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文檔簡(jiǎn)介
1、第2章 門(mén)電路2.1 概述2.2 半導(dǎo)體二極管和 三極管的開(kāi)關(guān)特性2.3 最簡(jiǎn)單的與、或、非門(mén)電路2.4 TTL門(mén)電路2.5 CMOS門(mén)電路第1頁(yè),共92頁(yè)。2.1 概述門(mén)電路是用以實(shí)現(xiàn)邏輯關(guān)系的電子電路。門(mén)電路分立元件門(mén)電路集成門(mén)電路雙極型集成門(mén)(DTL、TTL)MOS集成門(mén) NMOSPMOSCMOS第2頁(yè),共92頁(yè)。正邏輯:用高電平表示邏輯1,用低電平表示邏輯0負(fù)邏輯:用低電平表示邏輯1,用高電平表示邏輯0 在數(shù)字系統(tǒng)的邏輯設(shè)計(jì)中,若采用NPN晶體管和NMOS管,電源電壓是正值,一般采用正邏輯。若采用的是PNP管和PMOS管,電源電壓為負(fù)值,則采用負(fù)邏輯比較方便。今后除非特別說(shuō)明,一律采用
2、正邏輯。一、正邏輯與負(fù)邏輯第3頁(yè),共92頁(yè)。VI控制開(kāi)關(guān)S的斷、通情況。S斷開(kāi),VO為高電平;S接通,VO為低電平。 二、邏輯電平105V0V0.8V2V高電平下限低電平上限實(shí)際開(kāi)關(guān)為晶體二極管、三極管以及場(chǎng)效應(yīng)管等電子器件第4頁(yè),共92頁(yè)。邏輯電平高電平UH:輸入高電平UIH輸出高電平UOH低電平UL:輸入低電平UIL輸出低電平UOL邏輯“0”和邏輯“1”對(duì)應(yīng)的電壓范圍寬,因此在數(shù)字電路中,對(duì)電子元件、器件參數(shù)精度的要求及其電源的穩(wěn)定度的要求比模擬電路要低。第5頁(yè),共92頁(yè)。2.2 二極管和三極管的開(kāi)關(guān)特性 數(shù)字電路中的晶體二極管、三極管和MOS管工作在開(kāi)關(guān)狀態(tài)。導(dǎo)通狀態(tài):相當(dāng)于開(kāi)關(guān)閉合截止
3、狀態(tài):相當(dāng)于開(kāi)關(guān)斷開(kāi)。邏輯變量?jī)蔂顟B(tài)開(kāi)關(guān): 在邏輯代數(shù)中邏輯變量有兩種取值:0和1;電子開(kāi)關(guān)有兩種狀態(tài):閉合、斷開(kāi)。半導(dǎo)體二極管、三極管和MOS管,則是構(gòu)成這種電子開(kāi)關(guān)的基本開(kāi)關(guān)元件。第6頁(yè),共92頁(yè)。 1、 靜態(tài)特性: 斷開(kāi)時(shí),開(kāi)關(guān)兩端的電壓不管多大,等效電阻ROFF = 無(wú)窮,電流IOFF = 0。 閉合時(shí),流過(guò)其中的電流不管多大,等效電阻RON = 0,電壓UAK = 0。 2、 動(dòng)態(tài)特性:開(kāi)通時(shí)間 ton = 0 關(guān)斷時(shí)間 toff = 0 理想開(kāi)關(guān)的開(kāi)關(guān)特性: 第7頁(yè),共92頁(yè)??陀^世界中,沒(méi)有理想開(kāi)關(guān)。乒乓開(kāi)關(guān)、繼電器、接觸器等的靜態(tài)特性十分接近理想開(kāi)關(guān),但動(dòng)態(tài)特性很差,無(wú)法滿足數(shù)
4、字電路一秒鐘開(kāi)關(guān)幾百萬(wàn)次乃至數(shù)千萬(wàn)次的需要。半導(dǎo)體二極管、三極管和MOS管做為開(kāi)關(guān)使用時(shí),其靜態(tài)特性不如機(jī)械開(kāi)關(guān),但動(dòng)態(tài)特性很好。第8頁(yè),共92頁(yè)。2.2.1 二極管的開(kāi)關(guān)特性 一、靜態(tài)特性及開(kāi)關(guān)等效電路正向?qū)〞r(shí)UD(ON)0.7V(硅) 0.3V(鍺)RD幾 幾十相當(dāng)于開(kāi)關(guān)閉合 二極管的伏安特性曲線第9頁(yè),共92頁(yè)。反向截止時(shí)反向飽和電流極小反向電阻很大(約幾百k)相當(dāng)于開(kāi)關(guān)斷開(kāi)二極管的伏安特性曲線第10頁(yè),共92頁(yè)。 二極管的開(kāi)關(guān)等效電路(a) 導(dǎo)通時(shí) (b) 截止時(shí) 二極管的伏安特性曲線開(kāi)啟電壓理想化伏安特性曲線第11頁(yè),共92頁(yè)。二、動(dòng)態(tài)特性:若輸入信號(hào)頻率過(guò)高,二極管會(huì)雙向?qū)ǎ?/p>
