提升第三代半導體產(chǎn)業(yè)材料制備和產(chǎn)業(yè)化能力

提升第三代半導體產(chǎn)業(yè)材料制備和產(chǎn)業(yè)化能力推動下游應用，拓寬產(chǎn)業(yè)發(fā)展渠道1、搶抓市場機會，推動第三代半導體功率模塊產(chǎn)業(yè)化面向第三代半導體器件在充電樁、電動汽車、家電等應用領域，提升芯片及模塊在電氣性能、散熱設計、可靠性、封裝材料等方面的性能，突破關鍵技術難題，掃清產(chǎn)業(yè)規(guī)模擴大的技術壁壘，加快實現(xiàn)模塊量產(chǎn)，降低生產(chǎn)成本，擴大應用規(guī)模，形成產(chǎn)業(yè)集聚，打造模組開發(fā)應用產(chǎn)業(yè)化的新高地。2、加快國產(chǎn)化第三代半導體產(chǎn)品應用推廣圍繞半導體照明、激光器、電力電子器件、高頻寬帶等具有市場潛力的領域，組織開展第三代半導體產(chǎn)品應用試點示范，加快市場滲透，提升國產(chǎn)化率，推動上中游產(chǎn)品在下游應用的快速驗證，形成以用興業(yè)的良性循環(huán)。培育優(yōu)勢主體，拉動產(chǎn)業(yè)整體規(guī)模快速擴大1、壯大龍頭企業(yè)加大對重點企業(yè)的關注和扶持力度，實行一企一策，協(xié)調解決企業(yè)發(fā)展關鍵制約點。優(yōu)先將符合條件的產(chǎn)業(yè)鏈重點項目納入山東省新舊動能轉換重大項目庫，充分利用好新舊動能轉換政策，進行重點扶持；圍繞SiC、GaN等晶體材料、功率器件和模塊、照明與顯示器件和下游應用等產(chǎn)業(yè)鏈關鍵環(huán)節(jié)，培育壯大細分行業(yè)領軍企業(yè)。2、融通產(chǎn)業(yè)環(huán)節(jié)強化需求牽引的作用，從應用端需求入手，加強從材料、芯片、器件到模塊應用產(chǎn)業(yè)鏈上下游的深度合作。加強省內省外行業(yè)對接合作，精準招引、實施補鏈、延鏈、強鏈項目。沿鏈分批打造規(guī)模大、技術強、品牌響的領航型企業(yè)，培育細分領域的專精特新企業(yè)，促進產(chǎn)業(yè)鏈上下游、大中小企業(yè)緊密配套、融通發(fā)展，有效提升產(chǎn)業(yè)鏈供應鏈的穩(wěn)定性和競爭力。保障措施（一）完善工作機制省工業(yè)和信息化廳會同相關部門做好規(guī)劃的組織實施和監(jiān)測評估等工作，強化統(tǒng)籌協(xié)調，在要素保障、市場需求、政策幫扶等領域精準發(fā)力，形成穩(wěn)定、發(fā)展、提升的長效機制。采取切實有效的政策措施，抓好重點任務落實。各市要結合本地實際，落實相關配套政策。相關行業(yè)組織要充分發(fā)揮橋梁和紐帶作用，協(xié)同推動規(guī)劃的貫徹落實。有關部門、各地方、相關行業(yè)組織要加強第三代半導體產(chǎn)業(yè)推進工作的經(jīng)驗模式總結和宣傳推廣。要督促企業(yè)建立健全生產(chǎn)經(jīng)營全過程安全生產(chǎn)管理制度，守住安全底線。（二）加大資金支持充分發(fā)揮財稅政策的激勵作用，精準扶植產(chǎn)業(yè)發(fā)展。重點支持一批應用市場廣、產(chǎn)業(yè)基礎好、易于快速產(chǎn)業(yè)化的第三代半導體項目，加強產(chǎn)融合作，鼓勵社會資本通過多種方式進入第三代半導體產(chǎn)業(yè)領域。引導第三代半導體產(chǎn)業(yè)與金融資本深度合作，在銀行信貸、股權融資等方面為產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供資本支持，形成財政資金、金融資本、社會資金多方投入的新格局。（三）打造產(chǎn)業(yè)生態(tài)做好與國家有關部門的溝通協(xié)調，加強對第三代半導體產(chǎn)業(yè)重大項目建設的服務和指導，有序引導和規(guī)范產(chǎn)業(yè)發(fā)展，降低重大項目投資風險。組建第三代半導體專家委員會，為產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供決策性服務。成立第三代半導體產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟，充分發(fā)揮社會組織作用，推動產(chǎn)業(yè)鏈上下游交流合作。積極爭取工信部等國家部委支持，承接國際級和國家級重大論壇、展會、賽事等活動，提升行業(yè)影響力。（四）建設多層次人才體系依托省內山東大學等高校、科研院所、國家和省級重點實驗室、重點工程中心、創(chuàng)新中心等機構，打造第三代半導體技術高端人才引進平臺，吸引全球第三代半導體領域高端人才。支持高校、科研院所聯(lián)合企業(yè)設立人才培養(yǎng)基地，不斷增加人才培養(yǎng)數(shù)量、提高人才培養(yǎng)質量。建立健全人才培養(yǎng)、培訓體系，有針對性地培養(yǎng)符合產(chǎn)業(yè)需求的專業(yè)人才。共同開展技術研發(fā)、科技成果轉移轉化，形成科研薪酬激勵和成果轉化激勵機制，完善配套措施及待遇，激發(fā)人才創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)的動力和活力。提升材料制備和產(chǎn)業(yè)化能力加速推進大尺寸SiC、GaN等單晶體材料生長及量產(chǎn)技術，突破SiC、GaN材料大直徑、低應力和低位錯缺陷等關鍵技術，全面提升4-8英寸GaN外延、SiC襯底單晶材料產(chǎn)業(yè)化能力。突破超硬晶體材料切割和拋光等關鍵核心技術，提升4-8英寸SiC、GaN襯底材料精密加工能力。加大對薄膜材料外延生長技術的支持力度，補足第三代半導體外延材料生長環(huán)節(jié)。推動Ga2O3等新一代超寬禁帶半導體材料的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化。指導思想以推動第三代半導體高質量發(fā)展為主線，以應用牽引、技術驅動、協(xié)同創(chuàng)新、綠色發(fā)展為途徑，以骨干企業(yè)為龍頭，以重點產(chǎn)品為依托，以重大項目為抓手，優(yōu)化第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展布局，著力發(fā)展以SiC、GaN為主的第三代半導體材料、器件、模組