2022年天大秋模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)在線作業(yè)一

1、(單選題) 1: 二 極 管 的 導(dǎo) 電 特 性 是（ ）。A: 正向電阻小、反向電阻大B: 正向電阻大、反向電阻小C: 正反向電阻相似對的答案: (單選題) 2: 在集成運算放大器的輸入級，采用差動式電路構(gòu)造的重要目的是( )A: 提高電壓放大倍數(shù)B: 提高輸入電阻C: 克制零點漂移對的答案: (單選題) 3: 晶體管的構(gòu)造特點是（ ）。A: 有一種PN結(jié)B: 有二個PN結(jié)C: 有三個PN結(jié)對的答案: (單選題) 4: 但愿提高放大器的輸入電阻和帶負載能力，需要引入負反饋的方式是( )A: 串聯(lián)電壓負反饋B: 并聯(lián)電壓負反饋C: 串聯(lián)電流負反饋對的答案: (單選題) 5: 題目見圖片A: A

2、B: BC: CD: D對的答案: (單選題) 6: 晶 體 管 的 電 流 放 大 系 數(shù) 是 指（ ）。A: 工 作 在 飽 和 區(qū) 時 的 電 流 放 大 系 數(shù)B: 工 作 在 截 止 區(qū) 時 的 電 流 放 大 系 數(shù)C: 工 作 在 放 大 區(qū) 時 的 電 流 放 大 系 數(shù)對的答案: (單選題) 7: 硅 二 極 管 導(dǎo) 通 后 的 正 向 壓 降 約 為（ ）。A: 1.5VB: 0.2 VC: 0.6V對的答案: (單選題) 8: 在下列三種電力電子器件中，屬于電壓控制型的器件是( )A: 絕緣柵雙極晶體管B: 電力晶體管C: 晶閘管對的答案: (單選題) 9: 某場效晶體管

3、，在漏、源電壓保持不變的狀況下，柵、源電壓變化為2V時，相應(yīng)的漏極電流變化為4mA，該管的跨導(dǎo)是（ ）。A: 0.5mA/VB: 1mA/VC: 2mA/V對的答案: (單選題) 10: 題目見圖片A: AB: BC: CD: D對的答案: (單選題) 11: 在 運 算 放 大 器 電 路 中， 引 入 深 度 負 反 饋 的 目 的 之 一 是 使 運 放 ( )A: 工 作 在 線 性 區(qū) ， 降 低 穩(wěn) 定 性B: 工 作 在 線 性 區(qū) ， 提 高 穩(wěn) 定 性C: 工 作 在 非 線 性 區(qū) ，提 高 穩(wěn) 定 性對的答案: (單選題) 12: 已知某晶體管處在放大狀態(tài)，測得其3個極的

4、電位分別為3V、3.7V和6V，則3V所相應(yīng)的電極為（ ）。A: 集電極B: 發(fā)射極C: 基極對的答案: (單選題) 13: A: AB: BC: CD: D對的答案: (單選題) 14: 題目見圖片A: AB: BC: CD: D對的答案: (單選題) 15: 兩級共射極阻容耦合放大電路，若將第二級改成射極跟隨器，則第一級的電壓放大倍數(shù)將( ) 。A: 不變B: 提高C: 減少對的答案: (單選題) 16: 題目見圖片A: AB: BC: CD: D對的答案: (單選題) 17: A: AB: BC: CD: D對的答案: (單選題) 18: 題目見圖片A: AB: BC: CD: D對的答

5、案: (單選題) 19: A: AB: BC: CD: D對的答案: (單選題) 20: 晶 體 管 的 穿 透 電 流 ICEO 是 表 明（ ）。A: 該 管 溫 度 穩(wěn) 定 性 好 壞 的 參 數(shù)B: 該 管 允 許 通 過 最 大 電 流 的 極 限 參 數(shù)C: 該 管 放 大 能 力 的 參 數(shù)對的答案: (單選題) 21: 橋式RC正弦波振蕩器的振蕩頻率取決于（ ）。A: 放大器的開環(huán)電壓放大倍數(shù)的大小B: 反饋電路中的反饋系數(shù)F的大小C: 選頻電路中RC的大小對的答案: (單選題) 22: 晶體管處在截 止 狀 態(tài) 時， 集 電 結(jié) 和 發(fā) 射 結(jié) 的 偏 置 情 況 為（ ）。

6、A: 發(fā) 射 結(jié) 反 偏，集 電 結(jié) 正 偏B: 發(fā) 射 結(jié)、集 電 結(jié) 均 反 偏C: 發(fā) 射 結(jié)、集 電 結(jié) 均 正 偏D: 發(fā) 射 結(jié) 正 偏，集 電 結(jié) 反 偏對的答案: (單選題) 23: A: AB: BC: CD: D對的答案: (單選題) 24: A: AB: BC: CD: D對的答案: (單選題) 25: A: AB: BC: CD: D對的答案: (單選題) 26: 題目見圖片A: AB: BC: CD: D對的答案: (單選題) 27: 題目見圖片A: AB: BC: CD: D對的答案: (單選題) 28: 題目見圖片A: AB: BC: CD: D對的答案: (單選