5、去單向?qū)щ娮饔?。因此高頻應(yīng)用時(shí)需考慮此參數(shù)。二極管從截止變?yōu)閷?dǎo)通和從導(dǎo)通變?yōu)榻刂苟夹枰欢ǖ臅r(shí)間。通常后者所需的時(shí)間長(zhǎng)得多。 反向恢復(fù)時(shí)間tre :二極管從導(dǎo)通到截止所需的時(shí)間。一般為納秒數(shù)量級(jí)(通常tre 5ns )。第12頁(yè),共92頁(yè)。2.2.2 三極管的開(kāi)關(guān)特性 一、靜態(tài)特性及開(kāi)關(guān)等效電路在數(shù)字電路中,三極管作為開(kāi)關(guān)元件,主要工作在飽和和截止兩種開(kāi)關(guān)狀態(tài),放大區(qū)只是極短暫的過(guò)渡狀態(tài)。三極管的三種工作狀態(tài)(a)電路 (b)輸出特性曲線第13頁(yè),共92頁(yè)。開(kāi)關(guān)等效電路1、截止?fàn)顟B(tài) 條件:發(fā)射結(jié)反偏特點(diǎn):電流約為0 第14頁(yè),共92頁(yè)。2、飽和狀態(tài)條件:發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)正偏特點(diǎn):UBES=0
6、.7V,UCES=0.3V/硅第15頁(yè),共92頁(yè)。三極管開(kāi)關(guān)等效電路(a) 截止時(shí) (b) 飽和時(shí)第16頁(yè),共92頁(yè)。二、三極管的開(kāi)關(guān)時(shí)間(動(dòng)態(tài)特性)三極管的開(kāi)關(guān)時(shí)間 開(kāi)啟時(shí)間ton 上升時(shí)間tr延遲時(shí)間td關(guān)閉時(shí)間toff下降時(shí)間tf存儲(chǔ)時(shí)間ts第17頁(yè),共92頁(yè)。1、 開(kāi)啟時(shí)間ton 三極管從截止到飽和所需的時(shí)間。ton = td +tr td :延遲時(shí)間 tr :上升時(shí)間2、關(guān)閉時(shí)間toff 三極管從飽和到截止所需的時(shí)間。toff = ts +tf ts :存儲(chǔ)時(shí)間(幾個(gè)參數(shù)中最長(zhǎng)的;飽和越深越長(zhǎng))tf :下降時(shí)間toff ton 。開(kāi)關(guān)時(shí)間一般在納秒數(shù)量級(jí)。高頻應(yīng)用時(shí)需考慮。第18頁(yè),
7、共92頁(yè)。門(mén)電路的概念: 實(shí)現(xiàn)基本和常用邏輯運(yùn)算的電子電路,叫邏輯門(mén)電路。實(shí)現(xiàn)與運(yùn)算的叫與門(mén),實(shí)現(xiàn)或運(yùn)算的叫或門(mén),實(shí)現(xiàn)非運(yùn)算的叫非門(mén),也叫做反相器,等等。分立元件門(mén)電路和集成門(mén)電路: 分立元件門(mén)電路:用分立的元件和導(dǎo)線連接起來(lái)構(gòu)成的門(mén)電路。簡(jiǎn)單、經(jīng)濟(jì)、功耗低,負(fù)載差。 集成門(mén)電路:把構(gòu)成門(mén)電路的元器件和連線都制作在一塊半導(dǎo)體芯片上,再封裝起來(lái),便構(gòu)成了集成門(mén)電路?,F(xiàn)在使用最多的是CMOS和TTL集成門(mén)電路。2.3 最簡(jiǎn)單的與、或、非門(mén)電路第19頁(yè),共92頁(yè)。2.3.1二極管與門(mén)Y=AB第20頁(yè),共92頁(yè)。2.3.2二極管或門(mén)Y=A+B第21頁(yè),共92頁(yè)。 2.3.4 關(guān)于高低電平的概念及狀態(tài)賦
