中微公司深度解析：ICP開啟刻蝕第二成長曲線-打造泛半導(dǎo)體平臺(tái)

1、中微公司深度解析：ICP開啟刻蝕第二成長曲線_打造泛半導(dǎo)體平臺(tái)一、21H1營收和利潤維持快速成長，刻蝕設(shè)備為主要驅(qū)動(dòng)力中微公司為國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備龍頭，主營業(yè)務(wù)包括刻蝕設(shè)備和MOCVD設(shè)備。中微成立于2004年，公司主要業(yè)務(wù)是開發(fā)大型真空的微觀器件工藝設(shè)備，包括等離子體刻蝕設(shè)備和薄膜沉積設(shè)備。其中等離子體刻蝕設(shè)備又可以分為電容性等離子體刻蝕設(shè)備（CCP）和電感性等離體刻蝕設(shè)備（ICP）。CCP主要用于刻蝕氧化物、氮化物等硬度高、需要高能量離子反應(yīng)刻蝕的介質(zhì)材料。ICP主要用于刻蝕單晶硅、多晶硅等材料。通過核心技術(shù)的創(chuàng)新，公司的產(chǎn)品已達(dá)到國際先進(jìn)水平。公司的等離子體刻蝕設(shè)備已應(yīng)用在國際一線客戶從65

2、納米到14納米、7納米和5納米及其他先進(jìn)的集成電路加工制造生產(chǎn)線及先進(jìn)封裝生產(chǎn)線。公司MOCVD設(shè)備在行業(yè)領(lǐng)先客戶的生產(chǎn)線上大規(guī)模投入量產(chǎn)，公司已成為世界排名前列的氮化鎵基LED設(shè)備制造商。公司2016-2020年?duì)I收呈現(xiàn)穩(wěn)步增長趨勢，CAGR高達(dá)30.12%。分產(chǎn)品來看，1）刻蝕設(shè)備貢獻(xiàn)主要成長動(dòng)力，2016-2020年?duì)I收CAGR高達(dá)22.36%，公司為國內(nèi)刻蝕設(shè)備龍頭廠商，憑借雙反應(yīng)臺(tái)配置的高生產(chǎn)效率及國際領(lǐng)先的性能在國內(nèi)主流晶圓廠刻蝕設(shè)備份額不斷提升；2）MOCVD在2016-2018年呈現(xiàn)高增長，營收從2016年的0.16億增長至2018年的8.32億，CAGR高達(dá)276.61%，主

3、要系公司MOCVD市場份額大幅提升所致。2019年后全球LED進(jìn)入下行周期，LED廠商紛紛削減資本支出，帶來MOCVD營收下滑。21H1公司營收增長進(jìn)一步提速，行業(yè)高景氣+ICP新品推出助力刻蝕設(shè)備營收高增長。21H1公司實(shí)現(xiàn)營收13.39億元，同比提升36.82%，其中刻蝕設(shè)備達(dá)8.58億元，同比提升83.79%，一方面由于全球晶圓廠加速擴(kuò)產(chǎn)帶來刻蝕設(shè)備需求量大幅提升，另一方面ICP新品的快速放量也帶來刻蝕設(shè)備的高增長。21H1公司MOCVD設(shè)備達(dá)2.19億元，同比下滑10.08%，主要系LED行業(yè)景氣度依舊疲軟。2021年上半年新簽訂單金額達(dá)18.89億元，同比增長超過70%，且有部分Mi

4、ni LED MOCVD設(shè)備規(guī)模訂單已進(jìn)入最后簽署階段，有望帶來新的營收增量。分產(chǎn)品毛利率來看，刻蝕設(shè)備毛利率位于40%-50%區(qū)間，MOCVD降價(jià)策略導(dǎo)致整體毛利率走低，21H1有所回升。16-18年公司毛利率整體呈下滑趨勢，主要由于MOCVD設(shè)備業(yè)務(wù)上公司為保持?jǐn)U大市場份額和提升銷售額，策略性地降低產(chǎn)品銷售價(jià)格所致。16-18年MOCVD毛利率從33.82%下滑至26.33%。21H1 MOCVD毛利率回升至30.77%，拉動(dòng)整體毛利率提升至40.92%。公司經(jīng)營性凈利潤相對(duì)承壓，主要系較高的銷售費(fèi)用率和研發(fā)費(fèi)用率。自2004年成立以來公司曾經(jīng)歷長時(shí)間的虧損，主要由于高端半導(dǎo)體設(shè)備研發(fā)周期

