高電壓技術(shù)常見復習題

1、電壓技術(shù)復習1、電離是電子脫離原子核的束縛形成自由電子和正離子的過程。2、電離的方式分為光電離、熱電離、碰撞電離。3、 光輻射引起的氣體分子的電離稱為光電離。由氣體的熱狀態(tài) 引起的電離稱為熱電離。4、碰撞電離主要是由于電子的碰撞電離。5、分子或原子在激勵態(tài)在獲得能量而發(fā)生電離稱為分級電離。 電子在外界因素的作用下躍遷到能級較高的外層軌道稱為激 勵。6、電子從電極表面所獲得的能量可通過正離子碰撞陰極、強場發(fā) 射、光電子發(fā)射和熱電子發(fā)射。7、負離子的形成并未使帶點質(zhì)點數(shù)增加，卻使帶點質(zhì)點數(shù)減少， 因而對放電發(fā)展起抑制作用。8、帶電質(zhì)點的消失方式：帶點質(zhì)點的擴散、帶電質(zhì)點的復合。9、間隙電離過程緊依

2、靠外電壓的作用已能維持，不再需要外電離 因素的放電稱為自持放電。10、自持放電的形式： 電暈放電、電弧放電、火花放電、輝光放電。11、湯遜理論和流注理論的共同基礎是低氣壓，小間隙，均勻場的 基礎。12、湯遜理論認為二次電子的來源是正離子碰撞陰極，使陰極表面 發(fā)生電子溢出。13、 擊穿電壓U與pd的關(guān)系曲線稱為巴申定律，即 U=f (pd)。首 先，U并不僅僅由d決定，而是pd的函數(shù)，其次，U不是pd 的單調(diào)函數(shù)，而是u形曲線，有極小值。14、電場中不均勻系數(shù)f是間隙中最大場強與平均場強的比值。通 常用電場不均勻系數(shù)可將電場不均勻程度劃分為：均勻電場 f=1 ;稍不均勻電場14.15、電暈放電是

3、極不均勻電場所特有的一種放電形式。16、根據(jù)電暈層放電的特點，可分為電子崩和流注形式。17、限制輸電線表面場強最有效的辦法是采用分裂導線；即將每相 線路分裂成幾根并聯(lián)的導線。18、棒一一板間隙是典型的不均勻電場。對于棒正板負的情況，負 離子大量流入棒極，棒端電場被削弱，略微加強了外部空間電 荷的電場，由于棒端電場被削弱，因此難以形成流注，放電難 以達到自持，電暈起始電壓升高，擊穿電壓降低。對于棒負板 正的情況，陰極表面形成的電子立即進入強電場區(qū)，形成電子 崩，電子崩中的正離子逐漸向棒極運動而消失于棒極，但由于 其運動速度較慢，所以在棒極附近總是存在著正空間電荷，使 得棒極附近的電場增強，易于形

4、成流注，易于形成自持放電， 使得電暈起始電壓降低，擊穿電壓升高。19、極性效應往往是由于電極極性不同，空間電荷不同引起的電暈 起始電壓和擊穿場強不同。20、標準雷電波的波前時間是1、2us，半峰值時間是50us21、 在做耐壓試驗時，多次施加同一電壓，有50%會發(fā)生擊穿概率 的電壓稱為50%擊穿電壓。間隙上出現(xiàn)的電壓最大值和間隙擊 穿時間的關(guān)系曲線表示間隙的沖擊絕緣特性，此曲線稱為間隙 的伏秒特性曲線。22、操作沖擊電壓的波前時間是 250us，允許誤差是+20%半峰值 時間是2500us，允許誤差是+60%.23、）操作沖擊放電電壓的特點是：u形曲線，極性效應，飽和現(xiàn) 象，鄰近效應，分散性大

5、。24、 改變電極形狀以調(diào)整電場的方法：1、增大電極曲率半徑2、改 善電極邊緣3、使電極具有最佳外形提咼氣體 擊穿電壓的措施：1、改善電極的形狀2、空間電荷對原電場的 畸變作用3、極不均勻電場中屏障的采用4、提高氣體壓力的作 用5、高正空和高電氣強度氣體的采用25、屏障的作用在于屏障表面上積聚的空間電荷，使屏障與板電極 之間形成比較均勻的電場，從而使整個間隙的擊穿電壓提高。26、提高氣體的壓力必然導致間隙的壓強增大，分子的自由行程減 小，獲得的能量減小，使得分子與自由電子的碰撞次數(shù)增多， 但電離概率減小，提高擊穿電壓。27、采用高真空雖然電子的自由行程變大，但間隙中很少氣體分子可供碰撞，因此，

