半導(dǎo)體硅片制造中的沾污及控制課件

1、半導(dǎo)體硅片制造中的沾污及控制半導(dǎo)體硅片制造中的沾污及控制一、引言 半導(dǎo)體器件極易受到多種沾污的損害，隨著半導(dǎo)體制造業(yè)的發(fā)展，顆粒污染對(duì)成品率的影響越來(lái)越大，因此需要對(duì)生產(chǎn)過(guò)程中影響成品率的顆粒污染進(jìn)行有效控制。 一、引言 半導(dǎo)體器件極易受到多種沾污的損害，隨著半導(dǎo)體氧化層沾污沾污導(dǎo)致工藝異常氧化層沾污沾污導(dǎo)致工藝異常 沾污經(jīng)常導(dǎo)致有缺陷的芯片，致命的缺陷是導(dǎo)致硅片上的芯片無(wú)法通過(guò)電學(xué)測(cè)試的原因。據(jù)估計(jì)80的芯片電學(xué)失效是由沾污帶來(lái)的缺陷引起的，電學(xué)失效引起的成品率損失，導(dǎo)致硅片上的管芯報(bào)廢，以及很高的芯片制造成本。 沾污經(jīng)常導(dǎo)致有缺陷的芯片，致命的缺陷是導(dǎo)致 為了使芯片上的器件功能正常，避免硅

2、片制造中的沾污是絕對(duì)必要的。隨著器件關(guān)鍵尺寸的縮小，對(duì)沾污的控制要求變得越來(lái)越嚴(yán)格。主要是讓大家了解硅片制造過(guò)程中的各類型的重要沾污、它們的來(lái)源以及怎樣有效的控制沾污。 為了使芯片上的器件功能正常，避免硅片制造中的二、簡(jiǎn)介 什么是沾污： 沾污是指半導(dǎo)體制造過(guò)程中引入半導(dǎo)體硅片的任何危害微芯片成品率及電學(xué)性能的不希望有的物質(zhì)。二、簡(jiǎn)介 什么是沾污： 三、沾污的類型 凈化間的沾污分為5類： 1、顆粒 2、金屬雜質(zhì) 3、有機(jī)物沾污 4、自然氧化層 5、靜電釋放（ESD) 三、沾污的類型 凈化間的沾污分為5類：1、顆粒顆粒是能黏附在硅片表面的小物體。 半導(dǎo)體器件對(duì)于污染的敏感度取決于較小的特征尺寸，目

3、前的量度尺寸已降到亞微米級(jí)。1微米（UM)是非常小的，1厘米等于10000微米。人的毛發(fā)直徑為90微米.毛發(fā)直徑90微米1微米1、顆粒顆粒是能黏附在硅片表面的小物體。人的毛發(fā)直徑為90微 顆粒是能粘附在硅片表面的小物體。懸浮在空氣中傳播的顆粒被稱為浮質(zhì)。從鵝卵石到原子的各種顆粒的相對(duì)尺寸分布如圖所示。 顆粒是能粘附在硅片表面的小物體。懸浮在空氣中傳播的顆 顆粒帶來(lái)的問(wèn)題:對(duì)于半導(dǎo)體制造，我們的目標(biāo)是控制并減少硅片與顆粒的接觸。在硅片制造過(guò)程中，顆粒能夠引起電路開路或者短路。他們能在相鄰導(dǎo)體間引起短路。顆粒還可以是其他類型沾污的來(lái)源。 如下圖的人類頭發(fā)對(duì)可以影響到產(chǎn)品質(zhì)量的0.18um顆粒的相對(duì)