5、長、研發(fā)投入大，以及過去國內(nèi)半導(dǎo)體市場需求不足。2017年開始公司扭虧為盈歸母凈利潤回正，但是扣非歸母凈利潤依舊為負(fù)。2018年首次實(shí)現(xiàn)扣非歸母凈利潤為正，2018-2020年扣非凈利率為6.34%/7.60%/1.01%。公司總體利潤率為個(gè)位數(shù)，主要系公司毛利率水平為40%，而三費(fèi)率+研發(fā)費(fèi)率就高達(dá)30%以上（其中研發(fā)費(fèi)用率一般為5%-15%，銷售費(fèi)用率10%-16%左右，管理費(fèi)用率6-10%）。2020年公司歸母凈利潤大幅提升至4.92億元，原因系2020年政府補(bǔ)助相較2019年增加2.26億元；2020年中芯國際科創(chuàng)板股票投資公允價(jià)值變動(dòng)收益約2.62億元。然而，剔除政府補(bǔ)助和公允價(jià)值變

6、動(dòng)等非經(jīng)常性損益，2020年扣非歸母凈利潤同比不升反降，原因系2020年公司增加股份支付費(fèi)用1.24億元。2020年公司實(shí)施股權(quán)激勵(lì)計(jì)劃，20-24年預(yù)計(jì)分別分?jǐn)?.26/1.61/0.85/0.42/0.11億元。股份支付費(fèi)用納入經(jīng)常性損益，影響當(dāng)期利潤。剔除股份支付費(fèi)用后公司2020年扣非歸母凈利潤為1.47億元，與19年基本持平。21H1公允價(jià)值變動(dòng)損益和政府補(bǔ)助持續(xù)推高公司歸母凈利潤，剔除非經(jīng)常性影響公司利潤端表現(xiàn)良好。21H1公司歸母凈利潤為3.97億元，同比提升233.17%；扣非歸母凈利潤0.62億元，同比提升53.35%。1）歸母凈利潤同比增速大于扣非歸母凈利潤原因包括：21H

7、1公允價(jià)值變動(dòng)損益為1.71億元。計(jì)入當(dāng)期損益的政府補(bǔ)助（非經(jīng)常性損益）較上年同期增加約1.44億元。2）剔除股份支付費(fèi)用后的扣非歸母凈利潤：21H1增長迅速，達(dá)2.06億元，已經(jīng)超過20年全年（1.47億元）。二、全球設(shè)備高景氣行情下，本土設(shè)備廠商充分受益于1、全球主流晶圓廠上修Capex，北美和日本設(shè)備出貨數(shù)據(jù)彰顯設(shè)備高景氣代工龍頭產(chǎn)能利用率及資本支出維持較高水平。據(jù)Gartner預(yù)測，2021年全球半導(dǎo)體資本支出將達(dá)1419億美元，同比增長28.4%；根據(jù)法說會(huì)指引，臺(tái)積電等代工龍頭資本開支在2021Q1與Q2維持高水平，出于對(duì)市場需求的良好預(yù)期，代工龍頭對(duì)Q3乃至全年資本支出指引向好，

8、將帶來營收與毛利率增長。北美及日本半導(dǎo)體設(shè)備出貨額維持高位。1）北美：2021年以來半導(dǎo)體設(shè)備出貨額突破30億美元，6月份再創(chuàng)新高，達(dá)到36.71億美元。2021H1半導(dǎo)體設(shè)備出貨額同比增速29%-59%，環(huán)比增速2%-14%。2）日本：2021年5月份達(dá)到300億日元高峰后略有回調(diào)，但依舊保持在240億日元高位，2021H1半導(dǎo)體設(shè)備出貨額同比增速6%-50%，環(huán)比增速-18%-30%。3）SEMI預(yù)測2021年全球半導(dǎo)體設(shè)備市場規(guī)模同比7%-12%，樂觀狀況下有望突破800億美元。2、中國本土晶圓廠加速擴(kuò)產(chǎn)，設(shè)備需求量占比逐年提升中國大陸設(shè)備市場規(guī)模持續(xù)提升，目前僅次于韓國。18Q1到21

