北方華創(chuàng)深度解析：半導(dǎo)體設(shè)備先鋒-構(gòu)筑泛半導(dǎo)體平臺

北方華創(chuàng)深度解析：半導(dǎo)體設(shè)備先鋒_構(gòu)筑泛半導(dǎo)體平臺

一、國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備先鋒，以設(shè)備為核心構(gòu)筑泛半導(dǎo)體平臺

1．國有控股半導(dǎo)體設(shè)備龍頭，四大業(yè)務(wù)板塊布局泛半導(dǎo)體賽道

北方華創(chuàng)由七星電子和北方微電子于2016年戰(zhàn)略重組而成，經(jīng)過多年內(nèi)生外延發(fā)展，北方華創(chuàng)已經(jīng)成為我國產(chǎn)品線最全面的半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)龍頭，是當(dāng)前設(shè)備領(lǐng)域國產(chǎn)替代的主力軍。

七星電子：公司成立于2001年，產(chǎn)品包括集成電路制造設(shè)備和電子元器件兩大類：1）集成電路制造設(shè)備包括薄膜沉積設(shè)備、清洗機(jī)、立式氧化爐等半導(dǎo)體設(shè)備，以及光伏設(shè)備、鋰離子電池設(shè)備等泛半導(dǎo)體設(shè)備，主要應(yīng)用于集成電路、太陽能電池、TFT-LCD以及電力電子等行業(yè)；2）高精密電子元器件類產(chǎn)品主要應(yīng)用于包括航空航天在內(nèi)的特種行業(yè)，公司為國內(nèi)軍工電子元器件研發(fā)生產(chǎn)的骨干企業(yè)。

北方微電子：公司成立于2001年，重點(diǎn)發(fā)展刻蝕機(jī)、PVD和CVD三大類集成電路設(shè)備，設(shè)備市場應(yīng)用領(lǐng)域涵蓋IC制造、先進(jìn)封裝、半導(dǎo)體照明（LED）、微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）、功率半導(dǎo)體、光通訊、化合物半導(dǎo)體等應(yīng)用領(lǐng)域。

北方華創(chuàng)：2015年兩大公司同一實(shí)際控制人北京電控啟動資產(chǎn)重組，將北方微電子整合為七星電子的全資子公司。2016年合并之后公司產(chǎn)品種類和應(yīng)用領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)較大拓展，在電子裝備和電子元器件兩大行業(yè)不變的前提下，已有業(yè)務(wù)重新整合劃分成半導(dǎo)體設(shè)備、真空裝備、新能源鋰電裝備和高精密電子元器件四大業(yè)務(wù)板塊。之后公司于2018年和2020年收購美國Akrion和北廣科技射頻應(yīng)用技術(shù)，強(qiáng)化公司在清洗設(shè)備和射頻領(lǐng)域的競爭力。公司通過發(fā)行股份的方式募集資金/補(bǔ)充流動資金。通過自主研發(fā)、戰(zhàn)略重組、收購等方式公司逐步搭建起以IC制造設(shè)備為核心的泛半導(dǎo)體平臺，是當(dāng)前國內(nèi)泛半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)平臺型企業(yè)。

公司半導(dǎo)體裝備、真空裝備、新能源鋰電裝備和高精密電子元器件四大產(chǎn)品線并行，構(gòu)成平臺化布局。公司四大產(chǎn)品線交由公司控股子公司分別承擔(dān)運(yùn)營，構(gòu)成公司主要營收來源。

半導(dǎo)體裝備：半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)務(wù)以北方微電子的資產(chǎn)及業(yè)務(wù)為基礎(chǔ)，整合公司原有高端半導(dǎo)體裝備業(yè)務(wù)形成，當(dāng)前主要由子公司北方華創(chuàng)微電子承擔(dān)。公司21H1營收為24.95億元，占比69.16%。產(chǎn)品包括刻蝕設(shè)備、薄膜沉積設(shè)備（PCV、CVD、ALD）、氧化擴(kuò)散設(shè)備、清洗設(shè)備、氣體測量設(shè)備、紫外固化設(shè)備、移載傳送設(shè)備、輔助設(shè)備和相關(guān)備品備件。產(chǎn)品主要應(yīng)用于集成電路、光伏電池、先進(jìn)封裝、功率器件、化合物半導(dǎo)體等領(lǐng)域。

真空裝備：真空裝備業(yè)務(wù)主要由北京北方華創(chuàng)真空技術(shù)有限公司承擔(dān)，北京北方華創(chuàng)真空技術(shù)有限公司是由七星電子工業(yè)爐分公司全資注入成立。產(chǎn)品包括釬焊工藝設(shè)備、晶體生長設(shè)備、熱處理工藝設(shè)備、燒結(jié)工藝設(shè)備、磁性材料設(shè)備，產(chǎn)品主要應(yīng)用于真空電子、航空航天、光伏等領(lǐng)域。北方華創(chuàng)并未單獨(dú)披露真空裝備業(yè)務(wù)營收情況，而與新能源鋰電裝備業(yè)務(wù)合并披露，21H1兩大業(yè)務(wù)營收為3.30億元，占比9.16%。

新能源鋰電裝備：新能源鋰電裝備業(yè)務(wù)由北京北方華創(chuàng)新能源鋰電裝備技術(shù)有限公司承擔(dān)，北方華創(chuàng)新能源是由七星電子自動化分公司全資注入成立，是一家致力于二次電池設(shè)備研發(fā)和制造的高端裝備企業(yè)。新能源鋰電裝備業(yè)務(wù)產(chǎn)品包括制漿系統(tǒng)、極片涂布機(jī)系列、強(qiáng)力軋膜系列、極片分切機(jī)系列、MES管理系統(tǒng)、鋰電池整線方案設(shè)計(jì)等，產(chǎn)品主要用于鋰離子電池極片制造和鋰電池整線生產(chǎn)。

高精密電子元器件：高精密電子元器件以七星電子為平臺，由旗下多家電子元器件生產(chǎn)單位整合而來，當(dāng)前由七星華創(chuàng)精密電子科技有限責(zé)任公司承擔(dān)，公司21H1營收為7.73億元，占比21.43%。產(chǎn)品包括電源模塊、晶體器件、精密電阻器、微波組件、鉭電容器。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于鐵路交通、自動控制、精密儀器儀表等領(lǐng)域。

公司股權(quán)結(jié)構(gòu)相對集中，北京電控為實(shí)際控制人，公司為國有控股企業(yè)。北京電控直接持有公司10.47%的股份，并通過全資子公司七星集團(tuán)間接持有公司35.89%的股份，合計(jì)持有股份46.36%。而北京電控由北京市國資委實(shí)際控制，因此公司為國有控股企業(yè)。國際集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金股份有限公司持有公司7.92%的股份。公司四大產(chǎn)品線主要交由北方華創(chuàng)微電子、北方華創(chuàng)真空和七星華創(chuàng)精密三家控股子公司運(yùn)營。

