2022中國半導(dǎo)體行業(yè)投資深度分析與展望

1、|2半導(dǎo)體企業(yè)市值回歸理性，護城河深的企業(yè)仍受青睞0.600.801.001.201.401.601.802.001/1/20214/1/20217/1/202110/1/20211/1/20224/1/2022數(shù)據(jù)來源： Wind （數(shù)據(jù)截止到2022年7月1日） 、云岫資本整理1：樣本為139家2021年前上市的A股半導(dǎo)體公司，市值做歸一化處理，并將2020/12/31作為基期設(shè)備材料 設(shè)計 IDM電子元器件 分銷制造封測18半導(dǎo)體細(xì)分領(lǐng)域上市公司1市值走勢科創(chuàng)板半導(dǎo)體公司市值分布2.2027218850億及以下50億-100億100億-300億300億-500億500億及以上市值50億及

2、以下上市公司數(shù)量增加2022年1-4月，科創(chuàng)板上市的14支半導(dǎo)體新股中有7支首日破 發(fā)，未盈利企業(yè)100%破發(fā)；5月以來，科創(chuàng)板上市的半導(dǎo)體 新股無首日破發(fā)稀缺性高和盈利能力強的公司，仍逆勢增長7/14市值公司名稱業(yè)務(wù)（億元）上市日期首日漲幅PE（TTM）拓荊科技半導(dǎo)體設(shè)備2252022/4/2028.41%336納芯微車規(guī)模擬芯片4302022/4/2212.90%157龍芯中科CPU芯片3232022/6/2448.30%153|3半導(dǎo)體企業(yè)上市活躍，科創(chuàng)板募集資金首次超過主板數(shù)據(jù)來源：Wind（數(shù)據(jù)截止到2022年7月1日）、安永、云岫資本整理432家科創(chuàng)板上市公司中有84家半導(dǎo)體公司，

3、占比19%；從 細(xì)分行業(yè)來看，EDA 1家，材料12家，設(shè)備8家，設(shè)計40家， 制造1家，封測2家， IDM 4家，電子元器件14家2022年上半年，新增18家科創(chuàng)板上市公司中有14家是設(shè)計公司，設(shè)計公司占比持續(xù)提高2019-2022H1新增半導(dǎo)體上市公司數(shù)量科創(chuàng)板半導(dǎo)體公司分布情況31271521301840353025201510502019202020212022H1其他科創(chuàng)板EDA, 1.2%材料, 14.3%設(shè)備, 10.7%設(shè)計, 48.8%IDM, 4.8%封測, 2.4%制造, 1.2%電子元器件, 16.7%2022H1科創(chuàng)板IPO 54家企業(yè)，其中半導(dǎo)體企 業(yè)18家，占比3

4、3%半導(dǎo)體企業(yè)上市活躍，推高了科創(chuàng)板籌資額， 2022H1科創(chuàng)板整體募集資金總額為1,155.56 億元，同比增長63.15%，首次超過主板|4半導(dǎo)體行業(yè)投資熱度依舊，芯片市場冰火兩重天數(shù)據(jù)來源：IT桔子、中國汽車工業(yè)協(xié)會、Gartner、博世、AlixPartners LLP、云岫資本整理2022年上半年，半導(dǎo)體行業(yè)完成318起投融資交易，融資規(guī) 模近800億元人民幣198254275349373478686318235.13232.761878.01689.9861.912316.282013.74797.462015201620212022H120172018事件數(shù)量20192020融資

5、規(guī)模（億元）2015-2022H1半導(dǎo)體行業(yè)融資事件數(shù)量及規(guī)模2022E年智能手機及新能源汽車出貨量變化全球中國5.8%18.3%55%63%高通已砍驍龍8系列訂單約10% -15%，并預(yù)計年底將把兩 款旗艦移動芯片降價30%-40%芯片僅滿足汽車廠商31%的需求，預(yù)計下半年供給率可以 提升到50%至60%今年上半年有100萬輛汽車產(chǎn)能受到影響，半導(dǎo)體短缺對 汽車行業(yè)的影響將持續(xù)到2024年|5市場創(chuàng)新、技術(shù)革命、高端國產(chǎn)替代是半導(dǎo)體投資的熱點汽車芯片Chiplet半導(dǎo)體設(shè)備與材料|6汽車芯片篇|7數(shù)據(jù)來源：中國產(chǎn)業(yè)信息網(wǎng)、ICVTanK、車東西、興業(yè)證券研究所、特斯拉官網(wǎng)、普華永道、云岫資本

6、整理中央網(wǎng)關(guān)ECU ECU ECUECU ECU ECUDCU ECU ECUDCU ECU ECU中央網(wǎng)關(guān)中央計算DCUDCUDCUDCUDCU品牌蔚來蔚來上汽理想小鵬北汽特斯拉特斯拉車型ET7ET5R ES33One L9G9極狐阿 爾法SModel YModel 3上市/更新 時間20222022202220222022202120222022自動駕駛 芯片英偉達(dá)Orin英偉達(dá)Orin英偉達(dá)Orin英偉達(dá)Orin英偉達(dá)Orin華為MDC810特斯拉FSD特斯拉FSD自動駕駛 總算力(TOPS)101610161000+508508400144144滿足級別L3L3L3L4L4L2L2L2

7、攝像頭11111311121388毫米波雷達(dá)55655601超聲波雷達(dá)1212121212121212激光雷達(dá)11112300傳感器數(shù)量 合計2929322931342021自動駕駛芯片汽車架構(gòu)、傳感器、收費模式多重升級，主流車企為更高級別自動駕駛預(yù)埋硬件01. EE架構(gòu)升級多類傳感器信號數(shù)據(jù)融合、決策與控制指令輸出等大量計算將由一顆 芯片完成分布式架構(gòu)域集中式架構(gòu)中央計算式架構(gòu)02. 傳感器數(shù)量增加自動駕駛等級L1L2L3L4L5超聲波雷達(dá)88121212毫米波雷達(dá)013568攝像頭1581012激光雷達(dá)00135合計9141626313703. 軟件訂閱服務(wù)推出到2030年，汽車軟件數(shù)量增

8、長將超過300%，軟件在消費者感知價值中 的占比將達(dá)到60%，是未來汽車產(chǎn)業(yè)中的重要利潤點特斯拉汽車軟件服務(wù)類型費用自動輔助駕駛Autopilot$2,000-3,000完全自動駕駛FSD$12,000或$199/月軟件應(yīng)用升級（信息娛樂/續(xù)航/動力升級/OTA加速包等）根據(jù)產(chǎn)品類型收費 高級連接服務(wù)（實時路況/卡拉OK/流媒體等）$9.99/月|8數(shù)據(jù)來源：未來智庫、汽車之家、特斯拉、國泰君安證券研究所、佐思汽車研究、云岫資本整理公司芯片型號自動駕駛 等級工藝制程算力（TOPS)功耗（W）主要合作車企英偉達(dá)XavierL2-L512nm3030小鵬、上汽、一汽、 奔馳OrinL2-L57nm