9、Q1，全球半導(dǎo)體設(shè)備銷售額（季度）從169.9億美元提升至235.7億美元，中國大陸市場占比從15.54%提升至25.29%，市場規(guī)模不斷擴(kuò)大。2020Q2、Q3、Q4中國大陸設(shè)備市場規(guī)模曾位居全球第一。21-22年存儲(chǔ)需求復(fù)蘇，韓國半導(dǎo)體設(shè)備市場規(guī)?？焖贁U(kuò)大，占比領(lǐng)先全球，但中國大陸市場仍然維持在59.6億美元高位。國內(nèi)代工和存儲(chǔ)廠商擴(kuò)產(chǎn)力度持續(xù)。中芯國際、華虹、士蘭微等企業(yè)持續(xù)推進(jìn)產(chǎn)能擴(kuò)張，擬新增月產(chǎn)能超過80萬片。根據(jù)各公司所發(fā)布的公開信息，2021-2024年國內(nèi)擬投入超過5000億元建設(shè)新產(chǎn)能，年均超1000億元。3、國產(chǎn)設(shè)備廠商在手訂單充足，季度收入同比高增長2020年以來國內(nèi)設(shè)備

10、廠商季度營收維持高增長，21H1預(yù)收款超50億元，在手訂單充足。一方面我國大陸地區(qū)為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移的目的地，另一方面在重要領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)自主可控成為國家重要戰(zhàn)略布局，由此國內(nèi)設(shè)備廠商充分受益于設(shè)備需求高景氣行情，季度營收同比增速不斷提升，21Q2達(dá)到47.23%，同時(shí)截止21Q1合同負(fù)債預(yù)收款達(dá)到53.97億元，設(shè)備廠商訂單量快速增多，在手訂單充足。在設(shè)備訂單飽滿的高景氣度行情下，本土設(shè)備廠商積極募資擴(kuò)建產(chǎn)能，各廠商均布局未來3-5年募投規(guī)劃，部分廠商產(chǎn)能擴(kuò)張超100%。三、中微CCP刻蝕進(jìn)入國內(nèi)外主流晶圓廠，新品ICP有望加速放量1、全球刻蝕設(shè)備市場規(guī)模持續(xù)擴(kuò)張，中微市占率國內(nèi)第一，全球前十等離子

11、體刻蝕設(shè)備市場增長迅速，2021年預(yù)計(jì)達(dá)到179億美元。小線寬下采用多重模版工藝，3D結(jié)構(gòu)下增加疊堆層數(shù)等因素使得制造過程中刻蝕次數(shù)增加，對(duì)刻蝕的要求也提高，刻蝕設(shè)備市場需求持續(xù)提升。據(jù)Gartner 21Q2數(shù)據(jù)，19-22年全球刻蝕設(shè)備市場預(yù)計(jì)從109億美元提升至197億美元，CAGR為15.95%，其中21年預(yù)計(jì)達(dá)到179億美元。細(xì)分產(chǎn)品來看，2020年CCP市場規(guī)模約48億美元，ICP市場規(guī)模約76億美元。近年來線寬下降，線寬控制和精度要求提升，ICP相較CCP優(yōu)勢明顯，占比提升。中微全球市場份額擠進(jìn)全球前十，國內(nèi)第一，行業(yè)龍頭地位穩(wěn)固。根據(jù)Gartner統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，2020年前三大廠商

12、泛林半導(dǎo)體、東京電子及應(yīng)用材料合計(jì)占有全球干法刻蝕設(shè)備領(lǐng)域90.24%的市場份額，市場格局高度集中，寡頭壟斷現(xiàn)狀較難打破。中微與屹唐半導(dǎo)體、北方華創(chuàng)同為國內(nèi)為數(shù)不多可以量產(chǎn)刻蝕設(shè)備的廠商。2020年公司全球市場占有率約1.37%，排名第六。在國內(nèi)，中微公司市場份額達(dá)到20%，僅次于泛林半導(dǎo)體，高于北方華創(chuàng)等同行業(yè)可比公司。當(dāng)前公司刻蝕設(shè)備已用于三星電子、長江存儲(chǔ)等國內(nèi)外知名存儲(chǔ)芯片制造企業(yè)客戶。中微是國內(nèi)唯一實(shí)現(xiàn)CCP和ICP兩種刻蝕技術(shù)路線的公司，覆蓋65-5nm制程。CCP方面，中微公司從2004年建立起首先著手開發(fā)甚高頻去耦合的CCP刻蝕設(shè)備Primo D-RIE，到目前為止已成功開發(fā)了

