半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)分析

半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)分析1

全球高景氣，晶圓廠積極擴(kuò)產(chǎn)開(kāi)啟設(shè)備向上周期1.1

前道+后道設(shè)備占比達(dá)

80%，大陸市場(chǎng)已迅速崛起芯片制造可分為硅片制造、場(chǎng)效應(yīng)管制作（前道工序，F(xiàn)EOL）、布線（后道工序，BEOL）

和封測(cè)四個(gè)環(huán)節(jié)：1）硅片制造：上游硅晶圓制造公司生產(chǎn)單晶硅棒并將其切割成硅片，使用

CMP設(shè)備對(duì)硅

晶圓進(jìn)行拋光。中游代工廠收到晶圓后對(duì)硅晶圓進(jìn)行濕洗，保證表面沒(méi)有雜質(zhì)，為后續(xù)在其上

完成場(chǎng)效應(yīng)管做好準(zhǔn)備。2）重復(fù)多次光刻、刻蝕、沉積，完成場(chǎng)效應(yīng)管制作：代工廠首先使用

PVD/CVD設(shè)備在晶

圓表面沉積絕緣氧化層，然后使用離心技術(shù)涂光刻膠（涂膠）、根據(jù)芯片結(jié)構(gòu)圖曝光（光刻），

受到強(qiáng)光照部分的光刻膠會(huì)失去其保護(hù)功能（顯影）。接下來(lái)用蝕刻設(shè)備蝕刻暴露的氧化層，

拋光后在裸露的硅中注入不同雜質(zhì)離子（離子注入），使其導(dǎo)電率發(fā)生改變，形成

PN結(jié)。重復(fù)

該流程多次可完成場(chǎng)效應(yīng)管的制作。3）重復(fù)多次光刻、刻蝕、沉積，完成布線：在完成場(chǎng)效應(yīng)管制作后，代工廠使用

PVD/CVD設(shè)備沉積層間絕緣薄膜，拋光后用光刻和蝕刻設(shè)備制作導(dǎo)孔，之后再次使用

PVD/CVD設(shè)備沉積

金屬層，由此形成一層布線，重復(fù)該流程多次可完成芯片電路布線。4）封測(cè)：代工廠使用熱處理系統(tǒng)對(duì)晶圓進(jìn)行鈍化處理，以提高芯片的電學(xué)性能和可靠性，

然后用探針臺(tái)檢測(cè)芯片的電氣特性是否合格。合格的晶圓經(jīng)過(guò)磨削處理后交由封裝廠進(jìn)行切

割、黏貼（把

IC貼到

PCB上）、焊接（IC的引線焊接到

PCB上）、模封。最后對(duì)成品進(jìn)行，

檢測(cè)器件的耐溫性、電氣特性等。前道工序+后道工序使用設(shè)備價(jià)值量最高，從歷史數(shù)據(jù)看，占比接近

80%。在半導(dǎo)體制作

流程中需要用到大量設(shè)備，如硅片制造過(guò)程需要長(zhǎng)晶爐、切割、CMP、清洗等設(shè)備；前端工藝

（場(chǎng)效應(yīng)管的制作）需要

CVD、PVD、涂膠器、光刻機(jī)、顯影機(jī)、蝕刻機(jī)、CMP、離子注入設(shè)備，

后道工藝（布線）與前道工藝設(shè)備相似；封測(cè)環(huán)節(jié)需要用到單晶圓熱處理系統(tǒng)、晶圓探針、研

磨機(jī)、切割機(jī)、芯片焊接機(jī)以及終測(cè)設(shè)備等。前端工藝和后端工序由于“制作難度較高+需重

復(fù)多次”，設(shè)備價(jià)值量在整個(gè)工藝流程中最大。而對(duì)于存儲(chǔ)器件與邏輯器件而言，前道與后道

的設(shè)備價(jià)值又有所不同：存儲(chǔ)器用于存儲(chǔ)，需要更多的特殊結(jié)構(gòu)晶體管以及電容，因此前道設(shè)備價(jià)值占比更高；而邏輯器件用于計(jì)算，需要更多布線層并且不需電容，因而后道設(shè)備價(jià)值占