4、尺寸。 顆粒帶來(lái)的問(wèn)題:對(duì)于半導(dǎo)體制造，我們的目標(biāo)是控制并減 照片 照片2、金屬雜質(zhì) 硅片加工廠的沾污也可能來(lái)自金屬化合物，危害半導(dǎo)體工藝的典型金屬雜質(zhì)是堿金屬，他們?cè)谄胀ɑ瘜W(xué)品和工藝中都很常見(jiàn)。這些金屬在所有用于硅片加工的材料中都要嚴(yán)格控制，堿金屬是極端活潑的元素，因?yàn)樗麄內(nèi)菀资ヒ粋€(gè)價(jià)電子成為陽(yáng)離子，與非金屬的陰離子反應(yīng)形成離子化合物。 2、金屬雜質(zhì) 硅片加工廠的沾污也可能來(lái)自金屬化 金屬離子在半導(dǎo)體材料中是高度活動(dòng)性的，被稱為可動(dòng)離子沾污。當(dāng)離子沾污引入到硅片中時(shí)，在整個(gè)硅片中移動(dòng)，嚴(yán)重?fù)p害器件電學(xué)性能和長(zhǎng)期可靠性，未經(jīng)過(guò)處理的化學(xué)品中的鈉是典型的、最為普遍的離子沾污之一，人充當(dāng)了他的運(yùn)

5、送者，人體以液態(tài)形式包含了高濃度的鈉（例如，唾液、眼淚、汗液等）。鈉沾污在硅片加工中被嚴(yán)格控制。 金屬離子在半導(dǎo)體材料中是高度活動(dòng)性的，被稱為金屬雜質(zhì)帶來(lái)的問(wèn)題 金屬雜質(zhì)導(dǎo)致了半導(dǎo)體制造中器件成品率的減少，包括氧化物多晶硅柵結(jié)構(gòu)中的結(jié)構(gòu)性缺陷。額外的問(wèn)題包括PN結(jié)上泄漏電流的增加以及少數(shù)載流子壽命的減少。離子沾污能遷移到柵結(jié)構(gòu)中的氧化硅界面，改變開啟晶體管所需要的閾值電壓。由于它們的性質(zhì)活潑，金屬離子可以在電學(xué)測(cè)試和運(yùn)輸很久以后沿著器件移動(dòng)，引起器件在使用器件失效。半導(dǎo)體制造的一個(gè)主要目標(biāo)是減少與金屬雜質(zhì)和可動(dòng)離子沾污的接觸。金屬雜質(zhì)帶來(lái)的問(wèn)題 金屬雜質(zhì)導(dǎo)致了半導(dǎo)體半導(dǎo)體硅片制造中的沾污及控制

6、課件3、有機(jī)物沾污 有機(jī)物沾污是指那些包含碳的物質(zhì)，幾乎總是同碳自身及氫結(jié)合在一起，有時(shí)也和其他元素結(jié)合在一起。有機(jī)物沾污的一些來(lái)源包括細(xì)菌、潤(rùn)滑劑、蒸汽、清潔劑、溶劑、潮氣等。現(xiàn)在用于硅片加工的設(shè)備使用不需要潤(rùn)滑劑的組件來(lái)設(shè)計(jì)。 有機(jī)物沾污帶來(lái)的問(wèn)題：在特定工藝條件下，微量有機(jī)物沾污能夠降低柵氧化層材料的致密性。工藝過(guò)程中有機(jī)材料給半導(dǎo)體表面帶來(lái)的另一個(gè)問(wèn)題是表面的清洗不徹底，這種情況使得諸如金屬雜質(zhì)之類的沾污在清洗之后仍完整保留在硅片表面。3、有機(jī)物沾污 有機(jī)物沾污是指那些包含碳4、自然氧化層 如果曝露于室溫下的空氣或含溶解氧的去離子水中，硅片的表面將被氧化。這一薄氧化層稱之為自然氧化層。

7、硅片上最初的自然氧化層生長(zhǎng)始于潮濕。當(dāng)硅片表面曝露在空氣中時(shí)，一秒鐘內(nèi)就有幾十層水分子吸附在硅片上并滲透到硅片表面，這引起硅表面甚至在室溫下就發(fā)生氧化。天然氧化層的厚度隨曝露時(shí)間的增長(zhǎng)而增加。4、自然氧化層 如果曝露于室溫下的空氣或含自然氧化層帶來(lái)的問(wèn)題 硅片表面無(wú)自然氧化層對(duì)半導(dǎo)體性能和可靠性是非常重要的。自然氧化層將妨礙其他工藝步驟，如硅片上單晶薄膜的生長(zhǎng)和超薄柵氧化層的生長(zhǎng)。自然氧化層也包含了某些金屬雜質(zhì)，他們可以向硅中轉(zhuǎn)移并形成電學(xué)缺陷。 自然氧化層引起的另一個(gè)問(wèn)題在于金屬導(dǎo)體的接觸區(qū)。接觸使得相互連線與半導(dǎo)體器件的源區(qū)及漏區(qū)保持電學(xué)連接。如果有自然氧化層的存在，將增加接觸電阻，減少甚

