半導(dǎo)體物理習(xí)題及解答-劉諾

第一篇 習(xí)題半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)1-1、什么叫本征激發(fā)？溫度越高， 本征激發(fā)的載流子越多， 為什么？試定性說明之。1-2、試定性說明 Ge、Si的禁帶寬度具有負(fù)溫度系數(shù)的原因。1-3、試指出空穴的主要特征。1-4、簡(jiǎn)述GbSi和GaAS勺能帶結(jié)構(gòu)的主要特征。1-5、某一維晶體的電子能帶為其中Eo=3eV,晶格常數(shù)a=5x10-11mr求：能帶寬度；能帶底和能帶頂?shù)挠行з|(zhì)量。第一篇 題解半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)劉諾編1-1、解：在一定溫度下，價(jià)帶電子獲得足夠的能量（＞Eg）被激發(fā)到導(dǎo)帶成為導(dǎo)電電子的過程就是本征激發(fā)。其結(jié)果是在半導(dǎo)體中出現(xiàn)成對(duì)的電子 -空穴對(duì)。如果溫度升高， 則禁帶寬度變窄， 躍遷所需的能量變小， 將會(huì)有更多的電子被激發(fā)到導(dǎo)帶中。1-2、解：電子的共有化運(yùn)動(dòng)導(dǎo)致孤立原子的能級(jí)形成能帶， 即允帶和禁帶。 溫度升高，則電子的共有化運(yùn)動(dòng)加劇，導(dǎo)致允帶進(jìn)一步分裂、變寬；允帶變寬，則導(dǎo)致允帶與允帶之間的禁帶相對(duì)變窄。反之，溫度降低，將導(dǎo)致禁帶變寬。因此， Ge、Si的禁帶寬度具有負(fù)溫度系數(shù)。1-3、解：空穴是未被電子占據(jù)的空量子態(tài)， 被用來描述半滿帶中的大量電子的集體運(yùn)動(dòng)狀態(tài)，是準(zhǔn)粒子。主要特征如下：A、荷正電：+q；B、空穴濃度表示為p（電子濃度表示為n）;EP=-EnmP*=-mn*。1-4、解：Ge、Si:a）Eg（Si：0K）=；Eg（Ge：0K）=；b）間接能隙結(jié)構(gòu)c）禁帶寬度R隨溫度增加而減??；GaAs：a）Eg（300K）第二篇習(xí)題-半導(dǎo)體中的雜質(zhì)和缺陷能級(jí)劉諾編2-1、什么叫淺能級(jí)雜質(zhì)？它們電離后有何特點(diǎn)？2-2、什么叫施主？什么叫施主電離？施主電離前后有何特征？試舉例說明之，并用能帶圖表征出 n型半導(dǎo)體。2-3、什么叫受主？什么叫受主電離？受主電離前后有何特征？試舉例說明之，并用能帶圖表征出 p型半導(dǎo)體。2-4、摻雜半導(dǎo)體與本征半導(dǎo)體之間有何差異？試舉例說明摻雜對(duì)半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能的影響。2-5、兩性雜質(zhì)和其它雜質(zhì)有何異同？2-6、深能級(jí)雜質(zhì)和淺能級(jí)雜質(zhì)對(duì)半導(dǎo)體有何影響？2-7、何謂雜質(zhì)補(bǔ)償？雜質(zhì)補(bǔ)償?shù)囊饬x何在？第二篇題解半導(dǎo)體中的雜質(zhì)與缺陷能級(jí)劉諾編2-1、解：淺能級(jí)雜質(zhì)是指其雜質(zhì)電離能遠(yuǎn)小于本征半導(dǎo)體的禁帶寬度的雜質(zhì)。它們電離后將成為帶正電（電離施主）或帶負(fù)電（電離受主）的離子，并同時(shí)向?qū)峁╇娮踊蛳騼r(jià)帶提供空穴。2-2、解：半導(dǎo)體中摻入施主雜質(zhì)后，施主電離后將成為帶正電離子，并同時(shí)向?qū)峁╇娮樱@種雜質(zhì)就叫施主。施主電離成為帶正電離子（中心）的過程就叫施主電離。施主電離前不帶電，電離后帶正電。例如，在Si中摻P,P為V族元素，本征半導(dǎo)體Si為IV族元素，P摻入Si中后，P的最外層電子有四個(gè)與Si的最外層四個(gè)電子配對(duì)成為共價(jià)電子， 而P的第五個(gè)外層電子將受到熱激發(fā)掙脫原子實(shí)的束縛進(jìn)入導(dǎo)帶成為自由電子。