比更高。歷史看，邏輯、存儲(chǔ)交替帶動(dòng)半導(dǎo)體設(shè)備銷量增長(zhǎng)。1996-2001：1996

年

DRAM泡沫破滅，

此后幾年邏輯芯片成為半導(dǎo)體設(shè)備的主要增長(zhǎng)驅(qū)動(dòng)力。2001-2007：

邏輯芯片由于微縮制程限制，增長(zhǎng)有限，因此

NANDFlash接替成為新增長(zhǎng)動(dòng)力，以東京電子訂單為例，期間每季度約有

40%-70%訂單來(lái)自

DRAM&Flash。2008

年開(kāi)始，代工廠&邏輯芯

片再次成為主要增長(zhǎng)驅(qū)動(dòng)力。2014

年開(kāi)始，存儲(chǔ)周期向上，存儲(chǔ)設(shè)備占比再次提升。具體到設(shè)備類型，刻蝕、光刻、沉積為市場(chǎng)規(guī)模最大的三類。2020

年刻蝕設(shè)備、光刻設(shè)

備、沉積設(shè)備市場(chǎng)空間大小分別為

177、153、142

億美元，占市場(chǎng)占比分別為

25%、20%、20%。

剩余設(shè)備中，用于前道檢測(cè)、后道檢測(cè)、封裝、清潔、離子注入的市場(chǎng)占比分別為

11%、9%、

6%、4%、2%。就地域看，全球半導(dǎo)體銷售額上漲顯著，大陸已成為第一大市場(chǎng)。近年以

來(lái)全球的半導(dǎo)體設(shè)備總銷售額飛速上漲，且美日韓以及中國(guó)臺(tái)灣占據(jù)主體的格局，已經(jīng)中國(guó)大

陸打破。伴隨中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向自主研發(fā)邁進(jìn)，全球半導(dǎo)體設(shè)備訂單

中來(lái)自中國(guó)大陸的占比由

2013

年的

10%以下，迅速提升至

2020

年

25%上下，成為第一大市場(chǎng)。1.2

缺貨潮下晶圓廠積極擴(kuò)產(chǎn)，設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模將有望破千億美金疫情打破供給節(jié)奏，疊加需求爆發(fā)，全球陷入嚴(yán)重缺貨潮。2020

年底各類芯片進(jìn)入缺貨

潮且目前暫無(wú)緩解跡象，代工廠持續(xù)滿載下開(kāi)啟擴(kuò)產(chǎn)周期。部分產(chǎn)品缺貨情況歷史罕見(jiàn)，車芯片、網(wǎng)絡(luò)通信芯片都為歷史最大缺貨潮。部分業(yè)內(nèi)人士曾表示本輪缺貨潮為幾十年難遇。全球晶圓廠積極擴(kuò)產(chǎn)，半導(dǎo)體設(shè)備開(kāi)啟向上周期。

2021/2022

年全球預(yù)計(jì)興建晶圓廠

19

座、10

座，其中

12

寸廠

22

個(gè)、4/6/8

寸廠

7

個(gè)，合計(jì)產(chǎn)能為

260

萬(wàn)/月(等

效

8

寸)。晶圓廠大規(guī)模擴(kuò)產(chǎn)將拉動(dòng)

2021

年全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模高速增長(zhǎng)至

953

億美金（SEMI預(yù)計(jì)

增速為

34%），2022

年有望突破

1000

億美金，創(chuàng)歷史新高。2

本土晶圓廠積極擴(kuò)產(chǎn)，設(shè)備需求空間巨大未來(lái)五年國(guó)內(nèi)代工廠&存儲(chǔ)

IDM擴(kuò)產(chǎn)是國(guó)內(nèi)設(shè)備的主要需求來(lái)源。通過(guò)“單位產(chǎn)能所需設(shè)備量×擴(kuò)產(chǎn)量”來(lái)計(jì)算國(guó)內(nèi)設(shè)備需求，此處僅計(jì)算主要代工廠&存儲(chǔ)

