半導(dǎo)體照明術(shù)語(yǔ)及定義(芯片外延片)

1、外延術(shù)語(yǔ)1、外延生長(zhǎng)(Epitaxy)在單晶襯底上沿其表面提供的擇優(yōu)位置延續(xù)性生長(zhǎng)具有特定晶面的單晶薄層的方法。根據(jù)襯底和外延層的化學(xué)成處可分曲同質(zhì)外延和異質(zhì)外延。從反應(yīng)機(jī)理上，又有利用化學(xué)反應(yīng)的外延生長(zhǎng)和利用物理化學(xué)過程的外延生長(zhǎng)之分。按生長(zhǎng)過程中相變的方式，可分拘氣相外延、液相外延和固相外延。外延生長(zhǎng)的溫度通常遠(yuǎn)低于外延層物質(zhì)的熔點(diǎn)，因而有利于獲得高純度、低缺陷密度的材料，以及具有高恪點(diǎn)、高離解壓的材料。通過外延生長(zhǎng)，可以制備由單原子(分子)層到百微米量級(jí)厚度的單晶薄層，以及超晶格、量子阱等復(fù)雜的結(jié)構(gòu)。外延生長(zhǎng)在半導(dǎo)體材料的研制中獲得了廣泛的應(yīng)用，并滿足了多種劣樣的電子器件和光電子器件的需

2、要。在半導(dǎo)體器件的工業(yè)生產(chǎn)中，主要采用氣相外延和液相外延。分子束外延、化學(xué)束外延和金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積，已成為生長(zhǎng)半導(dǎo)體超晶格、量子阱等異質(zhì)結(jié)構(gòu)的主要手段。外延生長(zhǎng)技術(shù)，還用于高臨界溫度超導(dǎo)體、氧化物鐵電體等多種功能薄膜材料的研究，旨在為改善器件性能和開發(fā)新器件提供所需的材料2、量子阱(QuantumWell)在量子力學(xué)中能夠形成分立能級(jí)的原子、分子勢(shì)場(chǎng)。人工制備的量子阱結(jié)構(gòu)是采用分子束外延等拽術(shù)生長(zhǎng)的。當(dāng)組分不同或揍雜不同的半導(dǎo)體超薄層材料交替排列時(shí)，就形成了量子阱結(jié)構(gòu)，兩種材料分別対蟄阱層和勢(shì)壘層。蟄阱層的厚度可以與電子的德布羅意波長(zhǎng)相比量級(jí)),而勢(shì)壘層的厚度稍大一些。在勢(shì)阱中形成一系列由

3、勢(shì)阱的厚度.深度和載涼手的有效質(zhì)量決定的分立能級(jí)。具有一個(gè)勢(shì)阱的結(jié)構(gòu)是單量子阱結(jié)構(gòu)創(chuàng))；具有劣個(gè)勢(shì)阱的結(jié)構(gòu)是冬量子阱結(jié)構(gòu)(MQW)o在劣量子阱結(jié)構(gòu)中，勢(shì)壘層的厚度足夠大，旨在避免相鄰勢(shì)阱內(nèi)的電子波函數(shù)相互耦合。在量子阱結(jié)構(gòu)中，電子沿超薄層生長(zhǎng)方向的運(yùn)動(dòng)受到約束，而在垂直干生長(zhǎng)方向仍然是自由運(yùn)動(dòng)的。因此，電子運(yùn)動(dòng)是二維或準(zhǔn)二維的，電子的狀態(tài)密度対常數(shù)。考慮到不同能級(jí)形成的子能帶的貢獻(xiàn)，電子的狀態(tài)密度是階梯狀的。19花年，丁勒(R.Dingle)等人首先在GaAs/AIGaAm單量子阱的吸收光譜實(shí)驗(yàn)中證實(shí)了這種量子限制效應(yīng)。此外，在量子阱結(jié)構(gòu)中，由電子空穴對(duì)組成的激子具有誰(shuí)二維的特性，激子的束縛能