2．營收和利潤加速增長，合同銷售&存貨季度環(huán)比持續(xù)提升彰顯在手訂單充足

公司歷史營收表現(xiàn)出穩(wěn)定增長態(tài)勢，2016年和2018年之后分別呈現(xiàn)營收加速趨勢。2010-2015年七星電子尚未與北方微電子重組，該階段中公司營收增速相對遲緩，CAGR為0.89%，主要由于下游設(shè)備投資趨緩，設(shè)備類業(yè)務(wù)收入同比下滑。2016年起公司營收增速提升，2016-2017年CAGR為17.07%，主要由于兩家公司戰(zhàn)略重組成功，推出北方華創(chuàng)新品牌，公司在半導(dǎo)體設(shè)備市場份額提升。2018年公司營收增速進(jìn)一步提升，2018-2020年公司CAGR為22.14%，主要由于半導(dǎo)體設(shè)備國產(chǎn)化替代浪潮掀起，公司作為設(shè)備行業(yè)龍頭充分受益。

2021前三季度公司營收增長進(jìn)一步提速，主要系下游幾大業(yè)務(wù)線景氣度共振。2021前三季度公司營收達(dá)61.73億元，超越去年全年?duì)I收，同比提升60.95%，高增長態(tài)勢持續(xù)，主要得益于電子裝備和電子元器件兩大核心業(yè)務(wù)的高速成長。2021上半年中電子裝備業(yè)務(wù)營收為28.26億元，同比提升63.83%，業(yè)務(wù)收入占比78.32%，主要系下游晶圓廠和封測廠加速擴(kuò)產(chǎn)，同時光伏行業(yè)景氣度較高，帶來泛半導(dǎo)體設(shè)備需求量大幅提升；電子元器件業(yè)務(wù)營收為7.73%，同比提升75.28%，主要系下游特種行業(yè)景氣度較高以及公司推出高精尖新品。

半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)務(wù)為公司主要營收來源，但電子元器件業(yè)務(wù)貢獻(xiàn)主要利潤。公司年報將營收拆分成電子裝備業(yè)務(wù)和電子元器件兩大產(chǎn)品線，但三大子公司分別承擔(dān)半導(dǎo)體設(shè)備、真空和鋰電裝備以及精密電子元器件業(yè)務(wù)線，子公司收入和利潤體量可以更細(xì)致地反映出不同產(chǎn)品線經(jīng)營趨勢。

收入端：半導(dǎo)體設(shè)備營收占大頭且貢獻(xiàn)主要營收增速。2020年半導(dǎo)體設(shè)備營收41.55億元，營收占比高達(dá)68.9%，且2017-2020年?duì)I收CAGR達(dá)到44.60%，是公司收入增長核心驅(qū)動力。相較之下，元器件和真空設(shè)備收入占比為19.3%和11.8%，2017-2020年?duì)I收CAGR分別為34.32%和20.33%。

利潤端：電子元器件貢獻(xiàn)60%以上利潤。半導(dǎo)體設(shè)備和真空設(shè)備凈利潤占比較小，2020年分別為27.95%和10.84%。相較之下，電子元器件雖然營收體量小，但利潤占比高，2020年達(dá)到61.21%，為公司主要凈利潤來源。電子元器件收入占比較小，但利潤占比較高的主要原因是由于部分電子元器件應(yīng)用于自動控制等特種行業(yè)領(lǐng)域，且近年來公司不斷推出毛利率更高的高精尖新品，因此電子元器件毛利率較高且呈上升趨勢，2021H1達(dá)到73.32%，貢獻(xiàn)了主要的利潤。

公司毛利率在40%左右，凈利率在10%左右，電子元器件產(chǎn)品部分用于特定領(lǐng)域毛利率高。

1）整體上看，2016-2020年公司毛利率在35%-41%之間波動；凈利率水平較低，僅在7%-13%之間波動，主要系研發(fā)費(fèi)用和管理費(fèi)用率較高，2021前三季度研發(fā)和管理費(fèi)用率占比合計(jì)達(dá)24.6%。21Q3單季度公司毛利率為37.83%，環(huán)比下降7.68pcts，主要系公司半導(dǎo)體設(shè)備出貨較多，而半導(dǎo)體設(shè)備相較電子元器件毛利率較低，另外公司在21Q3加大研發(fā)投入，開發(fā)支出達(dá)33.13億元，較上半年增加7億元。

2）分業(yè)務(wù)毛利率來看，電子裝備業(yè)務(wù)毛利率位于30%-40%區(qū)間，21H1為34.90%。而電子元器件產(chǎn)品部分面向特種領(lǐng)域，且不斷推出高精尖新品，毛利率較高，21H1毛利率高達(dá)73.32%。

3）分業(yè)務(wù)凈利率來看：半導(dǎo)體設(shè)備和真空設(shè)備凈利率偏低，21H1分別為2.67%和10.69%，且該部分業(yè)務(wù)有較高的政府補(bǔ)貼，因此扣非凈利潤有可能虧損。根據(jù)2017年公司年報披露，鋰電設(shè)備凈利潤為負(fù)，凈利率為-17.57%（2018年以后未單獨(dú)披露鋰電設(shè)備凈利潤情況）。公司電子元器件產(chǎn)品主要應(yīng)用于包括航空航天在內(nèi)等下游領(lǐng)域，且由于公司不斷推出高端新品，業(yè)務(wù)毛利率較高且有進(jìn)一步提升的趨勢，21H1達(dá)到73.32%，由于精密電子元器件研發(fā)投入較多，電子元器件凈利率約35%，但仍遠(yuǎn)高于半導(dǎo)體設(shè)備和真空設(shè)備凈利率。

公司期間費(fèi)用率多在30%-40%之間，隨著經(jīng)營規(guī)模擴(kuò)大期間費(fèi)用率略有下滑。2017-2020年公司期間費(fèi)用從9.47億元上升至18.32億元，其中2018-2020年公司股權(quán)激勵費(fèi)用分別為0.17/0.33/3.09億元。但公司期間費(fèi)用率仍從42.61%下滑至30.25%，2021前三季度繼續(xù)下滑至30.02%。公司期間費(fèi)用率整體呈下滑趨勢主要原因系公司經(jīng)營規(guī)模快速擴(kuò)大拉低費(fèi)用率，反映了公司經(jīng)營效率的提升。

高研發(fā)費(fèi)用率下公司利潤承壓，營收提升以及政府補(bǔ)助為公司利潤恢復(fù)增長主因。2010-2015年歸母凈利潤和扣非歸母凈利潤整體呈下滑態(tài)勢，主要由于營收增長遲緩，以及研發(fā)費(fèi)用率較高。2016年研發(fā)費(fèi)用率從4.85%大幅提升至36.06%，但同年公司獲得3.78億元政府補(bǔ)助，部分抵消了研發(fā)費(fèi)用率上升帶來的影響?？鄢a(bǔ)助等非經(jīng)常性損益之后同年歸母凈利潤仍為負(fù)值。2017-2020年公司歸母凈利潤保持穩(wěn)定增長，主要得益于公司營收大幅提升、獲得高額政府補(bǔ)助以及研發(fā)費(fèi)用率逐步下滑。公司扣非歸母凈利潤回正并穩(wěn)步提升。2021前三季度公司歸母凈利潤達(dá)6.58億元，同比提升101.57%；扣非歸母凈利潤5.25億元，同比大幅提升200.95%，利潤端表現(xiàn)進(jìn)一步改善。