IDM擴(kuò)產(chǎn)量。（1）單位產(chǎn)能所需設(shè)備量：這里我們選取幾條典型產(chǎn)線，以此計(jì)算不同尺寸晶圓、不同

制程產(chǎn)線所需設(shè)備量，包括中芯

T2、中芯

T3、臺(tái)積電

12”（16/14nm）產(chǎn)線。（2）代工廠&存儲(chǔ)

IDM擴(kuò)產(chǎn)情況：我們這里統(tǒng)計(jì)了未來(lái)五年國(guó)內(nèi)主要代工廠及存儲(chǔ)

IDM的

擴(kuò)產(chǎn)情況，包括中芯國(guó)際、華虹集團(tuán)、粵新集團(tuán)及長(zhǎng)鑫、長(zhǎng)存兩大存儲(chǔ)龍頭。由于設(shè)備廠商已不生產(chǎn)

8

寸設(shè)備，8

寸產(chǎn)線擴(kuò)產(chǎn)通常采用舊設(shè)備，因此我們測(cè)算不包含

8

寸產(chǎn)線所需設(shè)備。預(yù)計(jì)

21

年大陸僅主要代工廠&存儲(chǔ)

IDM，在刻蝕/光刻/PVD+CVD三大環(huán)節(jié)需要的設(shè)備量分別為

1198/182/2254

臺(tái)。21-25

年，刻蝕/光刻/PVD+CVD所需設(shè)備量

5

年合計(jì)值分別為

4513/593/8027

臺(tái)。3

低自給率疊加國(guó)產(chǎn)化替代進(jìn)程加快，大陸設(shè)備商步入

高增長(zhǎng)機(jī)遇期大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)歷經(jīng)四個(gè)發(fā)展階段，現(xiàn)已步入快速發(fā)展期。1957-1975

年為中國(guó)半導(dǎo)體起步階段，部分半導(dǎo)體器件開(kāi)始了初步的研發(fā)；改革開(kāi)放后至

2000

年間，中國(guó)先后建立多條晶圓產(chǎn)線，包括華虹集團(tuán)成立。2000

年后，在政策的大力支持下，行業(yè)進(jìn)入技術(shù)追趕階段，國(guó)內(nèi)

多家領(lǐng)先企業(yè)先后成立，包括

2000

年中芯國(guó)際、2001

年七星電子（現(xiàn)北方華創(chuàng)）、2004

年華

為海思、2004

年中微半導(dǎo)體。而

2006

年啟動(dòng)“02

專項(xiàng)”，更是為中國(guó)半導(dǎo)體發(fā)展指明了大方

向，以建立

90nm、65nm、45nm、28nm、14nm等節(jié)點(diǎn)完整的供應(yīng)鏈為目標(biāo)。2014

年后，以“國(guó)

家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金”的成立為標(biāo)志，中國(guó)半導(dǎo)體進(jìn)入快速發(fā)展階段。其中中芯國(guó)際于

2015

年和

2019

年分別實(shí)現(xiàn)

28nm和

14nm產(chǎn)品的量產(chǎn)，2016

年中國(guó)集成電路設(shè)計(jì)公司的總量

超過(guò)

1300

家、2015

年增加

117%，2019

年長(zhǎng)江存儲(chǔ)和長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)實(shí)現(xiàn)了

NandFlash和

DRAM的量產(chǎn)。大陸各類半導(dǎo)體設(shè)備發(fā)展成果不斷涌現(xiàn)，目前部分廠商收獲國(guó)際一線訂單。2000

年初，

中國(guó)開(kāi)始出現(xiàn)一批半導(dǎo)體設(shè)備公司。05-07

年，中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備初步發(fā)展，北方華創(chuàng)和中微分交付其首臺(tái)刻蝕機(jī)。09-12

年，半導(dǎo)體設(shè)備成果初現(xiàn)，上海微電子交付第一臺(tái)光刻機(jī)

SSB500/10A；北方華創(chuàng)突破了

PVD中的濺射源設(shè)計(jì)技術(shù)等關(guān)鍵工藝，生產(chǎn)的

PVD在國(guó)際上

具有競(jìng)爭(zhēng)力；拓荊科技交付出第一臺(tái)