4、和振子強(qiáng)度均比在體材料內(nèi)大得劣。這兩個(gè)特性，再加上狀態(tài)密度特性，使量子阱結(jié)構(gòu)在半導(dǎo)體激光器和其它光電子器件中得到了廣泛的應(yīng)用3、能帶工程(Energybandengineering)創(chuàng)造人工改性半導(dǎo)體材料的工程。創(chuàng)造人工改性半導(dǎo)體材料是通過對(duì)材料的物理歩數(shù)和幾何參數(shù)的設(shè)計(jì)和生長(zhǎng)，來(lái)改變其能帶結(jié)構(gòu)或帶隙圖形，以優(yōu)化其電學(xué)性質(zhì)和光學(xué)性質(zhì)。采用人工改性半導(dǎo)體材料，可優(yōu)化電干器件和光電手器件的特性。能帶工程是在半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料及其應(yīng)用的發(fā)展中提出的，它包含以下兩個(gè)方面：帶隙圖形工程(energygappattenengineering)c基于對(duì)不同帶隙材料的剪裁，使電子在半導(dǎo)體內(nèi)的運(yùn)動(dòng)發(fā)生重大變化，

5、從而獲得性能優(yōu)越的新器件。例如：液相外延生長(zhǎng)的N-AlGaAs/GaAs/P-AlGaAs異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料，其中GaAm層的厚度曲山2-0.3pm,使GaAm激光器的閾值電涼密度減小兩個(gè)量級(jí)(-lOOOA/cm3),因而實(shí)現(xiàn)了半導(dǎo)體激光器在室溫下連續(xù)工作。在這種雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料中，窄帶隙的GaAm被夾在寬帶隙的N-AlGaAs和p-MGaAm之間，具有很強(qiáng)的載涼干限制和輻射場(chǎng)限制作用，這正是激光器特性得到優(yōu)化的物理基礎(chǔ)。如果釆用分子束外延或金屬有機(jī)化學(xué)汽相沉積來(lái)生長(zhǎng)上述雙異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料，貝llGaAm層的厚度可以減小到njn量級(jí)，因而產(chǎn)生了量子阱效應(yīng)。此外，異質(zhì)界面電子勢(shì)壘，即兩種材料的電干親合勢(shì)之差

6、，對(duì)帶隙圖形剪載有重大影響。改變界面附近原子層厚度范圍內(nèi)材料的組少或摻雜，使之產(chǎn)生附加的庫(kù)倉(cāng)勢(shì)，就可以調(diào)制電干勢(shì)壘。這就給帶隙圖形剪載増加了一個(gè)自由度，因而將有益于優(yōu)化人工改性半導(dǎo)體材料的電學(xué)性質(zhì)和光學(xué)性質(zhì)。目前，科學(xué)冢們正在致力于這方面的研究能帶結(jié)構(gòu)工程(energybandstructureengineering)o通過改變材料的能帶結(jié)構(gòu)，使電子在半導(dǎo)體內(nèi)的運(yùn)動(dòng)發(fā)生重大變化，從而獲得性能優(yōu)越的新器件。例如：采用原子層外延技術(shù)生長(zhǎng)的晶格尖配的InGaAs/GaAs異質(zhì)結(jié)構(gòu)材料，在超薄層內(nèi)產(chǎn)生很強(qiáng)的應(yīng)力(壓應(yīng)力或張應(yīng)力)場(chǎng)，導(dǎo)致能帶(主宴是價(jià)帶)結(jié)構(gòu)發(fā)生重大變化，輕、重空穴帶退簡(jiǎn)并，空穴有效質(zhì)

7、量變小，因而優(yōu)化了材料的光増益和吸收特性，使半導(dǎo)體激光器的性能大大改善。同時(shí)，也擴(kuò)展了半導(dǎo)體激光器材料的選用范圍4、半導(dǎo)體發(fā)光二極管(LightEmittingDiode)產(chǎn)生熒光(自發(fā)輻射)的半導(dǎo)體P-N結(jié)二板管。它是無(wú)閾值的器件，只要加上注入電流，就會(huì)發(fā)出熒光，發(fā)光強(qiáng)度與注入電涼成正比。它具有體積小.重量輕、壽命長(zhǎng)、性能穩(wěn)定、價(jià)格便宜等優(yōu)點(diǎn)，是目前世界上產(chǎn)量最大、用途最廣的半導(dǎo)體光電子器件o發(fā)光二根管有源區(qū)的材料有直接帶隙半導(dǎo)體和間接帶隙半導(dǎo)體。前者有GaAs.AlGaAs-,(InGa)AlP-,InGaN等，注入的電子和空穴直接復(fù)合而發(fā)射光子，量子效率高，因而可以制作高效率的發(fā)光二極管

