高三化學第一輪復習晶體結(jié)構(gòu)課件

晶體的類型與性質(zhì)高三化學總復習晶體的類型與性質(zhì)高三化學總復習晶體知識回顧：離子晶體原子晶體金屬晶體分子晶體晶體知識回顧：離子晶體原子晶體金屬晶陰、陽離子原子分子金屬陽離子、自由電子離子鍵共價鍵分子間作用力金屬鍵一、四種晶體類型的比較微粒間的作用一定有離子鍵，可能有共價鍵含有極性鍵或非極性鍵含共價鍵或不含任何化學鍵金屬鍵含化學鍵情況陰、陽離子原子分子金屬陽離子、自由電子離子鍵共價鍵分子間作用熔沸點硬度晶體不導電（熔融時導電）除半導體外不導電晶體不導電，水溶液可能導電導電導電性較高高較低有的較高、有的較低硬而脆大小有大有小一、四種晶體類型的比較思考題：離子晶體熔融時能導電，熔融時能導電的晶體一定是離子晶體嗎？熔沸點硬度晶體不導電除半導體外不導電晶體不導電，水溶液可能導常見晶體離子晶體原子晶體分子晶體金屬晶體大多數(shù)鹽強堿某些金屬氧化物金剛石、晶體硅、B、Ge、SiO2、SiC、Si3N4

、BN等金屬單質(zhì)、合金部分非金屬單質(zhì)部分非金屬氧化物非金屬氫化物酸絕大多數(shù)有機物混合型晶體（過渡型晶體）：石墨等共價化合物或單質(zhì)離子化合物金屬單質(zhì)或合金常見離子晶體原子晶體分子晶體金屬晶體大多數(shù)鹽強堿某些金屬氧化二、晶體類型判斷的一般方法1、根據(jù)組成微粒判斷2、根據(jù)物理性質(zhì)判斷例如：硬度、導電性、熔沸點等二、晶體類型判斷的一般方法1、根據(jù)組成微粒判斷例如：硬度、導金剛石＞SiC＞晶體硅三、晶體熔、沸點的比較(一般而言)晶體中微粒間的作用越強，晶體的熔沸點越高晶體熔化是破壞微粒間的相互作用2、離子晶體：晶格能越大，熔沸點越高離子電荷數(shù)越多，離子半徑越小，3、金屬晶體：金屬鍵越強，熔沸點越高金屬陽離子電荷數(shù)越多，離子半徑越小，1、原子晶體：共價鍵越強，熔沸點越高原子半徑越小，4、分子晶體：分子組成與結(jié)構(gòu)相似的,相對分子質(zhì)量越大，分子間作用力越大，熔沸點越高;如果分子間存在氫鍵，由于其作用比分子間作用力強,故熔沸點更高。金剛石＞SiC＞晶體硅三、晶體熔、沸四、常見晶體的微觀結(jié)構(gòu)（1）NaCl晶體（1）鈉離子和氯離子的位置：鈉離子：體心和棱中點；氯離子：面心和頂點，或者反之。（2）每個晶胞含鈉離子、氯離子的個數(shù)計算方法：頂點占1/8；棱占1/4；面心占1/2；體心占1氯離子：鈉離子：

（3）與Na+等距離且最近的Na+、Cl-各有幾個？與Na+等距離且最近的Na+

有：12個與Na+等距離且最近的Cl-有：6個四、常見晶體的微觀結(jié)構(gòu)（1）NaCl晶體（1）鈉離子和氯離子氯化鈉晶體中與Na＋等距離且最近的Cl

－有

6個，它們構(gòu)成的是

體。235461正八面

氯化鈉晶體中與Na＋等距離且最近的Cl－有（1）銫離子和氯離子的位置：（2）每個晶胞含銫離子、氯離子的個數(shù)（2）CsCl晶體銫離子：體心氯離子：頂點；或者反之。銫離子：1個；（3）與銫離子等距離且最近的氯離子、銫離子各有幾個？銫離子：6個氯離子：8個；氯離子：1個（1）銫離子和氯離子的位置：（2）每個晶胞含銫離子、氯離子的8個頂點六個面心是鈣原子，共4個鈣原子；內(nèi)部1/8晶胞體心處為氟，共8個氟原子；氟的配位數(shù)為4，鈣的配位數(shù)為8(3)、CaF2晶體8個頂點六個面心是鈣原子，共4個鈣原子；(3)、CaF2晶體（4）干冰晶體（1）二氧化碳分子的位置：二氧化碳分子位于：體心和棱中點（面心和頂點）（2）每個晶胞含二氧化碳分子的個數(shù)二氧化碳分子的個數(shù)：4個（3）與每個二氧化碳分子等距離且最近的二氧化碳分子有幾個？