8、至可能阻止電流流過(guò)。 自然氧化層需要通過(guò)使用含HF酸的混和液的清晰步驟去除。抑止自然氧化層的另一個(gè)方法是把多步工序集成在一個(gè)包含了高真空室的多腔體設(shè)備中，這樣硅片就不會(huì)曝露于大氣和潮濕的環(huán)境中。自然氧化層帶來(lái)的問(wèn)題 硅片表面無(wú)自然氧化5、靜電釋放 靜電釋放（ESD）也是一種形式的沾污，因?yàn)樗庆o電荷從一個(gè)物體向另一個(gè)物體未經(jīng)控制地轉(zhuǎn)移，可能損壞微芯粒。ESD產(chǎn)生于兩種不同靜電勢(shì)地材料接觸或摩擦。帶過(guò)剩負(fù)電荷地原子被相鄰地帶正電荷地原子吸引。這種由吸引產(chǎn)生地電流泄放電壓可高達(dá)幾萬(wàn)伏。 半導(dǎo)體制造中特別容易產(chǎn)生靜電釋放，因?yàn)楣杵庸け３衷谳^低地濕度中，典型條件為4010相對(duì)濕度（RH）。這種條件容

9、易使較高級(jí)別地靜電荷生成。雖然增加相對(duì)濕度可以減少靜電生成，但是也會(huì)增加侵蝕帶來(lái)地沾污，因而這種方法并不實(shí)用。5、靜電釋放 靜電釋放（ESD）也是一靜電釋放帶來(lái)地問(wèn)題 盡管靜電釋放發(fā)生時(shí)轉(zhuǎn)移地靜電總量通常很小，然而放電地能量積累在硅片上很小地一個(gè)區(qū)域內(nèi)。發(fā)生在幾個(gè)納秒內(nèi)地靜電釋放能產(chǎn)生超過(guò)1A地峰值電流，簡(jiǎn)直可以蒸發(fā)金屬導(dǎo)體連線荷穿透氧化層。放電也可能成為柵氧化層擊穿地誘因。靜電釋放帶來(lái)地另一個(gè)重大問(wèn)題在于，一旦硅片表面有了電荷積累，它產(chǎn)生地電場(chǎng)就能吸引帶電顆粒或極化并吸引中性顆粒到硅片表面。電視屏幕能吸引灰塵就是個(gè)例子。此外，顆粒越小，靜電對(duì)它地吸引作用越明顯。隨著器件關(guān)鍵尺寸地縮小，ESD

10、對(duì)更小顆粒地吸引變得重要起來(lái)，能產(chǎn)生致命缺陷。為了減少顆粒沾污，硅片放電必須控制。靜電釋放帶來(lái)地問(wèn)題 盡管靜電釋放發(fā)生時(shí)靜電吸附靜電放電靜電吸附靜電放電A 日本對(duì)不合格的電子產(chǎn)品進(jìn)行解剖分析,發(fā)現(xiàn)不合格的器件45%是由靜電造成。B 美國(guó)的電子產(chǎn)品由于靜電導(dǎo)致的損失每年達(dá)到100億美圓。C 靜電對(duì)于器件的損壞，10%是災(zāi)難性的損壞，90%是潛在性的損壞。D 對(duì)于電子行業(yè)：產(chǎn)品失效（較低的可靠性）、高退貨率（高成本）、客戶抱怨、高成本。靜電對(duì)電子生產(chǎn)制造業(yè)的危害A 日本對(duì)不合格的電子產(chǎn)品進(jìn)行解剖分析,發(fā)現(xiàn)不合格的四、沾污地源與控制硅片生產(chǎn)廠房的7中沾污源 空氣 人 廠房 水 工藝用化學(xué)品 工藝氣體