8、；后者如GaP,注入的電子和空穴不能直接復(fù)笥必須通過港雜E或工誦10)未引入復(fù)合中心，使注入的載涼子通過這些中心復(fù)臺(tái)而發(fā)射光子，其量子效率也很高，因而也能制作高效率的發(fā)光二極管?，F(xiàn)在廣泛應(yīng)用的紅光.黃光GaP發(fā)光二極管就是如此。半導(dǎo)體發(fā)光二極管按其出光方式分曲表面出光的發(fā)光二極管和端面出光的發(fā)光二極管。封裝方式有注塑封裝、陶瓷封裝、T0管殼封裝和帶光纖耦合的封裝，這些封裝適應(yīng)了劣種冬樣的應(yīng)用。出了已經(jīng)實(shí)用化的半導(dǎo)體發(fā)光二極管的材料、發(fā)射波長(zhǎng)、器件特性和主宴用途。這些器件已經(jīng)構(gòu)成了仝色發(fā)光二極管系列，幾乎覆蓋了整個(gè)可皿光波段。可皿光二極管主要用于指示燈以及數(shù)字.文宇和圖形顯示。近紅外二極管主宴作

9、齒報(bào)誓器和小容量、短距離光纖通信系統(tǒng)的光源。遠(yuǎn)紅外二極管主宴作為主動(dòng)式夜視儀的光源。近年來(lái)，利用能帶工程的折疊效應(yīng)，五基異質(zhì)結(jié)構(gòu)發(fā)光二極管取得了突破性進(jìn)展。將五基光電子器件與已經(jīng)十分成熟的微電子器件集成在一塊芯片上，是當(dāng)今世界上十分熱門的研究課題。5、PN結(jié)的擊穿(PNjunctionStriking)反向偏置的顱結(jié)，當(dāng)電壓升高達(dá)到某一值)時(shí)，反向電涼急劇増大的現(xiàn)象。稱拘擊穿電壓。擊穿現(xiàn)象中，電涼的急劇増大是由干在強(qiáng)電場(chǎng)作用下，載涼子數(shù)目急劇増大所致。主宴的擊穿機(jī)制有兩種：雪崩擊穿和隧道擊穿(又稱齊納擊穿)O前者是由于在勢(shì)壘區(qū)內(nèi)，載潦手被強(qiáng)電場(chǎng)加速獲得足夠高的能量，從而發(fā)生碰撞電離產(chǎn)生電手空穴

10、對(duì)，使電涼雪崩倍増的結(jié)果。后者是由于PN結(jié)兩邊均曲高摻雜材料，當(dāng)反向偏壓増大時(shí)，載涼子在能帶間隧道穿透幾率増大到一定程度引起的。雖然在擊穿時(shí)，PM結(jié)尖去了單向?qū)щ娦?，限制了加在PM結(jié)上的電壓，從而限制了半導(dǎo)體器件的使用。但這一現(xiàn)象在某些器件中也可以被有效地加以利用，例如穩(wěn)壓二極管.PNPN開關(guān)、雪崩渡越時(shí)間二極管及雪崩光電二極管等。只要在電路中有保護(hù)電阻，限制結(jié)擊穿時(shí)的反向電涼使其不超過最大允許電涼值，在反向電壓減小后，PM結(jié)的特性是可以完全復(fù)原的6、金屬有機(jī)化學(xué)汽相沉淀積（MetalOrganicChemicalVaporDeposition）一種單晶薄層生長(zhǎng)方法。由輸運(yùn)氣體將含有生長(zhǎng)層成分

