高電壓技術(shù)第一章講稿氣體的絕緣特性課件

1、 勤學(xué) 修德 明辨 篤實(shí)高電壓技術(shù)(第二版）張一塵主編氣體的絕緣特性第一章主要內(nèi)容：氣體帶電質(zhì)點(diǎn)的產(chǎn)生和消失氣隙的放電特性和擊穿特性提高氣體間隙絕緣強(qiáng)度的方法氣體中的沿面放電重點(diǎn)和難點(diǎn)：氣體的放電和擊穿特性基本要求：熟悉概念，掌握特性的基本特征1.空氣在強(qiáng)電場(chǎng)下放電特性一.氣體電介質(zhì)的放電特性 氣體在正常狀態(tài)下是良好的絕緣體，在一個(gè)立方厘米體積內(nèi)僅含幾千個(gè)帶電粒子，但在高電壓下，氣體從少量電符會(huì)突然產(chǎn)生大量的電荷，從而失去絕緣能力而發(fā)生放電現(xiàn)象。一旦電壓解除后,氣體電介質(zhì)能自動(dòng)恢復(fù)絕緣狀態(tài)。 輸電線路以氣體作為絕緣材料 變壓器相間絕緣以氣體作為絕緣材料2.帶電質(zhì)點(diǎn)的產(chǎn)生與消失(1) 激發(fā) 原子

2、在外界因素作用下,其電子躍遷到能量較高的狀態(tài)。(2)游離 原子在外界因素作用下,使其一個(gè)或幾個(gè)電子脫離原子核的束博而形成自由電子和正離子。(3)游離的方式 a.碰撞游離 b.光游離 c.熱游離 d.金屬表面游離碰撞游離 當(dāng)帶電質(zhì)點(diǎn)具有的動(dòng)能積累到一定數(shù)值后，在與氣體原子（或分子）發(fā)生碰撞時(shí)，可以使后者產(chǎn)生游離，這種由碰撞而引起的游離稱(chēng)為碰撞游離。引起碰撞游離的條件：氣體原子（或分子）的游離能。光游離 由光輻射引起氣體原子（或分子）的游離稱(chēng)為光游離。產(chǎn)生光游離的條件：h:普朗克常數(shù):光的頻率熱游離氣體在熱狀態(tài)下引起的游離過(guò)程稱(chēng)為熱游離。產(chǎn)生熱游離的條件：K:波茨曼常數(shù)T:絕對(duì)溫度，K金屬表面游離

3、 電子從金屬電極表面逸出來(lái)的過(guò)程稱(chēng)為表面游離。(4)去游離a.擴(kuò)散 帶電質(zhì)點(diǎn)從高濃度區(qū)域向低濃度區(qū)域運(yùn)動(dòng)。b.復(fù)合 正離子與負(fù)離子相遇而互相中和還原成中性原子。c.附著效應(yīng) 電子與原子碰撞時(shí),電子附著原子形成負(fù)離子。二.氣體放電的兩個(gè)理論1.湯遜放電理論.適用條件:均勻電場(chǎng)，低氣壓，短間隙。實(shí)驗(yàn)裝置均勻電場(chǎng)中氣體的伏安特性分析：oa段: 隨著電壓升高，到達(dá)陽(yáng)極的帶電質(zhì)點(diǎn)數(shù)量和速度也隨之增大。ab段： 電流不再隨電壓的增大而增大。bc段： 電流又再隨電壓的增大而增大。c點(diǎn):電流急劇突增。(1).電子崩 在電場(chǎng)作用下電子從陰極向陽(yáng)極推進(jìn)而形成的一群電子。(2).非自持放電 去掉外界游離因素的作用后

4、,放電隨即停止。(3).自持放電 不需要外界游離因素存在,放電也能維持下去。(4).自持放電條件a.電子的空間碰撞系數(shù) 一個(gè)電子在電場(chǎng)作用下在單位行程里所發(fā)生的碰撞游離數(shù)。 b.正離子的表面游離系數(shù) 一個(gè)正離子到達(dá)陰極,撞擊陰極表面產(chǎn)生游離的電子數(shù)。自持放電條件可表達(dá)為:解釋氣體放電機(jī)制的最早理論。由英國(guó)物理學(xué)家J.S.E.湯森于1903年提出。湯森在實(shí)驗(yàn)中發(fā)現(xiàn)，當(dāng)兩平板電極之間所加電壓增大到一定值時(shí)，極板間隙的氣體中出現(xiàn)連接兩個(gè)電極的放電通道，使原來(lái)絕緣的氣體變成電導(dǎo)很高的氣體，有放電電流通過(guò)，間隙被擊穿。湯森用氣體電離的概念解釋這一現(xiàn)象。他設(shè)想有n0個(gè)自由電子在電場(chǎng)作用下由陰極向陽(yáng)極運(yùn)動(dòng)，