11、 生產(chǎn)設(shè)備四、沾污地源與控制硅片生產(chǎn)廠房的7中沾污源空氣 凈化間最基本的概念就是硅片工廠空氣中的顆?？刂?。我們通常所呼吸的空氣是不能應(yīng)用于半導(dǎo)體制造的，因?yàn)樗颂嗟钠≌次邸＿@些微小的浮質(zhì)在空氣中漂浮并停留很長(zhǎng)時(shí)間，淀積在硅片表面引起沾污并帶來(lái)致命缺陷。 凈化級(jí)別標(biāo)定了凈化間的空氣質(zhì)量級(jí)別，它是由凈化室空氣中的顆粒尺寸和密度表征的?？諝?凈化間最基本的概念就是硅片工廠空氣凈化級(jí)別是指每立方英尺可以接受的顆粒數(shù)。如下：級(jí)別0.1微米0.2微米0.3微米0.5微米5微米1357.731103507530101007503001001000100071000010 00070100000100

12、 000700凈化級(jí)別是指每立方英尺可以接受的顆粒數(shù)。如下：級(jí)別0.1微米電子工業(yè)潔凈度等級(jí)試行規(guī)定 潔凈室等級(jí) 潔凈度 溫度（） 相對(duì)濕度（%） 正壓值（帕） 噪聲 適用范圍 粒徑（微米） 濃度（粒/升） 最高 最低 最高 最低 逐級(jí)相差66.661 （A聲級(jí)分貝） （以集成電路工藝為例） 1級(jí) 0.5 1 27186040同上 70 超大規(guī)模、大規(guī)模集成電路的光刻制版 10級(jí) 0.5 10 27186040同上 70 光刻、制版 100級(jí) 0.5 100 27186040同上 70 擴(kuò)散、氧化 1000級(jí) 0.5 1000 27186040同上 70 封裝、壓焊 10000級(jí) 0.5 10

13、000 27186040同上 70 腐蝕、篩選 電子工業(yè)潔凈度等級(jí)試行規(guī)定 潔凈室等級(jí) 潔凈度 溫度（） 按器件產(chǎn)品種類和要求所采用的潔凈標(biāo)準(zhǔn) 10級(jí) 光刻 10-100級(jí) 制版中精縮、顯影 1000級(jí) 芯片工藝中的氧化、擴(kuò)散、金屬化、清洗 10000-100000級(jí) 中測(cè)、劃片 100000級(jí) 組裝、壓焊 100000級(jí)以下 封裝以后的各工序 按器件產(chǎn)品種類和要求所采用的潔凈標(biāo)準(zhǔn) 10級(jí) 光刻 10-1 人 人是顆粒的產(chǎn)生者。人員持續(xù)不斷的進(jìn)出凈化間，是凈化間沾污的最大來(lái)源。顆粒來(lái)自于頭發(fā)和頭發(fā)用品（噴霧、發(fā)膠）、衣物纖維屑、皮屑等。一個(gè)人平均每天釋放1盎司（1盎司28.35克）顆粒，這驚人

14、地達(dá)到每分鐘10 000 000個(gè)尺寸等于或大于0.3微米地顆粒。 人 顆粒來(lái)源每分鐘大于0.3微米的平均顆粒數(shù)靜止（坐或站）100 000移動(dòng)手、臂、脖子、軀干、頭等500 000每小時(shí)步行2公里5 000 000每小時(shí)步行3.5公里7 500 000最潔凈的皮膚（每平方英尺）10 000 000顆粒來(lái)源每分鐘大于0.3微米的平均顆粒數(shù)靜止（坐或站）100人員對(duì)環(huán)境的影響 操作人員穿戴 使周圍塵埃增加倍數(shù)0.2-50m 操作人員本身 使周圍塵埃增加倍數(shù) 操作人員的運(yùn)動(dòng) 使周圍塵埃增加倍數(shù) 攪動(dòng)衣服袖 1.5-3 正常呼吸 無(wú) 幾個(gè)人聚集在一起 1.5-3 無(wú)衣帽 10-50 吸煙20分鐘后

