模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)-知識(shí)點(diǎn)總結(jié)

1、可編輯修改WORD版本可編輯修改WORD版本 4/4可編輯修改WORD版本模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)-知識(shí)點(diǎn)總結(jié) 模擬電子技術(shù)復(fù)習(xí)資料總結(jié) 第一章半導(dǎo)體二極管 一.半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識(shí) 1.半導(dǎo)體導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間的物質(zhì)(如硅Si、鍺Ge)。 2.特性光敏、熱敏和摻雜特性。 3.本征半導(dǎo)體純凈的具有單晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體。 4. 兩種載流子 帶有正、負(fù)電荷的可移動(dòng)的空穴和電子統(tǒng)稱為載流子。 5.雜質(zhì)半導(dǎo)體在本征半導(dǎo)體中摻入微量雜質(zhì)形成的半導(dǎo)體。體現(xiàn)的是半導(dǎo)體的摻雜特性。 *P型半導(dǎo)體: 在本征半導(dǎo)體中摻入微量的三價(jià)元素（多子是空穴，少子是電子）。 *N型半導(dǎo)體: 在本征半導(dǎo)體中摻入微量的五價(jià)元素（多子

2、是電子，少子是空穴）。 6. 雜質(zhì)半導(dǎo)體的特性 *載流子的濃度多子濃度決定于雜質(zhì)濃度，少子濃度與溫度有關(guān)。 *體電阻通常把雜質(zhì)半導(dǎo)體自身的電阻稱為體電阻。 *轉(zhuǎn)型通過改變摻雜濃度，一種雜質(zhì)半導(dǎo)體可以改型為另外一種雜質(zhì)半導(dǎo)體。 7. PN結(jié) * PN結(jié)的接觸電位差硅材料約為0.60.8V，鍺材料約為0.20.3V。 * PN結(jié)的單向?qū)щ娦哉珜?dǎo)通，反偏截止。 8. PN結(jié)的伏安特性 二. 半導(dǎo)體二極管 *單向?qū)щ娦哉驅(qū)ǎ聪蚪刂埂?*二極管伏安特性同結(jié)。 *正向?qū)▔航倒韫?.60.7V，鍺管0.20.3V。 *死區(qū)電壓硅管0.5V，鍺管0.1V。 3.分析方法將二極管斷開，分析二極管兩端電

3、位的高低: 若 V 陽 V 陰 ( 正偏 )，二極管導(dǎo)通(短路); 若 V 陽 V陰( 正偏 )，二極管導(dǎo)通(短路); 若 V陽 u-時(shí)，u o=+U om 當(dāng)u+u-時(shí)，u o=-U om 兩輸入端的輸入電流為零: i =i-=0 + 第七章放大電路中的反饋 一.反饋概念的建立 開環(huán)放大倍數(shù) 閉環(huán)放大倍數(shù) 反饋深度 環(huán)路增益： 1當(dāng)時(shí)，下降，這種反饋稱為負(fù)反饋。 2當(dāng)時(shí)，表明反饋效果為零。 3當(dāng)時(shí)，升高，這種反饋稱為正反饋。 4當(dāng)時(shí)，。放大器處于“自激振蕩”狀態(tài)。 二反饋的形式和判斷 1. 反饋的范圍本級(jí)或級(jí)間。 2. 反饋的性質(zhì)交流、直流或交直流。 直流通路中存在反饋則為直流反饋，交流通路

4、中存 在反饋則為交流反饋，交、直流通路中都存在反饋 則為交、直流反饋。 3. 反饋的取樣電壓反饋：反饋量取樣于輸出電壓；具有穩(wěn)定輸出電壓的作 用。 （輸出短路時(shí)反饋消失） 電流反饋：反饋量取樣于輸出電流。具有穩(wěn)定輸出電流的作用。 （輸出短路時(shí)反饋不消失） 4. 反饋的方式并聯(lián)反饋：反饋量與原輸入量在輸入電路中以電 流形式相疊加。R s越大反饋效果越好。 反饋信號(hào)反饋到輸入端） 串聯(lián)反饋：反饋量與原輸入量在輸入電路中以電壓 的形式相疊加。R s越小反饋效果越好。 反饋信號(hào)反饋到非輸入端） 5. 反饋極性瞬時(shí)極性法： （1）假定某輸入信號(hào)在某瞬時(shí)的極性為正（用+表示），并設(shè)信號(hào) 的頻率在中頻段。

5、（2）根據(jù)該極性，逐級(jí)推斷出放大電路中各相關(guān)點(diǎn)的瞬時(shí)極性（升 高用 + 表示，降低用表示）。 （3）確定反饋信號(hào)的極性。 （4）根據(jù)X i 與X f 的極性，確定凈輸入信號(hào)的大小。X id 減小為負(fù)反 饋；X id 增大為正反饋。 三. 反饋形式的描述方法 某反饋元件引入級(jí)間（本級(jí)）直流負(fù)反饋和交流電壓（電流）串聯(lián)（并聯(lián)）負(fù)反饋。 四. 負(fù)反饋對(duì)放大電路性能的影響 1.提高放大倍數(shù)的穩(wěn)定性 2. 3.擴(kuò)展頻帶 4.減小非線性失真及抑制干擾和噪聲 5.改變放大電路的輸入、輸出電阻 *串聯(lián)負(fù)反饋使輸入電阻增加1+AF倍 *并聯(lián)負(fù)反饋使輸入電阻減小1+AF倍 *電壓負(fù)反饋使輸出電阻減小1+AF倍 *

6、電流負(fù)反饋使輸出電阻增加1+AF倍 五. 自激振蕩產(chǎn)生的原因和條件 1.產(chǎn)生自激振蕩的原因 附加相移將負(fù)反饋轉(zhuǎn)化為正反饋。 2.產(chǎn)生自激振蕩的條件 若表示為幅值和相位的條件則為： 第八章信號(hào)的運(yùn)算與處理 分析依據(jù) “虛斷”和“虛短” 一.基本運(yùn)算電路 1.反相比例運(yùn)算電路 R 2 =R1/R f 2.同相比例運(yùn)算電路 R 2 =R1/R f 3.反相求和運(yùn)算電路 R 4 =R1/R2/R3/R f 4. 同相求和運(yùn)算電路 R /R2/R3/R4=R f/R5 1 5.加減運(yùn)算電路 R /R2/R f=R3/R4/R5 1 二.積分和微分運(yùn)算電路 1.積分運(yùn)算 2.微分運(yùn)算 第九章信號(hào)發(fā)生電路 一.正弦波振蕩電路的基本概念 1.產(chǎn)生正弦波振蕩的條件(人為的直接引入正反饋) 自激振蕩的平衡條件 : 即幅值平衡條件： 相位平衡條件： 2.起振條件: 幅值條件： 相位條件: 3.正弦波振蕩器的組成、分類 正弦波振蕩器的組成 (1) 放大電路建立和維持振蕩。 (2) 正反饋網(wǎng)絡(luò)與放大電路共同滿足振蕩條件。 (3) 選頻網(wǎng)絡(luò)以選擇某一頻率進(jìn)行振蕩