以銷定產(chǎn)模式下，公司合同負(fù)債和存貨增長彰顯在手訂單充足。21Q3公司合同負(fù)債達(dá)到47.43億元，較2021上半年增加7.6億元；21Q3存貨71.61億元，較2021上半年增加4.47億元。公司采用以銷定產(chǎn)的生產(chǎn)模式，收到客戶訂單之后再根據(jù)客戶要求進(jìn)行定制化生產(chǎn)，公司庫存商品經(jīng)過客戶驗(yàn)收之后形成公司收入。因此合同負(fù)債和存貨增加反映公司在手訂單充足，訂單趨勢向好，未來業(yè)績釋放值得期待。

3．持續(xù)投入高額研發(fā)，股權(quán)激勵留住高端人才

半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)具有極高的技術(shù)壁壘，因此每年的研發(fā)投入是半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)最主要的費(fèi)用來源，ASML、AMAT和LAM等海外巨頭每年研發(fā)投入都在10-20億美元，ASML甚至在2020年超過了25億美元，相較之下，北方華創(chuàng)研發(fā)投入為3億美元，絕對數(shù)值上比海外巨頭低很多，但研發(fā)投入占比卻遠(yuǎn)高于海外巨頭（北方華創(chuàng)高于20%，海外巨頭多在10%-15%之間），這主要由于公司前期經(jīng)營規(guī)模較小，研發(fā)投入未能很好的被營收攤薄。未來隨著北方華創(chuàng)設(shè)備規(guī)模提升，研發(fā)投入占比將逐步向海外巨頭靠攏。

公司研發(fā)投入中部分進(jìn)行資本化處理，資本化比例相對較高，避免了短期對利潤造成過大壓力。公司毛利率水平僅30%-40%，而研發(fā)投入占比高達(dá)25%-30%，因此，高額的研發(fā)投入對利潤造成較大侵蝕。為此公司在研發(fā)投入處理中進(jìn)行了一部分資本化操作（2019/2020年資本化研發(fā)投入占總研發(fā)投入比例為62%/65%）。新會計(jì)準(zhǔn)則中企業(yè)研發(fā)支出資本化需要滿足一定條件并給出相應(yīng)證明，包括開發(fā)具有技術(shù)可行性、以使用和出售為主要意圖、存在相應(yīng)的市場、有足夠的資源支持開發(fā)完成、開發(fā)支出可以可靠計(jì)量等，也即進(jìn)行資本化處理的部分已有一定的技術(shù)和市場支持，開發(fā)成功并投入市場的可能性較高。

公司研發(fā)投入數(shù)額高，將部分滿足資本化條件的研發(fā)支出進(jìn)行資本化處理可以避免高額研發(fā)投入導(dǎo)致企業(yè)利潤大幅度縮水的情況，有助于維護(hù)企業(yè)融資能力，助力企業(yè)創(chuàng)新。研發(fā)資本化投入轉(zhuǎn)為無形資產(chǎn)進(jìn)行攤銷，2016-2020年無形攤銷費(fèi)用占營收比例不斷降低，從6%降至3%，21H1無形資產(chǎn)攤銷費(fèi)用為1.18億元，占總營收比例為3.3%，未來隨著收入體量提升，攤銷費(fèi)用占比影響會逐漸減小。

公司研發(fā)團(tuán)隊(duì)超千人，研發(fā)實(shí)力位居A股半導(dǎo)體企業(yè)前列。2016-2020年公司研發(fā)團(tuán)隊(duì)規(guī)模保持在千人以上，2020年研發(fā)人員高達(dá)1415人，同比增加294人。公司員工中本科及以上學(xué)歷達(dá)50.73%，整體研發(fā)實(shí)力強(qiáng)勁。隨著公司經(jīng)營規(guī)模擴(kuò)大公司研發(fā)團(tuán)隊(duì)也不斷壯大，為公司發(fā)展提供創(chuàng)新力量支撐，加快公司產(chǎn)品技術(shù)迭代。

公司推行股權(quán)激勵計(jì)劃，將員工利益與公司利益深度綁定，留住高端人才，提高員工積極性。2018、2019年公司進(jìn)行了兩輪股權(quán)激勵。

1）激勵對象/獲授股票期權(quán)/行權(quán)價格：2018年所公布的激勵方案中，共計(jì)341人獲授450萬份股票期權(quán)，行權(quán)價格為35.39元/股，預(yù)計(jì)產(chǎn)生期權(quán)成本共計(jì)3601萬元。2019年所公布的激勵方案中，共計(jì)360人獲得450萬份股票期權(quán)，共計(jì)88人獲授450萬份限制性股票，行權(quán)價格分別為69.20元/股和34.60元/股，預(yù)計(jì)產(chǎn)生期權(quán)成本共計(jì)2.30億元（2018-2020年公司股權(quán)激勵費(fèi)用分別為0.17/0.33/3.09億元）。

2）行權(quán)條件：行權(quán)年度設(shè)置業(yè)績考核目標(biāo)，要求該年度營收基于公告時間上一個完整年度年均復(fù)合增長率≥25%、EOE（凈資產(chǎn)現(xiàn)金回報率）≥12%；研發(fā)支出營收占比不低于8%，專利申請不低于200件。期權(quán)的行權(quán)條件達(dá)成，則激勵對象按照計(jì)劃規(guī)定行權(quán)。

公司期權(quán)激勵方案覆蓋近800名核心技術(shù)骨干和管理人員，大大增強(qiáng)了優(yōu)秀人才的凝聚力，為公司經(jīng)營業(yè)績的持續(xù)增長提供了有力的人才保障。

公司定增85億元用于半導(dǎo)體裝備前沿技術(shù)的開發(fā)以及半導(dǎo)體裝備和電子元器件產(chǎn)業(yè)化能力的快速提升。2021年4月公司發(fā)布非公開發(fā)行股票預(yù)案，8月24日獲得證監(jiān)會核準(zhǔn)批復(fù)。公司本次定增募資計(jì)劃投入“半導(dǎo)體裝備產(chǎn)業(yè)化基地?cái)U(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目（四期）”、“高端半導(dǎo)體裝備研發(fā)項(xiàng)目”和“高精密電子元器件產(chǎn)業(yè)化基地?cái)U(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目（三期）”的建設(shè)。未來半導(dǎo)體設(shè)備和電子元器件擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后產(chǎn)品放量，兩大業(yè)務(wù)營收和利潤有望提升。同時公司加碼高端半導(dǎo)體裝備的研發(fā)也有助于強(qiáng)化在該領(lǐng)域的競爭優(yōu)勢。

半導(dǎo)體裝備產(chǎn)業(yè)化基地?cái)U(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目（四期）：項(xiàng)目新建生產(chǎn)廠房、生產(chǎn)測試樓、原材料庫等，產(chǎn)品為集成電路設(shè)備（包括刻蝕設(shè)備、薄膜沉積設(shè)備、立式爐設(shè)備、清洗設(shè)備、退火設(shè)備及外延設(shè)備等）、新興半導(dǎo)體設(shè)備、半導(dǎo)體照明（LED）設(shè)備和光伏設(shè)備。項(xiàng)目完全達(dá)產(chǎn)后，預(yù)計(jì)年平均銷售收入為74.60億元，項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)年平均利潤總額8.07億元，財(cái)務(wù)內(nèi)部收益率為16.21%（稅后）、總投資靜態(tài)回收期為7.09年（含建設(shè)期）、動態(tài)回收期為10.25年（含建設(shè)期）。

