范圍為-50至+125；在此范圍內的電容量變化可達到15。Z5U代表(dibio)使用溫度范圍為+10至+85；在此范圍(fnwi)內的電容量變化從-56%至+22%。Y5V代表使用(shyng)溫度范圍為-30至+85；在此范圍內的電容量變化從-82

27、%至+22%。主要品牌有：日系：MURATA（村田），TDK（東京電氣化學），TAIYO YUDEN（太陽誘電），KYOCERA（京瓷） 臺系：YAGEO（國巨），WALSIN（華新科），HOLY STONE（禾伸堂） 韓系：SAMSUNG（三星） 陸系：FENGHUA（風華）。MLCC電容的特性：溫度特性：X7R的溫度特性如下圖所示，在1KHz、1Vrms測試條件下X7R的容量變化在10%內，而Y5V的容量變化為+30%-80%，損耗因子也隨著溫度發(fā)生變化。交流(jioli)特性：在25，1KHz的測量(cling)條件下，X7R和Y5V的交流特性(txng)如下圖所示，X7R容量的最大變化

28、率在5%內，而Y5V的容量根據交流電壓值的不同最大能下降50%，Y5V的損耗因子也與交流電壓值有很大關系，而X7R的損耗因子變化很小。直流特性(txng)：在25，1Vrms,1KHz的測量(cling)條件下，X7R和Y5V的直流特性(txng)如下圖所示，隨著直流電壓值的不同，X7R的容量下降達50%，而Y5V的容量下降最大達90%。損耗因子也隨著電壓的上升開始下降。頻率特性：X7R和Y5V的頻率特性如下(rxi)圖所示，盡管X7R和Y5V的容量隨頻率變化較小，但損耗因子隨著(su zhe)頻率的上升明顯。由此可見，電容的容量(rngling)與損耗因子與溫度、電壓、頻率有很大關系，進行設

29、計(shj)時需要考慮到這三方面對容量和損耗因子的影響。MLCC電容(dinrng)選型可參考下圖：NPO電容(dinrng)NPO是一種最常用的具有溫度補償特性的單片陶瓷電容器。它的填充介質是由銣、釤和一些其它(qt)稀有氧化物組成的。 NPO電容器是電容量和介質損耗(snho)最穩(wěn)定的電容器之一。在溫度從-55到 125時容量變化為030ppm/，電容量隨頻率的變化小于0.3C。NPO電容的漂移或滯后小于0.05%，相對大于2%的 HYPERLINK /view/1504905.htm t _blank 薄膜電容來說是可以忽略不計的。其典型的容量相對使用壽命的變化小于0.1%。NPO電容器

30、隨封裝形式不同其電容量和介質損耗隨頻率變化的特性也不同，大封裝尺寸的要比小封裝尺寸的頻率特性好。封 裝 DC=50V DC=100V 0805 0.5-1000pF 0.5-820pF 1206 0.5-1200pF 0.5-1800pF 1210 560-5600pF 560-2700pF 2225 1000pF-0.033F 1000pF-0.018F NPO電容器適合用于振蕩器、諧振器的槽路電容，以及高頻電路中的耦合電容。X7RX7R電容器被稱為溫度穩(wěn)定型的陶瓷電容器。當溫度在-55到 125時其容量變化為15%，需要注意的是此時電容器容量變化是非線性的。X7R電容器的容量在不同的電壓和

31、頻率條件下是不同的，它也隨時間的變化而變化，大約每10年變化1%C，表現為10年變化了約5%。 X7R電容器主要應用于要求不高的工業(yè)應用，而且當電壓變化時其容量變化是可以接受的條件下。它的主要特點是在相同的體積下電容量可以做的比較大。下表給出了X7R電容器可選取的容量范圍。封 裝 DC=50V DC=100V 0805 330pF-0.056F 330pF-0.012F 1206 1000pF-0.15F 1000pF-0.047F 1210 1000pF-0.22F 1000pF-0.1F 2225 0.01F-1F 0.01F-0.56F Y5VY5V電容器是一種有一定(ydng)溫度限制

32、的通用電容器，在-30到85范圍內其容量(rngling)變化可達 22%到-82%。 Y5V的高介電常數允許在較小的物理尺寸下制造出高達4.7F電容器。 Y5V電容器的取值范圍(fnwi)如下表所示封 裝 DC=25V DC=50V 0805 0.01F-0.39F 0.01F-0.1F 1206 0.01F-1F 0.01F-0.33F 1210 0.1F-1.5F 0.01F-0.47F 2225 0.68F-2.2F 0.68F-1.5F Z5UZ5U電容器稱為”通用”陶瓷單片電容器。這里首先需要考慮的是使用溫度范圍，對于Z5U電容器主要的是它的小尺寸和低成本。對于上述三種陶瓷單片電容

33、起來說在相同的體積下Z5U電容器有最大的電容量。但它的電容量受環(huán)境和工作條件影響較大，它的老化率最大可達每10年下降5%。 盡管它的容量不穩(wěn)定，由于它具有小體積、等效串聯電感（ESL）和等效串聯電阻（ESR）低、良好的頻率響應，使其具有廣泛的應用范圍。尤其是在退耦電路的應用中。下表給出了Z5U電容器的取值范圍。封 裝 DC=25V DC=50V 0805 0.01F-0.12F 0.01F-0.1F 1206 0.01F-0.33F 0.01F-0.27F 1210 0.01F-0.68F 0.01F-0.47F 2225 0.01F-1F 0.01F-1F 無機介質電容器陶瓷電容器陶瓷電容器用陶瓷做介質，在陶瓷基體兩面噴涂銀層，然后燒成銀質薄膜做極板制成。1、高頻瓷介電容使用介質的介電常熟通常小于100。電容量：16800