5、只要電場(chǎng)足夠強(qiáng)，電子在與氣體分子碰撞時(shí)會(huì)引起后者電離，發(fā)展成電子崩。若每個(gè)電子在電場(chǎng)中移動(dòng)單位距離時(shí)產(chǎn)生的電離次數(shù)為(湯森電離系數(shù))，則可推知n0個(gè)自由電子在由陰極向陽(yáng)極運(yùn)動(dòng)中經(jīng)過(guò)距離n后將增加到n0eas，而每個(gè)電子產(chǎn)生的正離子電子對(duì)數(shù)為eas-1。正離子在電場(chǎng)作用下向陰極運(yùn)動(dòng)，設(shè)每個(gè)正離子撞擊陰極時(shí)引起的電子發(fā)射（稱(chēng)二次電子發(fā)射）的概率為r，則n0個(gè)自由電子引起電離后產(chǎn)生的二次電子數(shù)為rn0(ead-1)。要使放電持續(xù)不斷，則需使rn0(eas-1)=n0或r(eas-1)=1，這就是湯森自持放電的條件，又稱(chēng)湯森判別式。湯森理論Townsend theory 對(duì)于不同間隙介質(zhì)都有不同的臨界

6、擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度Ec（大氣中約30kVcm-1）。間隙中的電場(chǎng)E低于Ec時(shí)，間隙不會(huì)擊穿。在湯森判別式中，電離系數(shù) 隨外加電場(chǎng)強(qiáng)度E的增強(qiáng)而增大，因此電子的電離效應(yīng)也加強(qiáng)。 值必須足夠大才能產(chǎn)生足夠的電離次數(shù)及離子數(shù)，滿(mǎn)足自持放電條件使間隙被擊穿。實(shí)際過(guò)程比這要復(fù)雜一些，例如間隙中空間電荷的積累會(huì)引起電場(chǎng)畸變；陰極表面還存在光電發(fā)射和其他粒子轟擊陰極表面的過(guò)程；間隙氣體中還有光電離和電附著作用等。雖然自持放電包括的過(guò)程比較復(fù)雜，但判別式的形式仍是 其中rm為包括了各種陰極表面過(guò)程的二次電子發(fā)射概率，為氣體吸收系數(shù)。利用高速示波器可以測(cè)出放電發(fā)展過(guò)程中的電流變化。電流的周期性變化說(shuō)明間隙中電離、陰極

7、發(fā)射電子等一次次的循環(huán)。不滿(mǎn)足自持條件時(shí)的放電，電流逐步減為零，此時(shí)間隙中氣體未擊穿，仍保持絕緣狀態(tài)。湯森理論只適用于氣壓比較低、氣壓與極距的乘積(PS)比較小的情況。(5) Paschen定律a.表達(dá)式:P:氣體壓力 S:極間距離b.均勻電場(chǎng)中幾種氣體的擊穿電壓與ps的關(guān)系弗里德里希帕邢 弗里德里希帕邢（Friedrich Paschen，1865.1.221947.2.25），德國(guó)物理學(xué)家，1908年發(fā)現(xiàn)了氫原子光譜的帕邢系1。 1865年1月22日生于德國(guó)什米林。1884年考人斯特拉斯堡大學(xué)。1888年在柏林大學(xué)由于發(fā)現(xiàn)火花放電的電壓只決定于氣壓和兩極之間距離的乘積而獲博士學(xué)位。1901