9、20045理想、蔚來、上汽AtlanL4-L5-1000-高通Snapdragon RideL1-L55nm36065長城MobileyeEyeQ4L2-L328nm2.53小鵬、蔚來、威馬、 理想、長城、 廣汽、 大眾、寶馬EyeQ5L3-L47nm2410吉利、寶馬華為Ascend 310L212nm168長城、長安、北汽Ascend 610L3-L47nm16053-特斯拉FSDL314nm7272Model S/X/3地平線征程2L1-L228nm42理想、長安、長城、 奇瑞、上汽、 廣汽、 一汽、奧迪征程3L3-L416nm52.5理想征程5L3-L47nm9620比亞迪、紅旗、自游

10、家自動駕駛芯片異構(gòu)SoC芯片成為主流，國產(chǎn)自動駕駛芯片已上車自動駕駛芯片平臺多為異構(gòu)SoC，由CPU+GPU+XPU+其他功能 模塊（如基帶單元、圖像信號處理單元、內(nèi)存、音頻處理器 等）組成。異構(gòu)IP的配置非常重要，自動駕駛SoC芯片商均不 斷加強核心IP研發(fā)以保持關(guān)鍵競爭力特斯拉FSD SoC芯片框圖ISPLPDDR4Video EncodeCamera I/FGPUNPUNPUSafety SystemSecurity SystemCPULPDDR4CPUCPUNoC大算力高帶寬低功耗豐富外設(shè)自研IP開放生態(tài)|9中國用戶購車因素-TOP 5主動安全（ABS、車道保持、盲點監(jiān)測）被動安全（安

11、全氣囊、頭頸保護系統(tǒng)）3智能科技（HUD、語音交互、人臉識別）動力與尺寸（發(fā)動機功率、軸距）購車價格數(shù)據(jù)來源：IHS Markit、汽車之家、云岫資本整理智能座艙芯片智能座艙已成為消費者購車的重要考量，汽車網(wǎng)聯(lián)、交互功能加速滲透49.40%52.20%55.10%57.60%59.40%48.80%53.30%59.80%66%72.10%75.90%35.30%45%38.40%201920202024202520212022全球市場2023中國市場座艙智能科技配置新車滲透率趨勢0.0%10.0%20.0%30.0%40.0%50.0%60.0%20172018201920202021智能座

12、艙功能滲透率趨勢車聯(lián)網(wǎng)導(dǎo)航道路救援 遠(yuǎn)程啟動全液晶儀表盤OTA升級HUD面部識別 手勢控制網(wǎng) 聯(lián) 功 能車內(nèi)氛圍燈交 互 功 能手機無線充電| 10數(shù)據(jù)來源：IHS Markit、天風(fēng)證券研究所、億歐智庫、佐思汽研、焉知、搜狐、方正證券研究所、云岫資本整理公司芯片型號CPU算力 (DMIPS)GPU算力 (GFLOPS)制程典型搭載廠商髙通SA8155P105k11427nm蔚來、智己、小鵬、 廣汽、威馬等SA8195P150k21007nmADIGO3.0SA8295P200k30005nm集度汽車恩智浦i.MX829k12816nm福特瑞薩R-CAR H340k28816nm大眾、廣汽、路

13、虎、 雷克薩斯R-CAR M328k7628nm豐田、大眾、長城、 日產(chǎn)華為Kirin 980A75k6417nm/Kirin 990A80k7687nmAITO、北汽聯(lián)發(fā)科MT271222k1337nm大眾MT8195139k9266nm/手機芯片廠商相較于傳統(tǒng)汽車芯片廠商具有迭代速度快， AI性能強等優(yōu)勢，快速主導(dǎo)智能座艙SoC芯片市場，高通在 座艙域是絕對領(lǐng)導(dǎo)者，2021年市占率約70-80%智能座艙芯片智能座艙芯片算力需求提升，手機芯片廠商主導(dǎo)智能座艙SoC2024 年，NPU 算力需求將是 2021 年的十倍2024 年， CPU 算力需求將是 2021 年的 3.5 倍手機芯片廠商

14、主導(dǎo)智能座艙SoC芯片市場| 1132位MCU占比增長8位16位32位風(fēng)扇傳動儀表板空調(diào)引擎車身車窗離合器多媒體集線盒渦輪智能駕駛座椅電子泵動力汽車MCU芯片智能化推動汽車MCU市場量價齊升，32位是未來趨勢不同位數(shù)車規(guī)MCU應(yīng)用場景0-1美元1-5美元5-10美元價格位數(shù)由于供應(yīng)緊張，MCU在2021年的平均銷售價格上漲12%，是近25年來最大上漲幅度當(dāng)前消費型4bit MCU開始降價，但車用MCU需求仍居高不下，汽車使用的8、16、32bit MCU價格相對平穩(wěn)數(shù)據(jù)來源：ICV Tank、蓋世汽車研究所、天風(fēng)證券研究所、IHS Market、TrendForce、云岫資本整理76%84%1

15、3%10%11%6%16位32位20218位2025E| 12數(shù)據(jù)來源： HIS、前瞻產(chǎn)業(yè)研究院、公司公告、云岫資本整理國產(chǎn)汽車MCU進展公司應(yīng)用領(lǐng)域量產(chǎn)/發(fā)布時間兆易創(chuàng)新車身、汽車導(dǎo)航、T- BOX(Telematics Box)、汽 車 儀表、汽車娛樂系統(tǒng)2021H1流片，2022年中量產(chǎn)芯海科技中控屏2021年1月通過AEC-Q100認(rèn)證復(fù)旦微車身2021年11月道過AEC-Q100認(rèn)證，預(yù)計2022年Q1-Q2上車國芯科技汽車動力總成汽車車身控制和網(wǎng)關(guān)應(yīng)用、目前汽車電子控制 MCU 芯片產(chǎn)品CCFC2002BC、CCFC2003PT 和CCFC2006PT 已量產(chǎn)銷售以及分布式控制20

16、18年推出第一代8位車規(guī)級MCU芯片，比亞迪半導(dǎo)體 BMS系統(tǒng)、車身核心控制 適用于車身控制等領(lǐng)域： 2019年推出第一代32位車規(guī)級MCU芯片，批量裝 載在比亞迪全系列車型上杰發(fā)科技汽車座椅、車窗2018年底量產(chǎn)國內(nèi)首顆車規(guī)級MCU- AC7811 （32位）； 2020年第二代車規(guī) MCU-AC7801X （32位）量產(chǎn)； 預(yù)計 2022年底量產(chǎn)三代AC7840 x賽騰微電子車身控制模塊（BCM）2019年發(fā)布針對汽車LED尾燈流水轉(zhuǎn)向燈的主控8位MCU芯片芯旺微電子機、汽車照明和智能座艙等場景車身控制、汽車電源與電 2019年8位汽車MCU-KF8A實現(xiàn)量產(chǎn)，2021年發(fā)布32位MCU

