高電壓技術(shù)常見復(fù)習(xí)題

1、電壓技術(shù)復(fù)習(xí)1、電離是電子脫離原子核的束縛形成自由電子和正離子的過程。2、電離的方式分為光電離、熱電離、碰撞電離。3、 光輻射引起的氣體分子的電離稱為光電離。由氣體的熱狀態(tài) 引起的電離稱為熱電離。4、碰撞電離主要是由于電子的碰撞電離。5、分子或原子在激勵(lì)態(tài)在獲得能量而發(fā)生電離稱為分級(jí)電離。 電子在外界因素的作用下躍遷到能級(jí)較高的外層軌道稱為激 勵(lì)。6、電子從電極表面所獲得的能量可通過正離子碰撞陰極、強(qiáng)場(chǎng)發(fā) 射、光電子發(fā)射和熱電子發(fā)射。7、負(fù)離子的形成并未使帶點(diǎn)質(zhì)點(diǎn)數(shù)增加，卻使帶點(diǎn)質(zhì)點(diǎn)數(shù)減少， 因而對(duì)放電發(fā)展起抑制作用。8、帶電質(zhì)點(diǎn)的消失方式：帶點(diǎn)質(zhì)點(diǎn)的擴(kuò)散、帶電質(zhì)點(diǎn)的復(fù)合。9、間隙電離過程緊依

2、靠外電壓的作用已能維持，不再需要外電離 因素的放電稱為自持放電。10、自持放電的形式： 電暈放電、電弧放電、火花放電、輝光放電。11、湯遜理論和流注理論的共同基礎(chǔ)是低氣壓，小間隙，均勻場(chǎng)的 基礎(chǔ)。12、湯遜理論認(rèn)為二次電子的來源是正離子碰撞陰極，使陰極表面 發(fā)生電子溢出。13、 擊穿電壓U與pd的關(guān)系曲線稱為巴申定律，即 U=f (pd)。首 先，U并不僅僅由d決定，而是pd的函數(shù)，其次，U不是pd 的單調(diào)函數(shù)，而是u形曲線，有極小值。14、電場(chǎng)中不均勻系數(shù)f是間隙中最大場(chǎng)強(qiáng)與平均場(chǎng)強(qiáng)的比值。通 常用電場(chǎng)不均勻系數(shù)可將電場(chǎng)不均勻程度劃分為：均勻電場(chǎng) f=1 ;稍不均勻電場(chǎng)14.15、電暈放電是

3、極不均勻電場(chǎng)所特有的一種放電形式。16、根據(jù)電暈層放電的特點(diǎn)，可分為電子崩和流注形式。17、限制輸電線表面場(chǎng)強(qiáng)最有效的辦法是采用分裂導(dǎo)線；即將每相 線路分裂成幾根并聯(lián)的導(dǎo)線。18、棒一一板間隙是典型的不均勻電場(chǎng)。對(duì)于棒正板負(fù)的情況，負(fù) 離子大量流入棒極，棒端電場(chǎng)被削弱，略微加強(qiáng)了外部空間電 荷的電場(chǎng)，由于棒端電場(chǎng)被削弱，因此難以形成流注，放電難 以達(dá)到自持，電暈起始電壓升高，擊穿電壓降低。對(duì)于棒負(fù)板 正的情況，陰極表面形成的電子立即進(jìn)入強(qiáng)電場(chǎng)區(qū)，形成電子 崩，電子崩中的正離子逐漸向棒極運(yùn)動(dòng)而消失于棒極，但由于 其運(yùn)動(dòng)速度較慢，所以在棒極附近總是存在著正空間電荷，使 得棒極附近的電場(chǎng)增強(qiáng)，易于形

4、成流注，易于形成自持放電， 使得電暈起始電壓降低，擊穿電壓升高。19、極性效應(yīng)往往是由于電極極性不同，空間電荷不同引起的電暈 起始電壓和擊穿場(chǎng)強(qiáng)不同。20、標(biāo)準(zhǔn)雷電波的波前時(shí)間是1、2us，半峰值時(shí)間是50us21、 在做耐壓試驗(yàn)時(shí)，多次施加同一電壓，有50%會(huì)發(fā)生擊穿概率 的電壓稱為50%擊穿電壓。間隙上出現(xiàn)的電壓最大值和間隙擊 穿時(shí)間的關(guān)系曲線表示間隙的沖擊絕緣特性，此曲線稱為間隙 的伏秒特性曲線。22、操作沖擊電壓的波前時(shí)間是 250us，允許誤差是+20%半峰值 時(shí)間是2500us，允許誤差是+60%.23、）操作沖擊放電電壓的特點(diǎn)是：u形曲線，極性效應(yīng)，飽和現(xiàn) 象，鄰近效應(yīng)，分散性大

5、。24、 改變電極形狀以調(diào)整電場(chǎng)的方法：1、增大電極曲率半徑2、改 善電極邊緣3、使電極具有最佳外形提咼氣體 擊穿電壓的措施：1、改善電極的形狀2、空間電荷對(duì)原電場(chǎng)的 畸變作用3、極不均勻電場(chǎng)中屏障的采用4、提高氣體壓力的作 用5、高正空和高電氣強(qiáng)度氣體的采用25、屏障的作用在于屏障表面上積聚的空間電荷，使屏障與板電極 之間形成比較均勻的電場(chǎng)，從而使整個(gè)間隙的擊穿電壓提高。26、提高氣體的壓力必然導(dǎo)致間隙的壓強(qiáng)增大，分子的自由行程減 小，獲得的能量減小，使得分子與自由電子的碰撞次數(shù)增多， 但電離概率減小，提高擊穿電壓。27、采用高真空雖然電子的自由行程變大，但間隙中很少氣體分子可供碰撞，因此，