高端半導(dǎo)體裝備研發(fā)項(xiàng)目：改造研發(fā)實(shí)驗(yàn)室，購置研發(fā)用設(shè)備及軟件，開展下一代高端半導(dǎo)體裝備產(chǎn)品技術(shù)的研發(fā)，包括先進(jìn)邏輯核心工藝設(shè)備、先進(jìn)存儲核心工藝設(shè)備、先進(jìn)封裝核心工藝設(shè)備、新興半導(dǎo)體核心工藝設(shè)備、Mini/MicroLED核心工藝設(shè)備和先進(jìn)光伏核心工藝設(shè)備。項(xiàng)目投資周期為5年。

高精密電子元器件產(chǎn)業(yè)化基地?cái)U(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目（三期）。在馬坊精密元器件產(chǎn)業(yè)基地內(nèi)建設(shè)兩棟生產(chǎn)廠房及相關(guān)配套設(shè)施，新建面積71755平方米，并購置實(shí)驗(yàn)及生產(chǎn)運(yùn)營設(shè)備。項(xiàng)目預(yù)計(jì)形成量產(chǎn)22萬只高精密石英晶體振蕩器和2000萬只特種電阻的生產(chǎn)能力。項(xiàng)目完全達(dá)產(chǎn)后，預(yù)計(jì)達(dá)產(chǎn)年年平均銷售收入為4.43億元，項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)年平均利潤總額1.33億元，財(cái)務(wù)內(nèi)部收益率為13.20%（稅后）、總投資靜態(tài)回收期為7.80年（含建設(shè)期）、動態(tài)回收期為11.23年（含建設(shè)期）。

二、全球設(shè)備景氣度持續(xù)向好，本土設(shè)備廠商充分受益于國產(chǎn)替代

1．全球代工廠上修Capex，本土晶圓廠加速擴(kuò)產(chǎn)

代工龍頭產(chǎn)能利用率及資本支出維持較高水平。據(jù)Gartner預(yù)測，2021年全球半導(dǎo)體資本支出將達(dá)1419億美元，同比增長28.4%。自20Q3全球晶圓廠產(chǎn)能緊張以來，產(chǎn)能利用率基本維持在100%以上，全球主流晶圓廠均大幅提升2021年資本支出，TSMC將2021年資本支出從250-280億美金上修至300億美金，UMC也將2021年資本支出從15億美金上修到30億美金，SMIC和華虹2021年資本支出分別預(yù)計(jì)達(dá)43/14億美元。

北美及日本半導(dǎo)體設(shè)備出貨額不斷創(chuàng)歷史新高。1）北美：2021年以來半導(dǎo)體設(shè)備出貨額突破30億美元，9月份出貨額小幅升高達(dá)37.2億美元，為本年單月次高水準(zhǔn)，2021年前三季度半導(dǎo)體設(shè)備出貨額同比增長47.3%。2）日本：2021年5月份達(dá)到3000億日元高峰后略有回調(diào)，目前依舊保持在2700億日元高位，2021年前三季度半導(dǎo)體設(shè)備出貨金額同比增長29.2%。3）SEMI預(yù)估2021年全球半導(dǎo)體設(shè)備銷售總額將達(dá)到953億美元，同比提升34%；根據(jù)SEAJ數(shù)據(jù)，2021上半年全球半導(dǎo)體設(shè)備出貨額達(dá)485億美元，同比+49.8%，預(yù)估21Q3出貨額達(dá)272億美元，同比+39%，同時SEMI預(yù)計(jì)2022年設(shè)備市場有望突破1000億美元大關(guān)。

中國大陸設(shè)備出貨金額持續(xù)提升，21Q2占比位居全球第一。從18Q1到21Q2，全球半導(dǎo)體設(shè)備銷售額（季度）從169.9億美元提升至248.7億美元，中國大陸市場占比從15.54%提升至33.03%，大陸設(shè)備銷售額不斷增加。2020Q2、Q3、Q4中國大陸設(shè)備市場規(guī)模位居全球第一，進(jìn)入2021年，全球存儲需求復(fù)蘇，半導(dǎo)體設(shè)備市場規(guī)?？焖贁U(kuò)大，21Q1韓國設(shè)備銷售額占比領(lǐng)先全球，但在21Q2，中國大陸反超韓國，設(shè)備季度出貨金額達(dá)82.2億美元，占比位居全球第一。

中國半導(dǎo)體設(shè)備進(jìn)口額保持同比正向增長。根據(jù)中國海關(guān)總署數(shù)據(jù)，自2021年以來，中國半導(dǎo)體設(shè)備進(jìn)口額保持每月同比增加，2021年9月中國進(jìn)口半導(dǎo)體設(shè)備金額為26.8億美元，同比+10%，雖然自2021年7月以來增速有所放緩，但國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備整體展現(xiàn)高景氣度。

國內(nèi)代工和存儲廠商擴(kuò)產(chǎn)力度持續(xù)，國內(nèi)設(shè)備需求季度環(huán)比提升。根據(jù)各公司所發(fā)布的公開信息，長存、長鑫、中芯國際、華虹、士蘭微等存儲、代工及IDM企業(yè)持續(xù)推進(jìn)產(chǎn)能擴(kuò)張，將帶來半導(dǎo)體設(shè)備需求持續(xù)提升。

2．全球封測自20Q3迎來行業(yè)拐點(diǎn)，本輪缺貨行情加劇產(chǎn)能緊張

封測行業(yè)具有重資產(chǎn)屬性，我們通過日月光、安靠、長電科技、通富微電和華天科技全球5家主要封測廠的存貨周轉(zhuǎn)天數(shù)、固定資產(chǎn)周轉(zhuǎn)率、資本支出、營收與毛利率的綜合對比發(fā)現(xiàn)，本輪高景氣行情仍在持續(xù)。

封測從20Q3迎來行業(yè)拐點(diǎn)。封測行業(yè)整體呈上升趨勢，2018年為行業(yè)低谷期，2019年年中行業(yè)迎來拐點(diǎn)，2020年疫情影響全球封測廠開工率，但自20Q3開始，中國大陸疫情好轉(zhuǎn)帶來下游需求復(fù)蘇，全球主要廠商營收穩(wěn)步上升，整體同比增速保持20%以上。平均毛利率和凈利率持續(xù)上行，達(dá)到兩年來的最高點(diǎn)，21Q2全球主要封測廠毛利率凈利率分別環(huán)比增長2.4pcts和3.9pcts。平均存貨周轉(zhuǎn)天數(shù)自20Q2開始持續(xù)下降，固定資產(chǎn)周轉(zhuǎn)率維持高位。

受益于本輪芯片缺貨與產(chǎn)能緊張，大陸封測廠業(yè)績表現(xiàn)良好。本輪缺貨行情自20Q3起，下游訂單增多帶來芯片供不應(yīng)求，封測產(chǎn)能持續(xù)緊張，大陸封測廠商業(yè)績持續(xù)向好，21Q2長電科技/通富微電/華天科技分別實(shí)現(xiàn)營收71/38/30億元，同比分別提升13%/53%/49%，環(huán)比也均有提升，同時產(chǎn)品漲價和產(chǎn)能利用率提升帶來毛利率提升。