17、KF32A156瑞薩德州儀器恩智浦英飛凌+賽普拉斯微芯2%意法半導(dǎo)體 其他2020年全 汽車MCU 競爭格局汽車MCU芯片國內(nèi)廠商積極切入汽車MCU市場，未來繼續(xù)向高端領(lǐng)域突破全球汽車MCU芯片由國外廠商主導(dǎo)MCU缺貨給國內(nèi)廠商帶來替代良機，部分廠商已切入汽 車MCU供應(yīng)鏈，但目前主要應(yīng)用在車燈、雨刮器、空調(diào) 等低階領(lǐng)域車規(guī)MCU仍維持缺貨狀態(tài)，但隨著消費市場需求下滑，晶圓廠產(chǎn)能釋放，汽車MCU缺貨將逐步緩解，缺貨帶來 的導(dǎo)入窗口將逐漸收窄，現(xiàn)有廠商需向32位等高端領(lǐng)域 進一步實現(xiàn)國產(chǎn)替代| 13模擬芯片202020122013201420152016201720182019數(shù)據(jù)來源：WSTS

18、、IC Insight、華泰證券研究所、WIND（市值數(shù)據(jù)為2022年6月30日數(shù)據(jù)）、云岫資本整理2021E2022E2023E2024E2025E汽車電子是未來模擬芯片市場增長的主要驅(qū)動因素市場規(guī)模（億美元）消費電子驅(qū)動汽車電子驅(qū)動100億美元2020年汽車模擬芯片173億美元2025年汽車模擬芯片CAGR 12%市值：1,417億美元市值：759億美元市值：149億美元市值：315億美元市值：285億美元市值：389億美元模擬芯片賽道已經(jīng)孕育并可以容納多家巨頭| 14通過 驗證 并銷 售研發(fā)投入拓展 產(chǎn)品 品類80,000種45,000種1,500種1,600種橫向和向上拓展品類較困難技

19、術(shù)難度汽車工業(yè) 消費其他品類現(xiàn)有品類其他品類拓展難拓展難驗證周期長且要求嚴(yán)苛- 40 125125穩(wěn)定工作1000h工作溫度芯片制造AEC-Q100設(shè)計封測測試912月36月1012月方案設(shè)計拓展其 上車系統(tǒng)認(rèn)證他整車1824月36月干擾測試4.2KV FET 干擾測試電源噪聲、RF干擾、電源波動靜電放電承受8KV ESD接觸放電支持10萬次程序擦寫擦寫測試模擬芯片車規(guī)級模擬芯片壁壘高，芯片供應(yīng)商需要形成良性循環(huán)產(chǎn)品品類是競爭關(guān)鍵因素數(shù)據(jù)來源：TI、ADI、圣邦微、思瑞浦、公開資料、云岫資本整理| 15數(shù)據(jù)來源： Frost&Sullivan、中金公司、云岫資本整理2023E2024E2022

20、E20202021E2030E2025E+21.5%+14.7%汽車智能化促進汽車CIS需求汽車CIS市場規(guī)模迅速增長前視攝像頭FCW/LDW/TSP/PCW夜視駕駛輔助行車記錄儀環(huán)視攝像頭自動泊車系統(tǒng)后視攝像頭倒車影像內(nèi)視攝像頭疲勞駕駛監(jiān)測側(cè)視攝像頭盲區(qū)監(jiān)測變道輔助疲勞智能汽車攝像頭及其功能新能源品牌旗艦車攝像頭數(shù)量Model YET7P5ONEL7001漢Alpha單位：億美元汽車傳感器-圖像傳感器汽車智能化趨勢推動汽車CIS需求快速增長| 16數(shù)據(jù)來源：公開資料、云岫資本測算（產(chǎn)能以2020年為基準(zhǔn)做歸一化處理）汽車手機技術(shù)要求技術(shù)指標(biāo)使用壽命競爭策略追求高像素，對CIS的技術(shù) 和工藝要

21、求高全方位的技術(shù)能力，追求穩(wěn) 定性與安全性3-5年8-10年價格驅(qū)動技術(shù)驅(qū)動像素范圍幀率 動態(tài)范圍感光度2-100 MP15-60 FPS60-70 dB2,000-3,500mv/Luxs近紅外感 光度需求無像素范圍幀率 動態(tài)范圍 感光度1-8 MP30-120 FPS100-140 dB3,500-12,000mv/Luxs近紅外感 光度需求中產(chǎn)線要求產(chǎn)能高車規(guī)級產(chǎn)線產(chǎn)品售價5美金10美金汽車CIS技術(shù)壁壘更高產(chǎn)能缺口提供進入機會全球車載CIS產(chǎn)能缺口預(yù)測 4.0 x像素提升CIS面積增大20202021E2022E2023E2024E2025E2025年產(chǎn)能總預(yù)計到2025年，車載CIS

22、將產(chǎn)生3x的產(chǎn)能缺口需求具備設(shè)計能力的產(chǎn)能緊張現(xiàn)有設(shè)計能力的公司并沒有足夠產(chǎn)能應(yīng)對市場需 求的快速增長新進入者有機會參與市場競爭汽車傳感器-圖像傳感器汽車CIS是技術(shù)驅(qū)動型產(chǎn)品，產(chǎn)能緊張為新進入者提供機遇| 17數(shù)據(jù)來源：Frost&Sullivan、方正證券研究所、公開資料、云岫資本整理2023E20212022E2025E2024E中國市場規(guī)模（億美元） 全球市場規(guī)模（億美元）激光雷達(dá)市場規(guī)模高速增長2021年以來激光雷達(dá)加速上車2021年搭載激光雷達(dá)的車型長城WEY 摩卡寶馬 iX2022年搭載激光雷達(dá)的車型豐田雷克薩斯 LS小鵬 P5小鵬 G9威馬 M7廣汽埃安 LX PLUS路特斯

23、ELETRE長城 機甲龍Arcfox S HI阿維塔 11上汽飛凡 R7沃爾沃 XC90奔馳 S級汽車傳感器-激光雷達(dá)汽車前裝搭載激光雷達(dá)推動行業(yè)快速增長蔚來ET7理想 L9當(dāng)前總體滲透率仍然較低，不足3%| 18技術(shù)特點性能 領(lǐng)先量產(chǎn)量產(chǎn)工藝 簡單成本低成熟產(chǎn)品 可靠數(shù)據(jù)來源：公開資料、云岫資本整理半固 態(tài)機械式轉(zhuǎn)鏡/棱 鏡MEMSOPAFlash固態(tài)通過電機帶動光機結(jié)構(gòu)整體旋 轉(zhuǎn)，實現(xiàn)掃描測量收發(fā)模塊保持不動，電機帶動 轉(zhuǎn)鏡/棱鏡運動，將光束反射至 空間的一定范圍，從而實現(xiàn)掃 描測量采用高速振動的二維振鏡來實 現(xiàn)對空間一定范圍的掃描測量通過施加電壓調(diào)節(jié)每個相控單 元的相位關(guān)系，利用相干原理

24、，實現(xiàn)發(fā)射光束的偏轉(zhuǎn)進而實 現(xiàn)掃描按照時間順序依次驅(qū)動不同視 場的收發(fā)單元，以此實現(xiàn)掃描優(yōu)點：精度高、性能好缺點：技術(shù)復(fù)雜、成本十分高昂、可靠性一般優(yōu)點：可靠性較高、成本低 缺點：性能不及機械雷達(dá)優(yōu)點：可靠性較高、成本低 缺點：性能不及機械雷達(dá)優(yōu)點：精確穩(wěn)定、可靠性高， 理論量產(chǎn)成本低缺點：掃描角度受限、加工工 藝不成熟優(yōu)點：可靠性高、成本低缺點：發(fā)射功率不足，探測距 離有限汽車傳感器-激光雷達(dá)半固態(tài)雷達(dá)是當(dāng)前市場主流，固態(tài)雷達(dá)有望后來居上技術(shù)實現(xiàn)方式| 19PD數(shù)據(jù)來源：禾賽科技招股書、濱松電子、中信建投研究所、云岫資本整理FPGA（主控單元）時序控制、波形算法處理、激光雷達(dá)其他模塊控制多通