CVD設(shè)備

PF-300T并通過(guò)中芯國(guó)際驗(yàn)收。16-20

年，設(shè)

備發(fā)展突破更近一步，上海微電子

90nm光刻機(jī)

SSA600/20

通過(guò)驗(yàn)收；中微宣布其生產(chǎn)的

CCP刻蝕機(jī)獲得臺(tái)積電

5nm以下生產(chǎn)線訂單；北方華創(chuàng)多款

ICP刻蝕機(jī)突破

14nm；北方華創(chuàng)收購(gòu)

Arikon，強(qiáng)化半導(dǎo)體清洗設(shè)備生產(chǎn)線。大陸設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率低，本土廠商已基本實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備全鏈條覆蓋。晶圓生產(chǎn)和測(cè)試所用設(shè)備種類廣，大陸企業(yè)已布局多數(shù)設(shè)備。1）蝕刻設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率<20%：北方華創(chuàng)（硅蝕刻

和金屬蝕刻）、中微半導(dǎo)體（等離子體刻蝕）、屹唐半導(dǎo)體（離子體蝕刻）。2）光刻設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率<10%：上海微電子、芯碁微裝。3）PVD/CVD設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率<10%：北方華創(chuàng)（PVD、CVD），沈

陽(yáng)拓荊（CVD）。4）量測(cè)設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率<10%：精測(cè)電子、華峰測(cè)控、長(zhǎng)川科技、上海睿勵(lì)。5）

清洗設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率<10%：盛美半導(dǎo)體（清洗設(shè)備）、純科技（清洗設(shè)備）。6）熱處理設(shè)備國(guó)產(chǎn)

化率<20%：北方華創(chuàng)（氧化、擴(kuò)散以及退火三環(huán)節(jié)均有設(shè)備）。7）離子注入設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率<10%：

萬(wàn)業(yè)企業(yè)、中電科電子裝備。8）CMP設(shè)備國(guó)產(chǎn)化率<10%：華海清科等。仍有眾多生力軍在快速發(fā)展。行業(yè)內(nèi)仍有多數(shù)企業(yè)成立時(shí)間較短，規(guī)模較小，融資輪次多處于

A輪以及戰(zhàn)略投資，處于初級(jí)階段。隨著美國(guó)對(duì)中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)的技術(shù)封鎖的加深以及全球半導(dǎo)體產(chǎn)品緊缺的持續(xù)，政策支持力度持續(xù)加大，資金流入或大幅上漲進(jìn)而支持企業(yè)快速發(fā)展，貢獻(xiàn)本土設(shè)備需求有生力量。低自給率疊加廣闊發(fā)展空間，國(guó)產(chǎn)設(shè)備商迎來(lái)快速發(fā)展機(jī)遇。半導(dǎo)體設(shè)備中，體量最大的三個(gè)環(huán)節(jié)為刻蝕設(shè)備（2020

年

177

億美元）、光刻設(shè)備（2020

年

153

億美元）、沉積設(shè)備（2020

年

142

億美元），而各環(huán)節(jié)國(guó)產(chǎn)化率均較低，分別為<20%/<10%/<10%，國(guó)產(chǎn)替代空間巨大。從中外設(shè)備龍頭公司體量來(lái)對(duì)比，國(guó)內(nèi)龍頭與國(guó)外龍頭相差數(shù)十倍：營(yíng)業(yè)收入上大陸企業(yè)目前

基本在

10

億美元以內(nèi)，而國(guó)外龍頭已達(dá)到百億美元級(jí)別；國(guó)內(nèi)龍頭均處于盈利初期，凈利潤(rùn)

不過(guò)

1

億美元，而海外龍頭凈利潤(rùn)在幾十億美元；市值上，國(guó)內(nèi)龍頭達(dá)到百億美元級(jí)別，而海

外已有市值過(guò)千億美元的龍頭。4

重點(diǎn)企業(yè)分析大陸半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)在經(jīng)歷依賴國(guó)外技術(shù)階段、自主研發(fā)階段后，已步入本土替代階段。

從市場(chǎng)空間看，大陸已成為全球半導(dǎo)體設(shè)備最大需求市場(chǎng)，本土

foundry、存儲(chǔ)

