半導(dǎo)體器件物理 試題庫

1、題庫（一）半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)部分1、計(jì)算分析題已知：在室溫（T=300K）時(shí)，硅本征載流子的濃度為ni=1.5xlOio/cm3電荷的電量q=1.6X10-19C卩n=1350cm2/V-s卩p=500cm2/V-s半導(dǎo)體硅材料在室溫的條件下，測(cè)得n0=4.5x104/cm3,ND=5x1015/cm3問：該半導(dǎo)體是n型還是p型？分別求出多子和少子的濃度樣品的電導(dǎo)率是多少？分析該半導(dǎo)體的是否在強(qiáng)電離區(qū)，為什么nHN？0D2、說明元素半導(dǎo)體Si、Ge中的主要摻雜雜質(zhì)及其作用？3、什么叫金屬-半導(dǎo)體的整流接觸和歐姆接觸，形成歐姆接觸的主要方法有那些？4、為什么金屬與重?fù)诫s半導(dǎo)體接觸可以形成歐姆接觸？P

2、-N部分5、什么叫pn結(jié)的勢(shì)壘電容？分析勢(shì)壘電容的主要的影響因素及各因素導(dǎo)致壘電容大小變化的趨勢(shì)。6、什么是pn結(jié)的正向注入和反向抽取？7、pn結(jié)在正向和反向偏置的情況下，勢(shì)壘區(qū)和載流子運(yùn)動(dòng)是如何變化的？8、簡述pn結(jié)雪崩擊穿、隧道擊穿和熱擊穿的機(jī)理9、什么叫二極管的反向恢復(fù)時(shí)間，提高二極管開關(guān)速度的主要途徑有那些？10、如圖1所示，請(qǐng)問本PN結(jié)的偏壓為正向，還是反向？準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)形成的主要原因?PN結(jié)空間電荷區(qū)寬度取決的什么因素，對(duì)本PN結(jié)那邊空間電荷區(qū)更寬？圖1pn結(jié)的少子分布和準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)三極管部分11、何謂基區(qū)寬變效應(yīng)？12、晶體管具有放大能力需具備哪些條件？13、怎樣提高雙極型晶體管的開

3、關(guān)速度？14、雙極型晶體管的二次擊穿機(jī)理是什么？15、如何擴(kuò)大晶體管的安全工作區(qū)范圍？16、詳細(xì)分析PN結(jié)的自建電場(chǎng)、緩變基區(qū)自建電場(chǎng)和大注入自建電場(chǎng)的異同點(diǎn)。17、晶體管的方向電流ICBO、ICEO是如何定義的？二者之間有什么關(guān)系？18、高頻時(shí)，晶體管電流放大系數(shù)下降的原因是什么？19、如圖2所示，請(qǐng)問雙極型晶體管的直流特性曲線可分為哪些區(qū)域，對(duì)應(yīng)圖中的什么位置？各自的特點(diǎn)是什么?從圖中特性曲線的疏密程度，總結(jié)電流放大系數(shù)的變化趨勢(shì)，為什么？b=90|jA80pA70pA60|nA5O|1A40gA30gA20pA*-WgAHI:IO12345f678【CEO【尬/V圖2雙極型晶體管共發(fā)射極

4、直流輸出特性曲線20、如圖3所示，對(duì)于一個(gè)N+PNNTk勾的雙極晶體管，隨著集電極電流的增大出現(xiàn)了那種效應(yīng)？請(qǐng)?jiān)敿?xì)描述圖3（a-c）曲線的形成的過程。基區(qū)縮小E(x)MOSFET部分?jǐn)U展并偏移21、金屬一半導(dǎo)體功函數(shù)差是如何影響C-V曲線的？22、MOSFET閾值電壓受哪些因素的影響？23、試論MOSFET的工作原理和BJT有何不同？24、什么是MOSFET的跨導(dǎo)？怎么提高跨導(dǎo)？25、試述MOSFET中W/L的大小對(duì)其性能參數(shù)有何影響？26、界面態(tài)對(duì)肖特基勢(shì)壘高度有什么影響？27、MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的輸出特性曲線可分為那幾個(gè)區(qū)，每個(gè)區(qū)有什么特點(diǎn)？28、MOS場(chǎng)效應(yīng)管結(jié)構(gòu)電容隨工作條件是如何變化的？29、MOS場(chǎng)效應(yīng)管的