8、年任蒂賓根大學(xué)教授和物理研究所所長(zhǎng)。19241933年任帝國(guó)物理技術(shù)研究所（柏林夏洛騰堡）所長(zhǎng)，19251927年任德國(guó)物理學(xué)會(huì)會(huì)長(zhǎng)。1947年2月25日在德國(guó)波茨坦去世，終年82歲。帕邢在物理學(xué)方面的主要貢獻(xiàn)是對(duì)光譜學(xué)進(jìn)行了一系列實(shí)驗(yàn)研究。從1890年起，帕邢系統(tǒng)地用測(cè)量熱輻射方法對(duì)光譜的紅外區(qū)進(jìn)行了大量的研究。1894年通過(guò)對(duì)太陽(yáng)光譜的研究，把紅外線的波長(zhǎng)從5um拓寬到9.3um。1897年通過(guò)改進(jìn)儀器和采用新的測(cè)量方法，又把紅外線的波長(zhǎng)推至23pth。1908年，帕邢應(yīng)用光柵攝譜儀對(duì)元素的紅外區(qū)發(fā)射光譜進(jìn)行了研究，發(fā)現(xiàn)氫原子光譜的近紅外區(qū)存在附加的譜線，它恰好是氫光譜的H和H之差得出的一

9、個(gè)新譜線，從而證明了里茲（WaltherRitz，18781909）提出的“從任何兩條譜線之和與差往往可以找到另一譜線”的預(yù)言，并進(jìn)一步發(fā)現(xiàn)了“帕邢線系”。 此外，帕邢還研究過(guò)光譜線在強(qiáng)磁場(chǎng)的分裂效應(yīng)、氦譜線的精細(xì)結(jié)構(gòu)、氖的復(fù)雜光譜等，在這些方面都取得了一定的成功。2.流注理論(1).在ps乘積較大時(shí),用湯遜理論無(wú)法解釋的幾種現(xiàn)象a.擊穿過(guò)程所需時(shí)間,實(shí)測(cè)值比理論值小10-100倍。b.按湯遜理論,擊穿過(guò)程與陰極材料有關(guān),然而在大氣壓力下的空氣隙中擊穿電壓與陰極材料無(wú)關(guān)。c.按湯遜理論,氣體放電應(yīng)在整個(gè)間隙中均勻連續(xù)地發(fā)展,但在大氣中擊穿會(huì)出現(xiàn)有分枝的明亮細(xì)通道。(2).理論要點(diǎn): 認(rèn)為電子碰

10、撞游離及空間光游離是維持自持放電的主要因素,流注形成便達(dá)到了自持放電條件,它強(qiáng)調(diào)了空間電符畸變電場(chǎng)的作用和熱游離的作用。(3)放電簡(jiǎn)單流程圖: 有效電子(經(jīng)碰撞游離) 電子崩(畸變電場(chǎng)) 發(fā)射光子(在強(qiáng)電場(chǎng)作用下) 產(chǎn)生新的電子崩(二次崩) 形成混質(zhì)通道(流注) 由陽(yáng)極向陰極(陽(yáng)極流注)或由陰極向陽(yáng)極(陰極流注)擊穿。流注理論stream theory 關(guān)于氣體電擊穿機(jī)理的一種理論。由R.瑞特與J.M.米克于1937年提出。湯森理論奠定了氣體放電的理論基礎(chǔ)，但是隨著氣體放電研究的發(fā)展，有些現(xiàn)象只由湯森理論難以解釋?zhuān)绶烹姲l(fā)展的速度比碰撞電離快，放電通道是不均勻的而呈折線形狀，因此需要尋求其他

11、理論。流注理論就是在總結(jié)這些實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象的基礎(chǔ)上形成的。 應(yīng)用流注理論描述放電過(guò)程如下。在外施電場(chǎng)作用下，電子崩由陰極向陽(yáng)極發(fā)展，由于氣體原子（或分子）的激勵(lì)、電離、復(fù)合等過(guò)程產(chǎn)生光電離，在電子崩附近由光電子引起新的子電子崩，電子崩接近陽(yáng)極時(shí)，電離最強(qiáng),光輻射也強(qiáng)。光電子產(chǎn)生的子電子崩匯集到由陽(yáng)極生長(zhǎng)的放電通道，并幫助它的發(fā)展，形成由陽(yáng)極向陰極前進(jìn)的流注（正流注），流注的速度比碰撞電離快。同時(shí)，光輻射是指向各個(gè)方向的，光電子產(chǎn)生的地點(diǎn)也是隨機(jī)的，這說(shuō)明放電通道可能是曲折進(jìn)行的。正流注達(dá)到陰極時(shí)，正負(fù)電極之間形成一導(dǎo)電的通道，可以通過(guò)大的電流，使間隙擊穿。如果所加電壓超過(guò)臨界擊穿電壓（過(guò)電壓），電子