IDM等大規(guī)模

擴(kuò)產(chǎn)將推動(dòng)市場(chǎng)持續(xù)增長(zhǎng)。從自給率看，各品種設(shè)備自給率普遍低于

10%，少數(shù)低于

20%，體自給率水平偏低。我們認(rèn)為大市場(chǎng)+低自給率，疊加國(guó)產(chǎn)替代大趨勢(shì)，大陸整體半導(dǎo)體設(shè)備

板塊迎來(lái)黃金增長(zhǎng)期。北方華創(chuàng)：大陸半導(dǎo)體設(shè)備平臺(tái)型龍頭企業(yè)，品類布局廣度為大陸之最。公司的前身七星電子成立于

2001

年，并于

2010

年在深交所上市，2016

年與北方微電子戰(zhàn)略組后更名為北方華創(chuàng)。公司總部位于北京，并在上海、深圳、德國(guó)、美國(guó)等多地設(shè)立辦事處。公司是大陸領(lǐng)先電子制造裝備及電子元器件供應(yīng)商，現(xiàn)擁有半導(dǎo)體裝備、真空裝備、新

能源鋰電裝備及精密元器件四個(gè)業(yè)務(wù)板塊，2020

年占公司總營(yíng)收的比例依次為

41%、22%、3%

和

33%，占公司總毛利潤(rùn)的比例依次為

57%、7%、1%和

35%，半導(dǎo)體裝備是公司業(yè)務(wù)的核心增

量。公司半導(dǎo)體設(shè)備包括等離子刻蝕設(shè)備（Etch）、物理氣相沉積設(shè)備（PCD）、化學(xué)氣相沉積

設(shè)備（CVD）、原子層沉積（ALD）、氧化擴(kuò)散設(shè)備、清洗設(shè)備、紫外固化設(shè)備、氣體質(zhì)量流量控

制器、轉(zhuǎn)移傳送設(shè)備、輔助設(shè)備等，其中多種品類大陸領(lǐng)先。公司已與大陸主要晶圓廠包括中

芯國(guó)際、華虹、華力微、長(zhǎng)江存儲(chǔ)、合肥長(zhǎng)鑫等建立深度合作，將有望享受大陸晶圓廠擴(kuò)產(chǎn)及

設(shè)備國(guó)產(chǎn)化大趨勢(shì)紅利。芯源微：大陸涂膠顯影龍頭企業(yè)。公司前身為沈陽(yáng)芯源先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)有限公司，于

2002

年

12

月由中科院沈陽(yáng)自動(dòng)化研究所發(fā)起設(shè)立。公司總部位于沈陽(yáng)，并在蘇州、

昆山、武漢、上海等多地設(shè)立辦事處。公司產(chǎn)品主要包括涂膠顯影設(shè)備和清洗設(shè)備，2020

年占公司總營(yíng)收比例分別為

72%和

23%，占公司總毛利潤(rùn)的比例分別為

72%和

21%。公司涂膠顯

影設(shè)備客戶包括華力、中芯紹興、士蘭集科、上海積塔、株洲中車、青島芯恩、中芯寧波、昆

明京東方等大陸主要半導(dǎo)體和面板制造商，SpinScrubber清洗設(shè)備已達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平，已通過(guò)中芯國(guó)際、上海華力、士蘭集成等多客戶驗(yàn)證，并獲得大陸多家晶圓代工廠批量重復(fù)訂單。中微公司：大陸介質(zhì)刻蝕設(shè)備龍頭公司。公司成立于

2004

年，創(chuàng)始團(tuán)隊(duì)具

備多年行業(yè)經(jīng)歷，此前為全球半導(dǎo)體設(shè)備第一大供應(yīng)商應(yīng)用材料、第三大供應(yīng)商

lam等核心技

術(shù)人員。公司總部位于上海，并在新加坡、日本、韓國(guó)、美國(guó)等多地設(shè)立分支機(jī)構(gòu)?，F(xiàn)