15、25正常步行 1.2-2 有衣帽 1.5-20 噴嚏 520快步行走 510從口袋取手帕 3-10摩擦手或皮膚 0-2 平穩(wěn)坐著 0-2 人員對(duì)環(huán)境的影響 操作人員穿戴 使周圍塵埃增加倍數(shù)0.2-5 硅片加工中的簡(jiǎn)單活動(dòng)，如開門關(guān)門或在工藝設(shè)備周圍過(guò)度活動(dòng)，都會(huì)產(chǎn)生顆粒沾污。通常的人類活動(dòng)，如談話、咳嗽、打噴嚏，對(duì)半導(dǎo)體都是有害的。 從以上所列數(shù)據(jù)，可清楚地看到操作人員地衣著和行動(dòng)對(duì)環(huán)境潔凈度的影響，所以潔凈區(qū)要限制人數(shù)，而且潔凈區(qū)工作人員應(yīng)注意以下事項(xiàng)。 進(jìn)入潔凈區(qū)要先穿戴好專用凈化工作服、鞋、帽。 進(jìn)入潔凈區(qū)前要現(xiàn)在風(fēng)淋室風(fēng)淋后方可進(jìn)入凈化車間 每周洗工作服，不準(zhǔn)用化妝品 與工作無(wú)關(guān)的紙張

16、、書報(bào)不得帶入車間 嚴(yán)禁再凈化區(qū)做會(huì)造成粉末的活，工作中少走動(dòng) 進(jìn)入凈化區(qū)的設(shè)備、試劑、氣瓶等所有物品都要經(jīng)過(guò)嚴(yán)格清潔方可進(jìn)入 每天上班前清掃、擦拭設(shè)備，下班前清理好工作現(xiàn)場(chǎng)。 定期檢測(cè)潔凈度，超標(biāo)要停產(chǎn)整頓。 硅片加工中的簡(jiǎn)單活動(dòng)，如開門關(guān)門或在就在我們身邊的異常硅片裸放在設(shè)備上記錄本隨處防置就在我們身邊的異常硅片裸放在設(shè)備上記錄本隨處防置超凈服 為實(shí)現(xiàn)凈化間內(nèi)的超凈環(huán)境，人員必須遵守某些程序，成為凈化間的操作規(guī)程，還必須穿上凈化服。超凈服由兜帽、連衣褲工作服、靴子、手套組成，完全包裹住了身體。超凈服系統(tǒng)的目標(biāo)是滿足一下職能標(biāo)準(zhǔn)： 對(duì)身體產(chǎn)生的顆粒和浮質(zhì)的總體控 超凈服系統(tǒng)顆粒零釋放 對(duì)ES

17、D的零靜電積累 無(wú)化學(xué)和生物殘余物的釋放 要求人員在進(jìn)入凈化間前必須穿戴好凈化服方可進(jìn)入凈化間。防護(hù)口罩是防止員工唾液中的顆粒沾污制造區(qū)域。凈化手套是防止汗?jié)n沾污硅片造成離子沾污。超凈服 為實(shí)現(xiàn)凈化間內(nèi)的超凈環(huán)境，人員必 為了減少人類帶來(lái)的沾污，使用了超凈服，制定了凈化間操作規(guī)程 為了減少人類帶來(lái)的沾污，使用了超凈服，制定了凈化間應(yīng)該做的不應(yīng)該做的理由只有經(jīng)過(guò)授權(quán)的人員方可進(jìn)入凈化間沒(méi)有接受過(guò)凈化間應(yīng)知行為嚴(yán)格培訓(xùn)的人員不得入內(nèi)，凈化間的管理者具有最后的決定權(quán)經(jīng)過(guò)授權(quán)的人員才熟悉超凈室操作中嚴(yán)格且近乎苛求的規(guī)定只把必需物品帶入凈化間進(jìn)制化妝品、香煙、手帕、衛(wèi)生紙、食品、飲料、糖果、木制/自動(dòng)鉛