封測與代工是上下游的關(guān)系，二者景氣度具有強(qiáng)相關(guān)，代工拉動封測景氣度持續(xù)。從中國臺灣月度晶圓代工銷售額來看，2021年6月晶圓代工銷售額明顯環(huán)比提升，表明代工資本支出加大，擴(kuò)產(chǎn)仍在進(jìn)行，封測產(chǎn)值仍將相應(yīng)上行。另外，封測主要廠商也紛紛對未來景氣度表示看好，日月光21Q2法說會表明，21H1實(shí)現(xiàn)營收2464億新臺幣（50%為封測），同比+20%，產(chǎn)能持續(xù)緊缺，長約已簽至2023年，預(yù)計(jì)明年毛利率創(chuàng)造歷史新高，2023年才有望達(dá)到供需平衡；安靠預(yù)計(jì)21H2產(chǎn)能利用率基本滿載，收入、利潤將進(jìn)一步創(chuàng)歷史記錄。

封測設(shè)備龍頭廠商訂單充足，BB指標(biāo)維持高位。一般而言，封測景氣周期來臨前封測廠商會購買設(shè)備擴(kuò)產(chǎn)，ASMPacific全球最大的封測設(shè)備廠商，訂單金額自20Q3起逐步上升，訂單出貨比例（Book-to-Bill，BB指標(biāo)）在20Q3達(dá)到1.06后，連續(xù)4個季度保持1以上，在21Q1達(dá)到1.8，反映大廠持續(xù)采購封測設(shè)備，封測景氣度高漲。21Q2訂單金額環(huán)比有所回落，但BB指標(biāo)仍然為1.59高水平，封測景氣度仍在持續(xù)。

大陸主要封測廠紛紛擴(kuò)產(chǎn)。大陸封測廠商紛紛定增擴(kuò)產(chǎn)，長電科技2020年8月定增50億元，主要用于年產(chǎn)36億顆高密度集成電路及系統(tǒng)級封裝模塊項(xiàng)目和年產(chǎn)100億塊通信用高密度混合集成電路及模塊封裝項(xiàng)目；通富微電2020年11月定增33億元，主要用于封測二期、車載品智能封測及高性能處理器封測等項(xiàng)目建設(shè)。大陸主要封測廠商并未披露資本支出，我們用投資性現(xiàn)金流中的購建固定資產(chǎn)、無形資產(chǎn)和其他長期資產(chǎn)支付的現(xiàn)金替代，該項(xiàng)指標(biāo)自20Q3以來整體呈環(huán)比上行趨勢。

3.光伏等新能源上游擴(kuò)產(chǎn)增多，光伏設(shè)備量價齊升

從硅料到光伏組件，對應(yīng)核心設(shè)備為還原爐、單晶硅直拉爐、切片機(jī)、電池片設(shè)備及組件自動化設(shè)備等，根據(jù)CPIA數(shù)據(jù)，2020年中國地面式光伏成本中設(shè)備占比達(dá)12%。

受益于光伏裝機(jī)需求不斷提升，上游硅料擴(kuò)產(chǎn)增多。根據(jù)硅業(yè)分會統(tǒng)計(jì)，2020年全球光伏裝機(jī)量為120GW左右，2021年預(yù)計(jì)達(dá)140~150GW。根據(jù)CPIA統(tǒng)計(jì)，中國光伏新增裝機(jī)量自2019年來持續(xù)上升，預(yù)計(jì)2021年達(dá)58GW，2019年全國多晶硅產(chǎn)量達(dá)34.2萬噸，預(yù)計(jì)到2025年我國多晶硅年產(chǎn)量達(dá)到102萬噸。同時，國內(nèi)光伏廠商積極擴(kuò)產(chǎn)，通威發(fā)行可轉(zhuǎn)債募資，用于樂山二期高純晶硅項(xiàng)目、包頭二期高純晶硅項(xiàng)目和15GW單晶拉棒切方項(xiàng)目的建設(shè)；隆基發(fā)行可轉(zhuǎn)債募資79億元，主要用于西咸樂葉年產(chǎn)15GW單晶高效單晶電池項(xiàng)目、寧夏樂葉年產(chǎn)5GW單晶高效電池項(xiàng)目。

電池片技術(shù)升級帶來光伏設(shè)備價值量提高。單晶電池相較多晶電池的產(chǎn)品效率更高，主要應(yīng)用PERC技術(shù)，所需單晶爐等設(shè)備價值量也更高。根據(jù)CPIA數(shù)據(jù)，2020年，新建量產(chǎn)產(chǎn)線仍以PERC電池產(chǎn)線為主，隨著PERC電池片新產(chǎn)能持續(xù)釋放，PERC電池片市場占比進(jìn)一步提升至86.4%。

國內(nèi)光伏設(shè)備廠受益于高景氣行情。捷佳偉創(chuàng)2021年2月發(fā)布定增公告，擬募集25億元，其中10億元用于建設(shè)新型電池濕法設(shè)備和薄膜CVD基地建設(shè)，兩年后達(dá)產(chǎn)，每年將新增20GWPERC+新型電池濕法設(shè)備，新增20GWHJT濕法設(shè)備及薄膜CVD。其中3.3億元用于建設(shè)HJT電池鍍膜設(shè)備產(chǎn)線，2年后達(dá)產(chǎn)，年新增50套；中環(huán)半導(dǎo)體宜興大硅片二期項(xiàng)目于2021年1月啟動，需要進(jìn)口和國產(chǎn)設(shè)備分別為52/50臺，同時擬啟動天津擴(kuò)產(chǎn)和內(nèi)蒙古擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目，晶盛機(jī)電為中環(huán)核心設(shè)備供應(yīng)商且持有中環(huán)領(lǐng)先10%股份，將充分受益于下游擴(kuò)產(chǎn)。

4．國產(chǎn)設(shè)備廠商季度收入同比增長加速，合同負(fù)債和存貨創(chuàng)歷史新高

2020年以來國內(nèi)設(shè)備廠商季度營收維持同比高增長趨勢，高景氣行情下在手訂單充足。在下游晶圓廠加速擴(kuò)產(chǎn)情況下，國內(nèi)廠商一方面季度營收同比增速不斷加速，一方面存貨和合同負(fù)債不斷增多，反映在手訂單充足。我們統(tǒng)計(jì)北方華創(chuàng)、中微公司、至純科技、華峰測控和芯源微五家國內(nèi)主要設(shè)備廠商數(shù)據(jù)，合計(jì)季度營收同比增速在21Q2達(dá)到71.4%，同時進(jìn)入2021年來，五家積極備貨、預(yù)收款大幅增加，截止21Q2合同負(fù)債合計(jì)達(dá)57.8億元，存貨合計(jì)達(dá)120.7億元，分別同比大幅增加71.5%/47.6%，在手訂單充足反映高景氣行情。