25、道激光 驅(qū)動芯片驅(qū)動激光器發(fā)射激光脈沖激光器發(fā)射激光脈沖探測器接收回波信號多通道模擬 前端芯片通道選通及模擬 信號放大高精度數(shù)字 化芯片ADC/TDC數(shù)字化采集控制控制數(shù)字信號放大后的 模擬信號模擬信號控制激光回波汽車傳感器-激光雷達(dá)激光器和探測器是激光雷達(dá)的關(guān)鍵部件激光雷達(dá)結(jié)構(gòu)EELVCSEL光纖激光器原 理在芯片的兩 側(cè)鍍光學(xué)膜 形成諧振腔，沿平行于襯底表面發(fā)射激光在芯片的上 下兩面鍍光 學(xué)膜，形成 諧 振 腔 ， 由于光學(xué)諧 振腔與襯底 垂直，能夠 實現(xiàn)垂直于 芯片表面發(fā) 射激光用摻稀土元 素玻璃光纖 作為增益介 質(zhì)的激光器，一般用光 纖光柵作為 諧振腔，稀 土離子吸收 泵浦光形成 粒子

26、數(shù)反轉(zhuǎn)，在諧振腔 中選模放大 后輸出激光優(yōu)點技術(shù)成熟， 功率密度高晶圓級制造，成本低， 壽命長，適 合陣列集成電光效率高、輸出功率 高、光束質(zhì) 量好、高速缺 點生產(chǎn)成本高 且一致性難 以保障輸出功率及 電光效率較 EEL低復(fù)雜性增加，運行成本 高掃 描機械、半固 態(tài)固態(tài)半固態(tài)SPADAPD電 壓增 益噪 聲測距成 本難點目前市場應(yīng)用仍以APD為主，SPAD有望實 現(xiàn)更遠(yuǎn)的探測距離，但是存在點云噪聲、 高溫性能減弱等問題有待解決波 長 范 圍 10 V 150 V無 100106短距中長距中長距低探測器 成本高探測器成 本高探測器成 本信號完整性高探測器噪 聲1200nm(Si) 2.6um(I

27、nGa As)信號完整性、溫度補償?shù)吞綔y器噪 聲1150nm(Si) 1700nm(In GaAs)信號完整性、猝滅電路高探測器噪 聲1150nm(Si) 1700nm(In GaAs)| 20收發(fā)通道增加集成度提高24-300GHz全天候低成本視距外感知+25.5%毫米波雷達(dá)正加速滲透全球毫米波雷達(dá)市場規(guī)模（億元）電裝安波福博世大陸2.0%6.0%海拉維寧爾3.0%2.0%法雷奧 其他毫米波雷達(dá)供應(yīng)商仍以國外為主毫米波雷達(dá)芯片是產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)鍵環(huán)節(jié)硬件軟件MMIC高端PCBDSP5.0%其他毫米波雷達(dá)成本構(gòu)成汽車傳感器-毫米波雷達(dá)加速滲透前裝市場，毫米波雷達(dá)芯片是產(chǎn)業(yè)鏈關(guān)鍵環(huán)節(jié)2021202220

28、2320242025數(shù)據(jù)來源：Yole、佐思產(chǎn)研、國信證券研究所、云岫資本整理毫米波雷達(dá)芯片集成度將持續(xù)提高TI毫米波雷達(dá)芯片布局MMICMCUMCUMMIC+HWA+ MMIC+DSP+MMIC+HWA+ MMIC+HWA+DSP+MCUDSP+MCU+天線77GHz60GHzAWR6443AWR6843AWR6843AOPAWR1243AWR2243AWR1443AWR1642AWR1843AWR2944AWR1843AOP高速ADCDSP性能可適度下降| 21數(shù)據(jù)來源：Yole、海通證券研究所、云岫資本測算及整理類別測量原理典型應(yīng)用霍爾開關(guān)通過霍爾元件與磁場距離變化引 起磁場變化，輸出0

29、 或1 信號， 控 制接通與關(guān)斷車窗升降電機、天窗 點擊、車門開關(guān)、安 全帶鎖扣等線性霍爾通過霍爾元件與磁場的線性/角度 距離變化引起磁場變化，輸出與 磁場強度相關(guān)的電壓幅值，由此 來測量線性位置/角度位置的變化 量油門踏板、剎車踏板 座椅位置、EPS扭矩角度霍爾BLDC轉(zhuǎn)子位置、方向 盤轉(zhuǎn)角、雨刮電機角 度3D霍爾通常用兩軸霍爾傳感器與單軸霍 爾傳感器封裝而成，測量三維平 面的位置變化汽車換擋等特定場合速度霍爾旋轉(zhuǎn)運動中產(chǎn)生變化的磁場，從 而捕捉旋轉(zhuǎn)運動狀態(tài)輪速傳感器、凸輪軸轉(zhuǎn)速、曲軸轉(zhuǎn)速電流霍爾電流方向大小變化引起磁場變化從而測量電流大小，BMS 系統(tǒng)、電機控制器等磁力計三軸磁力計用于測量

30、地球磁場， 利用指南針原理鎖定汽車航向慣導(dǎo)系統(tǒng)、2023E2024E2025E磁傳感器全球市場格局汽車傳感器-磁傳感器磁傳感器在汽車行業(yè)廣泛應(yīng)用，國產(chǎn)替代仍有較大空間磁傳感器應(yīng)用廣泛磁傳感器市場規(guī)模穩(wěn)步增長，國產(chǎn)替代仍有較大空間全球車載磁傳感器市場規(guī)模（億美元）+5.3%20212022E磁傳感器成本構(gòu)成芯片芯片支生產(chǎn)其他 撐座費用13%13%64% 10%| 2215元MEMS傳感器均價750元單車價值MEMS傳感器壓力傳感器加速度計陀螺儀溫度計濕度計變速器液壓制動安全氣囊排放控制系統(tǒng)ESP系統(tǒng)慣性導(dǎo)航系統(tǒng)50個單車MEMS數(shù)量2,608萬輛國內(nèi)汽車產(chǎn)量8,105萬輛全球汽車產(chǎn)量196億元國

31、內(nèi)市場規(guī)模608億元全球市場規(guī)模胎壓監(jiān)測車載MEMS市場規(guī)模龐大IDM是行業(yè)主流模式無法采用標(biāo)準(zhǔn)CMOS制造工藝第三方Fab不具備成熟MEMS工藝模塊專業(yè)測試設(shè)備系統(tǒng)及測試技術(shù)IDM模式更具優(yōu)勢交期可控改良周期短質(zhì)量可控國外知名大廠均采用IDM模式IDM模式Fabless模式汽車傳感器-MEMS傳感器MEMS傳感器在車內(nèi)應(yīng)用廣泛，IDM是行業(yè)主流模式數(shù)據(jù)來源：海通證券研究所、中汽協(xié)、蓋世汽車、云岫資本測算及整理| 23數(shù)據(jù)來源：車云、北汽產(chǎn)投、盛科通信招股說明書、方正證券研究所、云岫資本整理2008車載以太網(wǎng)逐漸成為車廠共識20162017201920202021車 域 網(wǎng)動力域 網(wǎng)關(guān)車身域