18、筆或鋼筆、香水、手表、珠寶、磁帶播放機(jī)、電話、尋呼機(jī)、攝像機(jī)、錄音機(jī)、梳子、紙板或非凈化間允許的紙張、設(shè)計(jì)圖、操作手冊(cè)或指示圖表等阻斷不想要的沾污員進(jìn)入在半導(dǎo)體期間中產(chǎn)生缺陷根據(jù)公司培訓(xùn)規(guī)定的方式著裝進(jìn)入不允許包裹不嚴(yán)的街頭服裝進(jìn)入凈化間確保超凈服免受可能進(jìn)入凈化間的沾污始終確保所有的頭部和面部頭發(fā)被包裹起來(lái)不要曝露臉上和頭上的頭發(fā)頭發(fā)是沾污源遵守進(jìn)入凈化間的程序，如風(fēng)淋和鞋清潔器不要在所有程序完成之前開啟任何一道通往凈化間的門所有淋浴都可能有助于去除沾污，許多公司由于空氣沾污原因已經(jīng)停止使用這到程序在凈化間中所有時(shí)間內(nèi)都保持超凈服的閉合不要把任何街頭服裝曝露于超凈室內(nèi)，不要讓你的皮膚的任何部

19、分接觸超凈服的外面部分不想要的沾污源緩慢移動(dòng)不要群聚或者快速移動(dòng)這會(huì)破壞氣流模式應(yīng)該做的不應(yīng)該做的理由只有經(jīng)過(guò)授權(quán)的人員方可進(jìn)入凈化間沒(méi)有接空氣過(guò)濾 空氣進(jìn)入天花板內(nèi)的特效顆粒過(guò)濾器，以層流模式流向地面，進(jìn)入到空氣再循環(huán)系統(tǒng)后與補(bǔ)給的空氣一道返回空氣過(guò)濾器系統(tǒng)。位于天花板中的特效顆粒過(guò)濾器，要么是高效顆粒空氣過(guò)濾器（HEPA）要么是超低滲透率空氣過(guò)濾器（ULPA）。HEPA纖維過(guò)濾器用玻璃纖維制作成形，產(chǎn)生層狀氣流?？諝膺^(guò)濾 空氣進(jìn)入天花板內(nèi)的特效顆粒過(guò)濾水 為了制造半導(dǎo)體，需要大量的高質(zhì)量、超純?nèi)ルx子水，城市用水含有大量的沾污以致不能應(yīng)用于硅片生產(chǎn)。去離子水是半導(dǎo)體制造中用的最多的化學(xué)品，主

20、要用在化學(xué)硅片清洗溶液合后清洗中。加工后的去離子水（電阻率18兆歐）18元/噸。因此在產(chǎn)線生產(chǎn)過(guò)程中使用水應(yīng)該節(jié)約，但是不能違反工藝，所謂的節(jié)約就是在不清洗硅片時(shí)不允許有長(zhǎng)流水出現(xiàn)。 超純?nèi)ルx子水中不允許有的沾污： 溶解離 有機(jī)材料 顆粒 細(xì)菌 硅土 溶解氧水 為了制造半導(dǎo)體，需要大量的高質(zhì)量、 水中的溶解離子來(lái)源于鈉和鉀這樣容易形成離子的礦物質(zhì)。食鹽容易分解為Na 和Cl-就是一個(gè)例子。 有機(jī)物質(zhì)，稱為有機(jī)碳總量，是指溶解在水中的含碳化合物的總和。有機(jī)物沾污對(duì)氧化層薄膜生長(zhǎng)具有破壞性作用。 細(xì)菌是活的，在水中產(chǎn)生有機(jī)物。細(xì)菌排泄的碎片稱為熱原。水中的細(xì)菌帶來(lái)氧化層、多晶和金屬導(dǎo)體層的缺陷。某