13、雙反應(yīng)臺(tái)Primo D-RIE，雙反應(yīng)臺(tái)Primo AD-RIE和單反應(yīng)臺(tái)的Primo AD-RIE三代刻蝕機(jī)產(chǎn)品，涵蓋65納米、45納米、32納米、28納米、22納米、14納米、7納米到5納米關(guān)鍵尺寸的眾多刻蝕應(yīng)用。2021年6月15日公司交付首臺(tái)8英寸CCP刻蝕設(shè)備。ICP方面，從2012年開始開發(fā)ICP刻蝕設(shè)備，到目前為止已成功開發(fā)出單反應(yīng)臺(tái)的Primo nanova刻蝕設(shè)備。公司ICP刻蝕設(shè)備主要是涵蓋14納米、7納米到5納米關(guān)鍵尺寸的刻蝕應(yīng)用。當(dāng)前公司刻蝕產(chǎn)品覆蓋了65-5nm制程產(chǎn)品，隨著制程演進(jìn)的節(jié)奏不斷進(jìn)行迭代，維持了公司產(chǎn)品的市場競爭力。公司擁有CCP、ICP單雙臺(tái)機(jī)完整系列

14、，應(yīng)用范圍廣泛。在邏輯集成電路制造環(huán)節(jié)，公司開發(fā)的高端刻蝕設(shè)備已運(yùn)用在國際知名客戶最先進(jìn)的生產(chǎn)線上并用于7納米器件中若干關(guān)鍵步驟的加工；同時(shí)，公司根據(jù)先進(jìn)集成電路廠商的需求開發(fā)5納米及更先進(jìn)的刻蝕設(shè)備和工藝。在3D NAND芯片制造環(huán)節(jié)，公司的電容性等離子體刻蝕設(shè)備技術(shù)可應(yīng)用于64層的量產(chǎn)，同時(shí)公司根據(jù)存儲(chǔ)器廠商的需求正在開發(fā)96層及更先進(jìn)的刻蝕設(shè)備和工藝。公司的刻蝕設(shè)備可以覆蓋絕大部分刻蝕應(yīng)用。2、CCP設(shè)備進(jìn)入國內(nèi)外主流晶圓廠，市場份額持續(xù)提升公司CCP刻蝕設(shè)備技術(shù)達(dá)到國際先進(jìn)水平。以邏輯電路中離子注入有機(jī)掩模層刻蝕應(yīng)用為例，公司的Primo AD-RIE-e在關(guān)鍵性能參數(shù)上達(dá)到國際同類設(shè)

15、備水平。CCP刻蝕設(shè)備產(chǎn)品打入國內(nèi)外主流工廠，市場占有率行業(yè)領(lǐng)先。公司Primo AD-RIE、Primo SSC ADRIE、Primo HD-RIE等產(chǎn)品批量應(yīng)用于國內(nèi)外一線客戶的集成電路加工制造生產(chǎn)線。在國內(nèi)領(lǐng)先的3D NAND和邏輯晶圓廠中，中微CCP介質(zhì)刻蝕機(jī)市占率超過30%；在中國臺(tái)灣領(lǐng)先的晶圓廠和存儲(chǔ)廠中，中微公司已經(jīng)占到市場份額的前三位。CCP反應(yīng)臺(tái)裝機(jī)數(shù)保持穩(wěn)定增長態(tài)勢，已有超1700個(gè)反應(yīng)臺(tái)進(jìn)入產(chǎn)線開始生產(chǎn)。2010-2020年公司CCP反應(yīng)臺(tái)裝機(jī)臺(tái)數(shù)CAGR達(dá)33.45%，截止2020年底公司已有1700個(gè)反應(yīng)臺(tái)，在54個(gè)芯片制造公司的73條產(chǎn)線全面量產(chǎn)，累計(jì)裝機(jī)臺(tái)數(shù)保持