32、網(wǎng)關(guān)輔助駕駛 域網(wǎng)關(guān)娛樂域 網(wǎng)關(guān)T-box 遠(yuǎn)程通 信以太網(wǎng)將與CAN和LIN共同組成車身網(wǎng)絡(luò)ESPTCUEMSEPBICMPEPSBCM車窗車燈輔助駕駛CAN動力總成CAN車身控制CANPASBSD高精 地圖雷達(dá)攝像 頭TVDVD顯示器車載以太網(wǎng)絡(luò) 傳統(tǒng)車載網(wǎng)絡(luò) 以太網(wǎng)CAN LIN車載以太網(wǎng)的高速率可以適應(yīng)智能汽車的通信要求名稱通信速率通信介質(zhì)成本應(yīng)用范圍CAN1Mb/s非屏蔽雙絞線低骨干網(wǎng)、故障診斷、底盤車身電子等LIN20Kb/s單線纜低燈光、門鎖、座椅等CAN-FD8Mb/s非屏蔽雙絞線低空調(diào)、電子顯示、底盤、 故障診斷等FlexRay10Mb/s雙絞線/光纖較高ABS、換擋控制、剎

33、車控 制、轉(zhuǎn)向控制等MOST150Mb/s雙絞線/光纖較高導(dǎo)航、娛樂系統(tǒng)等LVDS655Mb/s一組雙絞線中車載攝像頭以太網(wǎng)1000Mb/s單對非屏蔽雙 絞線低骨干網(wǎng)、攝像頭、激光雷 達(dá)、IVI、域控、交換芯片網(wǎng)關(guān)芯片PHY汽車通信芯片車載以太網(wǎng)正成為新一代汽車通信網(wǎng)絡(luò)，以太網(wǎng)芯片需求增長國外大廠占據(jù)主要市場份額國外廠商5.0%國內(nèi)廠商| 24數(shù)據(jù)來源：華經(jīng)產(chǎn)業(yè)研究院、IC Insights、云岫資本整理汽車智能化驅(qū)動DRAM和NAND需求增長DRAM和NAND集中度極高，由國外主導(dǎo)國內(nèi)廠商積極突破存儲芯片國內(nèi)廠商NANDDRAM兆易創(chuàng)新 長江存儲 合肥長鑫 北京君正 紫光國芯量產(chǎn)38nmSL

34、C NAND量產(chǎn)3D NAND不涉及少量，1Gb4Gb 不涉及東芯股份 量產(chǎn)38nm/28nm SLC NAND量產(chǎn)DDR4，DDR3研發(fā)中心不涉及量 產(chǎn) DDR4 4Gb8Gb DDR4/LPDDR4 完整產(chǎn)品線 25nm 量產(chǎn)38nm15nm DDR3量產(chǎn)DDR3 1Gb4GbDRAM 近幾年制程迭代速度明顯放緩，主流大廠工藝 停留在 10nm+階段，目前合肥長鑫 19nm 工藝已成功 量產(chǎn)，17nm 工藝即將推出NAND方面，工 藝制程演進相對緩慢，3D 堆疊層數(shù)增 長迅速，長江存儲128層NAND閃存已經(jīng)量產(chǎn)，192層已 客戶送樣自動駕駛等級L1/2/2+L3/4L4/5芯片類型DRA

35、MNANDDRAMNANDDRAMNANDIVI3-6GB16-64GB6-12GB128-512GB20GB+1TB+ADAS3-6GB8-64GB6-18GB512GB/1TB20GB+2TB+33%12%11%三星15%西部數(shù)據(jù)19%鎧俠美光2%英特爾 其他8%海力士2021年全球NAND市場份額44%23%三星28%海力士美光其他6%2021年全 球DRAM市 場份額技術(shù)迭代放緩，國內(nèi)廠商迎來技術(shù)追趕機會汽車存儲芯片汽車存儲市場高速增長，國內(nèi)存儲龍頭積極突破| 25數(shù)據(jù)來源：Strategy Analytics、公司公告、云岫資本整理國外巨頭主導(dǎo)全球車用功率半導(dǎo)體，CR5市場份額達(dá)70

36、%技術(shù)壁壘：設(shè)計、制造和封裝全方位技術(shù)能力芯片制造難點在于減薄工藝、背面工藝芯片封裝散熱效率是模塊封裝的關(guān)鍵指標(biāo)，是影響 IGBT 最高工 作結(jié)溫和 IGBT 功率密度30%17%10%7%6%30%羅姆英飛凌德州儀器意法半導(dǎo)體其他安森美2020年全球 汽車功率半 導(dǎo)體市場份 額IDM模式是突破功率半導(dǎo)體技術(shù)壁壘的關(guān)鍵公司新建/項目主要產(chǎn)品投資金額聞泰科技導(dǎo)體自動化晶圓制造中心二極管、TVS、保護器上海臨港12英寸車規(guī)級功率半件、邏輯器件、車用MOSFET、GaN120億華潤微功率半導(dǎo)體封測基地項目MOS、IGBT、SiC器件 及模塊50億元士蘭微8英寸集成電路芯片生產(chǎn)線二 期項目，12英寸高

37、壓集成電 路和功率器件芯片MOS管、TVS、FRD、 IGBT器件及模塊35億高壓特色工藝功率芯片和SiC IGBT、SiC等功率器件斯達(dá)半導(dǎo)芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目及模塊35億新能源汽車電子及大功率半揚杰科技導(dǎo)體晶圓生產(chǎn)線MOS管、TVS、SBD、 FRD、IGBT器件及模塊3.5億功率半導(dǎo)體車規(guī)功率半導(dǎo)體壁壘高，國內(nèi)廠商積極打造IDM實力芯片設(shè)計難點在于不同參數(shù)的均衡取舍| 26數(shù)據(jù)來源：公司公告、Yole、云岫資本整理開關(guān)頻率開關(guān)時間能量損耗體積&重量成本SiC MOSFET50KHz以上 300ns低 小 高IGBT20KHz以下 50ns高 大 低SiC正加速上車車型發(fā)布時間品牌具體應(yīng)用

38、特斯拉Model32018特斯拉 電驅(qū)主逆變器上，釆用了意法半導(dǎo)體供應(yīng)的 650V碳化硅MOSFET器件特斯拉ModelY2020特斯拉 動力模塊后輪驅(qū)動采用了碳化硅MOSFET2020比亞迪漢EV比亞迪 國內(nèi)首款采用自研碳化硅模塊的車型，功率 高性能四驅(qū)版密度提升了一倍特斯拉ModelS Plaid2021特斯拉 該款車搭栽的碳化硅逆變器助其成為全球現(xiàn)小鵬 G92021小鵬 階段最快的量產(chǎn)車型推出的800V平臺采用碳化硅器件，可實現(xiàn)充電5分仲，續(xù)航200公里C-Power 220s2021中車時代該產(chǎn)品是國內(nèi)首款基于自主碳化硅大功率電宏光 MINIEV2021五菱 電氣驅(qū)產(chǎn)品，系統(tǒng)效率最高可