12、崩電離加強(qiáng)，雖然電子崩還沒(méi)有發(fā)展到陽(yáng)極附近，但在間隙中部就可能產(chǎn)生許多光電子及子電子崩,它們匯集到主電子崩,加速放電的發(fā)展，增加放電通道的電導(dǎo)率，形成由陰極發(fā)展的流注（負(fù)流注）。瑞特和米克認(rèn)為，當(dāng)電子崩頭部的電場(chǎng)比外加電壓在間隙中形成的均勻電場(chǎng)更強(qiáng)時(shí)，電子崩附近電場(chǎng)嚴(yán)重畸變，電離劇烈，放電可以自行發(fā)展成流注，從而導(dǎo)致間隙擊穿。根據(jù)這一基本思想，他們進(jìn)行了理論推演。雖然他們計(jì)算電子崩頭部電場(chǎng)的方法不盡相同，推導(dǎo)出不同的計(jì)算擊穿電壓的方程，但是計(jì)算得到的擊穿電壓很相近，與試驗(yàn)比較相符。 對(duì)均勻電場(chǎng)：一旦形成流注，放電就能自持發(fā)展，直到整個(gè)間隙擊穿。形成流注的條件就是間隙擊穿的條件。擊穿電壓經(jīng)驗(yàn)公式

13、（1-9）流注的特點(diǎn)：電離強(qiáng)度很大，傳播速度很快(34108cm/s)。出現(xiàn)流注后，放電便獲得了獨(dú)立繼續(xù)發(fā)展的能力，出現(xiàn)流注的條件就是自持放電的條件！ 形成流注的條件： s20三.不均勻電場(chǎng)中氣隙的放電特性1.電暈放電 一定電壓作用下,在曲率半徑小的電極附近發(fā)生局部游離,并發(fā)出大量光輻射,有些像日月的暈光,稱(chēng)為電暈放電。電暈起始場(chǎng)強(qiáng) ：始出現(xiàn)電暈時(shí)電極表面的場(chǎng)強(qiáng)。電暈起始電壓 ： 開(kāi)始出現(xiàn)電暈時(shí)的電壓。電暈放電是極不均勻電場(chǎng)所特有的一種自持放電形式。電暈放電的起始場(chǎng)強(qiáng)：大氣條件導(dǎo)線粗糙程度導(dǎo)線半徑 經(jīng)驗(yàn)公式見(jiàn)（1-11）1-13）2.極性效應(yīng)(1).正棒-負(fù)板分析：a.由于捧極附近積聚起正空間

14、電荷，削弱了電離，使電暈放電難以形成，造成電暈起始電壓提高。b.由于捧極附近積聚起正空間電荷在間隙深處產(chǎn)生電場(chǎng)加強(qiáng)了朝向板極的電場(chǎng)，有利于流注發(fā)展，故降低了擊穿電壓。(2).負(fù)棒-正板分析：a.捧附近正空間電荷產(chǎn)生附加電場(chǎng)加強(qiáng)了朝向棒端的電場(chǎng)強(qiáng)度，容易形成自持放電，所以其電暈起始電壓較低。b.在間隙深處，正空間電荷產(chǎn)生的附加電場(chǎng)與原電場(chǎng)方向相反，使放電的發(fā)展比較困難，因而擊穿電壓較高。結(jié)論：在相同間隙下正捧-負(fù)板負(fù)捧-正板電暈起始電壓間隙擊穿電壓 高 低 低 高持續(xù)電壓作用下的不均勻電場(chǎng)氣隙擊穿特性直流電壓：圖1-111-12工頻電壓：圖1-13。棒-板間隙的擊穿總是在棒的極性為正、電壓達(dá)幅值