8、值 電位指絕對(duì)電壓的大??;電平指一定的電壓范圍。 高電平和低電平:在數(shù)字電路中分別表示兩段電壓范圍。 例:上面二極管與門(mén)電路中規(guī)定高電平為3V,低電平0.7V。 又如,TTL電路中,通常規(guī)定高電平的額定值為3V,但從2V到5V都算高電平;低電平的額定值為0.3V,但從0V到0.8V都算作低電平。1. 關(guān)于高低電平的概念 第22頁(yè),共92頁(yè)。2. 邏輯狀態(tài)賦值 在數(shù)字電路中,用邏輯0和邏輯1分別表示輸入、輸出高電平和低電平的過(guò)程稱為邏輯賦值。 經(jīng)過(guò)邏輯賦值之后可以得到邏輯電路的真值表,便于進(jìn)行邏輯分析。第23頁(yè),共92頁(yè)。復(fù)習(xí)什么是高電平?什么是低電平?什么是狀態(tài)賦值?什么是正邏輯?什么是負(fù)邏輯
9、?二極管與門(mén)、或門(mén)有何優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)?第24頁(yè),共92頁(yè)。2.4 TTL門(mén)電路TTL集成邏輯門(mén)電路的輸入和輸出結(jié)構(gòu)均采用半導(dǎo)體三極管,所以稱晶體管晶體管邏輯門(mén)電路,簡(jiǎn)稱TTL電路。TTL電路的基本環(huán)節(jié)是反相器。因此首先簡(jiǎn)單了解TTL反相器的電路及工作原理,并重點(diǎn)掌握其特性曲線和主要參數(shù)(應(yīng)用所需知識(shí))。第25頁(yè),共92頁(yè)。2.4.1 TTL反相器一、TTL反相器的工作原理1. 電路組成TTL反相器的基本電路 第26頁(yè),共92頁(yè)。(1) 輸入級(jí)NPN當(dāng)輸入低電平時(shí), uI=0.3V,發(fā)射結(jié)正向?qū)ǎ?uB1=1.0V當(dāng)輸入高電平時(shí), uI=3.6V,發(fā)射結(jié)受后級(jí)電路的影響將反向截止。 uB1由后級(jí)電
10、路決定。NNP第27頁(yè),共92頁(yè)。(2) 中間級(jí)反相器VT2實(shí)現(xiàn)非邏輯反相輸出同相輸出向后級(jí)提供反相與同相輸出。輸入高電 壓時(shí)飽和輸入低電壓時(shí)截止第28頁(yè),共92頁(yè)。(3) 輸出級(jí)(推拉式輸出)VT3為射極跟隨器低輸入高輸入飽和截止低輸入高輸入截止導(dǎo)通第29頁(yè),共92頁(yè)。2. 工作原理(1)當(dāng)輸入高電平時(shí), uI=3.6V,VT1處于倒置工作狀態(tài),集電結(jié)正偏,發(fā)射結(jié)反偏,uB1=0.7V3=2.1V,VT2和VT4飽和,輸出為低電平uO=0.3V。2.1V0.3V3.6V第30頁(yè),共92頁(yè)。(2) 當(dāng)輸入低電平時(shí), uI=0.3V,VT1發(fā)射結(jié)導(dǎo)通,uB1=0.3V+0.7V=1V,VT2和V
11、T4均截止,VT3和VD導(dǎo)通。輸出高電平uO =VCC -UBE3-UD5V-0.7V-0.7V=3.6V1V3.6V0.3V第31頁(yè),共92頁(yè)。 (3) 采用推拉式輸出級(jí)利于提高開(kāi)關(guān)速度和負(fù)載能力 VT3組成射極輸出器,優(yōu)點(diǎn)是既能提高開(kāi)關(guān)速度,又能提高負(fù)載能力。 當(dāng)輸入高電平時(shí),VT4飽和,uB3=uC2=0.3V+0.7V=1V,VT3和VD截止,VT4的集電極電流可以全部用來(lái)驅(qū)動(dòng)負(fù)載。 當(dāng)輸入低電平時(shí),VT4截止,VT3導(dǎo)通(為射極輸出器),其輸出電阻很小,帶負(fù)載能力很強(qiáng)。 可見(jiàn),無(wú)論輸入如何,VT3和VT4總是一管導(dǎo)通而另一管截止。這種推拉式工作方式,帶負(fù)載能力很強(qiáng),而且可減小靜態(tài)損耗
