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PAGEPAGE3線性電子線路試題一、是非題(一、是非題(20分)1.N型半導(dǎo)體的空穴濃度比本征半導(dǎo)體的空穴濃度大。()2.空穴運動實質(zhì)上是自由電子的反向運動。()3.固定偏置電路RV 不變時,為使Q點脫離飽和區(qū),可減小R。B CC C()4.場效應(yīng)管溫度特性比三極管差,但集成度較高。()5.增強型MOS管同結(jié)型場效應(yīng)管一樣,可采用自偏置方式。()6.溫度升高時三極管參數(shù)、I 、V ,其結(jié)果均使I 。CBO BE(on) CQ()7.一信號源內(nèi)阻較小,若要求負(fù)載變化時輸出電流基本不變,應(yīng)采用電流串聯(lián)負(fù)反饋。)8.放大電路輸出電阻隨負(fù)載電阻的變化而變化。()9.三種組態(tài)電路中,共集電路特點:R大、R小、A1。i o i()10.簡單電容補償技術(shù)是通過降低 增加系統(tǒng)穩(wěn)定性的。()P1(5分)設(shè)二極管為理想器件,V6V,V9V,R3k,試判斷圖示電路中1 2二極管是導(dǎo)通還是截止,并求V 值。AOD1D1D2-V1+R+V2-+V-(15分)圖示電路,已知場效應(yīng)管的
AOO、三極管的、rm
be
及各電阻值,r 與rds ce忽略不計。(1)試指出放大電路由哪兩種組態(tài)組合而成。(2)寫出Ri、Ro、Av的表達式。四(20分)差分放大電路如圖所示,已知60,V 0.7V(1)求I 。BE(on) CQ1 CQ2(2)當(dāng)v100mV,v50mV時,求輸出電壓v。i1 i2 o五(10分圖示電路已知R 750R 1.2kR1kR 4kR1k,E1 E2 S C2 LR10k,設(shè)各電容對交流呈短路,R 、R 忽略不計,試在深度負(fù)反饋條件下估算A 。f B1 B2 vfs六(10分)已知基本放大器中頻增益A103,極點頻率f 1MHz10MHz,I P1 P2f 100MHz,若要求閉環(huán)中頻增益AP3
20dB,試用漸近波特圖判斷電路是否自激。七(10分)圖示電路,集成運放是理想的。已知 vs1
2mV,vs2
4mV,試求輸出電壓v。R2R250kR1100k-+R3100kR450kvs1vv os2八、(10分)由理想運放構(gòu)成的電路如圖所示,寫出v的表達式,并在RR1k,o 1 3RR10k時,計算A值。2 4 vvo1A1Rvo1A1R-+2R1-A2+R3 R4vi2參考答案一、錯、錯、對、錯、錯、對、對、錯、錯、二(1)D管截止,D管導(dǎo)通,V 6V1 2 AO(1)T、T1 2
組成共漏—共發(fā)組合放大器。g R g (2)RR
,RR,AAA
m i2 ( C) m Ci G o C 0V V
v2
1g Rm
rbe2
1gmI
rbe2四、IEE
BE(on) EE0.48REE
CQ1
ICQ2
EE0.242r
rbe2
)26 6.61kI1 (R //
CQ1)
R //RA C vd2 2 R r
34.8, Avc2
C2R
L0.167Bv v
be EEv ic 2
i2 75mV, vid
v vi1
50mV, vo
A vvc2ic
A vvd2id
1.73Vi R 1 R //R
f E2 0.107, A 9.3, A A
L7.47fi io
RRf E2
iifs kfi
vifs
ifs RS六、因相位裕量0,因此電路自激七、vv v 0.5(v -v )1mVo o1 o2 s2 s1R R R R v
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