39、達(dá)94%陽光電源2021年5月底發(fā)布了碳化硅電機控制 囂,并且就是miniEV的供應(yīng)商蔚來 ET72022蔚來汽車搭裁碳化硅電驅(qū)系統(tǒng)，將在2022年第一季度開始交付96678248175504586854,98615420271911262021381,0926,298+477%汽車 能源 工業(yè) 交通 通信 消費 其他全球碳化硅市場規(guī)模（百萬美元）功率半導(dǎo)體SiC功率器件比傳統(tǒng)硅基器件更具性能優(yōu)勢，車用SiC規(guī)模將快速增長SiC相較傳統(tǒng)硅基功率半導(dǎo)體具有明顯優(yōu)勢新能源車是碳化硅最大的下游市場| 27數(shù)據(jù)來源：公開資料、云岫資本整理碳化硅投資關(guān)注點突破大尺寸：當(dāng)前國內(nèi)碳化硅襯底產(chǎn)能仍有較大部分為

40、2-4英寸，部分頭部廠商完成了6英寸碳化硅襯底的技術(shù)儲備并實現(xiàn)了量產(chǎn)，但規(guī)模較小，8英寸襯底生產(chǎn)技術(shù)仍處于技術(shù)儲備之中提升良率：目前SiC生產(chǎn)良率較低，晶棒良率平均水平約為50%，襯底良率近兩年在70%-75%區(qū)間產(chǎn)能擴張：目前中國大陸SiC產(chǎn)能不足20萬片/年，在建和已建成的項目總規(guī)劃投資額超過300億元人民幣，已規(guī)劃產(chǎn)能超200萬片/年SiC產(chǎn)業(yè)鏈中襯底和外延具有最大價值量與投資機會非 大 陸大 陸Wolfspeed、Rohm、STInfineon、富士電機、三菱電機、安森美、住友電氣Panasonic、MitsubishiDowCorning、-VI新日鐵住金SK SiltronX-Fa

41、b昭和電工 臺灣漢磊瑞薩、Littlefuse、GeneSic、USCI、 Microsemi、臺灣瀚薪X-Fab臺灣漢磊 臺灣環(huán)宇三安光電、世紀(jì)金光、華大半導(dǎo)體、中電科55所基本半導(dǎo)體、中電科13所泰科天潤、中車時代、揚杰電子、斯達(dá)半導(dǎo)體、比亞迪半導(dǎo)體、華潤微、 士蘭微露笑科技天科合達(dá)、山東天岳山西爍科、東尼電子同光晶體、中科鋼研瀚天天成東莞天域瞻芯電子 蘇州鍇威特47%襯底23%30%外延器件設(shè)計器件制造功率半導(dǎo)體規(guī)模占比| 28SoC芯礪智能地平線愛芯元智復(fù)睿微電子華為海思黑芝麻芯擎科技芯馳科技輝羲智能后摩智能歐冶半導(dǎo)體奕行智能核芯達(dá)科技速顯微超星未來寒武紀(jì)行歌MCU芯旺微Chipway

42、s比亞迪華大半導(dǎo)體賽騰微電子摩芯半導(dǎo)體曦華科技智芯半導(dǎo)體兆易創(chuàng)新傳輸芯片裕太微電子國科天迅慷智集成杰發(fā)科技國民技術(shù)激光雷達(dá)芯片芯思杰摩爾芯光摯感光子博升光電芯視界芯輝科技CIS芯視達(dá)創(chuàng)視微電子韋爾股份思特威格科微縱慧芯光長光華芯超聲波雷達(dá)芯片優(yōu)達(dá)斯奧迪威毫米波雷達(dá)芯片圭步半導(dǎo)體加特蘭芯谷微電子晟得微微度芯創(chuàng)矽典微牧野微電子其他傳感器芯片光大芯業(yè)琻捷電子賽卓電子匯北川龍微科技勝脈電子納芯微麥斯卓微汽車芯片相關(guān)標(biāo)的| 29Chiplet篇| 30$28.5M$37.7M$51.3M$70.3M$106.3M$174.4M$297.8M$542.2M10nm65nm22nm7nm40nm28nm5n

43、m16nm+70.8%+82.1%先進工藝芯片研發(fā)投入巨大隨著制程精進，芯片綜合成本急劇上升，摩爾定律 失效：5nm芯片的研發(fā)費用已經(jīng)超過5億美元3nm的研發(fā)費用可能要超過15億美元龍頭公司、創(chuàng)業(yè)公司均難以承受如此高昂的成本未來大算力的芯片面積不可避免地會增大大晶圓的缺陷率是恒定值大的芯片面積會導(dǎo)致低的良率降成本的關(guān)鍵就是減小芯片面積從而提高良率將原本大芯片“分拆”成多顆小芯片后，小芯片的面積減小，良率提升而后通過封裝工藝將諸多小芯片連接在一起本質(zhì)：較小程度犧牲性能，極大程度縮減成本MonolithicChipletsChipletsChipletsChiplets現(xiàn) 狀 與 痛 點根 本 原

44、 因解 決 方 案die size越小良率越高35%80%90%每顆小芯片面積會減小提升良率是降成本的關(guān)鍵，Chiplet技術(shù)或是后摩爾時代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的最優(yōu)解集摩爾定律失效，先進制程成本不降反增數(shù)據(jù)來源：中芯國際招股書、華安證券、國元證券、五礦證券、云岫資本整理| 31先分后合，架構(gòu)設(shè)計和先進封裝齊頭并進，雙頭加速Chiplet的落地與實現(xiàn)Chiplet不僅是先進封裝，合理的架構(gòu)設(shè)計才能和封裝技術(shù)相得益彰架構(gòu) 設(shè)計2D先進封裝：MCMMulti-Chip Module把模擬die和數(shù)字die封在同一封裝里， 提高集成度2.5D先進封裝：HBMHigh Bandwidth Memory把數(shù)字di

45、e和存儲die封在同一個封裝里，提升存儲訪問的性能和帶寬，同時降低功耗Die stacking把SRAM堆疊在數(shù)字die頂部，進一步提高數(shù)據(jù)傳輸速度、降低功耗的同時，提高密度 AMD Zen1架構(gòu)每個完整的CPU，無論有多少小芯片，都通 過Infinity Fabric鏈接與中央IO die結(jié)對；IO die作為所有芯片外通信的中心樞紐，因為 它包含處理器的所有PCIe通道，以及內(nèi)存 通道；IO die的內(nèi)存控制器集中在一個芯片上，有 助于降低內(nèi)存訪問的局部性（NUMA），再 次提升性能。每款用Chiplet技術(shù)實現(xiàn)的大芯片一定是兩者共同作用的產(chǎn)物大芯片架構(gòu)設(shè)計極其復(fù)雜多die封裝技術(shù)已發(fā)展多