12、。 第32頁(yè),共92頁(yè)。二、TTL反相器的電壓傳輸特性電壓傳輸特性:輸出電壓uO與輸入電壓uI的關(guān)系曲線。TTL反相器電路的電壓傳輸特性截止區(qū)線性區(qū)轉(zhuǎn)折區(qū)飽和區(qū)1.曲線分析VT4截止,稱關(guān)門(mén)VT4飽和,稱開(kāi)門(mén)第33頁(yè),共92頁(yè)。2. 結(jié)合電壓傳輸特性介紹幾個(gè)參數(shù) (1) 輸出高電平UOH 典型值為3V。(2) 輸出低電平UOL 典型值為0.3V。第34頁(yè),共92頁(yè)。(3) 開(kāi)門(mén)電平UON一般要求UON1.8V(4) 關(guān)門(mén)電平UOFF一般要求UOFF0.8V 在保證輸出為額定低電平的條件下,允許的最小輸入高電平的數(shù)值,稱為開(kāi)門(mén)電平UON。在保證輸出為額定高電平的條件下,允許的最大輸入低電平的數(shù)值
13、,稱為關(guān)門(mén)電平UOFF。UOFFUON第35頁(yè),共92頁(yè)。(5) 閾值電壓UTH 電壓傳輸特性曲線轉(zhuǎn)折區(qū)中點(diǎn)所對(duì)應(yīng)的uI值稱為閾值電壓UTH(又稱門(mén)檻電平)。通常UTH1.4V。 (6) 噪聲容限( UNL和UNH ) 噪聲容限也稱抗干擾能力,它反映門(mén)電路在多大的干擾電壓下仍能正常工作。 UNL和UNH越大,電路的抗干擾能力越強(qiáng)。第36頁(yè),共92頁(yè)。UOFFUNLUILUONUNHUIH第37頁(yè),共92頁(yè)。 低電平噪聲容限(低電平正向干擾范圍) UNL=UOFF-UIL UIL為電路輸入低電平的典型值(0.3V) 若UOFF=0.8V,則有 UNL=0.8-0.3=0.5 (V) 高電平噪聲容
14、限(高電平負(fù)向干擾范圍)UNH = UIH - UON UIH為電路輸入高電平的典型值(3V) 若UON=1.8V,則有 UNH = 3-1.8 =1.2 (V)第38頁(yè),共92頁(yè)。2.4.2 TTL反相器的輸入特性和輸出特性 一. 輸入伏安特性輸入電壓和輸入電流之間的關(guān)系曲線。TTL反相器的輸入伏安特性(a)測(cè)試電路 (b)輸入伏安特性曲線第39頁(yè),共92頁(yè)。 兩個(gè)重要參數(shù): (1) 輸入短路電流IIS當(dāng)uI = 0V時(shí),iI從輸入端流出。 iI =(VCCUBE1)/R1 =(50.7)/4 1.1mA(2) 高電平輸入電流IIH 當(dāng)輸入為高電平時(shí),VT1的發(fā)射結(jié)反偏,集電結(jié)正偏,處于倒置
15、工作狀態(tài),倒置工作的三極管電流放大系數(shù)反很小(約在0.01以下),所以 iI = IIH =反 iB2 IIH很小,約為幾十微安左右。第40頁(yè),共92頁(yè)。輸入負(fù)載特性曲線 (a)測(cè)試電路 (b)輸入負(fù)載特性曲線 TTL反相器的輸入端對(duì)地接上電阻RI 時(shí),uI隨RI 的變化而變化的關(guān)系曲線。二、輸入負(fù)載特性第41頁(yè),共92頁(yè)。在一定范圍內(nèi),uI隨RI的增大而升高。但當(dāng)輸入電壓uI達(dá)到1.4V以后,uB1 = 2.1V,RI增大,由于uB1不變,故uI = 1.4V也不變。這時(shí)VT2和VT4飽和導(dǎo)通,輸出為低電平。虛框內(nèi)為T(mén)TL反相器的部分內(nèi)部電路 第42頁(yè),共92頁(yè)。RI 不大不小時(shí),工作在線性
16、區(qū)或轉(zhuǎn)折區(qū)。RI 較小時(shí),關(guān)門(mén),輸出高電平;RI 較大時(shí),開(kāi)門(mén),輸出低電平;ROFFRONRI 懸空時(shí)?第43頁(yè),共92頁(yè)。(1) 關(guān)門(mén)電阻ROFF 在保證門(mén)電路輸出為額定高電平的條件下,所允許RI 的最大值稱為關(guān)門(mén)電阻。典型的TTL門(mén)電路ROFF 0.7k。 (2) 開(kāi)門(mén)電阻RON 在保證門(mén)電路輸出為額定低電平的條件下,所允許RI 的最小值稱為開(kāi)門(mén)電阻。典型的TTL門(mén)電路RON 2k。 數(shù)字電路中要求輸入負(fù)載電阻RI RON或RI ROFF ,否則輸入信號(hào)將不在高低電平范圍內(nèi)。振蕩電路則令 ROFF RI RON使電路處于轉(zhuǎn)折區(qū)。第44頁(yè),共92頁(yè)。三、輸出特性 指輸出電壓與輸出電流之間的關(guān)