階段，公司主要包括刻蝕設(shè)備和

MOCVD設(shè)備兩條產(chǎn)品線，其中刻蝕設(shè)備主要聚焦介質(zhì)刻蝕，為

大陸介質(zhì)刻蝕設(shè)備龍頭，MOCVD設(shè)備主要用于

LED行業(yè)，公司亦為該領(lǐng)域大陸龍頭。從技術(shù)上

看，公司主攻目前行業(yè)主流的等離子體干法刻蝕設(shè)備，產(chǎn)品在邏輯集成電路制造環(huán)節(jié)已用于國(guó)主流代工廠

65nm到

5nm等先進(jìn)生產(chǎn)線，在

3DNAND制造環(huán)節(jié)已應(yīng)用于本土大客戶的

64

層

和

128

層產(chǎn)品線，正在根據(jù)客戶需求開(kāi)發(fā)新一代能夠涵蓋

128

層及以上關(guān)鍵刻蝕應(yīng)用及對(duì)應(yīng)的極高深寬比刻蝕設(shè)備，在

DRAM制造環(huán)節(jié)，公司正配合本土大客戶開(kāi)發(fā)

1Xnm設(shè)備。華峰測(cè)控：大陸半導(dǎo)體測(cè)試機(jī)龍頭。公司成立于

1993

年，是大陸最早研

發(fā)、生產(chǎn)和銷售半導(dǎo)體測(cè)試系統(tǒng)的企業(yè)之一，深耕行業(yè)近三十年，已成為大陸最大的半導(dǎo)體測(cè)

試系統(tǒng)本土供應(yīng)商，技術(shù)指標(biāo)與國(guó)際龍頭比肩。公司產(chǎn)品包括測(cè)試系統(tǒng)和配件，2020

年占公

司總營(yíng)收的比例為

93%和

7%，占公司總毛利潤(rùn)的比例為

93%和

7%。公司測(cè)試系統(tǒng)產(chǎn)品主要包括

STS8200

和

STS8300，其中

STS8200

測(cè)試機(jī)為公司核心產(chǎn)品，是用于模擬和分立器件測(cè)試的經(jīng)暢銷型號(hào)，2018

年新推出

STS8300

測(cè)試機(jī)用于模擬及數(shù)?；旌闲酒瑴y(cè)試，能夠測(cè)試更高引

腳數(shù)和更多工位產(chǎn)品。截止

2020

年底，公司產(chǎn)品累計(jì)出貨量超過(guò)

3500

臺(tái)。目前，公司核心客

戶已覆蓋國(guó)內(nèi)外主流封測(cè)廠、IC設(shè)計(jì)公司、功率分立器件公司，未來(lái)將有望受益封測(cè)和晶圓

廠擴(kuò)產(chǎn)，以及本土模擬、功率、數(shù)模混合芯片、第三代化合物半導(dǎo)體芯片設(shè)計(jì)企業(yè)的崛起。芯碁微裝：大陸微納直寫(xiě)光刻龍頭。公司成立于

2015

年，聚焦微納直寫(xiě)光

刻為技術(shù)核心的直接成像設(shè)備及直寫(xiě)光刻設(shè)備。現(xiàn)階段，公司產(chǎn)品線主要包括

PCB直接成像設(shè)

備及自動(dòng)化產(chǎn)線、泛半導(dǎo)體直寫(xiě)光刻設(shè)備及自動(dòng)化系統(tǒng)，2020

年占公司總營(yíng)收的比例分別為

91%和

4%，占公司總毛利潤(rùn)的比例分別為

87%和

4%。公司已積累了大量?jī)?yōu)質(zhì)客戶，包括

PCB供應(yīng)商如宏華勝、健鼎科技、深南電路、景旺電子、勝宏科技等，F(xiàn)PD供應(yīng)商如國(guó)顯光電，及

IC領(lǐng)域科研單位如中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十一研究所、中科大、中科院半導(dǎo)體所等。萬(wàn)業(yè)企業(yè)：收購(gòu)凱世通和

