工程電磁場填空題答案

二、填空矢量穿過曲面的矢量線總數(shù)中任意一點處通量對體積的變化率矢量場中任意一點處通量對體積的變化率。AC的線積分義過點P作一微小曲面S,它的邊界曲線記為L,面的法線方與曲線繞向成右手螺旋法則當(dāng)S點P時,存在極限環(huán)量密度二者的關(guān)系 旋度的物理意點P的旋度的大小是該點環(huán)量密度的最大值點P的旋度的方該點最大環(huán)量密度的方向。電場強度與電位移矢量的關(guān)系：DE0r1原波幅的倍時，它行經(jīng)e1的深度定義為透入深度，且其大小為d（a）a趨膚效應(yīng)是指所流過的電流將越來越集中于導(dǎo)體表面附近，導(dǎo)體內(nèi)部的電流越來越小的現(xiàn)象e-1，趨膚深度的表達式 。

n 1 q

2 k kk1線性煤質(zhì)中，兩導(dǎo)體間的電容與兩導(dǎo)體所帶的電量和兩導(dǎo)體間的電壓無關(guān)（填有關(guān)或無關(guān)，與兩導(dǎo)體的幾何尺寸、相互位以及空間煤質(zhì)的電容率 有關(guān)（填有關(guān)或無關(guān)）R0

的平行雙輸電線，假設(shè)幾何中心軸相聚2x，則0其電軸中心間的距離D的表達式為：D2 x0

2R20麥克斯韋方程組的積分表達式分別為 DdS

Edl

BdS

Hdl

(J

D)dSS l

S t 、

BdS0l

S tS 其物理描述分別為電荷是產(chǎn)生電場的通量源、變換的磁場是產(chǎn)生電場的漩渦源、0，說明磁場不可能由通量源產(chǎn)生、產(chǎn)生磁場，他們是產(chǎn)生磁場的漩渦源。麥克斯韋方程組的微分形式分別為D、EB、B0、tHJ

D。t其物理意義分別（同第九）tantan12

12Q0所產(chǎn)生的電場強度表示QQ為： E 0 R0 ；其電勢表達式為： 0QQR2 R 0 0 磁通的連續(xù)性原理BdS0 s 坡印廷矢量的數(shù)學(xué)表達式SEH電磁能量在空間的能流密度。表達式 (EH)dS的物理意義單位時間內(nèi)穿出閉合曲面S的電磁能流大；s線圈回路通有電流時，變化的磁通會在回路中產(chǎn)生感生電動勢，這一過程之為自感現(xiàn)象其中回路的自感系數(shù)定義為回路電流所交鏈的（通鏈 與產(chǎn)生此磁（通）鏈的回路電流I之比。電容的定義式CqUHHa（H H a） 2t單色平面波中的“單色”是指波頻率單一。R0

為半徑的半球的接地體接地電阻為 R 12 R 0介質(zhì)的三個物態(tài)方程分別是DE 、 BH、J E。CP uI uI

b22

uI1 11B0 (2)B0

a2

2

3B0 2

(1)、2R ab

2R （3）垂直紙面向里 E2x3y)exy)e2z2x)ex y z 0為 3 0電磁波在導(dǎo)電介質(zhì)中的穿透性頻率有。x=0，x=3電容率為, , 的三種介質(zhì)，其中 。已知區(qū)域中均r1 r2 r3 r3 r2 r1E1

8exy6ez

V/m,則區(qū)域Ⅱ中的電場強度為：E 4e 5e 6e ，區(qū)域Ⅲ中的電場強度為 E 2e 5e 6e2 x y z 3 x y z傳導(dǎo)電流密度與電場強度的關(guān)系是E c （

是煤質(zhì)的電導(dǎo)率）BuH（u相對磁導(dǎo)率）當(dāng)波從電介質(zhì)中進入導(dǎo)電煤質(zhì)后，其波幅衰減時，它行的深度定義為透入深度，且其大小。無論是電力傳輸還是通信傳輸，都必須通過空間電磁波來實現(xiàn)能量傳輸，波印廷矢量描述了電磁能在空間的傳播規(guī)律，其表達式為：SEH 。若空氣中電位函數(shù)xyz0cosxcosycosz，其中,為已知，29. 則電荷的分布規(guī) 222cosxcosycoz 0 tan 1磁場的折射定律： tan11

(P131) 2 2DDet規(guī)律變化，則該點的位移電流密0度大小的表達 =m

cost,此線圈中的感生電動勢為 分立的帶電導(dǎo)體系統(tǒng)的電場能量表達式為 當(dāng)不同煤質(zhì)的交界面無面電流時，交界面上磁場的邊界條件表示為：磁場法向分量滿磁感應(yīng)強度矢量B的法向分量連續(xù)

B 磁場強度H的切線分量連續(xù)H H 。2t

1n 2n如下圖所示，半徑為r0

環(huán)形電流I，圓心P處的磁感應(yīng)強度為大小為：uI，方向垂直紙面向里B0 2r0IPr0無關(guān)（填有關(guān)或無關(guān)有關(guān)（函數(shù)是唯一的R0

的圓柱導(dǎo)線位于均勻介質(zhì)中