17、系曲線。1、 輸出高電平時(shí)的輸出特性 負(fù)載電流iL不可過(guò)大,否則輸出高電平會(huì)降低。 拉電流負(fù)載。 iL5mA時(shí),輸出uO變化很大;實(shí)際上由于功耗的限制, iL遠(yuǎn)小于5mA。74系列門(mén)電路的運(yùn)用條件規(guī)定 iL不超過(guò)0.4mA。第45頁(yè),共92頁(yè)。 2、低電平輸出特性 一般灌電流在20 mA以下時(shí),電路可以正常工作。典型TTL門(mén)電路的灌電流負(fù)載為12.8 mA。 第46頁(yè),共92頁(yè)。 2.4.3 TTL反相器的動(dòng)態(tài)特性 1. 平均傳輸延遲時(shí)間tpd (在此只介紹傳輸延遲時(shí)間)平均傳輸延遲時(shí)間tpd表征了門(mén)電路的開(kāi)關(guān)速度。 tpd = (tpLH +tpHL)/2 第47頁(yè),共92頁(yè)。復(fù)習(xí)TTL反相
18、器的電壓傳輸特性有哪幾個(gè)區(qū)?TTL反相器主要有哪些特性?TTL反相器的主要參數(shù)有哪些?第48頁(yè),共92頁(yè)。2.4.4 其他類型的TTL門(mén)電路 它與反相器的區(qū)別就在于:輸入端改成了多發(fā)射極三極管:每一個(gè)發(fā)射極能各自獨(dú)立形成正向偏置的發(fā)射結(jié),并可使三極管進(jìn)入放大或飽和區(qū)。一、TTL與非門(mén)電路第49頁(yè),共92頁(yè)。三輸入TTL與非門(mén)電路(a)電路 (b) 邏輯符號(hào)全1輸出0有0輸出11V2.1V第50頁(yè),共92頁(yè)。特性:(1)與非門(mén)輸出電路的結(jié)構(gòu)和電路參數(shù)與反相器相同,所以反相器的輸出特性也適用于與非門(mén)。(2)計(jì)算輸入電流時(shí),應(yīng)根據(jù)輸入端的不同工作狀態(tài)區(qū)別對(duì)待。 a把兩個(gè)輸入端并聯(lián)使用時(shí),低電平輸入電
19、流與反相器相同;高電平輸入時(shí),總的輸入電流為單個(gè)輸入端的高電平輸入電流的兩倍。b一個(gè)接高電平而另一個(gè)低電平,則低電平輸入電流與反相器基本相同,高電平輸入電流比反相器的略大一些。第51頁(yè),共92頁(yè)。二、集電極開(kāi)路門(mén)(OC門(mén))返回推拉式輸出電路結(jié)構(gòu)存在局限性。首先,輸出端不能并聯(lián)使用。若兩個(gè)門(mén)的輸出一高一低,當(dāng)兩個(gè)門(mén)的輸出端并聯(lián)以后,必然有很大的電流同時(shí)流過(guò)這兩個(gè)門(mén)的輸出級(jí),而且電流的數(shù)值遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)正常的工作電流,可能使門(mén)電路損壞。而且,輸出端也呈現(xiàn)不高不低的電平,不能實(shí)現(xiàn)應(yīng)有的邏輯功能。 第52頁(yè),共92頁(yè)。 其次,在采用推拉式輸出級(jí)的門(mén)電路中,電源一經(jīng)確定(通常規(guī)定為5V),輸出的高電平也就固定
20、了(不可能高于電源電壓5V),因而無(wú)法滿足對(duì)不同輸出高電平的需要。 集電極開(kāi)路門(mén)(簡(jiǎn)稱OC門(mén))就是為克服以上局限性而設(shè)計(jì)的一種TTL門(mén)電路。 第53頁(yè),共92頁(yè)。 (1)電路結(jié)構(gòu):輸出級(jí)是集電極開(kāi)路的。 1集電極開(kāi)路門(mén)的電路結(jié)構(gòu) (2)邏輯符號(hào):用“”表示集電極開(kāi)路。集電極開(kāi)路的TTL與非門(mén)(a)電路 (b)邏輯符號(hào)集電極開(kāi)路第54頁(yè),共92頁(yè)。(3)工作原理:當(dāng)VT3飽和,輸出低電平UOL0.3V;(輸入全為高電平) 當(dāng)VT3截止,由外接電源E通過(guò)外接上拉電阻提供高電平UOHE。(輸入至少有一個(gè)低電平)因此, OC門(mén)電路必須外接電源和負(fù)載電阻,才能提供高電平輸出信號(hào)。第55頁(yè),共92頁(yè)。(1