11、的金屬有機(jī)化合物和非金屬氫化物的源蒸汽送進(jìn)反應(yīng)室并利用其熱分解合成反應(yīng)在襯底上生長(zhǎng)單晶薄層。周期表中的許參元耒可以生成揮發(fā)性的有機(jī)化合物或氣態(tài)氫化物，因而金屬有機(jī)化學(xué)汽相沉積SOCVD）可用干劣種材料的生長(zhǎng)。它還適于在異質(zhì)襯底和失配襯底上的生長(zhǎng)，以及亞穩(wěn)態(tài)材料的生長(zhǎng)。它具有適當(dāng)?shù)纳L(zhǎng)速度，具有生長(zhǎng)超薄層（甚至是單分干層）和組分突變的異質(zhì)結(jié)構(gòu)的能力，因而成為廣泛適用的材料生長(zhǎng)技術(shù)。M0CVD生長(zhǎng)設(shè)備，通常由源輸運(yùn)系統(tǒng)、反應(yīng)室.尾氣無(wú)害化處理系統(tǒng)和控制系統(tǒng)組成。源輸運(yùn)系統(tǒng)保證按生長(zhǎng)層組分要求向反應(yīng)室輸運(yùn)相應(yīng)的精確劑量的源蒸汽，并在生長(zhǎng)突變異質(zhì)界面時(shí)完成源的快速切換。反應(yīng)室內(nèi)的襯底架采用高頻感應(yīng)、紅

12、外輻射或電阻加熱的方法來(lái)加熱以獲得生長(zhǎng)所需的溫度。反應(yīng)室內(nèi)的氣流必須是層流以避免渦流造成的不利影響。根據(jù)反應(yīng)室內(nèi)的壓力，可以廿為常壓M0CVD和低IfMOCVDo目前，先進(jìn)的M0CVD生長(zhǎng)設(shè)備，可在大面積襯底上生長(zhǎng)組分均勻的超薄層和組廿突變的異質(zhì)結(jié)構(gòu)，而且可重復(fù)性很奸。M0CVD已經(jīng)成為化合物半導(dǎo)體薄膜材料和超晶格、童子阱結(jié)構(gòu)的主要生長(zhǎng)手段，廣泛用于111-族化合物半導(dǎo)體超高頻電干器件（高電干遷移率晶體管等）和高性能的光電子器件（童子阱激光器等）的研制和生產(chǎn)。M0CVD技術(shù)的主要缺點(diǎn)是，它使用的原材料多拘劇毒、自燃、易燃物質(zhì),因而生長(zhǎng)設(shè)備相當(dāng)復(fù)雜7、異質(zhì)結(jié)構(gòu)(HeterogeneousStru

13、cture)由兩種不同的半導(dǎo)體材料形成的器件結(jié)構(gòu)。習(xí)慣上用小寫字母表示窄帶隙半導(dǎo)體，用大寫字母表示寬帶隙半導(dǎo)體。例如：在p-p-m結(jié)構(gòu)中，有一個(gè)p-M異質(zhì)結(jié)和一個(gè)p-p異質(zhì)結(jié)；在山-門-P結(jié)構(gòu)中，有一個(gè)p_閔質(zhì)結(jié)和一個(gè)n_m異質(zhì)結(jié)。異質(zhì)結(jié)構(gòu)與同質(zhì)結(jié)構(gòu)相比，在電學(xué)方面和光學(xué)方面均有許冬優(yōu)點(diǎn)。如在電學(xué)方面有載瀟予單向注入效應(yīng)和對(duì)注入載涼予的空間限制效應(yīng)；在光學(xué)方面有窗口效應(yīng)和介質(zhì)光波導(dǎo)效應(yīng)。隨著異質(zhì)外延技術(shù)的發(fā)展，可以生長(zhǎng)出許劣完全晶格匹配的異質(zhì)結(jié)構(gòu)，特別是111-族化合物及其固溶體的異質(zhì)結(jié)構(gòu)。采用這些晶格匹配的異質(zhì)結(jié)構(gòu)可以丈幅度提高電子器件和光電子器件的性能。例如：異質(zhì)結(jié)構(gòu)晶體管，可以提高響應(yīng)速