46、年AMD Zen2架構(gòu)將一顆芯片拆分成四顆 Chiplets ， 通過 Infinity Fabirci互聯(lián)，單die面積下降，良率 提升，換來極高的性價比；NUMA結(jié)構(gòu)，本地die訪問其他die的latency 不確定，帶來執(zhí)行效率和內(nèi)存時延方面的 致命問題。是“分”的關(guān)鍵：需要考慮訪問頻率、緩存一致性等 3D先進封裝：X-CubeAnalogLogicSubstrateMemoryLogicSilicon InterposerSubstrateMCM 1990s設(shè)計側(cè)先進封裝側(cè)先進 封裝是“合”的關(guān)鍵：需要考慮功耗、散熱、成本等HBM 2010sWire BondingTSVSubstra

47、teSRAMLogicX-Cube 2020sSilicon InterposerTSV數(shù)據(jù)來源： AMD、TSMC、SAMSUNG、CSDN、半導(dǎo)體行業(yè)觀察、云岫資本整理| 32UCIe：是一個開放的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)互連，提供高 帶寬、低延遲、高功率和高成本效益的芯片 封裝連接。從產(chǎn)業(yè)鏈視角看Chiplet技術(shù)地圖產(chǎn)業(yè)生態(tài)逐漸完善，革命已經(jīng)來臨，多方龍頭相繼布局上下游的關(guān)鍵技術(shù)互聯(lián)接口架構(gòu)設(shè)計制造及先進封裝AIB/MDIO：技術(shù)主要適用于通信距離短， 損耗低的2.5D和3D封裝技術(shù)，例如EMIB、 Foveros。LIPINCON：可以在沒有PLL/DLL的情況下降 低功耗和占用面積，LIPINCO

48、N接口包含兩種 類型的PHY：PHYC和PHYM，分別用于SoC芯 片和存儲器/收發(fā)器芯片。Ryzen、Threadripper、EPYC：以Zen系列架構(gòu)發(fā) 力，AMD的三大產(chǎn)品線都在朝Chiplet這個方向發(fā) 展，且效果不凡，是業(yè)內(nèi)Chiplet架構(gòu)設(shè)計的先鋒 之一。M1 Ultra：使用UltraFusion互聯(lián)將兩個M1 Max芯 片連在一起，具有 1140 億個晶體管和不同性能 的單個封裝。Grace：Grace CPU Superchip由兩塊Grace CPU組 成，通過芯片互連技術(shù)NVIDIA NVLink-C2C將兩塊 Grace CPU連在一起.CoWoS：一種 2.5D封

49、裝技術(shù)，是把芯片封裝到Wafer上，并使用silicon interposer上的高密度走線進行互聯(lián)。InFo：集成式FanOut技術(shù)（InFO）是使用聚酰胺薄膜代 替CoWoS中的硅中介層，從而降低了單位成本和封裝 高度。EMIB：屬于有機基板封裝，通過硅片進行局部高密度 互聯(lián)，和interposer相比，EMIB硅片面積更微小、更靈 活、更經(jīng)濟；Foveros：3D堆疊技術(shù)，在體積和功耗方面的優(yōu)勢更加明顯。Co-EMIB：兩類技術(shù)的結(jié)合，堆疊+橫向拼接，提高芯 片組合彈性。新 興成 熟數(shù)據(jù)來源：半導(dǎo)體行業(yè)觀察、公開資料、云岫資本整理| 33技 術(shù) 優(yōu) 勢支 撐 基 礎(chǔ)間 接直 接Chipl

50、et的初衷是為了節(jié)約芯片研發(fā)綜合成本;芯片面積越大，用Chiplet技術(shù)帶來的成本效應(yīng)明顯；技術(shù)上只要能做出Chiplets并連起來，就能達(dá)到節(jié)約制造成本的目的快速迭代和可擴展性是Chiplet的兩大額外優(yōu)勢，產(chǎn)業(yè)的生態(tài)是優(yōu)勢支撐基礎(chǔ)多重收益加速驅(qū)動Chiplet產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和開放，生態(tài)建設(shè)是革命的關(guān)鍵節(jié)約成本050 100 150 200 250 300 350100%50%04-Chiplet Monolithic單位：mm2快速迭代可以做到局部迭代某顆die，而不用對整體架構(gòu)傷筋動骨，大大縮短迭代周期，側(cè)面 降低研發(fā)成本。只要能做到預(yù)留接口，后續(xù)擴展算力die、網(wǎng)關(guān)die等需添加在原有基礎(chǔ)上

51、擴展，不必回爐重造整個芯片；不同工藝節(jié)點的Chiplets可以封在一起， 例如Zen 2架構(gòu)中I/O die使用14nm工藝， 而周邊的CCD使用7nm工藝高可擴展開放的生態(tài)：接口、EDA等技術(shù)要全面發(fā)展實現(xiàn)互聯(lián)接口標(biāo)準(zhǔn)的統(tǒng)一，是構(gòu)建產(chǎn)業(yè)生態(tài)的核心之一；對于不同來源的芯片，其芯片架構(gòu)與工藝各不相同，但通過統(tǒng)一的接口協(xié)議，便可實現(xiàn)芯片與芯片的互聯(lián)互通；因此，快速迭代、高可擴展的基礎(chǔ)都來自統(tǒng)一的接口；ODSA、DARPA的CHIPS項目等都在尋求一個標(biāo)準(zhǔn)，UCIe只是一大步，但也只是第一步；以此為基礎(chǔ)的Chiplets封裝EDA也是生態(tài)的核心之一 數(shù)據(jù)來源： AMD、ChipWiki 、云岫資本整

52、理| 34基板設(shè)計制造封測未來的格局：傳統(tǒng)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈或?qū)⒈恢厮蹸hiplet產(chǎn)業(yè)會先經(jīng)歷一個各自為營的過渡期，后形成真正完整的“晶體管級復(fù)用”時代2022及以前2023年2025年當(dāng) 前 狀 態(tài)中 間 形 態(tài)最 終 格 局基板設(shè)計制造封測自家Chiplets有源基板EDAIPEDAIP大芯片設(shè)計Chiplet 設(shè)計EDAIPChiplet封裝EDAIP制造封測基板有源基板Chiplet生態(tài)成熟期：真正的IP硬化時代；誕生一批新公司：小芯片設(shè)計公司、集成小芯片的大芯片設(shè) 計公司、有源基板供應(yīng)商、用 于封裝Chiplet的EDA公司等。Chiplet生態(tài)成長期：設(shè)計商對自家設(shè)計的Chiplet

53、s進 行自重用和自迭代；工藝和互聯(lián)標(biāo)準(zhǔn)等生態(tài)逐步成 型并統(tǒng)一。Chiplet生態(tài)早期：設(shè)計商發(fā)力，把自家的大芯片 分拆，并尋求先進封裝組合起 來；未對產(chǎn)業(yè)鏈形成沖擊。| 35超摩科技芯礪智能賽昉科技奇異摩爾奇普樂北極雄芯巨路創(chuàng)芯芯動科技芯原股份海芯微銳杰微泰研半導(dǎo)體Chiplet相關(guān)標(biāo)的| 36設(shè)備和材料篇| 37數(shù)據(jù)來源： Bloomberg、華創(chuàng)證券、IHS Markit、ASML、云岫資本整理半導(dǎo)體晶圓廠Capex穩(wěn)步增長，全球龍頭設(shè)備廠商上調(diào)收入預(yù)測半導(dǎo)體FAB迎來超級Capex周期半導(dǎo)體FAB資本開支（十億美元）ASML收入預(yù)測推算整體市場規(guī)模區(qū)間單位：億美元5.15.96.36.7