21、些含磷的細(xì)菌能引起不受控制的摻雜。 城市用水中的硅土是細(xì)碎的懸浮顆粒，這些顆粒的尺寸遍布從10埃到10微米的范圍。高含量的硅土能淤塞水凈化設(shè)備的過(guò)濾裝置，并降低熱生長(zhǎng)氧化物的可靠性。 水中的溶解離子來(lái)源于鈉和鉀這樣容易形成 水中的另一種沾污是溶解氧。它因?qū)е伦匀谎趸瘜拥男纬啥l(fā)問(wèn)題。水中溶解氧在水被增壓的半導(dǎo)體工藝中也帶來(lái)問(wèn)題，當(dāng)水被減壓時(shí)，溶解的氣體將從溶液釋放出來(lái)形成氣泡，引起硅片表面的不完全濕潤(rùn)。 基于以上對(duì)沾污的了解，在操作過(guò)程中我們規(guī)定了不允許用手接觸硅片的表面以及片筐的內(nèi)側(cè)，這樣容易產(chǎn)生金屬沾污，同時(shí)在清洗過(guò)程中不允許用手將硅片從水中取出，這樣也會(huì)導(dǎo)致金屬沾污，影響了去離子水的純

22、度。 水中的另一種沾污是溶解氧。它因?qū)е伦匀?用來(lái)制造半導(dǎo)體硅片的生產(chǎn)設(shè)備是硅片工廠的最大的顆粒來(lái)源之一。在硅片制造過(guò)程中硅片重復(fù)的轉(zhuǎn)入各設(shè)備中，暴露在不同的許許多多機(jī)械中。工藝設(shè)備中各種顆粒沾污來(lái)源舉例：A 裸露硅片在自動(dòng)化的機(jī)械上傳動(dòng)B 機(jī)械操作，開關(guān)門等C 真空環(huán)境的抽取和排放D 清洗和維護(hù)過(guò)程E 剝落的復(fù)產(chǎn)物積累在腔壁上設(shè)備 用來(lái)制造半導(dǎo)體硅就在我們身邊的異常軌道上放工具放片筐位置放維修工具就在我們身邊的異常軌道上放工具放片筐位置放維修工具芯片加工廠微粒員源分布引自相關(guān)資料僅供參考芯片加工廠微粒員源分布引自相關(guān)資料僅供參考 人為的劃傷和沾污對(duì)產(chǎn)線的產(chǎn)品質(zhì)量影響相當(dāng)嚴(yán)重，直接關(guān)系到我們公

23、司的經(jīng)濟(jì)收入，因此說(shuō)我們?cè)诓僮鞯倪^(guò)程中對(duì)于人為問(wèn)題應(yīng)尤為注意。 人為的劃傷和沾污對(duì)產(chǎn)線的產(chǎn)品質(zhì)量影響相當(dāng)嚴(yán)重，直接 如果劃傷不能夠及時(shí)控制對(duì)于產(chǎn)品的質(zhì)量會(huì)產(chǎn)成不良影響，具體影響如下： 1）由于劃傷導(dǎo)致的電壓低擊穿或曲線異常 2）由于劃傷造成的電壓EB穿通 3）由于劃傷造成的鏡檢點(diǎn)廢比例增加 4）一些劃傷需要返工增加了生產(chǎn)用時(shí) 如果劃傷不能夠及時(shí)控制對(duì)于產(chǎn)品的質(zhì)量會(huì)產(chǎn)成不良影響劃傷圖片劃傷圖片由于劃傷導(dǎo)致的電壓低擊穿或曲線異常 原因及表現(xiàn)形式：主要是由于劃傷造成芯粒分壓環(huán)受損導(dǎo)致參數(shù)異常,主要體現(xiàn)在MAP3測(cè)試的CB1和DIVID失效或由于CB電壓低壓造成的ICES廢品;由于劃傷導(dǎo)致的電壓低擊穿或曲線異常 原因及由于劃傷造成的電壓EB穿通 原因及表現(xiàn)形式：主要是由于劃傷造成芯粒發(fā)射極個(gè)別區(qū)域嚴(yán)重受損導(dǎo)致的EB短路,主要體現(xiàn)在MAP3測(cè)試時(shí)的EBL;由于劃傷造成的電壓EB穿通 原因及表現(xiàn)形式 由于劃傷造成的鏡檢點(diǎn)廢比例增加 原因及表現(xiàn)形式：氧化層或金屬輕微劃傷,這些劃傷未能造成參數(shù)異常,但是卻會(huì)影響日后的穩(wěn)定性和可靠性,