21、) OC門(mén)的輸出端并聯(lián),實(shí)現(xiàn)線與功能。 RL為外接負(fù)載電阻。圖2-20 OC門(mén)的輸出端并聯(lián)實(shí)現(xiàn)線與功能 Y1Y2Y000010100111Y1 =AB Y2 = CD2. OC門(mén)的應(yīng)用舉例第56頁(yè),共92頁(yè)。用OC門(mén)實(shí)現(xiàn)電平轉(zhuǎn)換的電路 ,根據(jù)要求選擇外接電源的大小,就可以得到所需的UOH.此外,有些OC門(mén)的輸出管設(shè)計(jì)得尺寸較大,足以承受較大電流和較高電壓,可以直接驅(qū)動(dòng)小型繼電器。(2)用OC門(mén)實(shí)現(xiàn)電平轉(zhuǎn)換第57頁(yè),共92頁(yè)。三、 三態(tài)輸出門(mén)電路(TS門(mén))返回三態(tài)門(mén)電路的輸出有三種可能出現(xiàn)的狀態(tài):高電平、低電平、高阻。懸空、懸浮狀態(tài),又稱為禁止?fàn)顟B(tài)。測(cè)電阻為,故稱為高阻狀態(tài)。測(cè)電壓為0V,但不是
22、接地。因?yàn)閼铱?,所以測(cè)其電流為0A。第58頁(yè),共92頁(yè)。1、電路結(jié)構(gòu):增加了控制輸入端(Enable)。 1三態(tài)門(mén)的電路結(jié)構(gòu)2、工作原理:01截止YAB EN = 0時(shí),電路為正常的與非工作狀態(tài),所以稱控制端低電平有效。第59頁(yè),共92頁(yè)。10導(dǎo)通1.0V1.0V截止截止懸空當(dāng)EN = 1時(shí),門(mén)電路輸出端處于懸空的高阻狀態(tài)。第60頁(yè),共92頁(yè)??刂贫烁唠娖接行У娜龖B(tài)門(mén)(2)邏輯符號(hào)控制端低電平有效的三態(tài)門(mén)用“”表示輸出為三態(tài)。高電平有效低電平有效第61頁(yè),共92頁(yè)。2三態(tài)門(mén)的主要應(yīng)用實(shí)現(xiàn)總線傳輸要求各門(mén)的控制端EN輪流為高電平,且在任何時(shí)刻只有一個(gè)門(mén)的控制端為高電平。用三態(tài)門(mén)實(shí)現(xiàn)總線傳輸 如有
23、8個(gè)門(mén),則8個(gè)EN端的波形應(yīng)依次為高電平,如下頁(yè)所示。第62頁(yè),共92頁(yè)。第63頁(yè),共92頁(yè)。 為了提高工作速度,降低功耗,提高抗干擾能力,各生產(chǎn)廠家對(duì)門(mén)電路作了多次改進(jìn)。74系列與54系列的電路具有完全相同的電路結(jié)構(gòu)和電氣性能參數(shù)。其不同之處見(jiàn)下表所示。 系列參數(shù)74系列54系列工作環(huán)境溫度070OC-55125OC電源電壓工作范圍5V5%5V10%2.4.5 TTL門(mén)電路的改進(jìn)系列第64頁(yè),共92頁(yè)。 TTL集成邏輯門(mén)的使用注意事項(xiàng):一、電源電壓及電源干擾的消除 電源電壓對(duì)54系列應(yīng)滿足5V10%、對(duì)74系列應(yīng)滿足5V5%的要求,電源的正極和地線不可接錯(cuò)。為了防止外來(lái)干擾通過(guò)電源串入電路,
24、需要對(duì)電源進(jìn)行濾波,通常在印刷電路板的電源輸入端接入10100微法的電容進(jìn)行濾波,在印刷電路板上,每隔68個(gè)門(mén)加接一個(gè)0.010.1微法的電容對(duì)高頻進(jìn)行濾波。二、輸出端的連接 具有推拉輸出結(jié)構(gòu)的TTL門(mén)電路的輸出端不允許直接并聯(lián)使用。輸出端不允許直接接電源或直接接地。使用時(shí),輸出電流應(yīng)小于產(chǎn)品手冊(cè)上規(guī)定的最大值。三態(tài)輸出門(mén)的輸出端可并聯(lián)使用,但在同一時(shí)刻只能有一個(gè)門(mén)工作,其他門(mén)輸出處于高阻狀態(tài)。集電極開(kāi)路門(mén)輸出端可并聯(lián)使用(線與),但公共輸出端和電源VCC之間應(yīng)接負(fù)載電阻。第65頁(yè),共92頁(yè)。三、閑置輸入端的處理TTL集成門(mén)電路使用時(shí),對(duì)于閑置輸入端(不用的輸入端)一般不懸空,主要是防止干擾信