15、時(shí)發(fā)生。?四.雷電沖擊電壓下氣隙的擊穿特性1.標(biāo)準(zhǔn)波形幾個(gè)參數(shù)波頭時(shí)間T1：T1=(1.2 30%)s波長(zhǎng)時(shí)間T2: T2=(50 20%) s標(biāo)準(zhǔn)波形通常用符號(hào) 表示2.放電時(shí)延(1).間隙擊穿要滿(mǎn)足二個(gè)條件a.一定的電壓幅值b.一定的電壓作用時(shí)間(2).統(tǒng)計(jì)時(shí)延t s 通常把電壓達(dá)間隙的靜態(tài)擊穿電壓開(kāi)始到間隙中出現(xiàn)第一個(gè)有效電子為止所需的時(shí)間。(3).放電形成時(shí)延tf從第一個(gè)有效電子到間隙完成擊穿所需的時(shí)間。(4).放電時(shí)延tLtL=ts+tf氣體間隙在沖擊電壓作用下?lián)舸┧枞繒r(shí)間：t = t1+ts+tf其中：ts+tf 就是放電時(shí)延tL3. 50%沖擊放電電壓U50%-反應(yīng)絕緣耐受沖

16、擊電壓的能力放電概率為50%時(shí)的沖擊放電電壓。50%沖擊放電電壓與靜態(tài)放電壓的比值稱(chēng)為絕緣的沖擊系數(shù)pu擊u50%50%電場(chǎng)均勻性的影響：均勻和稍不均勻電場(chǎng) ： =1，放電時(shí)延較短，擊穿發(fā)生在波前峰值附近。極不均勻電場(chǎng) ： 1，放電時(shí)延較長(zhǎng)，擊穿電壓分散性大，擊穿發(fā)生在波前峰值附近。4. 伏秒特性(1) 定義 同一波形、不同幅值的沖擊電壓下，間隙上出現(xiàn)的電壓最大值和放電時(shí)間的關(guān)系曲線。問(wèn)題的提出：氣隙擊穿的必備條件所致！(2) 曲線求取方法(3) 電場(chǎng)均勻程度對(duì)曲線的影響 不均勻電場(chǎng)由于平均擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度較低,而且流注總是從強(qiáng)場(chǎng)區(qū)向弱場(chǎng)區(qū)發(fā)展,放電速度受到電場(chǎng)分布的影響,所以放電時(shí)延長(zhǎng),分散性大

17、,其伏秒特性曲線在放電時(shí)間還相當(dāng)大時(shí),便隨時(shí)間之減小而明顯地上翹,曲線比較陡。 均勻或稍不均勻電場(chǎng)則相反,由于擊穿時(shí)平均場(chǎng)強(qiáng)較高,流注發(fā)展較快,放電時(shí)延較短,其伏秒特性曲線較平坦。(4) 實(shí)際意義S1被保護(hù)設(shè)備的伏秒特性曲線，S2保護(hù)設(shè)備的伏秒特性曲線 為了使被保護(hù)設(shè)備得到可靠的保護(hù),被保護(hù)設(shè)備絕緣的伏秒特性曲線的下包線必須始終高于保護(hù)設(shè)備的伏秒特性曲線的上包線。五. 大氣條件對(duì)氣體間隙擊穿電壓的影響1. 標(biāo)準(zhǔn)大氣條件大氣壓力： P0=101.3kpa溫度 ： 濕度 ： f0=11g/m32. 相對(duì)密度的影響相對(duì)密度 p=0.289 T 當(dāng)在0.95到1.05之間時(shí),空氣間隙的擊穿電壓U與成正

18、比U= U03. 濕度的影響(1) 均勻或稍不均勻電場(chǎng)濕度的增加而略有增加,但程度極微,可以不校正。(2) 極不均勻電場(chǎng) 由于平均場(chǎng)強(qiáng)較低,濕度增加后,水分子易吸附電子而形成質(zhì)量較大的負(fù)離子,運(yùn)動(dòng)速度,減慢游離能力大大降低,使擊穿電壓增大.因此需要校正。4. 高度的影響 隨著高度增加,空氣逐漸稀薄,大氣壓力及空氣相對(duì)密度下降,間隙的擊穿電壓也隨之下降。U=ka U0 六. 提高氣體間隙絕緣強(qiáng)度的方法兩個(gè)途徑:一個(gè)是改善電場(chǎng)分布,使之盡量均勻；另一個(gè)是削弱氣體間隙中的游離因素。1. 改善電場(chǎng)分布的措施(1). 改變電極形狀(2). 利用空間電荷對(duì)電場(chǎng)的畸變作用(3). 極不均勻電場(chǎng)中采用屏障 當(dāng)