三、內(nèi)生外延覆蓋多產(chǎn)業(yè)線，平臺化布局優(yōu)勢顯著

1．國內(nèi)產(chǎn)品品類和應(yīng)用領(lǐng)域覆蓋最廣的半導(dǎo)體裝備旗艦平臺

公司平臺化布局主要表現(xiàn)在泛半導(dǎo)體多賽道平臺化布局和IC設(shè)備多品類平臺化布局。

1）公司覆蓋多產(chǎn)品線，形成四大業(yè)務(wù)板塊布局。公司以IC設(shè)備制造為核心延伸至電子元器件、真空、設(shè)備鋰電裝備業(yè)務(wù)。早在戰(zhàn)略重組之前，七星電子便開啟了平臺化建設(shè)之旅。公司早期業(yè)務(wù)包括IC設(shè)備制造、混合電路和電子元器件，其中設(shè)備制造業(yè)務(wù)主要面向半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)，在此基礎(chǔ)上延伸到太陽能電池、TFT-LCD、MEMS等行業(yè)。而混合集成電路和電子元件主要為包括航空、航天在內(nèi)的軍工行業(yè)提供系列配套產(chǎn)品。戰(zhàn)略重組使得公司產(chǎn)品線布局更加廣泛，主要業(yè)務(wù)包括電子裝備和電子元器件兩大類，劃分為半導(dǎo)體設(shè)備、真空設(shè)備、鋰電設(shè)備和高精密電子元器件四大業(yè)務(wù)板塊。

2）公司單一產(chǎn)品線品類豐富，形成豐富而有競爭力的產(chǎn)品體系。以半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)品為例，公司已研發(fā)并生產(chǎn)刻蝕機(jī)、PVD、CVD、ALD、氧化/擴(kuò)散爐、退火爐、清洗機(jī)、紫外固化等半導(dǎo)體設(shè)備。近年來前瞻布局第三代半導(dǎo)體，已經(jīng)形成SiC生產(chǎn)設(shè)備。公司目前已經(jīng)形成從長晶爐到刻蝕、濺射、退火氧化爐在內(nèi)的豐富產(chǎn)品線，已經(jīng)和三安光電、臺積電、中芯國際國內(nèi)龍頭企業(yè)展開合作。與國內(nèi)企業(yè)相比，公司是國內(nèi)產(chǎn)品品類布局最廣泛的半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)。相比之下，海外巨頭應(yīng)用材料在氧化擴(kuò)散、刻蝕、薄膜沉積、拋光、檢測領(lǐng)域均有廣泛布局，而國內(nèi)其他公司目前僅在某些單一設(shè)備領(lǐng)域有較強(qiáng)競爭力，例如中微的刻蝕設(shè)備和MOCVD設(shè)備，以及盛美的清洗和電鍍設(shè)備，至純的清洗設(shè)備。

2．半導(dǎo)體設(shè)備：刻蝕、薄膜沉積和氧化擴(kuò)散三大核心產(chǎn)品線加速迭代放量

半導(dǎo)體設(shè)備主要由北方華創(chuàng)微電子負(fù)責(zé)，北方華創(chuàng)微電子由原七星電子的半導(dǎo)體裝備相關(guān)業(yè)務(wù)與原北方微電子的全部業(yè)務(wù)整合而成。公司產(chǎn)品涵蓋：等離子刻蝕（Etch）、物理氣相沉積（PVD）、化學(xué)氣相沉積（CVD）、氧化/擴(kuò)散、清洗、退火等半導(dǎo)體工藝裝備；平板顯示制造裝備和氣體質(zhì)量流量控制器等核心零部件。其中刻蝕設(shè)備、薄膜沉積設(shè)備和氧化擴(kuò)散設(shè)備為近年來公司業(yè)務(wù)增長引擎。

（1）刻蝕設(shè)備：重點(diǎn)布局硅刻蝕和金屬刻蝕，2020年ICP刻蝕累計(jì)交付超過1000腔

干法刻蝕為主流的刻蝕技術(shù)。等離子干法刻蝕技術(shù)是利用等離子體進(jìn)行薄膜微細(xì)加工的技術(shù)。在典型的干法刻蝕工藝過程中，一種或多種氣體原子或分子混合于反應(yīng)腔室中，在外部能量作用下（如射頻、微波等）形成等離子體，干法刻蝕技術(shù)由于具有良好的各向異性和工藝可控性已被廣泛應(yīng)用于微電子產(chǎn)品制造領(lǐng)域。

等離子體刻蝕設(shè)備市場增長迅速，2021年預(yù)計(jì)達(dá)到179億美元。小線寬下采用多重模版工藝，3D結(jié)構(gòu)下增加疊堆層數(shù)等因素使得制造過程中刻蝕次數(shù)增加，對刻蝕的要求也提高，刻蝕設(shè)備市場需求持續(xù)提升。據(jù)Gartner21Q2數(shù)據(jù)，19-22年全球刻蝕設(shè)備市場預(yù)計(jì)從109億美元提升至197億美元，CAGR為15.95%，其中2021年預(yù)計(jì)達(dá)到179億美元。細(xì)分產(chǎn)品來看，2020年CCP市場規(guī)模約48億美元，ICP市場規(guī)模約76億美元。近年來線寬下降，線寬控制和精度要求提升，ICP相較CCP優(yōu)勢明顯，占比提升。

市場高度集中，國外寡頭壟斷刻蝕設(shè)備市場，北方華創(chuàng)在大陸刻蝕市場保持領(lǐng)先。根據(jù)Gartner統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，2020年，前三大廠商泛林半導(dǎo)體、東京電子及應(yīng)用材料合計(jì)占有全球干法刻蝕設(shè)備領(lǐng)域90.24%的市場份額，市場高度集中。而在國內(nèi)，北方華創(chuàng)在大陸刻蝕設(shè)備市場份額排名前五，國內(nèi)廠商僅次于中微。憑借在等離子體控制、反應(yīng)腔室設(shè)計(jì)、刻蝕工藝技術(shù)、軟件技術(shù)的積累與創(chuàng)新，北方華創(chuàng)微電子在集成電路、半導(dǎo)體照明、微機(jī)電系統(tǒng)、先進(jìn)封裝、功率半導(dǎo)體等領(lǐng)域可提供高端裝備及工藝解決方案。形成了對硅、介質(zhì)、化合物半導(dǎo)體、金屬等多種材料的刻蝕能力，其中應(yīng)用于集成電路領(lǐng)域較先進(jìn)的硅刻蝕機(jī)已突破14nm技術(shù)，進(jìn)入主流芯片代工廠，其余各類產(chǎn)品也憑借其優(yōu)異的工藝性能成為了客戶的優(yōu)選。

北方華創(chuàng)在刻蝕機(jī)領(lǐng)域保持國內(nèi)領(lǐng)先，主要專注于硅刻蝕和金屬刻蝕。公司刻蝕機(jī)關(guān)鍵設(shè)備達(dá)到28nm制程，硅刻蝕機(jī)、金屬刻蝕機(jī)處于14nm工藝驗(yàn)證階段。2017年公司8英寸鋁金屬刻蝕機(jī)進(jìn)入代工廠產(chǎn)線，打破了8英寸刻蝕機(jī)被國際廠商長期壟斷的局面，同時公司推出12英寸TiN硬掩膜刻蝕機(jī)，可應(yīng)用在28-14nm邏輯制程中。公司刻蝕機(jī)通過國內(nèi)多家龍頭廠商的驗(yàn)證，得到大規(guī)模應(yīng)用，2020年ICP刻蝕機(jī)累計(jì)交付超過1000腔，進(jìn)入中芯紹興、華虹等公司產(chǎn)線。