25、號(hào)從懸空端上引入電路。對(duì)于閑置輸入端的處理以不改變電路邏輯狀態(tài)及工作穩(wěn)定性為原則。常用的方法有:(1)對(duì)于與非門(mén)的閑置輸入端可直接接電源電壓,或通過(guò)110K歐姆的電阻接電源;(2)如前級(jí)驅(qū)動(dòng)能力允許時(shí),可將閑置輸入端與有用輸入端并聯(lián)使用;(3)在外界干擾很小時(shí),與非門(mén)的閑置輸入端可以剪斷或者懸空,但不允許接開(kāi)路長(zhǎng)線,以免引入干擾而產(chǎn)生邏輯錯(cuò)誤;(4)或非門(mén)不使用的閑置輸入端應(yīng)接地,對(duì)與或非門(mén)中不使用的與門(mén)至少有一個(gè)輸入端接地。第66頁(yè),共92頁(yè)。四、電路安裝接線和焊接應(yīng)注意的問(wèn)題(1)連線要盡量短,最好用絞合線;(2)整體接地要好,地線要粗、短;(3)焊接用的烙鐵最好不大于25W,使用中性焊劑
26、,如松香酒精溶液,不可使用焊油;(4)由于集成電路外引線間距離很近,焊接時(shí)焊點(diǎn)要小,不得將相鄰引線短路,焊接時(shí)間要短;(5)印制板焊接完畢后,不得浸泡在有機(jī)溶液中清洗,只能用少量酒精擦去外引線上的助焊劑和污垢。五、調(diào)試中應(yīng)注意的問(wèn)題 當(dāng)輸出高電平時(shí),輸出端不能碰地,不然會(huì)燒壞器件;輸出低電平時(shí),輸出端不能碰電源。 第67頁(yè),共92頁(yè)。2.5 CMOS門(mén)電路MOS門(mén)電路:以MOS管作為開(kāi)關(guān)元件構(gòu)成的門(mén)電路。 MOS門(mén)電路,尤其是CMOS門(mén)電路具有制造工藝簡(jiǎn)單、集成度高、抗干擾能力強(qiáng)、功耗低、價(jià)格便宜等優(yōu)點(diǎn),得到了十分迅速的發(fā)展。第68頁(yè),共92頁(yè)。2.5.1 CMOS反相器的工作原理 MOS管有
27、NMOS管和PMOS管兩種。 當(dāng)NMOS管和PMOS管成對(duì)出現(xiàn)在電路中,且二者在工作中互補(bǔ),稱為CMOS管(意為互補(bǔ))。MOS管有增強(qiáng)型和耗盡型兩種。 在數(shù)字電路中,多采用增強(qiáng)型。返回第69頁(yè),共92頁(yè)。NMOS管的電路符號(hào)及轉(zhuǎn)移特性 (a) 電路符號(hào) (b)轉(zhuǎn)移特性D接正電源截止導(dǎo)通導(dǎo)通電阻相當(dāng)小 (1)NMOS管的開(kāi)關(guān)特性 1MOS管的開(kāi)關(guān)特性第70頁(yè),共92頁(yè)。圖2-25 PMOS管的電路符號(hào)及轉(zhuǎn)移特性 (a) 電路符號(hào) (b)轉(zhuǎn)移特性D接負(fù)電源 (2)PMOS管的開(kāi)關(guān)特性 導(dǎo)通導(dǎo)通電阻相當(dāng)小截止第71頁(yè),共92頁(yè)。CMOS反相器 PMOS管負(fù)載管NMOS管驅(qū)動(dòng)管 開(kāi)啟電壓|UTP|=U
28、TN,且小于VDD。 2CMOS反相器的工作原理 (1)基本電路結(jié)構(gòu)第72頁(yè),共92頁(yè)。 (2)工作原理CMOS反相器 UIL=0V截止導(dǎo)通UOHVDD當(dāng)uI= UIL=0V時(shí),VTN截止,VTP導(dǎo)通, uO = UOHVDD 第73頁(yè),共92頁(yè)。CMOS反相器 UIH= VDD截止UOL 0V當(dāng)uI =UIH = VDD ,VTN導(dǎo)通,VTP截止, uO =UOL0V導(dǎo)通第74頁(yè),共92頁(yè)。 (3)邏輯功能實(shí)現(xiàn)反相器功能(非邏輯)。 (4)工作特點(diǎn)VTP和VTN總是一管導(dǎo)通而另一管截止,流過(guò)VTP和VTN的靜態(tài)電流極?。{安數(shù)量級(jí)),因而CMOS反相器的靜態(tài)功耗極小。這是CMOS電路最突出的