16、了平均每年31%的增長率。公司持續(xù)升級(jí)硬件性能，積極開發(fā)新品，CCP穩(wěn)定增長態(tài)勢有望延續(xù)。在先進(jìn)邏輯電路方面，公司持續(xù)升級(jí)硬件性能，成功取得5納米及以下邏輯電路產(chǎn)線的重復(fù)訂單。在存儲(chǔ)電路方面，公司的刻蝕設(shè)備在64層及128層3D NAND的生產(chǎn)線得到廣泛應(yīng)用。隨著3D NAND芯片制造廠產(chǎn)能的迅速爬升，該等產(chǎn)品的重復(fù)訂單穩(wěn)步增長。同時(shí)，公司積極布局動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器的應(yīng)用，并開始工藝開發(fā)及驗(yàn)證。3、ICP經(jīng)過客戶端驗(yàn)證，產(chǎn)品進(jìn)入加速放量階段ICP主要用于刻蝕尺寸小、軟、薄的材料，與CCP適用場景不同。根據(jù)被刻蝕材料類型的不同，干法刻蝕主要是刻蝕介質(zhì)材料（氧化硅、氮化硅、二氧化鉿、光刻膠等）、硅材料（單

17、晶硅、多晶硅、和硅化物等）和金屬材料（鋁、鎢等）。電容性等離子體刻蝕主要是以高能離子在較硬的介質(zhì)材料上，刻蝕高深寬比的深孔、深溝等微觀結(jié)構(gòu)；而電感性等離子體刻蝕主要是以較低的離子能量和極均勻的離子濃度刻蝕較軟的和較薄的材料。這兩種刻蝕設(shè)備涵蓋了主要的刻蝕應(yīng)用。ICP有望取代傳統(tǒng)的CCP成為市場主導(dǎo)的刻蝕設(shè)備。由于微觀器件越做越小，薄膜厚度越來越薄，線寬控制越來越嚴(yán)，ICP刻蝕機(jī)取代以往的CCP刻蝕設(shè)備成為市場規(guī)模占主導(dǎo)地位的設(shè)備。2020年CCP市場規(guī)模約48億美元，ICP市場規(guī)模約76億美元。中微公司ICP可以覆蓋絕大部分的刻蝕應(yīng)用。公司的ICP刻蝕設(shè)備主要是涵蓋14納米、7納米到5納米關(guān)鍵

18、尺寸的刻蝕應(yīng)用，應(yīng)用于DRAM、3D NAND、Logic等多個(gè)領(lǐng)域。在電感性等離子體源的開發(fā)中，公司創(chuàng)造性地設(shè)計(jì)了新型電感線圈架構(gòu)，極大減少電容性耦合引起的不良作用。公司ICP刻蝕設(shè)備Primo nanova逐步趨于成熟，成功取得客戶重復(fù)訂單。新推出的Primo nanova產(chǎn)品在10家客戶的生產(chǎn)線上進(jìn)行驗(yàn)證，已有超過50個(gè)工藝在客戶的生產(chǎn)線上達(dá)到指標(biāo)要求，且持續(xù)擴(kuò)大應(yīng)用驗(yàn)證范圍。2020年開始，Primo nanova產(chǎn)品逐步取得客戶的重復(fù)訂單。尤其是2020年下半年，在國內(nèi)存儲(chǔ)客戶的擴(kuò)產(chǎn)帶動(dòng)下，該產(chǎn)品的銷售取得較大進(jìn)展。公司ICP設(shè)備nanova經(jīng)過長時(shí)間驗(yàn)證及小批量出貨后逐漸進(jìn)入出貨爆

19、發(fā)期。公司2018年推出ICP刻蝕機(jī)，2019年之后反應(yīng)腔數(shù)增長速度提升，2021-2022年產(chǎn)品有望加速放量。截止2020年底，公司的ICP設(shè)備Primo Nanova設(shè)備已有55個(gè)反應(yīng)臺(tái)在客戶端運(yùn)轉(zhuǎn)，2021年6月，公司ICP設(shè)備Primo Nanova第100臺(tái)反應(yīng)腔順利交付，經(jīng)過客戶驗(yàn)證的應(yīng)用數(shù)量也在持續(xù)增加。根據(jù)客戶的技術(shù)發(fā)展需求，公司正在進(jìn)行下一代產(chǎn)品的技術(shù)研發(fā)，以滿足5納米以下的邏輯芯片、1X納米的DRAM芯片和128層以上的3D NAND芯片等產(chǎn)品的ICP刻蝕需求，并進(jìn)行高產(chǎn)出的ICP刻蝕設(shè)備的研發(fā)。公司ICP設(shè)備新品完成客戶端認(rèn)證，未來推出之后有望接力nanova成為新增長點(diǎn)