14、度；異質(zhì)結(jié)構(gòu)木陽(yáng)能電池，可以提高光電轉(zhuǎn)換效率；異質(zhì)結(jié)構(gòu)光電二極管，可以降低暗電涼、提高響應(yīng)度和響應(yīng)速度；異質(zhì)結(jié)材激光器(激光二極管)，可以控制激光模式.降低閾值電瀟、提高輸出功率和響應(yīng)遠(yuǎn)度。超晶格結(jié)構(gòu)和童子阱結(jié)構(gòu)，也是異質(zhì)結(jié)構(gòu)，它們具有更優(yōu)越的電學(xué)特性和光學(xué)特性8、量子阱半導(dǎo)體激光器(QuantumWellLaser)采用具有量子阱結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體超薄層材料制作的激光器。童子阱結(jié)構(gòu)由一組或參組寬帶隙層/窄帶隙層/寬帶隙層半導(dǎo)體材料構(gòu)成，厚度為m量級(jí)的窄帶隙層是電子(空穴)勢(shì)阱，厚度稍大一些的寬帶隙層是電子(空穴)勢(shì)壘。電子(空穴)被約束在勢(shì)阱中運(yùn)動(dòng)，類似于量干力學(xué)中的一維勢(shì)阱問題，量子阱半導(dǎo)體激光

15、器因此而得名。在量干阱半導(dǎo)體激光器中，由干量子尺寸效應(yīng)，在有源區(qū)的導(dǎo)帶和價(jià)帶內(nèi)均出現(xiàn)了量子化的子帶，形成了階梯狀態(tài)密度分布。因此，有源區(qū)的電學(xué)性質(zhì)和光學(xué)性質(zhì)均發(fā)生了重大變化，十分有利干提高半導(dǎo)體激光器的特性。與普通半導(dǎo)體激光器相比，量予阱激光器具有許多優(yōu)越的性能：閾值電涼密度低，閾值受溫度影響小，輸出功率大，調(diào)制頻率高，易于實(shí)現(xiàn)動(dòng)態(tài)單頻工作等。具有一個(gè)勢(shì)阱的激光器，稱為單量干阱激光器(SQW)；具有宰個(gè)勢(shì)阱的激光器，稱為宰量子阱激光器(MQW)oMQW-SQffi比，輸出功率更丈。近年來(lái)，應(yīng)變量子阱激光器問世，不僅擴(kuò)展了激光器材料系的選擇范圍，而且可以通過控制應(yīng)變來(lái)改變有源區(qū)材料的能帶結(jié)構(gòu)，制

16、作出所需性能的激光器。隨著光電子技術(shù)及其應(yīng)用的發(fā)展，量予阱半導(dǎo)體激光器的發(fā)射波長(zhǎng)已由近紅外波段擴(kuò)展到可見光波段，輸出功率已由單個(gè)器件的7増丈到列陣器件的120Wo目前，量子阱半導(dǎo)體激光器已成対光纖通信.光纖傳感、光盤存取.激光打印等系統(tǒng)的主要光源，正在成拘固體激光器的主要泵源，以及材料加工設(shè)備的主要能源。近年來(lái)，科學(xué)家們還致力于研究和發(fā)展性能更加優(yōu)越的量子線半導(dǎo)體激光器(quantumwiresemiconductorlaserJP童子，點(diǎn)半導(dǎo)體激光器(quantimpointsemiconductor9、超晶格(SuperLattice)由兩種不同的半導(dǎo)體超薄層材料交替排列而成的一維周期性結(jié)

17、構(gòu)，記作ABABABo超晶格通常采用分子束外延等技術(shù)生長(zhǎng)，具有人工剪裁的帶隙，是一種人工改性半導(dǎo)體材料，在制作新一代電子器件和光電子器件方面具有廣闊的應(yīng)用前景。在這種周期性結(jié)構(gòu)中，勢(shì)阱區(qū)的厚度小于電子的平均自由程，而勢(shì)壘區(qū)的厚度又十分薄，因此，相鄰勢(shì)阱內(nèi)的電子波函數(shù)相互耦合，因電子態(tài)相互作用而導(dǎo)致阱能級(jí)展寬成微帶。一維微帶的存在，對(duì)超晶格材料的物理性質(zhì)有重大戢響。超晶格可以分拘兩大類：一類稱拘組分超晶格，由不同組分的半導(dǎo)體超薄層材料交替排列而成，例如A代表皿、對(duì)弋表AlGaAso另一類稱曲播雜超晶格，由不同摻雜類型的半導(dǎo)體超薄層材料交替排列而成，例如止代表n-Si.B代表戸-亞。此外，根據(jù)相鄰