Compart，布局離子注入設(shè)備和氣體輸送領(lǐng)域。公

司成立于

1991

年，主營(yíng)房地產(chǎn)業(yè)務(wù)。2017

年，公司開(kāi)始轉(zhuǎn)型，以自有資金

10

億元認(rèn)購(gòu)首期

上海半導(dǎo)體裝備材料產(chǎn)業(yè)投資基金，邁入半導(dǎo)體裝備材料領(lǐng)域。2018

年，公司以

3.98

億元收

購(gòu)上海凱世通半導(dǎo)體股份有限公司

100%股權(quán)，2020

年凱世通定增后萬(wàn)業(yè)持股份額變成

69.52%。

凱世通成立于

2009

年，聚焦離子注入設(shè)備，創(chuàng)始人為全球離子注入領(lǐng)域?qū)＜?，曾帶領(lǐng)美國(guó)團(tuán)

隊(duì)成功開(kāi)發(fā)了兩代大束流離子注入機(jī)，打入

28nm產(chǎn)線。2020

年，凱世通獲得多個(gè)不同類型

12

英寸低能大束流離子注入機(jī)和高能離子注入機(jī)訂單，IC離子注入機(jī)產(chǎn)品已進(jìn)入大陸主流

12晶圓廠驗(yàn)證階段。此外，公司于

2020

年

12

月?tīng)款^境內(nèi)外投資人以

3.98

億美元收購(gòu)

Compart100%股權(quán)，公司間接持股

33.31%，為第一大股東。Compart是氣體輸送領(lǐng)域的絕對(duì)龍頭，總部

位于新加坡，在深圳和馬來(lái)西亞庫(kù)林分別設(shè)有工廠。晶盛機(jī)電：大陸長(zhǎng)晶設(shè)備龍頭。公司成立于

2006

年，成立之初便專注半導(dǎo)

體材料裝備領(lǐng)域，2007

年成功研制國(guó)內(nèi)首臺(tái)全自動(dòng)單晶硅生長(zhǎng)爐，打破高端單晶爐被海外壟

斷的局面，2012

年創(chuàng)業(yè)板上市。目前，公司

8

英寸半導(dǎo)體長(zhǎng)晶設(shè)備及加工設(shè)備已實(shí)現(xiàn)批量銷

售，12

英寸長(zhǎng)晶設(shè)備、研磨和拋光設(shè)備已通過(guò)客戶驗(yàn)證并實(shí)現(xiàn)銷售，其他加工設(shè)備也陸續(xù)進(jìn)

入客戶驗(yàn)證階段。此外，公司積極布局

SiC領(lǐng)域，SiC外延設(shè)備已通過(guò)客戶驗(yàn)證。2020

年，公

司晶體硅生長(zhǎng)設(shè)備占公司總營(yíng)收比例為

69%，占公司總毛利潤(rùn)比例分別為

80%。盛美股份：大陸清洗設(shè)備龍頭。公司成立于

2005

年，是美國(guó)特拉華州

ACMR在上海投資設(shè)立的全資子公司。特拉華州

ACMR成立于

1998

年，由美籍華人王暉博士牽頭清華

校友創(chuàng)立的加利福尼亞州

ACMR吸收合并重組而成。公司以清洗設(shè)備起步，立足自主創(chuàng)新，成

功研發(fā)出全球首創(chuàng)的

SAPS、TEBO兆聲波清洗技術(shù)和

Taboe單片槽式組合清洗技術(shù)，可用于45nm及以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)的晶圓清洗領(lǐng)域?，F(xiàn)階段，公司產(chǎn)品線已擴(kuò)產(chǎn)包括半導(dǎo)體清洗設(shè)備、先

進(jìn)封裝濕法設(shè)備、半導(dǎo)體電鍍?cè)O(shè)備、立式爐管，2020

年占公司總營(yíng)收的比例依次為

81%、10%、

5%、1%，占公司總毛利潤(rùn)的比例依次為

83%、8%、3%、0.5%。公司主要客戶包括海力士、華虹、

長(zhǎng)江存儲(chǔ)、中芯國(guó)際、合肥長(zhǎng)鑫、長(zhǎng)電科技、通富微電、上海新昇等國(guó)內(nèi)外半導(dǎo)體主流廠商。華海清科：大陸

CMP設(shè)備龍頭公司。公司成立于

2013

年，董事長(zhǎng)及公司高

管、核心技術(shù)人員普