20、。公司在持續(xù)提升Primo nanova刻蝕設(shè)備市場份額的同時(shí)，公司研發(fā)的具有高輸出率特點(diǎn)的雙反應(yīng)臺(tái)ICP刻蝕設(shè)備Primo Twin-Star也已經(jīng)在客戶端完成認(rèn)證。該產(chǎn)品應(yīng)用中微公司國際領(lǐng)先、獨(dú)特的雙反應(yīng)臺(tái)設(shè)計(jì)理念，沿用了Primo nanovaICP的大部分硬件特征，使得機(jī)臺(tái)在具有良好刻蝕性能的同時(shí)，提升客戶單位資金投入的產(chǎn)能，從而豐富ICP刻蝕設(shè)備種類，增強(qiáng)ICP刻蝕產(chǎn)品的整體競爭力。四、MOCVD向新興領(lǐng)域應(yīng)用切換，盈利能力短期承壓后迎來拐點(diǎn)1、MOCVD在LED產(chǎn)線價(jià)值量占比最高，新型LED拓展市場空間MOCVD指金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積，用于氣相外延制備化合物單晶薄膜，廣泛應(yīng)用于包括

21、半導(dǎo)體器件、光學(xué)器件、氣敏元件、超導(dǎo)薄膜材料、鐵電/鐵磁薄膜、高介電材料等多種薄膜材料的制備。MOCVD在LED外延片制備中為最主要設(shè)備，與集成電路在多種核心設(shè)備間循環(huán)的制造工藝不同，LED外延片制備主要通過MOCVD單種設(shè)備實(shí)現(xiàn)，MOCVD采購金額一般占LED生產(chǎn)線總投入一半以上。此前LED擴(kuò)產(chǎn)主要方向?yàn)樗{(lán)綠光外延片，應(yīng)用領(lǐng)域多為照明市場。但根據(jù)GGII數(shù)據(jù)顯示，全球照明用LED產(chǎn)值增速逐漸降低，發(fā)展面臨一定瓶頸，20192020年照明LED市場飽和導(dǎo)致MOCVD市場處于低潮。新型小間距LED（如Micro LED、Mini LED）在物理拼縫、顯示效果、功耗、使用壽命方面有更優(yōu)越表現(xiàn)，在可

22、穿戴設(shè)備、VR設(shè)備及汽車、TV、手機(jī)、平板中的顯示屏中廣泛應(yīng)用，另外，功率器件，深紫外LED等也廣泛用于新興領(lǐng)域。根據(jù)Yole預(yù)測，20202024年下游VR、TV顯示屏等CAGR超100%，預(yù)計(jì)新型LED等將進(jìn)一步拓展未來行業(yè)成長空間。2、中微MOCVD設(shè)備成功打破國外壟斷，在GaN基LED MOCVD市場份額領(lǐng)先MOCVD在國外發(fā)展較早，最早于1968年由美國洛克威公司提出，市場長期被美國維易科、德國愛思強(qiáng)等國外廠商壟斷。中微為后起之秀，于2012年推出首臺(tái)MOCVD設(shè)備切入LED市場，2016年推出第二臺(tái)MOCVD設(shè)備，成功打破國外公司在LED用MOCVD設(shè)備市場的壟斷。據(jù)Gartner

23、數(shù)據(jù)，2020年全球MOCVD設(shè)備占薄膜沉積設(shè)備市場設(shè)備4%，達(dá)8億美元，2020-2026年CAGR達(dá)8.5%，中微市占率16%，排名第三，僅次于愛思強(qiáng)與維易科。目前中微客戶覆蓋亞洲主要LED廠商，在GaN基LED用MOCVD設(shè)備細(xì)分市場中份額領(lǐng)先，據(jù)IHS統(tǒng)計(jì)，2018年中微MOCVD占全球GaN基LED用MOCVD新增市場的41%，2018年下半年市占率提升至60%以上，在2019年中微同樣占據(jù)領(lǐng)先地位。3、傳統(tǒng)照明LED增速趨緩，中微切入新型LED領(lǐng)域下游景氣度下滑影響中微MOCVD營收及毛利率。中微MOCVD營收從2017年的5.3億元升至2018年的8.32億元，受全球LED市場飽