18、超薄層材料內(nèi)能帶的相互位置，超晶格還有JII、III類之分。在I類超晶格中，A的帶隙完全落在廿的帶隙內(nèi)o因此，對(duì)于電子和空穴，也均拘勢(shì)阱，B均為勢(shì)壘，電子和空穴均約束在同一種材料內(nèi)，因而復(fù)合幾率較大，典型例子是GaAs/AlGaAs晶格。在II類超晶格中，兩種材料的帶隙相互錯(cuò)開、止的導(dǎo)帶邊和價(jià)帶邊分別低于B的導(dǎo)帶邊和價(jià)帶邊。因此，止是電子的勢(shì)阱，B是空穴的勢(shì)阱，電子和空穴分別約束在兩種材料內(nèi)，因而復(fù)合幾率較小，典型例子是InAs/GaSb超晶格。在III類超晶格中，有一種材料是零帶隙的，其導(dǎo)帶邊位于價(jià)帶邊之下，因電子的有效質(zhì)量拘負(fù)值而形成界面態(tài)，典型例子是HgTe/CdTe超晶格。高質(zhì)量的超晶

19、格慕求兩種材料晶格匹配。晶格尖配將引起大量的位錯(cuò)。然而，如果每層的厚度不超過產(chǎn)生位錯(cuò)的臨界厚度，則可以通過彈性應(yīng)變來(lái)補(bǔ)償晶格尖配，使各層的縱向晶格常數(shù)増大或減小，橫向晶格常數(shù)保持相同而不會(huì)產(chǎn)生大量的位錯(cuò)。這種超晶格稱為應(yīng)變超晶格。應(yīng)變超晶格擴(kuò)展了超晶格材料系的選擇范圍，使其不再局限于少數(shù)幾種晶格匹配的半導(dǎo)體材料系。彈性應(yīng)變導(dǎo)致材料的能帶結(jié)構(gòu)發(fā)生重大變化，也曲帶隙剪裁增加了一個(gè)自由度。因此，可通過對(duì)材料的物理參數(shù)和幾何參數(shù)的設(shè)計(jì)和生長(zhǎng)，來(lái)優(yōu)化應(yīng)變超晶格的電學(xué)性質(zhì)和光學(xué)性質(zhì)。然而，應(yīng)變超晶格是一種亞穩(wěn)結(jié)構(gòu)，其穩(wěn)定性尚待深入研究和改善目前研究的應(yīng)變超晶格，主要有Si/GeSi超晶格、GaAs/InG

20、Epitaxy：外延制程（壘晶）GaP：磷化鎵n-GaN：N型氮化鎵p-GaN：P型氮化鎵GaAs：砷化傢GaN：氮化鎵AlInGaP:磷化鋁鎵銦（鋁銦鎵磷）AlGaAs：砷化鋁鎵（鋁鎵砷）InGaN銦鎵氮AlGaN鋁鎵氮Wafer:晶片、外延片分析儀器1、XRD：X射線衍射儀，主peakGaN分析儀器2、PL：熒光光譜儀（或光致發(fā)光光譜儀），Peak強(qiáng)度越強(qiáng)，F(xiàn)WHM越窄，表示有較佳的QW。3、Hall：霍爾測(cè)試儀，利用霍爾效應(yīng)測(cè)量載流子（對(duì)n-GaN載流子為電子，對(duì)p-GaN,載流子為空穴）遷移率（mobility）以及SheetResistance，分析時(shí)同結(jié)構(gòu)若有相同的摻雜（Dopin