19、屏障與棒極之間的距離約等于間隙的距離的15%20%時(shí)，間隙的擊穿電壓提高得最多，可達(dá)到無(wú)屏障時(shí)的23倍。2. 削弱游離因素的措施(1) 采用高氣壓 氣體壓力提高后，氣體的密度加大，減少了電子的平均自由行程，從而削弱了碰撞游離的過(guò)程。 如高壓空氣斷路器和高壓標(biāo)準(zhǔn)電容器等。10kv高壓標(biāo)準(zhǔn)介損器(2) 采用高真空 氣體間隙中壓力很低時(shí)，電子的平均自由行程已增大到極間空間很難產(chǎn)生碰撞游離的程度。 如真空電容器、真空斷路器等。真空電容器真空斷路器(3) 采用高強(qiáng)度氣體 SF6氣體屬?gòu)?qiáng)電負(fù)性氣體,容易吸附電子成為負(fù)離子,從而削弱了游離過(guò)程.提高壓力后可相當(dāng)于一般液體或固體絕緣的絕緣強(qiáng)度。它是一種無(wú)色、無(wú)

20、味、無(wú)臭、無(wú)毒、不燃的不活潑氣體，化學(xué)性能非常穩(wěn)定，無(wú)腐蝕作用。它具有優(yōu)良的滅弧性能，其滅弧能力是空氣的100倍，故極適用于高壓斷路器中。七. 氣體中的沿面放電1. 什么叫沿面放電沿著固體介質(zhì)表面的氣體發(fā)生的放電。沿面放電電壓通常比純空氣間隙的擊穿電壓要低。2. 界面電場(chǎng)分布的三種典型情況氣體介質(zhì)與固體介質(zhì)的交界稱(chēng)為界面。(1). 固體介質(zhì)處于均勻電場(chǎng)中,且界面與電力線平行;(2). 固體介質(zhì)處于極不均勻電場(chǎng)中,且電力線垂直于界面的分量比平行于界面的分量大得多;類(lèi)似套管瓷套管變壓器用電容套管(3). 固體介質(zhì)處于極不均勻電場(chǎng)中,且電力線平行于界面的分量以垂直于界面的分量大得多。類(lèi)似支持絕緣子復(fù)

21、合支持絕緣子戶(hù)外高壓支持絕緣子3. 均勻電場(chǎng)中的沿面放電放電特點(diǎn):(1).放電發(fā)生在沿著固體介質(zhì)表面,且放電電壓比純空氣間隙的放電電壓要低.其原因a. 固體介質(zhì)與電極表面沒(méi)有完全密合而存在微小氣隙,或者介面有裂紋.b.介質(zhì)表面不可能絕對(duì)光滑,使表面電場(chǎng)不均勻.c.介質(zhì)表面電阻不均勻使電場(chǎng)分布不均勻d.介質(zhì)表面易吸收水分,形成一層很薄的膜,水膜中的離子在電場(chǎng)作用下向兩極移動(dòng),易在電極附近積聚電荷,使電場(chǎng)不均勻。4. 極不均勻電場(chǎng)具有強(qiáng)法線分量時(shí)的沿面放電(套管型)(1) 放電發(fā)展特點(diǎn):a. 電暈放電b. 線狀火花放電c. 滑閃放電d. 閃絡(luò)放電(2) 影響沿面放電因素分析等值電路圖a.固體介質(zhì)厚度越小，則體積電容越大，沿介質(zhì)表面電壓分布越不均勻，其沿面閃絡(luò)電壓越低；b.同理，固體介質(zhì)的體積電阻越小，沿面閃絡(luò)電壓越低；c.固體介質(zhì)表面電阻減少，可降低沿面的最大電場(chǎng)強(qiáng)度，從而提高沿面閃絡(luò)電壓。(3).提高沿面閃絡(luò)電壓措施a.減少套管的體積電容。如增大固體介質(zhì)厚度，加大法蘭處套管的外經(jīng)；b.減少絕緣的表面電阻。如在套管近法蘭處涂半導(dǎo)體漆或半導(dǎo)體釉。5. 極不均勻電場(chǎng)具有強(qiáng)切線分量時(shí)的沿面放電(支柱絕緣子型) 由于電極本身的形狀和布置己使電場(chǎng)很不均勻，故介質(zhì)表面積聚電荷使電壓重新分布不會(huì)顯著降低