24、和影響，2019年以來LED終端芯片價(jià)格下降，市場增速持續(xù)放緩。中微2020年MOCVD實(shí)現(xiàn)營收4.96億元，同比下降34.5%；2021H1實(shí)現(xiàn)營收2.19億元，同比-10.1%；毛利率從2017年的33.8%下降至2019年的18.4%，2020年小幅回升至19.7%。中微新型LED用MOCVD新品開發(fā)順利。中微目前積極切入Mini LED與功率用MOCVD領(lǐng)域，進(jìn)行用于手表、AR/VR、電視中的Mini LED用新型MOCVD設(shè)備研發(fā)和新能源汽車、逆變器中的GaN功率器件用MOCVD設(shè)備研發(fā)。目前Prismo A7主要用于GaN基LED，Prismo D-Blue、PrismoA7能分別

25、實(shí)現(xiàn)單腔14片4英寸和單腔34片4英寸外延片加工能力。2020年7月，中微推出應(yīng)用于深紫外LED外延片生產(chǎn)的高溫MOCVD設(shè)備Prismo HiT3，2021年6月17日正式發(fā)布用于高性能Mini LED的MOCVD設(shè)備Prismo UniMax。中微定增募資擴(kuò)產(chǎn)，產(chǎn)能提升將帶來規(guī)模效應(yīng)。2020年中微定增100億元，其中31.8億元用于中微產(chǎn)業(yè)化基地建設(shè)項(xiàng)目，部分產(chǎn)能用于生產(chǎn)MOCVD設(shè)備，將新增120腔的年產(chǎn)能。中微MOCVD 21H1毛利率達(dá)30.8%，同比大幅上升18.8pcts，后續(xù)隨著Mini LED、MicroLED需求提升，下游擴(kuò)產(chǎn)再次加速，中微產(chǎn)能提升將帶來規(guī)模效應(yīng)，進(jìn)而整體

26、毛利率將逐步企穩(wěn)回升。五、中微三維成長+外延并購布局新業(yè)務(wù)中微通過內(nèi)生增長和外延并購，一方面鞏固在ICP、CCP及GaN LED用MOCVD設(shè)備的龍頭地位，一方面拓展CVD、檢測設(shè)備等新業(yè)務(wù)。中微原有核心業(yè)務(wù)內(nèi)生增長，CCP設(shè)備繼續(xù)搶占市場份額，ICP雙臺(tái)機(jī)新品成功推出，MOCVD設(shè)備布局Micro LED與Mini LED及功率器件領(lǐng)域，同時(shí)中微通過參股睿勵(lì)儀器、拓荊科技、SOLAYER等海內(nèi)外公司，將業(yè)務(wù)拓展到化學(xué)薄膜、檢測等其他設(shè)備，并且在如MEMS等功率器件及太陽能電池設(shè)備等新領(lǐng)域布局。目前中微在集成電路設(shè)備、泛半導(dǎo)體設(shè)備、非半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域形成三維業(yè)務(wù)布局。布局VOC設(shè)備及服務(wù)業(yè)，增強(qiáng)

27、上下游協(xié)同能力。全資子公司中微惠創(chuàng)目前制造工業(yè)用大型VOC凈化設(shè)備，已應(yīng)用于國內(nèi)平板顯示行業(yè)產(chǎn)線，并且和德國DAS公司簽署合作協(xié)議進(jìn)一步開展研發(fā)；控股子公司中微匯鏈布局供應(yīng)鏈服務(wù)業(yè)，實(shí)現(xiàn)中微與下游客戶之間協(xié)同效應(yīng)。拓展CVD及外延生長設(shè)備，實(shí)現(xiàn)設(shè)備多元應(yīng)用。根據(jù)Gartner數(shù)據(jù)，全球2020年CVD及外延生長設(shè)備市場規(guī)模共130億美元，中微切入部分細(xì)分領(lǐng)域，組建團(tuán)隊(duì)開發(fā)Si/Ge EPI外延片設(shè)備及LPCVD設(shè)備等。中微參股國內(nèi)拓荊科技、理想萬里暉和國外SOLAYER公司，拓展CVD品類并進(jìn)入太陽能電池薄膜等領(lǐng)域。布局VOC設(shè)備及服務(wù)業(yè)，增強(qiáng)上下游協(xié)同能力。全資子公司中微惠創(chuàng)目前制造工業(yè)用大