12個（4）干冰晶體（1）二氧化碳分子的位置：二氧化碳分子位于：體（5）金剛石（晶體硅）與石墨石墨金剛石晶體構(gòu)型鍵角正四面體、空間網(wǎng)狀原子晶體平面正六邊形、層狀混合晶體109

o28′120

o

（5）金剛石（晶體硅）與石墨石墨金剛石晶體構(gòu)型鍵角正四面體、下圖是石墨晶體結(jié)構(gòu)的俯視圖(1)圖中平均每個六元環(huán)含有_____個碳原子，含有_____個C—C鍵。(2)右圖七個環(huán)的碳原子數(shù)為

個，其計算式為：

_______。

231427

下圖是石墨晶體結(jié)構(gòu)的俯視圖231427（6）二氧化硅晶體二氧化硅中Si－O鍵夾角為109☉28‘，思考：1、硅原子與跟它相連的4個氧原子構(gòu)成的空間構(gòu)型是

。2、Si-O鍵與Si原子的個數(shù)比為

。3、最小的環(huán)由

個原子圍成。正四面體形4

：112（6）二氧化硅晶體二氧化硅中Si－O鍵夾角為109☉28‘

在二氧化硅晶胞中有8個硅原子位于立方晶胞的8個頂角，有6個硅原子位于晶胞的6個面心，還有4個硅原子與16個氧原子在晶胞內(nèi)構(gòu)成4個硅氧四面體，它們均勻錯開排列于晶胞內(nèi)。二氧化硅晶胞圖

在二氧化硅晶胞中有8個硅原子位于立方晶胞的8個頂角，有6個六、金屬晶體原子在二維平面上的兩種放置方式－非密置層和密置層非密置層配位數(shù)為４密置層配位數(shù)為６六、金屬晶體原子在二維平面上的兩種放置方式－非密置層和密置層三維堆積——四種方式金屬晶體的原子堆積模型簡單立方堆積鉀型（體心立方）由非密置層一層一層堆積而成三維堆積——四種方式金屬晶體的原子堆積模型簡單立方堆積鉀型（ＡＢＡＣＢＡ鎂型銅型金屬晶體的兩種最密堆積方式金屬晶體的原子堆積模型ＡＣ鎂型銅型金屬晶體的兩種最密堆積方式金屬晶體的原子堆積模型金屬晶體的四種堆積模型對比金屬晶體的四種堆積模型對比晶體的類型與性質(zhì)高三化學總復習晶體的類型與性質(zhì)高三化學總復習晶體知識回顧：離子晶體原子晶體金屬晶體分子晶體晶體知識回顧：離子晶體原子晶體金屬晶陰、陽離子原子分子金屬陽離子、自由電子離子鍵共價鍵分子間作用力金屬鍵一、四種晶體類型的比較微粒間的作用一定有離子鍵，可能有共價鍵含有極性鍵或非極性鍵含共價鍵或不含任何化學鍵金屬鍵含化學鍵情況陰、陽離子原子分子金屬陽離子、自由電子離子鍵共價鍵分子間作用熔沸點硬度晶體不導電（熔融時導電）除半導體外不導電晶體不導電，水溶液可能導電導電導電性較高高較低有的較高、有的較低硬而脆大小有大有小一、四種晶體類型的比較思考題：離子晶體熔融時能導電，熔融時能導電的晶體一定是離子晶體嗎？熔沸點硬度晶體不導電除半導體外不導電晶體不導電，水溶液可能導常見晶體離子晶體原子晶體分子晶體金屬晶體大多數(shù)鹽強堿某些金屬氧化物金剛石、晶體硅、B、Ge、SiO2、SiC、Si3N4