這個(gè)過程就是施主電離。n型半導(dǎo)體的能帶圖如圖所示：其費(fèi)米能級(jí)位于禁帶上方2-3、解：半導(dǎo)體中摻入受主雜質(zhì)后，受主電離后將成為帶負(fù)電的離子，并同時(shí)向價(jià)帶提供空穴，這種雜質(zhì)就叫受主。受主電離成為帶負(fù)電的離子（中心）的過程就叫受主電離。受主電離前帶不帶電，電離后帶負(fù)電。例如，在Si中摻B,B為m族元素，而本征半導(dǎo)體Si為IV族元素，P摻入B中后，B的最外層三個(gè)電子與 Si的最外層四個(gè)電子配對(duì)成為共價(jià)電子，而B傾向于接受一個(gè)由價(jià)帶熱激發(fā)的電子。這個(gè)過程就是受主電離。p型半導(dǎo)體的能帶圖如圖所示：其費(fèi)米能級(jí)位于禁帶下方2-4、解：在純凈的半導(dǎo)體中摻入雜質(zhì)后，可以控制半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。摻雜半導(dǎo)體又分為 n型半導(dǎo)體和 p型半導(dǎo)體。例如，在常溫情況下，本征Si中的電子濃度和空穴濃度均為X1010cm3。當(dāng)在Si中摻入Xl016cm3后，半導(dǎo)體中的電子濃度將變?yōu)閄1016cm3,而空穴濃度將近似為X104cm3。半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子是電子，而少數(shù)載流子是空穴。2-5、解：兩性雜質(zhì)是指在半導(dǎo)體中既可作施主又可作受主的雜質(zhì)。如田-V族GaAs中摻IV族Si。如果Si替位m族As,則Si為施主；如果Si替位V族Ga,則Si為受主。所摻入的雜質(zhì)具體是起施主還是受主與工藝有關(guān)。2-6、解：深能級(jí)雜質(zhì)在半導(dǎo)體中起復(fù)合中心或陷阱的作用。淺能級(jí)雜質(zhì)在半導(dǎo)體中起施主或受主的作用。2-7、當(dāng)半導(dǎo)體中既有施主又有受主時(shí)，施主和受主將先互相抵消，剩余的雜質(zhì)最后電離，這就是雜質(zhì)補(bǔ)償。利用雜質(zhì)補(bǔ)償效應(yīng)， 可以根據(jù)需要改變半導(dǎo)體中某個(gè)區(qū)域的導(dǎo)電類型， 制造各種器件第三篇習(xí)題半導(dǎo)體中載流子的統(tǒng)計(jì)分布劉諾編3-1、對(duì)于某 n型半導(dǎo)體，試證明其費(fèi)米能級(jí)在其本征半導(dǎo)體的費(fèi)米能級(jí)之上。即EFn>EFi。3-2、試分別定性定量說明：在一定的溫度下， 對(duì)本征材料而言， 材料的禁帶寬度越窄， 載流子濃度越高；對(duì)一定的材料，當(dāng)摻雜濃度一定時(shí)，溫度越高，載流子濃度越高。3-3、若兩塊Si樣品中的電子濃度分別為x1010cm3和x1016cm3,試分別求出其中的空穴的濃度和費(fèi)米能級(jí)的相對(duì)位置， 并判斷樣品的導(dǎo)電類型。 假如再在其中都摻入濃度為X1016cm3的受主雜質(zhì)，這兩塊樣品的導(dǎo)電類型又將怎樣？3-4、含受主濃度為x106cm3和施主濃度為x1017cm3的Si材料，試求溫度分別為300K和400K時(shí)此材料的載流子濃度和費(fèi)米能級(jí)的相對(duì)位置。3-5、試分別計(jì)算本征Si在77K、300K和500K下的載流子濃度。3-6、Si樣品中的施主濃度為x1016cm3,試計(jì)算300K時(shí)的電子濃度和空穴濃度各為多少？3-7、某摻施主雜質(zhì)的非簡(jiǎn)并 Si樣品，試求 EF=(EC+ED)/2時(shí)施主的濃度。三篇題解半導(dǎo)體中載流子的統(tǒng)計(jì)分布劉諾編3-1、證明：設(shè)nn為n型半導(dǎo)體的電子濃度，ni為本征半導(dǎo)體的電子濃度。顯然n n>ni即得證。