28、型VOC凈化設(shè)備，已應(yīng)用于國內(nèi)平板顯示行業(yè)產(chǎn)線，并且和德國DAS公司簽署合作協(xié)議進(jìn)一步開展研發(fā)；控股子公司中微匯鏈布局供應(yīng)鏈服務(wù)業(yè)，實(shí)現(xiàn)中微與下游客戶之間協(xié)同效應(yīng)。根據(jù)2020年中微定增募資說明書，在2026年刻蝕、MOCVD、VOC與熱化學(xué)CVD設(shè)備整體達(dá)1553腔產(chǎn)能，產(chǎn)能利用率達(dá)64.5%，在2030年產(chǎn)能利用率達(dá)95%，接近滿產(chǎn)。六、盈利預(yù)測、估值及風(fēng)險(xiǎn)因素1、盈利預(yù)測我們對(duì)中微公司的業(yè)務(wù)預(yù)測如下：專用設(shè)備業(yè)務(wù)：1）刻蝕設(shè)備：營收上，CCP方面，公司在本土領(lǐng)先廠商中占有較高的市場份額，產(chǎn)品市場競爭力強(qiáng)，同時(shí)全球及國內(nèi)晶圓廠均處于加速擴(kuò)產(chǎn)階段。預(yù)計(jì)21、22、23年CCP保持穩(wěn)定增長態(tài)勢

29、。ICP方面，考慮公司ICP經(jīng)過長時(shí)間驗(yàn)證和小批量出貨后逐步進(jìn)入出貨爆發(fā)期，預(yù)計(jì)21、22、23年ICP業(yè)務(wù)體量有大幅增長。毛利率上，公司CCP和ICP均經(jīng)過市場長時(shí)間驗(yàn)證，較為成熟，預(yù)計(jì)未來隨著規(guī)模提升毛利率有上升趨勢。綜上我們預(yù)計(jì)21-23年刻蝕設(shè)備營收為20.62/29.90/38.88億元，同比增長60.0%/45.0%/30.0%，毛利率為45.0%/46.0%/47.0%。2）MOCVD設(shè)備：營收上，由于LED下游應(yīng)用市場景氣度偏低導(dǎo)致19-20年公司MOCVD業(yè)務(wù)體量有所下滑。未來Mini LED市場的開辟有望帶來新增量，21年上半年已有部分Mini-LED MOCVD設(shè)備規(guī)模訂

30、單已進(jìn)入最后簽署階段。因此我們預(yù)計(jì)21、22、23年公司MOCVD設(shè)備營收恢復(fù)增長。毛利率上，17-19年公司為了提升市場份額采取降價(jià)策略，ASP從930萬元/腔降低至694萬元/腔，毛利率從33.82%下降到19.69%。20年開始ASP逐漸回升，預(yù)計(jì)21、22、23年均價(jià)回調(diào)趨勢不變。綜上我們預(yù)計(jì)21-23年MOCVD設(shè)備營收為6.12/6.73 /7.06億元，同比增長20.0%/10.0%/5.0%，毛利率為30.0%/31.0%/32.0%。備品備件及設(shè)備維護(hù)：公司刻蝕設(shè)備、MOCVD 設(shè)備等專用設(shè)備在運(yùn)行過程中，部分零部件會(huì)出現(xiàn)正常損耗，需對(duì)損耗的零部件及時(shí)進(jìn)行更換，在設(shè)備運(yùn)行過程中也會(huì)有部分非耗材零部件需要更換，公司為下游客戶提供耗材、非耗材零部件以及相關(guān)的服務(wù)形成了備品備件及設(shè)備維護(hù)收入。營收上，公司備品備件收入及設(shè)備維護(hù)收入隨著公司累計(jì)銷售數(shù)量的增加而穩(wěn)步增長。16-20年備品備件收入在專用設(shè)備收入占比在15%-24%之間波動(dòng)，相對(duì)集中，預(yù)計(jì)未來三年占比維持在20%左右。同理，我們預(yù)計(jì)設(shè)備維護(hù)收入在專用設(shè)備收入占比維持在1%-2%。毛利率上，備品備件及設(shè)備維護(hù)毛利率波動(dòng)較小，預(yù)計(jì)21、22