公司2021年刻蝕設(shè)備訂單持續(xù)向好，進(jìn)入華虹、中芯和積塔等主流廠商供應(yīng)體系。根據(jù)國內(nèi)主要晶圓廠商招標(biāo)數(shù)據(jù)，截止2021年10月份北方華創(chuàng)共獲得16個刻蝕設(shè)備訂單，客戶包括華虹宏力、華虹無錫、中芯（紹興）等，公司刻蝕設(shè)備訂單銷售情況良好。

（2）薄膜沉積設(shè)備：CuBSPVD打破AMAT壟斷，下游新客戶加速導(dǎo)入

薄膜沉積指通過物理或化學(xué)等方在基片上沉積各種材料的過程，常見的有物理氣相沉積（PVD）、化學(xué)沉積（CVD）及原子層沉積（ALD）等各種方法。據(jù)MaximizeMarketResearch數(shù)據(jù)，2017~2020年全球薄膜沉積設(shè)備市場規(guī)模CAGR為11.2%，2020年達(dá)172億美元，其中PECVD、ALD及濺射PVD為最主要設(shè)備，合計(jì)占比達(dá)63%。

制程從亞微米、90nm進(jìn)步到45nm及以下過程中，薄膜密度和純度不斷提高，PVD及CVD設(shè)備不斷進(jìn)步。PVD分為真空蒸鍍和濺射鍍膜設(shè)備，初期以真空鍍膜為主，工藝相對簡單，濺射鍍膜可制備更均勻致密的薄膜，并且純度更高；CVD設(shè)備從用于亞微米的低壓化學(xué)氣相沉積（LPCVD）發(fā)展到主要用于90nm及以下的等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD），再到可用于14/7nm等先進(jìn)制程的原子層沉積（ALD），ALD為PECVD的改進(jìn)，成本更低、純度更高，廣泛應(yīng)用于CMOS器件、存儲芯片、TSV封裝等領(lǐng)域。

目前薄膜沉積設(shè)備市場為國外壟斷。國外廠商在設(shè)備領(lǐng)域布局較早，技術(shù)積累深厚，目前占據(jù)主要市場份額。根據(jù)Gartner數(shù)據(jù)，2020年全球CVD市場CR3占比為70%，均為國外廠商，PVD市場應(yīng)用材料一家獨(dú)大，占比約85%。

北方華創(chuàng)PVD工藝國內(nèi)領(lǐng)先。公司自主研發(fā)13款PVD產(chǎn)品，其中自主設(shè)計(jì)的exiTinH630TiN金屬硬掩膜PVD是國內(nèi)首臺專門針對55~28nm制程的12寸金屬硬掩膜設(shè)備，實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)28nm后端金屬硬掩膜的突破；公司28nm的TiNHardmaskPVD進(jìn)入國際供應(yīng)鏈體系，目前制程進(jìn)步到14nm；公司14nmCuBSPVD于2016年開始研發(fā)，并于2020年初進(jìn)入長江存儲的采購名單，成功打破AMAT的壟斷。

北方華創(chuàng)CVD設(shè)備同時覆蓋功率、光伏等，實(shí)現(xiàn)多領(lǐng)域布局。目前LPCVD設(shè)備部分產(chǎn)品在國內(nèi)SMIC先進(jìn)工藝生產(chǎn)線實(shí)現(xiàn)突破，PECVD設(shè)備主要用于光伏電池片等生產(chǎn)，大幅節(jié)約電能成本。如HORISP8571A管式PECVD設(shè)備單臺可滿足160MW之類以上的產(chǎn)能需求。

（3）氧化/擴(kuò)散設(shè)備：立式爐產(chǎn)品具有獨(dú)特優(yōu)勢，市場訂單量大幅提升

氧化（Oxidation）是將硅片放置于氧氣或水汽等氧化劑的氛圍中進(jìn)行高溫?zé)崽幚?，在硅片表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)形成氧化膜的過程，是集成電路工藝中應(yīng)用較廣泛的基礎(chǔ)工藝之一。氧化膜的用途廣泛，可作為離子注入的阻擋層及注入穿透層（損傷緩沖層）、表面鈍化、絕緣柵材料以及器件保護(hù)層、隔離層、器件結(jié)構(gòu)的介質(zhì)層等等。擴(kuò)散（Diffusion）是在高溫條件下，利用熱擴(kuò)散原理將雜質(zhì)元素按工藝要求摻入硅襯底中，使其具有特定的濃度分布，達(dá)到改變材料的電學(xué)特性，形成半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的目的。

在硅集成電路工藝中，擴(kuò)散工藝用于制作PN結(jié)或構(gòu)成集成電路中的電阻、電容、互連布線、二極管和晶體管等器件。退火（Anneal）也叫熱退火，集成電路工藝中所有在氮?dú)獾炔换顫姎夥罩羞M(jìn)行熱處理的過程都可稱為退火，其作用主要是消除晶格缺陷和消除硅結(jié)構(gòu)的晶格損傷。為了使金屬（Al和Cu）和硅基行成良好的基礎(chǔ)，以及穩(wěn)定Cu配線的結(jié)晶結(jié)構(gòu)并去除雜質(zhì)，從而提高配線的可靠性，通常需要把硅片放置在惰性氣體或氬氣的環(huán)境中進(jìn)行低溫?zé)崽幚?，這個過程被稱為合金（Alloy）。

北方華創(chuàng)立式氧化爐具備獨(dú)特優(yōu)勢。隨著集成電路制造工藝要求的提高，特征尺寸不斷縮小，對高端集成電路工藝處理設(shè)備的需求也越來越強(qiáng)烈。相比較傳統(tǒng)爐管設(shè)備，立式氧化爐具備其獨(dú)特優(yōu)勢：高效生產(chǎn)性能，高精度溫度控制性能，良好成膜均勻性能，先進(jìn)顆?？刂萍夹g(shù)，完整的工廠自動化接口等。

立式爐產(chǎn)品市場開拓順利，2021年氧化擴(kuò)散設(shè)備訂單同比大幅提升。THEORIS立式爐產(chǎn)品目前擁有氧化、退火、化學(xué)氣相沉積、原子層沉積四種工藝系列，具備高精度溫度控制能力、嚴(yán)格的金屬污染控制能力以及穩(wěn)定的傳輸控制能力。2020年，THEORIS立式爐產(chǎn)品第100臺出廠交付。截止2021年10月份，氧化擴(kuò)散已中標(biāo)37臺，接近去年全年中標(biāo)數(shù)量，主要客戶包括武漢新芯、浙江創(chuàng)芯、長江存儲、華虹無錫等。

3．真空裝備：推進(jìn)高端真空裝備研發(fā)，成功進(jìn)入國際供應(yīng)鏈體系

真空裝備業(yè)務(wù)主要由北京北方華創(chuàng)真空技術(shù)有限公司承擔(dān)，北京北方華創(chuàng)真空技術(shù)有限公司是由七星電子工業(yè)爐分公司全資注入成立，公司擁有真空熱處理設(shè)備、氣氛保護(hù)熱處理設(shè)備、連續(xù)式熱處理設(shè)備和晶體生長設(shè)備四大類產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于新能源、新材料、真空電子、航空航天和磁性材料等領(lǐng)域。