、BN等金屬單質(zhì)、合金部分非金屬單質(zhì)部分非金屬氧化物非金屬氫化物酸絕大多數(shù)有機物混合型晶體（過渡型晶體）：石墨等共價化合物或單質(zhì)離子化合物金屬單質(zhì)或合金常見離子晶體原子晶體分子晶體金屬晶體大多數(shù)鹽強堿某些金屬氧化二、晶體類型判斷的一般方法1、根據(jù)組成微粒判斷2、根據(jù)物理性質(zhì)判斷例如：硬度、導電性、熔沸點等二、晶體類型判斷的一般方法1、根據(jù)組成微粒判斷例如：硬度、導金剛石＞SiC＞晶體硅三、晶體熔、沸點的比較(一般而言)晶體中微粒間的作用越強，晶體的熔沸點越高晶體熔化是破壞微粒間的相互作用2、離子晶體：晶格能越大，熔沸點越高離子電荷數(shù)越多，離子半徑越小，3、金屬晶體：金屬鍵越強，熔沸點越高金屬陽離子電荷數(shù)越多，離子半徑越小，1、原子晶體：共價鍵越強，熔沸點越高原子半徑越小，4、分子晶體：分子組成與結(jié)構(gòu)相似的,相對分子質(zhì)量越大，分子間作用力越大，熔沸點越高;如果分子間存在氫鍵，由于其作用比分子間作用力強,故熔沸點更高。金剛石＞SiC＞晶體硅三、晶體熔、沸四、常見晶體的微觀結(jié)構(gòu)（1）NaCl晶體（1）鈉離子和氯離子的位置：鈉離子：體心和棱中點；氯離子：面心和頂點，或者反之。（2）每個晶胞含鈉離子、氯離子的個數(shù)計算方法：頂點占1/8；棱占1/4；面心占1/2；體心占1氯離子：鈉離子：

（3）與Na+等距離且最近的Na+、Cl-各有幾個？與Na+等距離且最近的Na+

有：12個與Na+等距離且最近的Cl-有：6個四、常見晶體的微觀結(jié)構(gòu)（1）NaCl晶體（1）鈉離子和氯離子氯化鈉晶體中與Na＋等距離且最近的Cl

－有

6個，它們構(gòu)成的是

體。235461正八面

氯化鈉晶體中與Na＋等距離且最近的Cl－有（1）銫離子和氯離子的位置：（2）每個晶胞含銫離子、氯離子的個數(shù)（2）CsCl晶體銫離子：體心氯離子：頂點；或者反之。銫離子：1個；（3）與銫離子等距離且最近的氯離子、銫離子各有幾個？銫離子：6個氯離子：8個；氯離子：1個（1）銫離子和氯離子的位置：（2）每個晶胞含銫離子、氯離子的8個頂點六個面心是鈣原子，共4個鈣原子；內(nèi)部1/8晶胞體心處為氟，共8個氟原子；氟的配位數(shù)為4，鈣的配位數(shù)為8(3)、CaF2晶體8個頂點六個面心是鈣原子，共4個鈣原子；(3)、CaF2晶體（4）干冰晶體（1）二氧化碳分子的位置：二氧化碳分子位于：體心和棱中點（面心和頂點）（2）每個晶胞含二氧化碳分子的個數(shù)二氧化碳分子的個數(shù)：4個（3）與每個二氧化碳分子等距離且最近的二氧化碳分子有幾個？

12個（4）干冰晶體（1）二氧化碳分子的位置：二氧化碳分子位于：體（5）金剛石（晶體硅）與石墨石墨金剛石晶體構(gòu)型鍵角正四面體、空間網(wǎng)狀原子晶體平面正六邊形、層狀混合晶體109

o28′120

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（5）金剛石（晶體硅）與石墨石墨金剛石晶體構(gòu)型鍵角正四面體、下圖是石墨晶體結(jié)構(gòu)的俯視圖(1)圖中平均每個六元環(huán)含有_____個碳原子，含有_____個C—C鍵。(2)右圖七個環(huán)的碳原子數(shù)為

個，其計算式為：

_______。

231427

下圖是石墨晶體結(jié)構(gòu)的俯視圖231427（6）二氧化硅晶體二氧化硅中Si－O鍵夾角為109☉28‘，思考：1、硅原子與跟它相連的4個氧原子構(gòu)成的空間構(gòu)型是

。2、Si-O鍵與Si原子的個數(shù)比為

。3、最小的環(huán)由

個原子圍成。正四面體形4

：112（6）二氧化硅晶體二氧化硅中Si－O鍵夾角為109☉28‘

在二氧化硅晶胞中有8個硅原子位于立方晶胞的8個頂角，有6個硅原子位于晶胞的6個面心，還有4個硅原子與16個氧原子在晶胞內(nèi)構(gòu)成4個硅氧四面體，它們均勻錯開排列于晶胞內(nèi)。二氧化硅晶胞圖

在二氧化硅晶胞中有8個硅原子位于立方晶胞的8個頂角，