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LED內(nèi)部結(jié)構(gòu)及失效模式分析
日期:2013/01/04工程部解析課一、LED發(fā)光原理及內(nèi)部結(jié)構(gòu)1.LED
的發(fā)光機理LED其核心是PN結(jié),PN結(jié)是指在P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體之間的一個過渡層。在一定條件下,如圖1.1所示,PN結(jié)中,電子從N型材料擴散到P區(qū),而空穴從P型材料擴散到N區(qū),就在PN結(jié)處形成一個勢壘,阻止了電子和空穴進一步擴散,達到平衡狀態(tài)。當(dāng)PN結(jié)外加一個正向偏置電壓時,PN結(jié)勢壘將降低,N區(qū)的電子將注入到P區(qū),P區(qū)的空穴注入到N區(qū),從而出現(xiàn)非平衡狀態(tài)。這些新注入的電子和空穴在PN結(jié)相遇發(fā)生復(fù)合,將多余的能量以光的形式釋放出來,即電能轉(zhuǎn)化為光能。圖1.1發(fā)光原理圖2.LED物理結(jié)構(gòu)LED燈珠主要由五個部分組成,它們分別是:支架、銀膠、晶片、金線、環(huán)氧樹脂。以下針對這五個主要部分進行分別介紹:2.1支架1)支架的作用:用來導(dǎo)電和支撐
2)支架的組成:支架由支架素材經(jīng)過電鍍而形成,由里到外是素材、銅、鎳、銅、銀這五層所組成。2.2銀膠:
1)銀膠的作用:固定晶片和導(dǎo)電的作用。
2)銀膠的主要成份:銀粉占75-80%、EPOXY(環(huán)氧樹脂)占10-15%、添加劑占5-10%。圖1.2LED兩常見封裝結(jié)構(gòu)一、LED發(fā)光原理及內(nèi)部結(jié)構(gòu)2.3晶片(Chip):
1)晶片的作用:晶片是LED的主要組成物料,是發(fā)光的半導(dǎo)體材料。
2)晶片的組成:晶片是采用磷化鎵(GaP)、鎵鋁砷(GaAlAs)或砷化(GaAs)、氮化鎵(GaN)等材料組成,其內(nèi)部結(jié)構(gòu)具有單向?qū)щ娦浴?/p>
3)晶片的結(jié)構(gòu):焊單線正極性(P/N結(jié)構(gòu))晶片,雙線晶片。晶片的尺寸單位:mil,晶片的焊墊一般為金墊或鋁墊。其焊墊形狀有圓形、方形、十字形等。2.4金線:1)金線的作用:連接晶片PAD(焊墊)與支架,并使其能夠?qū)?。金線的純度為99.99%Au;延伸率為2-6%,金線的尺寸有:0.9mil、1.0mil、1.1mil等。
圖1.3芯片微結(jié)構(gòu)及等效電路圖1.4清晰金線圖一、LED發(fā)光原理及內(nèi)部結(jié)構(gòu)2.5環(huán)氧樹脂:
1)環(huán)氧樹脂的作用:保護LED的內(nèi)部結(jié)構(gòu),可稍微改變LED的發(fā)光顏色,亮度及角度;使LED成形。2)封裝樹脂包括:A膠(主劑)、B膠(硬化劑)、DP(擴散劑)、CP(著色劑)四部份組成。其主要成分為環(huán)氧樹脂(EpoxyResin)、酸酐類(酸無水物Anhydride)、高光擴散性填料(Lightdiffusion)及熱安定性染料(dye)。一、LED發(fā)光原理及內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖1.5LED實體中間部分為環(huán)氧樹脂及膠體3.LED各種類型封裝實體圖圖1.6LED各種類型實體圖二、LED內(nèi)部失效模式1.LED失效類型及失效機理(模式)
1.1LED失效類型可分:
災(zāi)難性失效是指能夠?qū)е翷ED不能發(fā)光或者在正常驅(qū)動電流下只能發(fā)出微弱光線的失效。
參數(shù)失效是指會導(dǎo)致關(guān)鍵特性偏離出可接受范圍的失效。1.2LED失效機理(模式)可分:A封裝失效:指的是支架銹蝕、金線斷裂、封裝材料(固晶膠、封裝膠等)結(jié)構(gòu)變化(退化)、熒光粉失效等引起的失效。B芯片失效:指的是由芯片材料缺陷、電極材料劣化、PN結(jié)結(jié)構(gòu)損傷、芯片電極歐姆接觸不良及芯片污染等引起的失效。C電應(yīng)力失效:指的是由過電流過電壓沖擊、過驅(qū)動、靜電損傷等引起的失效。D熱應(yīng)力失效:指的是結(jié)溫過高、惡劣環(huán)境等引起的失效。E裝配失效:指的是焊接不良、裝配不當(dāng)?shù)纫鸬氖?。二、LED內(nèi)部失效模式2.LED應(yīng)用典型失效案例及預(yù)防失效現(xiàn)象可能失效原因案例圖示預(yù)防措施