6、電離過程難以發(fā)展，可提高間隙擊穿電壓。28、沿整個固體介質(zhì)表面發(fā)生的放電稱為閃絡。29、氣體介質(zhì)與固體介質(zhì)的交界面稱為界面30、界面電場分布：1、固體介質(zhì)處于均勻電場中，且界面與電力線 平行2、固體介質(zhì)處于極不均勻電場中，且電力線的垂直分量 比水平分量大得多3、固體介質(zhì)處于極不均勻電場中，電場強 度平行于界面的分量要比垂直分量打31、極不均勻電場中的沿面放電分為具有強垂直分量的沿面放電和具有弱垂直分量的沿面放電。32、滑閃放電是具有強垂直分量絕緣結(jié)構(gòu)特有的自持放電形式?；W放電是以介質(zhì)表面放電通道中熱電離為特征的。33、污閃的發(fā)展過程：污穢層的形成，污穢層的受潮，干燥帶形成與局部電弧產(chǎn)生，局部

7、電弧發(fā)展成閃絡。34、液體電解質(zhì)有礦物絕緣油，合成絕緣油，植物油。35、極性液體電解質(zhì)在電場作用下分為電子位移極化和偶極子極化。36、液體電解質(zhì)中的離子分為本征離子和雜質(zhì)離子。37、氣泡擊穿機理有熱化氣擊穿和電離化氣擊穿兩種觀點。38、電介質(zhì)的極化是電介質(zhì)在電場作用下，其束縛電荷在電場方向 發(fā)生彈性位移現(xiàn)象和偶極子取向的現(xiàn)象。39、電介質(zhì)的介電常數(shù)與該介質(zhì)分子的極性強弱有關(guān)，還受到溫度外加電場頻率等因素的影響。40、極性固體電介質(zhì)在外電場作用下除發(fā)生電子位移極化外還發(fā)生極性分子的轉(zhuǎn)向極化。41、電解質(zhì)的損耗包括電導損耗和極化損耗。42、固體電解質(zhì)的電導按載流子種類分為：離子電導和電子電導。43

8、、固體電解質(zhì)的擊穿中常見的有電擊穿，熱擊穿和不均勻介質(zhì)的 擊穿。44、電擊穿理論可以分為本征電擊穿和雪崩擊穿理論兩類。熱擊穿 理論分為脈沖熱擊穿和穩(wěn)態(tài)熱擊穿。45、雪崩擊穿按機理不同可以分為：場致發(fā)射擊穿和碰撞電離雪崩 擊穿。46、因電極邊緣媒質(zhì)放電而引起固體電解質(zhì)在電極邊緣處較低電壓 下?lián)舸┑默F(xiàn)象稱為邊緣效應。47、在含有氣體或液體的固體電解質(zhì)中，當擊穿強度比較低的氣體 或液體中的局部電場強度達到其擊穿場強時，這部分氣體或液 體開始放電，使電解質(zhì)發(fā)生不至于貫穿電極的局部擊穿，稱為 局部放電現(xiàn)象。48、絕緣缺陷分為集中性缺陷和分散性缺陷。49、測量絕緣電阻能有效地發(fā)現(xiàn)下列缺陷：總體絕緣質(zhì)量欠佳；絕緣介質(zhì)受潮；兩極間有貫穿的導電通道；絕緣介質(zhì)表面情況不 良。不能發(fā)現(xiàn)的缺陷：絕緣介質(zhì)中的局部缺陷和絕緣老化。50、介質(zhì)損耗角正切能反映絕緣介質(zhì)的整體集中性缺陷和小電容被 試品中的嚴重局部缺陷。51、西林電橋有正橋和反橋兩種接法。52、試品上工頻高壓目前最常用的測量方法：用測量球隙和峰值電 壓表測量交流電壓的峰值，用靜電電壓表測量交流電壓的有效53、多級沖擊電壓發(fā)生器的原理：“并聯(lián)充電，串聯(lián)放電”。54、電氣設備內(nèi)絕緣的雷電沖擊耐壓試驗采用三次沖擊法。55、電氣設備外絕緣的沖擊電壓試驗通?？刹捎檬宕螞_擊法。56、變壓器絕緣故障分為過熱故障，放電故障和絕緣材料受潮。57、放電故障按能