北方華創(chuàng)真空2001年之前屬原電子部700廠（國營北京建中機(jī)器廠），上世紀(jì)60年代就為國內(nèi)多條電子管生產(chǎn)線提供真空爐、氫氣爐、排氣臺等核心工藝裝備，奠定了中國真空電子管制造產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)。90年代北方華創(chuàng)真空曾是中國主要的彩色顯像管制造裝備研制企業(yè)，所生產(chǎn)的排氣爐、退火爐、封接爐、老練等40余種關(guān)鍵設(shè)備大批量替代進(jìn)口，對中國彩色電視機(jī)國產(chǎn)化貢獻(xiàn)卓著。90年代中后期，隨著國家電網(wǎng)的升級換代，真空開關(guān)替代傳統(tǒng)油開關(guān)，北方華創(chuàng)真空為真空開關(guān)管企業(yè)研制了陶瓷金屬化燒結(jié)爐及一次封排真空釬焊爐等核心設(shè)備，成為中國先進(jìn)的真空開關(guān)管裝備供應(yīng)商。

2000年以后，隨著光伏行業(yè)的發(fā)展，北方華創(chuàng)真空又開始研發(fā)光伏行業(yè)用的單晶爐產(chǎn)品，目前已成為國內(nèi)主要的單晶爐制造企業(yè)之一，所研制出的具有大裝爐量、高自動化程度特性的單晶爐，為全球先進(jìn)的單晶硅材料制造商西安隆基提供了絕大部分產(chǎn)能供應(yīng)。此外，隨著磁性材料行業(yè)的發(fā)展，公司開發(fā)的真空速凝爐（甩帶爐）、氫化爐、真空燒結(jié)爐等，性能均處于國內(nèi)外同行先進(jìn)水平。幾十年來，北方華創(chuàng)真空公司一直擔(dān)當(dāng)著中國高端真空裝備研發(fā)和制造先進(jìn)企業(yè)的角色，為中國高端裝備的國產(chǎn)化做出了卓越的貢獻(xiàn)。

公司真空裝備應(yīng)用在真空電子、新材料、磁性材料、航空航天和光伏PV多個領(lǐng)域。

真空電子：真空電子器件包括電子管、微波管、X射線管等有源器件和真空滅弧室等無源器件，廣泛應(yīng)用于廣播通信、電力電子、雷達(dá)導(dǎo)航、醫(yī)學(xué)診斷治療等領(lǐng)域。其中真空滅弧室作為中高壓電器設(shè)備的核心部件，決定著電網(wǎng)的性能。北方華創(chuàng)自主研發(fā)的VBE系列一次封排爐、HSF系列金屬化燒結(jié)爐已正式進(jìn)入真空滅弧室主流制造商并持續(xù)獲得批量訂單。VBE系列真空釬焊爐進(jìn)入南亞市場，并獲得跨國公司西門子訂單，成功進(jìn)入國際供應(yīng)鏈體系；VBV系列真空釬焊爐獲得法國客戶訂單，正式進(jìn)軍歐洲市場；北方華創(chuàng)VBE系列真空釬焊爐已被國內(nèi)真空弧室先進(jìn)企業(yè)作為指定工藝裝備供應(yīng)商，并形成戰(zhàn)略合作關(guān)系。

新材料：隨著科技技術(shù)發(fā)展，人們在傳統(tǒng)材料的基礎(chǔ)上，根據(jù)現(xiàn)代科技的研究成果，開發(fā)出新材料。新材料包括高強(qiáng)鋼筋、特種玻璃、稀有金屬材料、稀土功能材料、復(fù)合材料、太陽能電池材料、儲氫材料、固體氧化物電池材料等。北方華創(chuàng)開發(fā)VS系列真空燒結(jié)爐、HS系列氣氛燒結(jié)爐應(yīng)用于高端儲能材料、VB系列真空釬焊爐應(yīng)用于光電子材料、真空燒結(jié)爐應(yīng)用于光電探測材料，氫氣燒結(jié)爐、CPF系列推板爐應(yīng)用于關(guān)鍵電子材料和新型功能陶瓷材料，真空燒結(jié)爐、氫氣燒結(jié)爐、真空熱處理爐、輥道爐應(yīng)用于新型金屬功能材料，為客戶提供完善的工藝設(shè)備解決方案。

磁性材料：磁性材料是電子工業(yè)的基礎(chǔ)功能材料，分為鐵氧體、稀土釹鐵硼和其他磁性材料等，主要應(yīng)用于風(fēng)電、電子、計(jì)算機(jī)、通訊、醫(yī)療、家電、軍事等領(lǐng)域，而釹鐵硼磁性能位于多種磁性材料前列，數(shù)倍于鐵氧體。特別是高性能釹鐵硼，可以在滿足較高磁性能要求的前提下，更高程度地實(shí)現(xiàn)小型化、輕量化。伴隨新能源汽車和機(jī)器人工業(yè)的發(fā)展帶來的需求增長，高性能釹鐵硼材料有望迎來黃金發(fā)展期。在磁性材料領(lǐng)域，北方華創(chuàng)自主研發(fā)的MME系列真空速凝爐（甩帶爐）、CVS系列連續(xù)式真空燒結(jié)爐、氫化爐等產(chǎn)品已獲得國內(nèi)多家磁性材料領(lǐng)域知名客戶的認(rèn)可和批量訂單，為高性能釹鐵硼材料的制造提供工藝解決方案。

航天航空：航空航天制造業(yè)的發(fā)展是當(dāng)今高科技的綜合利用，是集現(xiàn)代科學(xué)技術(shù)成果之大成，其發(fā)展水平標(biāo)志著國家高端制造技術(shù)水平，對整個裝備制造業(yè)的發(fā)展起著引領(lǐng)作用，而航空發(fā)動機(jī)更被譽(yù)為“工業(yè)皇冠上的明珠”。航空發(fā)動機(jī)制造需要尖端的材料、熱處理工藝、制造工藝等。北方華創(chuàng)為此行業(yè)提供了用于釬焊、燒結(jié)和熱處理等一系列工藝設(shè)備，替代了進(jìn)口設(shè)備，推進(jìn)了裝備國產(chǎn)化進(jìn)程。

光伏PV：能源短缺和環(huán)境污染已成為影響經(jīng)濟(jì)社會發(fā)展的重要因素，能否獲得無污染的能源成為當(dāng)今社會關(guān)注的焦點(diǎn)之一。太陽能作為一種潔凈的可再生能源得到了越來越多的重視。太陽能電池被認(rèn)為是解決能源衰竭和環(huán)境污染等一系列重大問題的優(yōu)選。經(jīng)過近10年的持續(xù)改進(jìn)和技術(shù)升級換代，北方華創(chuàng)對硅材料制備關(guān)鍵設(shè)備的單晶爐進(jìn)行了升級換代，裝料量實(shí)現(xiàn)了從50KG到300KG里程碑式的跨越。NVT-HG系列直拉單晶爐以其高性價比、高穩(wěn)定性、高產(chǎn)、高效、節(jié)能等優(yōu)勢，成為太陽能單晶硅片制造商的優(yōu)選，不斷獲得重復(fù)訂單，并助力客戶成為國際知名單晶