3-2、解：(1)在一定的溫度下，對(duì)本征材料而言，材料的禁帶寬度越窄，則躍遷所需的能量越小，所以受激發(fā)的載流子濃度隨著禁帶寬度的變窄而增加。由公式也可知道， 溫度不變而減少本征材料的禁帶寬度， 上式中的指數(shù)項(xiàng)將因此而增加，從而使得載流子濃度因此而增加。（2）對(duì)一定的材料，當(dāng)摻雜濃度一定時(shí)，溫度越高，受激發(fā)的載流子將因此而增加。由公式可知，這時(shí)兩式中的指數(shù)項(xiàng)將因此而增加，從而導(dǎo)致載流子濃度增加。3-3、解：由得可見，又因?yàn)?，則假如再在其中都摻入濃度為X1016cm3的受主雜質(zhì)，那么將出現(xiàn)雜質(zhì)補(bǔ)償，第一種半導(dǎo)體補(bǔ)償后將變?yōu)?p型半導(dǎo)體， 第二種半導(dǎo)體補(bǔ)償后將近似為本征半導(dǎo)體。答：第一種半導(dǎo)體中的空穴的濃度為 1010cm，費(fèi)米能級(jí)在價(jià)帶上方處；第一種半導(dǎo)體中的空穴的濃度為103cm，費(fèi)米能級(jí)在價(jià)帶上方處。摻入濃度為x1016cm3的受主雜質(zhì)后， 第一種半導(dǎo)體補(bǔ)償后將變?yōu)?p型半導(dǎo)體， 第二種半導(dǎo)體補(bǔ)償后將近似為本征半導(dǎo)體。3-4、解：由于雜質(zhì)基本全電離，雜質(zhì)補(bǔ)償之后，有效施主濃度則300K時(shí)，電子濃度空穴濃度費(fèi)米能級(jí)在400K時(shí)，根據(jù)電中性條件和得到費(fèi)米能級(jí)答：300K時(shí)此材料的電子濃度和空穴濃度分別為x1017cm3和102cm,費(fèi)米能級(jí)在價(jià)帶上方處； 400K時(shí)此材料的電子濃度和空穴濃度分別近似為為 x1017cm-3和108cm,費(fèi)米能級(jí)在價(jià)帶上方處。3-5、解： 假設(shè)載流子的有效質(zhì)量近似不變，則所以，由 ，有答：77K下載流子濃度約為X10-80cm3,300K下載流子濃度約為X109cm3,500K下載流子濃度約為x1014cm3。3-6、解：在300K時(shí)，因?yàn)镹>10n,因此雜質(zhì)全電離n0=N)^x1016cm3答：300K時(shí)樣品中的的電子濃度和空穴濃度分別是x 1016cm3和x103cm3。3-7、解：由于半導(dǎo)體是非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體，所以有電中性條件n0=ND+答：M為二倍M。第四篇習(xí)題-半導(dǎo)體的導(dǎo)電性劉諾編4-1、對(duì)于重?fù)诫s半導(dǎo)體和一般摻雜半導(dǎo)體，為何前者的遷移率隨溫度的變化趨勢(shì)不同？試加以定性分析。4-2、何謂遷移率？影響遷移率的主要因素有哪些？4-3、試定性分析 Si的電阻率與溫度的變化關(guān)系。4-4、證明當(dāng)產(chǎn)保,且電子濃度，空穴濃度時(shí)半導(dǎo)體的電導(dǎo)率有最小值，并推導(dǎo)的表達(dá)式。4-5、0.12kg的Si單晶摻有X10-9kg的Sb,設(shè)雜質(zhì)全部電離，試求出此材料的電導(dǎo)率。（Si單晶的密度為 2.33g/cm3，Sb的原子量為）第四篇題解-半導(dǎo)體的導(dǎo)電性