7、題) 29: 工作在放大狀態(tài)的晶體管 ，其各極電流的關(guān)系是（ ）。A: ICIBB: IEICC: IBIC對的答案: (單選題) 30: A: AB: BC: CD: D對的答案: (單選題) 31: 題目見圖片A: AB: BC: CD: D對的答案: (單選題) 32: 晶 閘 管 的 控 制 方式 是 （ ）。A: 只能控制開通、不能控制關(guān)斷B: 只能控制關(guān)斷、不能控制開通C: 既能控制開通、也能控制關(guān)斷對的答案: (單選題) 33: A: AB: BC: CD: D對的答案: (單選題) 34: A: AB: BC: CD: D對的答案: (單選題) 35: 抱負運算放大器的 ( )

8、A: 輸入、輸出電阻均很高B: 輸入電阻高，輸出電阻低C: 輸入電阻低，輸出電阻高對的答案: (單選題) 36: A: AB: BC: CD: D對的答案: (單選題) 37: A: AB: BC: CD: D對的答案: (單選題) 38: 已知兩個高輸入電阻單管放大器的電壓放大倍數(shù)分別為40和20，若將它們連接起來構(gòu)成兩級阻容耦合放大電路，其總的電壓放大倍數(shù)為（ ）。A: 20B: 60C: 800對的答案: (單選題) 39: 射極跟隨器是( )。A: 共發(fā)射極電路B: 共集電極電路C: 共基極電路對的答案: (單選題) 40: 題目見圖片A: AB: BC: CD: D對的答案: (單選

9、題) 1: 二 極 管 的 導(dǎo) 電 特 性 是（ ）。A: 正向電阻小、反向電阻大B: 正向電阻大、反向電阻小C: 正反向電阻相似對的答案: (單選題) 2: 在集成運算放大器的輸入級，采用差動式電路構(gòu)造的重要目的是( )A: 提高電壓放大倍數(shù)B: 提高輸入電阻C: 克制零點漂移對的答案: (單選題) 3: 晶體管的構(gòu)造特點是（ ）。A: 有一種PN結(jié)B: 有二個PN結(jié)C: 有三個PN結(jié)對的答案: (單選題) 4: 但愿提高放大器的輸入電阻和帶負載能力，需要引入負反饋的方式是( )A: 串聯(lián)電壓負反饋B: 并聯(lián)電壓負反饋C: 串聯(lián)電流負反饋對的答案: (單選題) 5: 題目見圖片A: AB:

10、BC: CD: D對的答案: (單選題) 6: 晶 體 管 的 電 流 放 大 系 數(shù) 是 指（ ）。A: 工 作 在 飽 和 區(qū) 時 的 電 流 放 大 系 數(shù)B: 工 作 在 截 止 區(qū) 時 的 電 流 放 大 系 數(shù)C: 工 作 在 放 大 區(qū) 時 的 電 流 放 大 系 數(shù)對的答案: (單選題) 7: 硅 二 極 管 導(dǎo) 通 后 的 正 向 壓 降 約 為（ ）。A: 1.5VB: 0.2 VC: 0.6V對的答案: (單選題) 8: 在下列三種電力電子器件中，屬于電壓控制型的器件是( )A: 絕緣柵雙極晶體管B: 電力晶體管C: 晶閘管對的答案: (單選題) 9: 某場效晶體管，在漏

11、、源電壓保持不變的狀況下，柵、源電壓變化為2V時，相應(yīng)的漏極電流變化為4mA，該管的跨導(dǎo)是（ ）。A: 0.5mA/VB: 1mA/VC: 2mA/V對的答案: (單選題) 10: 題目見圖片A: AB: BC: CD: D對的答案: (單選題) 11: 在 運 算 放 大 器 電 路 中， 引 入 深 度 負 反 饋 的 目 的 之 一 是 使 運 放 ( )A: 工 作 在 線 性 區(qū) ， 降 低 穩(wěn) 定 性B: 工 作 在 線 性 區(qū) ， 提 高 穩(wěn) 定 性C: 工 作 在 非 線 性 區(qū) ，提 高 穩(wěn) 定 性對的答案: (單選題) 12: 已知某晶體管處在放大狀態(tài)，測得其3個極的電位分別為3V、3.7V和6V，則3V所相應(yīng)的電極為（ ）。A: 集電極B: 發(fā)射極C: 基極對的答案: (單選題) 13: A: AB: BC: CD: D對的答案: (單選題) 14: 題目見圖片A: AB: BC: CD: D對的答案: (單選題) 15: 兩級共射極阻容耦合放大電路，若將第二級改成