6、電離過程難以發(fā)展，可提高間隙擊穿電壓。28、沿整個(gè)固體介質(zhì)表面發(fā)生的放電稱為閃絡(luò)。29、氣體介質(zhì)與固體介質(zhì)的交界面稱為界面30、界面電場(chǎng)分布：1、固體介質(zhì)處于均勻電場(chǎng)中，且界面與電力線 平行2、固體介質(zhì)處于極不均勻電場(chǎng)中，且電力線的垂直分量 比水平分量大得多3、固體介質(zhì)處于極不均勻電場(chǎng)中，電場(chǎng)強(qiáng) 度平行于界面的分量要比垂直分量打31、極不均勻電場(chǎng)中的沿面放電分為具有強(qiáng)垂直分量的沿面放電和具有弱垂直分量的沿面放電。32、滑閃放電是具有強(qiáng)垂直分量絕緣結(jié)構(gòu)特有的自持放電形式。滑閃放電是以介質(zhì)表面放電通道中熱電離為特征的。33、污閃的發(fā)展過程：污穢層的形成，污穢層的受潮，干燥帶形成與局部電弧產(chǎn)生，局部

7、電弧發(fā)展成閃絡(luò)。34、液體電解質(zhì)有礦物絕緣油，合成絕緣油，植物油。35、極性液體電解質(zhì)在電場(chǎng)作用下分為電子位移極化和偶極子極化。36、液體電解質(zhì)中的離子分為本征離子和雜質(zhì)離子。37、氣泡擊穿機(jī)理有熱化氣擊穿和電離化氣擊穿兩種觀點(diǎn)。38、電介質(zhì)的極化是電介質(zhì)在電場(chǎng)作用下，其束縛電荷在電場(chǎng)方向 發(fā)生彈性位移現(xiàn)象和偶極子取向的現(xiàn)象。39、電介質(zhì)的介電常數(shù)與該介質(zhì)分子的極性強(qiáng)弱有關(guān)，還受到溫度外加電場(chǎng)頻率等因素的影響。40、極性固體電介質(zhì)在外電場(chǎng)作用下除發(fā)生電子位移極化外還發(fā)生極性分子的轉(zhuǎn)向極化。41、電解質(zhì)的損耗包括電導(dǎo)損耗和極化損耗。42、固體電解質(zhì)的電導(dǎo)按載流子種類分為：離子電導(dǎo)和電子電導(dǎo)。43

8、、固體電解質(zhì)的擊穿中常見的有電擊穿，熱擊穿和不均勻介質(zhì)的 擊穿。44、電擊穿理論可以分為本征電擊穿和雪崩擊穿理論兩類。熱擊穿 理論分為脈沖熱擊穿和穩(wěn)態(tài)熱擊穿。45、雪崩擊穿按機(jī)理不同可以分為：場(chǎng)致發(fā)射擊穿和碰撞電離雪崩 擊穿。46、因電極邊緣媒質(zhì)放電而引起固體電解質(zhì)在電極邊緣處較低電壓 下?lián)舸┑默F(xiàn)象稱為邊緣效應(yīng)。47、在含有氣體或液體的固體電解質(zhì)中，當(dāng)擊穿強(qiáng)度比較低的氣體 或液體中的局部電場(chǎng)強(qiáng)度達(dá)到其擊穿場(chǎng)強(qiáng)時(shí)，這部分氣體或液 體開始放電，使電解質(zhì)發(fā)生不至于貫穿電極的局部擊穿，稱為 局部放電現(xiàn)象。48、絕緣缺陷分為集中性缺陷和分散性缺陷。49、測(cè)量絕緣電阻能有效地發(fā)現(xiàn)下列缺陷：總體絕緣質(zhì)量欠佳；絕緣介質(zhì)受潮；兩極間有貫穿的導(dǎo)電通道；絕緣介質(zhì)表面情況不 良。不能發(fā)現(xiàn)的缺陷：絕緣介質(zhì)中的局部缺陷和絕緣老化。50、介質(zhì)損耗角正切能反映絕緣介質(zhì)的整體集中性缺陷和小電容被 試品中的嚴(yán)重局部缺陷。51、西林電橋有正橋和反橋兩種接法。52、試品上工頻高壓目前最常用的測(cè)量方法：用測(cè)量球隙和峰值電 壓表測(cè)量交流電壓的峰值，用靜電電壓表測(cè)量交流電壓的有效53、多級(jí)沖擊電壓發(fā)生器的原理：“并聯(lián)充電，串聯(lián)放電”。54、電氣設(shè)備內(nèi)絕緣的雷電沖擊耐壓試驗(yàn)采用三次沖擊法。55、電氣設(shè)備外絕緣的沖擊電壓試驗(yàn)通?？刹捎檬宕螞_擊法。56、變壓器絕緣故障分為過熱故障，放電故障和絕緣材料受潮。57、放電故障按能