劉諾編4-1、解：對(duì)于重?fù)诫s半導(dǎo)體，在低溫時(shí)，雜質(zhì)散射起主體作用，而晶格振動(dòng)散射與一般摻雜半導(dǎo)體的相比較， 影響并不大， 所以這時(shí)侯隨著溫度的升高， 重?fù)诫s半導(dǎo)體的遷移率反而增加； 溫度繼續(xù)增加后， 晶格振動(dòng)散射起主導(dǎo)作用， 導(dǎo)致遷移率下降。 對(duì)一般摻雜半導(dǎo)體， 由于雜質(zhì)濃度較低， 電離雜質(zhì)散射基本可以忽略，起主要作用的是晶格振動(dòng)散射，所以溫度越高，遷移率越低。4-2、解：遷移率是單位電場(chǎng)強(qiáng)度下載流子所獲得的漂移速率。影響遷移率的主要因素有能帶結(jié)構(gòu)（載流子有效質(zhì)量） 、溫度和各種散射機(jī)構(gòu)。4-3、解：Si的電阻率與溫度的變化關(guān)系可以分為三個(gè)階段：溫度很低時(shí)， 電阻率隨溫度升高而降低。 因?yàn)檫@時(shí)本征激發(fā)極弱， 可以忽略；載流子主要來源于雜質(zhì)電離，隨著溫度升高，載流子濃度逐步增加，相應(yīng)地電離雜質(zhì)散射也隨之增加， 從而使得遷移率隨溫度升高而增大， 導(dǎo)致電阻率隨溫度升高而降低。溫度進(jìn)一步增加（含室溫） ，電阻率隨溫度升高而升高。在這一溫度范圍內(nèi)，雜質(zhì)已經(jīng)全部電離， 同時(shí)本征激發(fā)尚不明顯， 故載流子濃度基本沒有變化。對(duì)散射起主要作用的是晶格散射， 遷移率隨溫度升高而降低， 導(dǎo)致電阻率隨溫度升高而升高。溫度再進(jìn)一步增加，電阻率隨溫度升高而降低。這時(shí)本征激發(fā)越來越多，雖然遷移率隨溫度升高而降低， 但是本征載流子增加很快， 其影響大大超過了遷移率降低對(duì)電阻率的影響，導(dǎo)致電阻率隨溫度升高而降低。當(dāng)然，溫度超過器件的最高工作溫度時(shí)，器件已經(jīng)不能正常工作了。4-4、證明：得證。4-5、解：故材料的電導(dǎo)率為答：此材料的電導(dǎo)率約為Q-1cm1。第五篇習(xí)題非平衡載流子劉諾編5-1、何謂非平衡載流子？非平衡狀態(tài)與平衡狀態(tài)的差異何在？5-2、漂移運(yùn)動(dòng)和擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)有什么不同？5-3、漂移運(yùn)動(dòng)與擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)之間有什么聯(lián)系？非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體的遷移率與擴(kuò)散系數(shù)之間有什么聯(lián)系？5-4、平均自由程與擴(kuò)散長(zhǎng)度有何不同？平均自由時(shí)間與非平衡載流子的壽命又有何不同？5-5、證明非平衡載流子的壽命滿足，并說明式中各項(xiàng)的物理意義。5-6、導(dǎo)出非簡(jiǎn)并載流子滿足的愛因斯坦關(guān)系。5-7、間接復(fù)合效應(yīng)與陷阱效應(yīng)有何異同？5-8、光均勻照射在6的n型Si樣品上，電子-空穴對(duì)的產(chǎn)生率為4X1021cm3s1,樣品壽命為8^so試計(jì)算光照前后樣品的電導(dǎo)率。5-9、證明非簡(jiǎn)并的非均勻半導(dǎo)體中的電子電流形式為。5-10、假設(shè)Si中空穴濃度是線性分布，在4Nm內(nèi)的濃度差為2X1016cm3,試計(jì)算空穴的擴(kuò)散電流密度。5-11、試證明在小信號(hào)條件下，本征半導(dǎo)體的非平衡載流子的壽命最長(zhǎng)。第五篇題解-非平衡載流子劉諾編5-1、解：半導(dǎo)體處于非平衡態(tài)時(shí)，附加的產(chǎn)生率使載流子濃度超過熱平衡載流子濃度，額外產(chǎn)生的這部分載流子就是非平衡載流子。 通常所指的非平衡載流子是指非平衡少子。熱平衡狀態(tài)下半導(dǎo)體的載流子濃度是一定的， 產(chǎn)生與復(fù)合處于動(dòng)態(tài)平衡狀態(tài)，躍遷引起的產(chǎn)生、復(fù)合不會(huì)產(chǎn)生宏觀效應(yīng)。在非平衡狀態(tài)下，額外的產(chǎn)生、復(fù)合效應(yīng)會(huì)在宏觀現(xiàn)象中體現(xiàn)出來。