29、優(yōu)點(diǎn)之一。第75頁(yè),共92頁(yè)。CMOS反相器的電壓傳輸特性和電流傳輸特性 3 電壓傳輸特性和電流傳輸特性AB段:截止區(qū)iD為0BC段:轉(zhuǎn)折區(qū)閾值電壓UTHVDD/2轉(zhuǎn)折區(qū)中點(diǎn):電流最大CMOS反相器在使用時(shí)應(yīng)盡量避免長(zhǎng)期工作在BC段。CD段:導(dǎo)通區(qū)第76頁(yè),共92頁(yè)。4. CMOS電路的優(yōu)點(diǎn) (1)微功耗。 CMOS電路靜態(tài)電流很小,約為納安數(shù)量級(jí)。 (2)抗干擾能力很強(qiáng)。 輸入噪聲容限可達(dá)到VDD/2。 (3)電源電壓范圍寬。 多數(shù)CMOS電路可在318V的電源電壓范圍 內(nèi)正常工作。 (4)輸入阻抗高。 (5)負(fù)載能力強(qiáng)。 CMOS電路可以帶50個(gè)同類門(mén)以上。 (6)邏輯擺幅大。(低電平0V
30、,高電平VDD )第77頁(yè),共92頁(yè)。 (1)電路結(jié)構(gòu)C和C是一對(duì)互補(bǔ)的控制信號(hào)。由于VTP和VTN在結(jié)構(gòu)上對(duì)稱,所以圖中的輸入和輸出端可以互換,又稱雙向開(kāi)關(guān)。CMOS傳輸門(mén) 2.5.2 其它類型的CMOS門(mén)電路第78頁(yè),共92頁(yè)。若 C =1(接VDD )、C =0(接地),當(dāng)0uI(VDD|UT|)時(shí),VTN導(dǎo)通;當(dāng)|UT|uIVDD 時(shí),VTP導(dǎo)通; uI在0VDD之間變化時(shí),VTP和VTN至少有一管導(dǎo)通,使傳輸門(mén)TG導(dǎo)通。 (2) 工作原理(了解)若 C = 0(接地)、C = 1(接VDD ),uI在0VDD 之間變化時(shí),VTP和VTN均截止,即傳輸門(mén)TG截止。第79頁(yè),共92頁(yè)。
31、(3) 應(yīng)用舉例 CMOS模擬開(kāi)關(guān) CMOS模擬開(kāi)關(guān):實(shí)現(xiàn)單刀雙擲開(kāi)關(guān)的功能。 C = 0時(shí),TG1導(dǎo)通、TG2截止,uO = uI1; C = 1時(shí),TG1截止、TG2導(dǎo)通,uO = uI2。第80頁(yè),共92頁(yè)。CMOS三態(tài)門(mén)(a)電路 (b) 邏輯符號(hào) 當(dāng)EN= 0時(shí),TG導(dǎo)通,F(xiàn)=A; 當(dāng)EN=1時(shí),TG截止,F(xiàn)為高阻輸出。 CMOS三態(tài)門(mén)第81頁(yè),共92頁(yè)。一、CMOS門(mén)電路的使用知識(shí) 1輸入電路的靜電保護(hù) CMOS電路的輸入端設(shè)置了保護(hù)電路,給使用者帶來(lái)很大方便。但是,這種保護(hù)還是有限的。由于CMOS電路的輸入阻抗高,極易產(chǎn)生感應(yīng)較高的靜電電壓,從而擊穿MOS管柵極極薄的絕緣層,造成
32、器件的永久損壞。為避免靜電損壞,應(yīng)注意以下幾點(diǎn): CMOS門(mén)電路和TTL門(mén)電路的使用知識(shí)及相互連接第82頁(yè),共92頁(yè)。 (1)所有與CMOS電路直接接觸的工具、儀表等必須可靠接地。 (2)存儲(chǔ)和運(yùn)輸CMOS電路,最好采用金屬屏蔽層做包裝材料。2多余的輸入端不能懸空。輸入端懸空極易產(chǎn)生感應(yīng)較高的靜電電壓,造成器件的永久損壞。對(duì)多余的輸入端,可以按功能要求接電源或接地,或者與其它輸入端并聯(lián)使用。第83頁(yè),共92頁(yè)。二、TTL門(mén)電路的使用知識(shí) 1多余或暫時(shí)不用的輸入端不能懸空,可按以下方法處理:(1)與其它輸入端并聯(lián)使用。 (2)將不用的輸入端按照電路功能要求接電源或接地。比如將與門(mén)、與非門(mén)的多余輸入端接電源,將或門(mén)、或非門(mén)的多余輸入端接地。第84頁(yè),共92頁(yè)。 (1) 在每一塊插板的電源線上,并接幾十F的低頻去耦電容和0.010.047F的高頻去耦電容,以防止TTL電路的動(dòng)態(tài)尖峰電流產(chǎn)生的干擾。 (2) 整機(jī)裝置應(yīng)有良好的接地系統(tǒng)。2 電路的安裝應(yīng)盡量避免干擾信號(hào)的侵入,保證電路穩(wěn)定工作。第85頁(yè),共92頁(yè)。三
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