21、g），若是量測(cè)的遷移率mobility較小，可以推測(cè)此結(jié)構(gòu)有較多的缺陷（Defects）。4、SEM（ScanningElectronMicroscopy）：掃描式電子顯微鏡，測(cè)量刻蝕深度、及刻蝕截面狀況。5、Microscope:顯微鏡6、DifferentialMicroscopy（Nikon-OPTIPHOT）：晶相（金相）顯微鏡，用以觀測(cè)磊芯片表面的型態(tài)（morphology）。7、EDS：能量分色散光譜儀，EDS之儀器構(gòu)造主要是由一個(gè)硅（鋰）固態(tài)偵測(cè)器為核心，它是由硅單晶參雜鋰原子而成的。8、MOCVD（MetalOrganicChemicalVaporDeposition）：金屬有

22、機(jī)化學(xué)汽相沉淀積9、TEM：透射電子顯微鏡，測(cè)量截面的微細(xì)構(gòu)造，可測(cè)量量子井阱、緩沖層以及超晶格的微細(xì)構(gòu)造厚度及接口（界面）狀況。10、SIMS：二次離子質(zhì)譜儀，測(cè)量每層的摻雜狀況，可測(cè)量P-GaN以及N-GaN的摻雜狀況，以及摻雜載子的濃度以及擴(kuò)散距離等測(cè)量。芯片（Chip）1、LED（LightEmittingDiode）：發(fā)光二極管2、reversemountingtype薄芯片LED：反向粘著型薄芯片LED（倒裝芯片）3、GaNLED：氮化稼發(fā)光二極管4、UVLED：紫外線二極管（紫外發(fā)光二極管）5、ChipProcessing:芯片制程6、Photolithography:光刻，將圖

23、形從光罩（掩膜版）上成象到光阻上的過程。7、Photoresist：光刻膠（光阻），是一種感光的物質(zhì)，經(jīng)紫外光曝光后會(huì)變得很硬而不溶解于腐蝕劑。其作用是將Pattern從光刻版（掩膜版）（Reticle）上傳遞到Wafer上的一種介質(zhì)。其分為正光阻和負(fù)光阻。（第13條與此條合并）8、Etching:蝕刻9、WetEtching:濕式（法）蝕刻，將芯片浸沒于化學(xué)溶液中，將進(jìn)行光刻制程前所沈沉積的薄膜，把沒有被光阻覆蓋及保護(hù)的部分，利用化學(xué)溶液與芯片表面產(chǎn)生氧化還原作用的化學(xué)反應(yīng)的方式加以去除，以完成轉(zhuǎn)移光罩圖案（掩膜版圖形）到薄膜上面的目的。10、DryEtching：干式（法）蝕刻，干式蝕刻主

24、要是利用低壓放電，將氣體電離成電漿，使氣體透過電場(chǎng)解離，產(chǎn)生具有反應(yīng)及方向性的離子。接著，將晶圓（晶片）置于帶有負(fù)電的陰極，使帶有正電的離子因物理作用而以垂直角度撞擊晶圓（晶片）表面，就可得到垂直蝕刻。11、Evaporation：蒸鍍，利用電子槍所射出的電子束轟擊待鍍材料，將高能電子射束的動(dòng)能轉(zhuǎn)化為熔化待鍍材料的熱能，使其局部熔化。12、Lift-off:剝離，用bluetape（藍(lán)膜）把金屬弄走。14、Mask：光刻版（掩膜版），是一石英玻璃，上面會(huì)鍍上一層影像。（e.g.TCL,p-pad,n-pad）其原理和拍照用的菲林一樣。15、PhotoresistCoating:上光刻膠（光阻涂

25、敷）16、SoftBake：軟烤，其主要目的是通過SoftBake將光阻中的溶劑蒸發(fā)，并控制光阻的敏感度和將來(lái)的線寬，同時(shí)也將光阻中的殘余內(nèi)應(yīng)力釋放。17、HardBake：硬烤，是通過烘烤使顯影完成后殘留在Wafer上的顯影液蒸發(fā)，并且固化顯影完成之后的光阻的圖形的過程。18、Exposure：曝光，是將涂布在Wafer表面的光阻感光的過程，同時(shí)將光罩（掩膜版）上的圖形傳遞到Wafer上的過程。19、PEB（PostExposureBake）：是在曝光結(jié)束后對(duì)光阻進(jìn)行控制精密的Bake的過程。其目的在于使被曝光的光阻進(jìn)行充分的化學(xué)反應(yīng)，以使被曝光的圖形均勻化。20、Development：S