5-2、解：漂移運(yùn)動(dòng)是載流子在外電場(chǎng)的作用下發(fā)生的定向運(yùn)動(dòng)，而擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)是由于濃度分布不均勻?qū)е螺d流子從濃度高的地方向濃度底的方向的定向運(yùn)動(dòng)。 前者的推動(dòng)力是外電場(chǎng)，后者的推動(dòng)力則是載流子的分布引起的。5-3、解：漂移運(yùn)動(dòng)與擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)之間通過遷移率與擴(kuò)散系數(shù)相聯(lián)系。而非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體的遷移率與擴(kuò)散系數(shù)則通過愛因斯坦關(guān)系相聯(lián)系， 二者的比值與溫度成反比關(guān)系。即5-4、答：平均自由程是在連續(xù)兩次散射之間載流子自由運(yùn)動(dòng)的平均路程。而擴(kuò)散長(zhǎng)度則是非平衡載流子深入樣品的平均距離。 它們的不同之處在于平均自由程由散射決定，而擴(kuò)散長(zhǎng)度由擴(kuò)散系數(shù)和材料的壽命來決定。平均自由時(shí)間是載流子連續(xù)兩次散射平均所需的自由時(shí)間， 非平衡載流子的壽命是指非平衡載流子的平均生存時(shí)間。 前者與散射有關(guān)， 散射越弱， 平均自由時(shí)間越長(zhǎng)；后者由復(fù)合幾率決定，它與復(fù)合幾率成反比關(guān)系。5-5、證明：則在單位時(shí)間內(nèi)減少的非平衡載流子數(shù) =在單位時(shí)間內(nèi)復(fù)合的非平衡載流子數(shù)，即在小注入條件下，P為常數(shù)，解方程(1),得到式中，Ap(0)為t=0時(shí)刻的非平衡載流子濃度。此式表達(dá)了非平衡載流子隨時(shí)間呈指數(shù)衰減的規(guī)律。得證。5-6、證明：假設(shè)這是 n型半導(dǎo)體，雜質(zhì)濃度和內(nèi)建電場(chǎng)分布入圖所示E內(nèi)穩(wěn)態(tài)時(shí)，半導(dǎo)體內(nèi)部是電中性的，Jn=0對(duì)于非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體這就是非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體滿足的愛因斯坦關(guān)系。得證。5-7、答：間接復(fù)合效應(yīng)是指非平衡載流子通過位于禁帶中特別是位于禁帶中央的雜質(zhì)或缺陷能級(jí) Et而逐漸消失的效應(yīng)， Et的存在可能大大促進(jìn)載流子的復(fù)合；陷阱效應(yīng)是指非平衡載流子落入位于禁帶中的雜質(zhì)或缺陷能級(jí) Et中，使在 Et上的電子或空穴的填充情況比熱平衡時(shí)有較大的變化， 從引起AnwAp,這種效應(yīng)對(duì)瞬態(tài)過程的影響很重要。 此外，最有效的復(fù)合中心在禁帶中央， 而最有效的陷阱能級(jí)在費(fèi)米能級(jí)附近。 一般來說， 所有的雜質(zhì)或缺陷能級(jí)都有某種程度的陷阱效應(yīng)，而且陷阱效應(yīng)是否成立還與一定的外界條件有關(guān)。5-8、解：光照前光照后 Ap=G^=(4X1021)(8X10-6)=x1017cm-3則答：光照前后樣品的電導(dǎo)率分別為Q-1cm1和Q—1cm1。5-9、證明：對(duì)于非簡(jiǎn)并的非均勻半導(dǎo)體由于則同時(shí)利用非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體的愛因斯坦關(guān)系，所以得證。5-10、解：答：空穴的擴(kuò)散電流密度為X10-5A/M。5-11、證明：在小信號(hào)條件下，本征半導(dǎo)體的非平衡載流子的壽命而所以本征半導(dǎo)體的非平衡載流子的壽命最長(zhǎng)。