《集成電路設(shè)計基礎(chǔ)1-5》復(fù)習(xí)題2022_第1頁
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《集成電路設(shè)計基礎(chǔ)1-5》復(fù)習(xí)題2022某某某某某某某某某某某某某某《集成電路設(shè)計基礎(chǔ)》復(fù)習(xí)題（某某某某某某某某某某某某某某某1．按原理、工藝、結(jié)構(gòu)、實現(xiàn)方法、用途的不同，集成電路主要有哪些分類？全定制IC驟？雙極型IC集成NPNNPN管的有源PNPNPN的有源PNPECLECL5．什么是MOSIC的“場區(qū)寄生MOSFET”？其產(chǎn)NPN電極串聯(lián)電阻RCS，在其版圖和工藝設(shè)計上主要可采取那些相應(yīng)措施？7．什么是CMOSCMOSIC8．基區(qū)硼擴散電阻的計算公式3.3），其最小條寬設(shè)計設(shè)計（特別是P54PA,ma某與WR,ma），如：電阻值R=10k，方塊電阻RS=100/□，允許最大耗散功率PA,ma=10W/cm22V，擴散電阻條寬度WL。9．在雙極和硅柵MOSIC（交叉）互連的技術(shù)和方法主要有哪些？單元IC特性參數(shù)是什么？能針對反相器單元，給出其簡單的定義和描述。能定性地畫出典型雙極TTLECL工作原理。TTL其對器件的噪容特性有什么影響？在五管和六管單元TTLfT2>fT5，試14．請說明五管單元TTL態(tài)和截止瞬態(tài)對電阻R3TTL六管單元TTLTTL的穩(wěn)定性以及速度三個方面有何改進？為什么？圖示說明為什么普通具有“圖騰柱”輸出結(jié)構(gòu)的TTLOC電路各有什么優(yōu)缺點？SBDSTTLIC（SCT本原理）？六管STTLT1之BCSBD中，大規(guī)模TTLIC表現(xiàn)在哪里？MOS（靜、動態(tài)）以各種方式連接構(gòu)成的擴展邏輯線路的功能分析（包括邏輯表達式，各局部電路的結(jié)構(gòu)功能特點）法（針對性）？ECL實現(xiàn)高速度的主要原因是什么？有比MOSMOSβRE/EMOSVOL3．會畫出并分析飽和E/EMOSCMOS效電路和工作軌跡，推倒下降時間tfE/EMOS和上升時間tr，其上升過程為什么會有拖長長的尾巴現(xiàn)象？E/DMOS特性好壞的三個標(biāo)準(zhǔn)是什么？CMOSICCMOS如何？請結(jié)合圖示，分析MOSMOSMOSCOMS上構(gòu)成的相應(yīng)擴展邏輯電路的結(jié)構(gòu)功能分析。不同結(jié)構(gòu)的門電路的下降時間tftr與標(biāo)準(zhǔn)CMOS器下降時間tf升時間tr的關(guān)系，并能

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