1、死燈1、LED散熱不佳,固晶膠老化、層脫,芯片脫落做好LED散熱作,保證LED的散熱通道順暢(焊接時防止LED懸浮、傾斜)2、過電流、過電壓沖擊/驅(qū)動,芯片燒毀(開路或短路)做好EOS防護,防止過電流過電壓沖擊或者長時間驅(qū)動LED3過電流沖擊,金線燒斷防止過電流過電壓沖擊LED4、使用過程中,未做好ESD防護,導(dǎo)致LEDPN結(jié)被靜電擊穿——做好ESD防護工作二、LED內(nèi)部失效模式失效現(xiàn)象可能失效原因案例圖示預(yù)防措施5、焊接溫度過高,膠體膨脹劇烈扯斷金線或外力沖擊碰撞封裝膠體,扯斷金線按照推薦的焊接條件焊接使用;裝配過程中注意保護封裝結(jié)構(gòu)部分不受損壞6、齊納被擊穿造成短路或者裝配時LED正負極被短接或者PCB板短路做好ESD防護工作;避免正負極短接;排查PCB線路是否短接
2、光輸出微弱(微亮)1、過電流驅(qū)動造成芯片電極加速劣化,接觸不良,VF嚴重上升(可由3V左右上升到5V以上)在額定電流內(nèi)使用LED二、LED內(nèi)部失效模式失效現(xiàn)象可能失效原因案例圖示預(yù)防措施2、過電壓或是過電流沖擊后
PN結(jié)結(jié)構(gòu)嚴重
受損,
VF嚴重上升
(可由
3V左右上升
到
5V以上)在額定電壓電流內(nèi)使用LED
3、嚴重ESD損傷,PN結(jié)結(jié)構(gòu)嚴重受損,VF嚴重上升做好ESD防護工作
3.光衰大(>10%)1、散熱不好或是過電流使用造成熱量積累,在高溫條件下封裝膠體結(jié)構(gòu)發(fā)生變化(發(fā)黑、變硬,甚至開裂)保證充分散熱及在額定電流內(nèi)使用二、LED內(nèi)部失效模式失效現(xiàn)象可能失效原因案例圖示預(yù)防措施2、過電流驅(qū)動使用,加速芯片老化,芯片發(fā)光效率下降——在額定電流內(nèi)使用LED3、ESD損傷,IR嚴重上升或是有其他電路通道導(dǎo)通分走一部分電流做好ESD防護工作
4.閃爍1、膠體受外力作用,金球、二焊點不完全剝離,伴隨著熱脹冷縮時而接觸時而剝離(開路),或是金線坍塌,處于臨界短路狀態(tài)避免膠體受強的外力作用;SMT設(shè)備的吸嘴尺寸選用要合適;嚴格控制LED制程,防止LED金線坍塌2、驅(qū)動電源故障,產(chǎn)生間接性電流——通過示波器檢測然后排除故障三、L/B不良解析1.1、點燈不可的不良現(xiàn)象
a、整體燈條點燈不可亮
b、1串(或者2串)點燈不亮
c、閃爍1、廠內(nèi)以101NC05L/B失效案例分析1.2、不良可能原因分析
2.1、FPC折傷引起斷路
2.2、FPC與燈條連接處接觸不良
2.3、LED單個顆粒焊點不良
2.4、燈條上電容焊點不良
2.5、金手指凹槽處斷裂(顯微鏡下看)
2.6、LED燈珠內(nèi)部失效FPC折傷FPC與燈條連接處斷焊點不良金手指凹槽處斷外觀檢查光學(xué)顯微鏡電性測量福祿克萬用表1.3、廠內(nèi)L/B失效分析儀器簡介圖1.8光學(xué)顯微鏡圖1.7Fluck18B型號萬用表三、L/B不良解析三、L/B不良解析小結(jié):通過萬用表、光學(xué)顯微鏡可解析確認FPC折傷引起斷路、FPC與燈條連接處接觸不良、LED單個顆粒焊點不良、燈條上電容焊點不良等L/B失效項目,并能確認LED內(nèi)部失效引起的L/B點燈不可的顆粒單體。但目前廠內(nèi)仍無法解析LED內(nèi)部失效原因。2.LED內(nèi)部失效分析失效樣品保存外觀檢查性能測試開封、制樣定位失效點2.1LED內(nèi)部失效分析流程物理分析確定失效機理內(nèi)部分析故障模擬分析2.2LED失效分析過程對應(yīng)分析儀器簡介外觀檢查光學(xué)顯微鏡、金相顯微鏡、掃描顯微鏡無損分析X射線透視儀、掃描聲學(xué)顯微鏡(C-SAM)電測探針臺、示波器、LCR測試儀、半導(dǎo)體參數(shù)測試儀開封、制樣開封機、腐蝕機、切割機理化分析掃描電子顯微鏡(SEM)、透射電子顯微鏡(TEM)能譜分析儀(EDS)三、L/B不良解析三、L/B不良解析1)
LED無損成品X-Ray設(shè)備簡介及效果圖三、L/B不良解析2)
Decap(開封)設(shè)備簡介及LED開封效果酸開封機三、L/B不良解析3)
電子掃面顯微鏡簡介及LED開封后掃描效果總結(jié)1)在LED的失效案例中,很大部分是金線連接部分出現(xiàn)問題,作業(yè)過程中需克服由金線引起的失效風(fēng)險。2)
LED是恒流驅(qū)動器件,恒壓驅(qū)動長期使用會極大影響LED的壽命。過電壓過電流沖擊、使用也很大可能會造成LED的失效,應(yīng)在LED的額定電流內(nèi)使用。3)LED是溫度敏感器件,結(jié)溫升高會影響
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