得證。第六篇習(xí)題 -金屬和半導(dǎo)體接觸劉諾編6-1、什么是功函數(shù)？哪些因數(shù)影響了半導(dǎo)體的功函數(shù)？什么是接觸勢(shì)差？6-2、什么是 Schottky勢(shì)壘？影響其勢(shì)壘高度的因數(shù)有哪些？6-3、什么是歐姆接觸？形成歐姆接觸的方法有幾種？試根據(jù)能帶圖分別加以分析。6-4、什么是鏡像力？什么是隧道效應(yīng)？它們對(duì)接觸勢(shì)壘的影響怎樣的？6-5、施主濃度為義1016cm3的n型Si與Al形成金屬與半導(dǎo)體接觸，Al的功函數(shù)為，Si的電子親和能為，試畫出理想情況下金屬 -半導(dǎo)體接觸的能帶圖并標(biāo)明半導(dǎo)體表面勢(shì)的數(shù)值。6-6、分別分析 n型和p型半導(dǎo)體形成阻擋層和反阻擋層的條件。6-7、試分別畫出 n型和p型半導(dǎo)體分別形成阻擋層和反阻擋層的能帶圖。6-8、什么是少數(shù)載流子注入效應(yīng)？6-9、某Shottky二極管，其中半導(dǎo)體中施主濃度為x 1016cm3,勢(shì)壘高度為，加上4V的正向電壓時(shí)，試求勢(shì)壘的寬度為多少？6-10、試根據(jù)能帶圖定性分析金屬 -n型半導(dǎo)體形成良好歐姆接觸的原因。第六篇題解-金屬和半導(dǎo)體接觸劉諾編6-1、答：功函數(shù)是指真空電子能級(jí)日與半導(dǎo)體的費(fèi)米能級(jí)Ef之差。影響功函數(shù)的因素是摻雜濃度、溫度和半導(dǎo)體的電子親和勢(shì)。接觸勢(shì)則是指兩種不同的材料由于接觸而產(chǎn)生的接觸電勢(shì)差。6-2、答：金屬與 n型半導(dǎo)體接觸形成阻擋層，其勢(shì)壘厚度隨著外加電壓的變化而變化，這就是 Schottky勢(shì)壘。影響其勢(shì)壘高度的因素是兩種材料的功函數(shù)，影響其勢(shì)壘厚度的因素則是材料（雜質(zhì)濃度等）和外加電壓。6-3、答：歐姆接觸是指其電流 -電壓特性滿足歐姆定律的金屬與半導(dǎo)體接觸。 形成歐姆接觸的常用方法有兩種， 其一是金屬與重?fù)诫s n型半導(dǎo)體形成能產(chǎn)生隧道效應(yīng)的薄勢(shì)壘層， 其二是金屬與 p型半導(dǎo)體接觸構(gòu)成反阻擋層。 其能帶圖分別如下：6-4、答：金屬與半導(dǎo)體接觸時(shí)，半導(dǎo)體中的電荷在金屬表面感應(yīng)出帶電符號(hào)相反的電荷， 同時(shí)半導(dǎo)體中的電荷要受到金屬中的感應(yīng)電荷的庫侖吸引力， 這個(gè)吸引力就稱為鏡像力。能量低于勢(shì)壘頂?shù)碾娮佑幸欢◣茁蚀┻^勢(shì)壘， 這種效應(yīng)就是隧道效應(yīng)。 隧道穿透的幾率與電子的能量和勢(shì)壘厚度有關(guān)。在加上反向電壓時(shí)， 上述兩種效應(yīng)將使得金屬一邊的勢(shì)壘降低， 而且反向電壓越大勢(shì)壘降得越低，從而導(dǎo)致反向電流不飽和。6-5、解：金屬與半導(dǎo)體接觸前、后能帶圖如圖所示答：半導(dǎo)體的表面勢(shì)為-V。6-6、解：1)金屬與n半導(dǎo)體接觸形成阻擋層的條件是Wm>Ws,其接觸后的能帶圖如圖所示：金屬與n半導(dǎo)體接觸形成反阻擋層的條件是Wm<Ws,其接觸后的能帶圖如圖所示：2) 金屬與p半導(dǎo)體接觸形成阻擋層的條件是Wm<Ws,其接觸后的能帶圖如圖所示：金屬與p半導(dǎo)體接觸形成反阻擋層的條件是Wm>Ws,其接觸后的能帶圖如圖所示：6-8、答：當(dāng)金屬與 n型半導(dǎo)體形成整流接觸時(shí)，加上正向電壓，空穴從金屬流向半導(dǎo)體的現(xiàn)象就是少數(shù)載流子注入效應(yīng)。 它本質(zhì)上是半導(dǎo)體價(jià)帶頂附近的電子流向金屬中金屬費(fèi)米能級(jí)以下的空能級(jí)， 從而在價(jià)帶頂附近產(chǎn)生空穴。 小注入