54、7.27.202040608010012014016084.4145.453.4140.0 147.085.3156.448.648.434.5110.695.751.054.487.571.088.820202021E2022E2023E2024E2025E142.0+5.9%1632803507121,2231,5292025（預(yù) 測下限）20202025（預(yù) 測上限）+71.8%+114.7%SATS IDMFoundry| 385642113221112021韓國3日本828美國6歐洲/中東2中國大陸2022中國臺灣數(shù)據(jù)來源： SEMI、屹唐半導(dǎo)體招股書、 ASML、JW Insigh

55、ts、云岫資本整理全球擴建晶圓廠，大陸占全球8寸晶圓產(chǎn)能比重最大2022年，中國大陸占全球21%的8寸晶圓產(chǎn)能，超過日本、中國臺灣，排名第一目前中國大陸共有23座12英寸晶圓廠正在投入生產(chǎn)，與2021年相比，晶圓產(chǎn)能增長18%左右，增 速全球第一到2026年，全球12寸晶圓廠總計200座左右，中國 大陸將占全球產(chǎn)能25%全球擴建晶圓廠數(shù)量2022年全球8寸晶圓廠產(chǎn)能占比中國大陸, 21%日本, 16%中國臺灣, 15%歐洲與中東, 15%其他, 33%| 39根據(jù)SEMI數(shù)據(jù)，近年來半導(dǎo)體設(shè)備整體規(guī)模穩(wěn)步提升，2020年已增長至711億美元。中國大陸市場占比同步提升，2020年已達(dá)到26.2%

56、全球半導(dǎo)體設(shè)備市場規(guī)模全球半導(dǎo)體設(shè)備地區(qū)市場單位：十億美元單位：十億美元半導(dǎo)體設(shè)備一般分為前道 設(shè)備和后道設(shè)備進入前道工藝之前，硅片 生長設(shè)備將硅加工成硅片其中晶圓制造設(shè)備占比提升至86.07%，是半導(dǎo)體設(shè) 備行業(yè)最核心的一環(huán)前道設(shè)備中，光刻機、刻 蝕機、薄膜沉積設(shè)備是三大主設(shè)備硅片生長前道制造后道封測711602615119123172181525233438封裝設(shè)備 后道測試設(shè)備6硅片制造設(shè)備光刻機 涂膠顯影設(shè)備去膠設(shè)備 刻蝕機薄膜沉積設(shè)備 離子注入機 熱處理設(shè)備清洗機CMP過程檢測半導(dǎo)體設(shè)備30.1%26.4%21.5%1.1%3.2%3.3%離子注入設(shè)備 去膠涂膠顯影清洗拋光設(shè)備8.4

57、%刻蝕機光刻機過程檢測6.0%薄膜沉積設(shè)備4.2%13.6%8.8%10.4%10.6%28.7%24.3%22.5%26.2%16.6%22.8%201959.6韓國歐洲 東南亞 北美日本中國臺灣中國大陸71.13.5%3.8%20203.9%51.761.281.786.92.93.86.06.4測試設(shè)備晶圓制造設(shè)備封裝設(shè)備5.08.059.695.37.66.071.1201920202021F2022F各類設(shè)備環(huán)環(huán)相扣，不同設(shè)備的技術(shù)難度、市場格局均不盡相同2020年全球各類半導(dǎo)體設(shè)備市場規(guī)模及各類前道設(shè)備市場占比： 單位：億美元101.3+19%數(shù)據(jù)來源： SEMI、鼎暉百孚、云岫資

58、本整理中國大陸設(shè)備占全球市場比重增加，國產(chǎn)替代正值風(fēng)口| 40硅 片 生 長封 裝 測 試晶圓測試測試機 探針臺減薄減薄機焊線焊線機切割劃片機貼片貼片機塑封塑封機切筋成型切筋成型設(shè)備終測測試機 分選機晶 圓 制 造拉單晶單晶爐晶棒加工液磨機 截斷機切片切片機研磨研磨機倒角倒角機拋光硅片拋光機硅片生長過程是將硅材料加工成硅片電路布圖多次循環(huán)堆積電路層實現(xiàn)特定功能功能實現(xiàn)掩膜制作薄膜沉積沉積設(shè)備涂光刻膠涂膠顯影 設(shè)備除光刻膠去膠設(shè)備曝光光刻機刻蝕刻蝕機離子注入離子注入 設(shè)備金屬化沉積設(shè)備顯影涂膠顯影 設(shè)備熱處理熱處理設(shè)備CMPCMP設(shè)備清洗清洗設(shè)備過程檢測過程檢測設(shè)備晶圓制造過程，光刻、刻蝕、薄膜

59、沉積為核心工藝；上述操作需重復(fù)成百上千次才能形成有電路結(jié)構(gòu)的硅片貫穿整個過程貫穿整個過程封測過程是將晶圓切后封裝、測試，最后得到半導(dǎo)體產(chǎn)品前道是指晶圓制造廠的加工過程，在空白的硅片完成電路的加工，出廠產(chǎn)品依然是完整的圓形硅片后道是指封裝和測試的過程，在封測廠中將圓形的硅片切割成單獨的芯片顆粒，完成外殼的封裝，最后完成終端測 試，出廠為半導(dǎo)體產(chǎn)品數(shù)據(jù)來源：中芯國際招股書、華安證券、國元證券、五礦證券、云岫資本整理半導(dǎo)體工藝流程復(fù)雜，涉及設(shè)備種類繁多| 41觀察第三代半導(dǎo)體器件的成本結(jié)構(gòu)，襯底成本幾乎要占到47%，外延成本占比23%，因此，在第三代半導(dǎo)體的產(chǎn)業(yè) 鏈中，襯底和外延是價值鏈的核心；而襯

60、底和外延環(huán)節(jié)最核心的價值點在于對應(yīng)的一系列的襯底制造設(shè)備和外延生長設(shè)備。襯底外延47%23%高純碳粉/硅粉碳化硅粉碳化硅晶棒碳化硅晶錠碳化硅晶片碳化硅襯底首先，要將純度高的的硅粉和碳粉按 一定比例混合在一起；其次，在2000以上的高溫條件下于 反應(yīng)腔室內(nèi)進行反應(yīng)，合成特定晶型 和顆粒度的碳化硅顆粒；最后，經(jīng)過破碎、篩分、清洗后即可制得高純度碳化硅粉原料，用以滿足 晶體生長要求。原料合成碳化硅粉料合成設(shè)備單晶生長爐晶體生長晶體加工、切割、掩膜、拋光、清洗金剛石多線切割機該環(huán)節(jié)主流技術(shù)為 PVT （ 物理氣相傳 輸），由于溫度很 高、不可實施監(jiān)控，因此該環(huán)節(jié)的難 點是工藝本身而不是設(shè)備。各家襯底廠