項(xiàng)目分發(fā)給學(xué)生a9m0相關(guān)功耗管理單元

1、UM10398第4章: LPC111x PMU (功耗管理單元)Rev. 00.10 11 January 2010User manual1.概述PMU控制深度掉電模式。四個(gè)通用寄存器可用于在深度掉電模式下保存數(shù)據(jù)2.寄存器描述表 45.寄存器概覽: PMU (址 0 x4003 8000)名稱(chēng)PCON存取類(lèi)型R/W偏移地址0 x000描述功耗控制寄存器復(fù)位值0 x0GPREG0R/W0 x0040 x0通用寄存器0GPREG1R/W0 x0080 x0通用寄存器1GPREG2R/W0 x00C0 x0通用寄存器2GPREG3R/W0 x0100 x0通用寄存器3GPREG4R/W0 x014

2、0 x0通用寄存器42.1功耗控制寄存器使用WFI指令后，功耗控制寄存器將選擇進(jìn)入睡眠模式或深度睡眠模式。，地址 0 x8000) 位域描述表 46. 功耗控制寄存器0-保留，此位不能寫(xiě)10 x01DPDEN0 x0深度掉電模式允許10 x0WFI指令將進(jìn)入深度掉電模式(ARM Cortex-M0核掉電)。00 x0WFI指令將進(jìn)入睡眠模式 (ARM Cortex-M0核的時(shí)鐘關(guān)閉)。10:2-0 x0保留，此位不能寫(xiě)111DPDFLAG0 x0深度掉電標(biāo)志位。10 x0讀：深度掉電模式。寫(xiě)：清除深度掉電標(biāo)志。00 x0讀：未進(jìn)入深度掉電模式。寫(xiě)：無(wú)效。31:12-0 x0保留，此位不能寫(xiě)12

3、.2通用寄存器03在深度掉電模式下，只要給VDD(3V3)引腳供電，通用寄存器就能保留數(shù)據(jù)。只有在冷啟動(dòng)時(shí)，所有電源都從處理器上移除，通用寄存器才復(fù)位。UM10398_0 NXP B.V. 2010.sRev. 00.10 11 January 2010User manual40 of 326名稱(chēng)存取類(lèi)型 偏移地址 描述復(fù)位值UM10398NXP SemiconductorsLPC1100開(kāi)發(fā)，盡在Coocox第4章: LPC111x PMU (功耗控制單元)表 47.通用寄存器0 3 (GPREG0 - GPREG3，地址 0 x4003 80040 x4003 8010) 位域描述31:0

4、GPDATA0 x0深度掉電模式下保持?jǐn)?shù)據(jù)2.3通用寄存器4在處理器進(jìn)入深度睡眠后，只要VDD（3.3v）引腳不掉電，通用寄存器4仍可以保留數(shù)據(jù)。只有在冷啟動(dòng)，移除上所有電源供電時(shí)才會(huì)復(fù)位該通用寄存器。注釋?zhuān)?如果VDD（3.3V）上的外部供電電壓降到低于某個(gè)電壓值（待定），為了讓處理器能從深度掉電模式下喚醒，需要消除WAKEUP輸入引腳的滯后。表 48.通用寄存器4 (GPREG4，地址 0 x4003 8014)位域描述9:0-0 x0保留，不能往這些位寫(xiě)1。10WAKEUPHYS0 x0允許WAKEUP引腳滯后1允許WAKEUP引腳滯后0WAKEUP引腳滯后31:11GPDATA0 x0

5、深度掉電模式下保持?jǐn)?shù)據(jù)3.功能描述3.1進(jìn)入深度掉電模式按照下列步驟從正常運(yùn)行模式進(jìn)入深度掉電模式：(可選項(xiàng))保存在深度掉電時(shí)需要保留的數(shù)據(jù)到四個(gè)通用寄存器的數(shù)據(jù)位里（表4-47和表4-48）。將PCON寄存器的DPDEN位置1(表4-46)來(lái)允許深度掉電模式。向ARM Cortex-M0發(fā)出WFI/WFE指令。在第三步這后，PMU關(guān)閉片上的電壓調(diào)節(jié)器，并等待來(lái)自WAKEUP引腳的一個(gè)喚醒信號(hào)。3.2退出深度掉電模式Follow these steps to wake up the chip from Deeper-down mode:1.往WAKEUP引腳上發(fā)送一個(gè)下降沿信號(hào)。 PMU將會(huì)打

6、開(kāi)片上電壓調(diào)節(jié)器。處理器核電壓達(dá)到上電復(fù)位（POR）跳變點(diǎn)時(shí)，將觸發(fā)系統(tǒng)復(fù)位，重新啟動(dòng)。除GPREG0GPREG0和PCON外所有的寄存器都將進(jìn)入復(fù)位狀態(tài)。UM10398_0 NXP B.V. 2010.sRev. 00.10 11 January 2010User manual41 of 326位符號(hào)值描述復(fù)位值位符號(hào)描述復(fù)位值UM10398NXP SemiconductorsLPC1100開(kāi)發(fā)，盡在Coocox第4章: LPC111x PMU (功耗控制單元)2.一旦已啟動(dòng)，PCON寄存器的深度掉電標(biāo)志（表4-45），以確認(rèn)復(fù)位是由來(lái)自深度掉電模式下的喚醒事件引起，而不是冷復(fù)位。3.清除PCON寄存器中的深度掉電標(biāo)志位(表4-45)。4. (可選項(xiàng))在通用寄存器中的數(shù)據(jù)（表4-47和表4-48）。5.為下一次深度掉電周期設(shè)置PMU（見(jiàn)43.1節(jié)）。UM10398_0 NXP B.V.