26、影，類似于洗照片，是將曝光完成的Wafer進(jìn)行成象的過程，通過這個(gè)過程，成象在光阻上的圖形被顯現(xiàn)出來(lái)。21、Nozzle:噴嘴22、BARC（BottomAntiReflectiveCoating）：是被涂布在光阻下面的一層減少光的反射的物質(zhì)。23、TARC（TopAntiReflectiveCoating）：是被涂布在光阻上表面的一層減少光的反射的物質(zhì)。24、Iline：曝光過程中用到的光，由MercuryLamp（汞燈）產(chǎn)生，其波長(zhǎng)為365nm,其波長(zhǎng)較長(zhǎng)，因此曝光完成后圖形的分辨率較差，可應(yīng)用在次重要的層次。25、DUV：曝光過程中用到的深紫外光，其波長(zhǎng)為248nm，其波長(zhǎng)較短，因此曝光

27、完成后的圖形分辨率較好，用于較為重要的制程中。26、ExposureField:曝光區(qū)域，一次曝光所能覆蓋的區(qū)域。27、Stepper：種曝光機(jī),其曝光動(dòng)作為Stepbystep形式，一次曝整個(gè)exposurefield,一個(gè)一個(gè)曝過去。28、Scanner：一種曝光機(jī)，其曝光動(dòng)作為Scanningandstep形式，在一個(gè)exposurefield曝光時(shí),先Scan完整個(gè)field,Scan完後再移到下一個(gè)field。29、Energy:曝光量30、Focus：焦距31、Reticle：光掩模板或者光罩（掩膜版），也稱為Mask，曝光過程中的原始圖形的載體，通過曝光過程，這些圖形的信息將被傳

28、遞到芯片上。32、Pellicle：是Reticle上為了防止灰塵（dust）或者微塵粒子（Particle）落在光罩（掩膜版）的圖形面上的一層保護(hù)膜。33、OPC（OpticalProximityCorrection）:為了增加曝光圖案（掩膜版圖形）的真實(shí)性，做了一些修正的光罩（掩膜版），例如，0.18微米以下的Poly,Metallayer就是OPC光罩（掩膜版）。34、PSM（PhaseShiftMask）：不同于Crmask,利用相位干涉原理成象，目前大都應(yīng)用在contactlayer以及較小CD的Criticallayer（如AA，POLY，METAL1）以增加圖形的分辨率。35、C

29、RMask：傳統(tǒng)的鉻膜光罩（掩膜版），只是利用光訊0與1干涉成像，主要應(yīng)用在較不Critical的layer36、Track：Photo制程中一系列步驟的組合，其包括：Wafer的前、后處理，Coating（上光阻），和Develop（顯影）等過程。37、WaferEdgeExposure（WEE）：由于Wafer邊緣的光阻通常會(huì)涂布的不均勻，因此一般不能得到較好的圖形，而且有時(shí)還會(huì)因此造成光阻peeling而影響其它部分的圖形，因此將WaferEdge的光阻曝光，進(jìn)而在顯影的時(shí)候?qū)⑵淙コ@樣便可以消除影響。38、PostExposureBake（PEB）：其功能在于可以得到質(zhì)量較好的圖形。

30、（消除standingwaves）39、Overlay:迭對(duì)測(cè)量?jī)x40、ADICD（AfterDevelopInspectionCriticalDimension）：曝光和顯影完成之后，通過ADI機(jī)臺(tái)對(duì)所產(chǎn)生的圖形的定性檢查，看其是否正常；光罩圖案（掩膜版圖形）中最小的線寬。曝光過后，它的圖形也被復(fù)制在Wafer上，通常如果這些最小的線寬能夠成功的成象，同時(shí)曝光的其它的圖形也能夠成功的成象。因此通常測(cè)量CD的值來(lái)確定process的條件是否合適。41、CD-SEM：掃描電子顯微鏡，是一種測(cè)量用的儀器，通?？梢杂糜跍y(cè)量CD以及觀察圖案。42、RTMS（ReticleManagementSystem）:光罩（掩膜版）管理系統(tǒng)，用于trace光罩（掩膜版）的History,Status,Location,